SU790203A1 - Формирователь задержанных импульсов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к радио электронике и может быть использовано дл  формировани  мощного импульса , задержанного относительно заднего фронта входного импульса.

Известно устройство задержки .импульсов , выполненное на резисторах, конденсаторах и динисторе 1.

Недостатком известного устройства  вл етс  низка  стабильность формируемого интервала времени задержки.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  формирователь задержанных импульсов, содержаш|йй полохитедь ый.: конденсатор и последовательно соединен ные зар дный резистор и динистор 2.

Недостаток такого устройства также заключаетс  в нестабильности времени задержки, обусловленной большим разбросом напр жени  включени  динисторов .,

Цель изобретени  - повышение стабильности задержки.

Поставленна  цель достигаетс  « . тем, что в устройство введены транзистор , эмиттер и коллектор которого через диоды подключены к катоду диодного тиристора (динистора), дополнительный источник напр жени  пи

тани , подключенный через резисторы к коллектору и базе транзистора, источник опорного напр жени , подключенный через диод к базе транзистора и диод, подключенный между нагрузкой и точкой соединени  зар дного резистора и анода диодного тиристора , причем накопительный конденсатор подключен между эмиттером тран10 зистора и общей шиной.

На фиг. 1 изображена принципиальна  электрическа  схема формировател  задержанных импульсов; на фиг. 2 - эпюры входного и выходного

15 сигналов.

Устройство содержит транзистор 1 в коллекторной и эмиттерной цеп х которого включены диоды 2 и 3, а в базовую цепь через диод 4 включен

20 источник 5 опорного напр жени . Между эмиттером транзистора 1 и общей шиной 6 подключен накопительный конденсатор 7. Зар дный резистор 8 подключен /одним выводом к источнику

25 9 входных импульсов, а другим выводом через диодный тиристОр 10 - к объединенным анодам диодов 2 и 3. Коллектор и база транзистора 1 подключены соответственно через редис30 торы 11 и 12 к источнику 13 напр жени  питани . Нагрузка, подключаема  к клеммам 14, св зана через диод 15 с диодного тиристора 10, в качестве которого можно использовать- любой прибор, включаемый по приложенному к нему напр жению, например динистор, либо маломочный тиристор, у которого управл ющий электрод через стабилитрон соединен с анодом.

Устройство работает следующим образом.

При поступлении на вход устройства импульса напр жени  положительной пол рности открываетс  диодный тиристор 10. Конденсатор 7 зар жаетс  через резистор 8, диодный тиристор 10 и диод 3 до величины,.определ емой резисторами -8, 11, 12 и величинами напр жени  источника 13 питани  и- источника 9 входного сигнала .

По мере зар да конденсатора 7 напр жение на эмиттере транзистора 1 возрастает. Транзистор 1 насыщен за счет тока, протекающего через резистор 12 от источника 13 напр жени  питани .

Если теперь в некоторый момент fc понизитс  уровень напр жени  источника 9, то, вследствие того, что напр жение на конденсаторе 7 не может быстро уменьшитьс , диод 3 оказываетс  под обратным напр жением, и ток через него и диодный тиристор 10 становитс  близок к нулю, вследствие чего диодный тиристор 10 переходит в состо ние малой проводимости . Конденсатор 7 начинает разр жатьс  током эмиттера насыщенного транзистора 1. Процесс перезар да конденсатора 7 будет происходить до тех пор, пока напр жение на верхней его обкладке, а, следовательно, и на базе транзистора 1, не изменит своего знака с положительного на отрицательный и не достигнет величины опорного напр жени  источника 5. Транзистор 1 начнет подзапиратьс , и напр жение на его коллекторе и, следовательно, на катоде диодного i тиристора, начнет резко падать (возрастать по модулю), что приведет (при достижении этим напр жением величины напр жени  включени  диодного тиристора) к включению диодног тиристора 10, обеспечивающего подключение к выходным клеммам 14 (через диод 15) отрицательного потенциала верхней обкладки конденсатора 7.

Конденсатор 7 разр жаетс  через сопротивление нагрузки, формиру  выходной импульс (tj).

После очередного увеличени  уровн  входного напр жени  источника 9 конденсатор 7 вновь зар дитс  через резистор 8, диодный тиристор 10, диод 3 до уровн  напр жени  источника 9 .

Транзистор 1 находитс  все врем  в режиме насыщени , за исключением небольшого времени, когда напр жение его эмиттера достигает уровн  источника 5 опорного напр жени . При этом максимальное напр жение коллектор-эмиттер составит разность между напр жением включени  диодного тиристора 10 и опорного напр жени  источника 5. В св зи с этим транзистор

S 1 работает при любой величине напр жени  источника 9 входных импульсов и напр жени  источника 13 питани . Это одно из достоинств данной схемы формировател  задержанных.импульсов

0 большой амплитуды, выполненного на основе диодного тиристора, характеризующегос  высокой стабильностью формируемого: време ли задержки, которое в данном случае не зависит от

5 параметров диодного тиристора.

Врем  задержки можно регулировать, измен   величину напр жени  ист очника 5.

Таким образом, данное устройство

обеспечивает формирование стабильного и легко регулируемого времени задержки Т.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР 231605, кл. Н 03 К 5/13, 1966.

2.Авторское свидетельство СССР 0 308497, кл. Н 03 К 3/335, 1970

(прототип) .

(

Si

фщ

«.

ewx