SU1188858A1 - Одновибратор - Google Patents

Abstract

ОДНОВИБРАТОР, содержащий два транзистора пр мой проводимости, два транзистора обратной проводимости и первый конденсатор, выводы которого подключены соответственно к общей шине и точке соединени  первого вьшода первого резистора с эмиттером первого транзистора пр мой проводимости, коллектор и база которого соединены соответственно с базой и коллектором первого транзистора обратной проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор, через второй резистор с первой выходной шиной и коллектором второго транзистора пр мой проводимости , эмиттер которого подключен к шине питани , а база через третий резистор подключен к шине питани  и через четвертый резистор к второй выходной шине и коллектору второго транзистора обратной проводимости , эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к шине входного сигнала и через п тый резисторк общей шине, отличающийс   тем, что, с целью повьш1ени  стабильности длительности выходных импульсов за счет повышени  крутизны нарастани  напр жени  на входе порогового элемента, в него введены второй конденсатор, третий транзистор пр мой проводимости, три диода, шестой и седьмой резисторы, причем перва  обкладка второго конденсатора подключена.к коллектору второго транзистора обратной проводимости, а втора  обкладка - к коллектору S третьего транзистора пр мой проводиS мости и второму выводу первого ре (Л зистора, эмиттер третьего транзистора пр мой проводимости подключен через шестой резистор к шине питани , а база - к точке соединени  первого вывода седьмого резистора и катода первого диода, анод которого соединен с шиной питани , второй вы00 00 00 вод седьмого резистора подключен к коллектору второго транзистора обратной проводимости, анод второго СП диода, соединенного последовательно оо с третьим диодом, подключен к базе первого транзистора пр мой проводимости , а катод третьего диода - к базе второго транзистора обратной проводимости.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах аЬтоматики и вычислительной техники. Цель изобретени  - повышение стабильности длительности выходных импульсов одновибратора за счет стабилизации величины напр жени  срабатывани  порогового элемента, увеличени  крутизны нарастани  напр жени  на входе порогового элемента в точке его срабатьгоани  и стабилизации величины тока зар да врем задающих конденсаторов. На фиг. 1 приведена принципиальна  схема одновибратора; на фиг. 2 временные диаграммы, по сн ющие его работу. Одновибратор содержит первый транзистор 1, эмиттер которого соединен с плюсовой шиной 2 питани , база транзистора 1 через первый резистор 3 соединена с шиной 2, а также через второй резистор 4 соединена с коллектором второго транзистора 5 эмиттер которого соединен с общей шиной 6, база которого через третий резистор 7 соединена с шиной 6, коллектор транзистора 1 через четвертый резистор 8 соединен с базой третьего транзистора 9 и коллектором четвертого транзистора 10, эмиттер транзистора 10 соединен с шиной 6, база которого соединена с коллектором транзистора 9, эмиттер которого соединен с одним выводом п того резистора 11 и одной обкладкой первого конденсатора 12, друга  обкладка которого соединена с шиной 6, второй конденсатор 13, одна обкладка которо го соединена с коллектором транзистора 5, а друга  - с другим выводом резистора 11 и коллектором п того транзистора 14, эмиттер которого через шестой резистор 15 соединен с шиной 2, база транзистора 14 через седьмой резистор 16 соединена с коллектором транзистора 5, а также с катодом первого диода 17, анод которого соединен с шиной 2, база транзистора 9 соединена с анодом второго диода 18, катод которого соединен с анодом третьего диода 19, катод которого соединен с базой транзистора 5, а также выходные шины 20 и 21 и входную шину 22. Одновибратор работает следующим образом. 1 82 В исходном состо нии все транзисторы одновибратора закрыты, ковденсатор 12 зар жен до напр жени  0,2 1 В, а конденсатор 13 - до напр жени , величина которого на 0,5-1 В меньше величины напр жени  источника питани . На шине 21 низкий потенциал , на шине 20 высокий. При поступлении на шину 22 положительного запускающего импульса (фиг.2а) транзистор 5 открываетс , потенциал на-., выходной шине 20 падает практически до нул . Через резистор 4 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход эмиттер-база транзистора 1 и откры- . вает его. Потенциал на выходной шине 21 (фиг.25) возрастает-до величины напр жени  питани . Через резистор 8, диоды 18 и 19 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход база-эмиттер транзистора 5 и удерживает последний, а следовательно , и транзистор 1 в открытом состо нии. Через резистор 16 также начинает протекать ток, часть которого протекает через резистор 15 и переход эютттер-база транзистора 14, а друга  - через диод 17. Транзистор 14 открываетс  и через него начинает протекать ток, величина которого определ етс  номиналом резистора 15. Напр жение на его коллекторе в этот момент времени (фиг.2г) становитс  отрицательным за счет подключени  положительно зар женной обкладки конденсатора 13 к общей шине 6. Конденсатор 13 начинает перезар жатьс  током, величина которого складываетс  из величины коллекторного тока транзистора 14 . и величины тока разр да конденсатора 12, протекающего через резистор 11. По мере зар да конденсатора 13 величина тока протекающего через резистор 11, уменьшаетс , а после того, как величины напр жений на конденсаторах 13 и 12 сравниваютс , ток через резистор 11 мен ет свое направление. С этого момента времени конденсатор 12 начинает зар жатьс  (фиг.2в). На начальном участке его зар да скорость нарастани  напр жени  на нем меньше, чем на конденсаторе 13 (фиг.2г), однако далее по мере их зар да напр жение на резисторе 11 увеличиваетс  и к моменту достижени  напр жением на конденса31

