SU1187218A1 - Сегнетоэлектрическое запоминающее устройство - Google Patents

Abstract

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОMHHAKffllEE УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывани , компланарн нанесенных на обе стороны сегнетоТЕНИЯ электрической пластины, и.две гру шин управлени , причем шины управ лени  первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электро записи-считывани , отличающее с   тем, что, с целью повышени  надежности устройства путем уменьшени  акустических помех, в него введендиэлектрический слой с отверЬти ми, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической пластш шины управлени  второй группы нанесе на диэлектрический слой и соединены соответствующими электродами записисчитывани  через отверсти  в диэлектрическом слое,в сегнетоэлектрическо пластине выполнены щелевые отверсти  акустической разв зки между смежными парами электродов записи-считывани , а сегнетоэлектрическа  пластина уста новлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложк

Description

11 Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано дл  хранени  и неразруша гощего считьшани  двоичной информации . Известно запоминающее устройство содержаи1ее подложку, соединенную с сегнетоэлектрической пластиной, на которую нанесены управл ющие электроды , а сечение пластины между запо минающими элементами больше, чем в местах расположени  запоминающих элементов, причем в подложке выполнены пазы Cl Известно также запоминающее устройство , содержащее две керамически пластины, пластину возбуждени  и за поминающие пластины с системами шин соединенные между собой и подложкой 2 J. Указанные устройства хараКтери ,зуютс  низкой технологичностью изготовлени  и Малым объемом пам ти. Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  запо- Шины

минающее устройствоj содержащее подложку и сегнетоэлектрическую пластину на двух противоположных гран х которой расположены управл ющие и компенсирующие электроды, а сегнетопьезо- 30 электрическа  пластина и подложка соединены между собой металлическими прокладками L3 .

Недостатком известного устройства  вл етс  низка  надежность, обуслов- 35 ленна  акустическими помехами в сегнетоэлектрической пластине, в результате чего выходные сигналы с элементов матрицы отличаютс  по амплитуде.

Цель изобретени  - повышение 40 надежности сегнетоэлектрического запоминающего устройства путем уменьшени  акустических помех.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в сегнетоэлектрическое 45 запоминающее устройство, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывани , компланарно нанесенных на обе стороны сегнето- 50 электрической пластины, и две группы шин управлени , причем щины управлени  первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроды записи- 55 считьшани , введен диэлектрический сло.й с отверсти ми, нанесенный на другую сторону сегнетоэлектрической

4 и 6 отделены от них диэлектрическим слоем 12 с отверсти ми 13, ч.ерез которые шины соединены со своими электродами. Электроды 4-7 образуют запоминающие элементы 14, которые образуют продольные р ды, и между запоминающими элементами продольных р дов выполнены щелевые отверсти  15 акустической разв зки . Отверсти  15 позвол ют поставить элементы 14 в одинаковые услови  по электроакустическим преобразовани м, так как все элементы имеют одинаковы незакрепленные грани, и волна деформации при считывании начинает распростран тьс  одновременно дл  всех элементов независимо от их местоположени  . Кроме того наличие двух незакрепленных граней позвол ет боле полно использовать энергию считывающего сигнала, т.е. получить выходной сигн ал большей амплитуды.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации осуществл ют подачей импульсного напр жени  соответствующей пол рности и. длительности на шину управлени , например на шину 11. Шину 10 подкл|очают к общей точке устройства. На все остальные шины в режиме записи подают напр жени , исключающие ложную запись в нёвыбранных элементах. 8 пластины, шины управлени  второй группы нанесены на диэлектрический слой и соединены с соответствующими электродами записи-считывани  через отверсти  в электрическом слое, в сегнетоэлектрической пластине выполнены щелевые отверсти  акустической разв зки между с 1ежными парами электродов записи-считывани , а сегнетозлектрическа  пластина установлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложке. На фиг. 1 показано сегнетоэлектрическое запоминающее устройство объемом 2x2 бита; на фиг. 2 - то же, разрез А-А на фиг. 1. Устройство содержит сегнетоэлектрическую пластину 1, диэлектрическую подложку 2, демпфирующие опоры 3 из диэлектрического материала, электроды 4-7 записи-сч.итывани , которые объединены шинами 8-11 управлени . Шины 9 и 11 частично совмещены с прот женными диэлектрическими опорами 3. 8 и 10 проход т над электродами

3 11872184

При считываний информации напр же-по вл ютс  импульсы .

ние считывани  поступает в одну изпол рностью, завис щей от запис|ннои

шин 8, другие шины подключены к общейинформации.

точке устройства. В результате двои-«„„„«

ного -преобразовани  энергии - элект-5 Предлагаемое изобретение позвол ет

рической в механическую и механи-существенно повысить надежност.ь|уст

ческой в электрическую, на шинах 11ройства.

L

, „ ,-/.

/2

Л-.

Claims (1)

1. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее диэлектрическую подложку, сегнетоэлектрическую пластину, пары электродов записи-считывания, компланарно нанесенных на обе стороны сегнето электрической пластины, и.две труп шин управления, причем шины управления первой группы нанесены на одну сторону сегнетоэлектрической пластины и соответствующие электроЖ1 записи-считывания, Отличающ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства путем I · уменьшения акустических помех, в I него введен’диэлектрический слой с] отверстиями, нанесенный на другую I сторону сегнетоэлектрической пластин шины управления второй группы нанесен на диэлектрический слой и соединены I соответствующими электродами записи-1 считывания через отверстия в диэлект-1 рическом слое, в сегнетоэлектрической пластине выполнены щелевые отверстия акустической развязки между смежными парами электродов записи-считывания, а сегнетоэлектрическая пластина уста новлена на демпфирующих опорах, закрепленных на диэлектрической подложке