торе пороговой вепнчины напр жение на последнем нарастает практически линейно. Когда величина напр жени  на конденсаторе 12 превьшает величину напр жени  на базе транзистора 9, .транзисторы 9 и 10 открываютс  и вход т в насыщение. Транзистор 10 шунтирует цепь, состо щую из диодов 18 и 19 и перехода база-эмиттер тран зистора 5, в результате чего последний закрываетс  и вызывает закрывание транзисторов 14 и 1. Конденсатор 12 разр жаетс  через открытые транзисторы 9 и 10, а конденсатор 13

88584

перезар жаетс  через эти же транзисторы и резисторы 11, 4 и 3. По окончании перезар да конденсатора 13 транзисторы 9 и 10 закрываютс  и схеJ ма возвращаетс  в исходное состо ние. Таким образом, в предлагаемом устройстве повышаетс  стабильност длительности выходных импульсов за счет повышени  крутизны нарастани  напр 10 женин на входе порогового элемента . в точке его срабатывани , а также уменьшени  зависимости величины порогового напр жени  от величины напр жени  источника питани .

Фиг.1

Claims (1)

1. ОДНОВИБРАТОР, содержащий два транзистора прямой проводимости, два транзистора обратной проводимости и первый конденсатор, выводы которого подключены соответственно к общей шине и точке соединения первого вывода первого резистора с эмиттером первого транзистора прямой проводимости, коллектор и база которого соединены соответственно с базой и коллектором первого транзистора обратной проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор, через второй резистор - с первой выходной шиной и коллектором второго транзистора прямой проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, а база через третий резистор подключен к шине питания и через четвертый резистор к второй выходной шине и коллектору второго транзистора обратной проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к шине входного сигнала и через пятый резисторк общей шине, отличающийс я тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходных импульсов за счет повышения крутизны нарастания напряжения на входе порогового элемента, в него введены второй конденсатор, третий транзистор прямой проводимости, три диода, шестой и седьмой резисторы, причем первая обкладка второго конденсатора подключена к коллектору второго транзистора обратной проводимости, а вторая обкладка - к коллектору третьего транзистора прямой проводимости и второму выводу первого резистора, эмиттер третьего транзистора прямой проводимости подключен через шестой резистор к шине питания, а база - к точке соединения первого вывода седьмого резистора и катода первого диода, анод которого соединен с шиной питания, второй вывод седьмого резистора подключен к коллектору второго транзистора обратной проводимости, анод второго диода, соединенного последовательно с третьим диодом, подключен к базе первого транзистора прямой проводимости, а катод третьего диода - к базе второго транзистора обратной проводимости.

   SU .„1188858