SU364962A1 - Запоминающее устройство - Google Patents
Запоминающее устройствоInfo
- Publication number
- SU364962A1 SU364962A1 SU1499645A SU1499645A SU364962A1 SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1 SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- electrodes
- bus
- input
- additional
- Prior art date
Links
Landscapes
- Reciprocating Pumps (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
1
Известно запоминающее устройство, содержащее широкополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы, входные электроды которых подключены к соответствующим числовым шинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени . Экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щипам второй группы , св занным через ключи с щиной нулевого потенциала, а выходные электроды подключены к соответствующим разр дным щинам, один конец каждой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител считывани .
Недостатками известного запоминающего устройства вл ютс низка помехозащищенность и снижение надежности при увеличении объема пам ти.
Описываемое запоминающее устройство отличаетс от известного тем, что оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов . Один конец щины подключен к выходу соответствующего формировател записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител считывани .
Это позвол ет повысить надежность работы устройства.
На чертеже изображено запоминающее устройство .
Устройство содержит сегнетоэлектрические щирокополосные пьезотрансформаторы /, которые вл ютс запоминающими элементами. Онп представл ют собой монолитную конструкцию , состо щую из пьезокерамических
пластин, акустически св занных между собой через экранирующие электроды 2. Пластина 3 вл етс пластиной возбуждени пьезотрансформатора . Пластина 4 - генераторна и выполн ет функции запоминани . На ее
верхнюю поверхность нанесены основной 5 и дополнительный 6 выходные металлические электрод,ы. Входной электрод 7 нанесен на нижнюю поверхность пластины возбуждени 3. Входные электроды объединены в числовые
шины S первой группы, которые соединены с выходами формирователей возбуждени 9. Клеммы 10 вл ютс управл ющими входами этих формирователей. Экранирующие электроды 2 объединены по адресам в числовые
шины // второй группы, которые подсоединены к ключам 12. Ключи 12 вл ютс одновременно и формировател ми сигналов стирани . Клемма 13 используетс в качестве управл ющего входа. Основные выходные электроды
5 объединены в разр дные шины 14, подключенные к выходам формирователей записи пр мого кода 15 (в которых клемма 16 вл етс управл ющим входом) и соединенные с одним входом усилителей считывани 17. Дополнительные выходные электроды 6 объединены в дополнительные разр дные шины 18, подключенные к выходам формирователей записи 19 обратного кода (клемма 20 в которых вл етс управл ющим входом) и соединенные со вторым входом усилителей считывани 17. Ключи 12 подсоединены к шине нулевого потенциала 21.
Устройство работает следующим образом.
Запись информации производитс после перевода всех запоминающих элементов данного адреса в состо ние «О. В режиме записи информации по данному адресу выбранна дешифратором адреса шина 11 подключаетс через соответствующий ключ 12 к шине нулевого потенциала 21 (остальные шины // отключены от этой шины). К разр дным шинам 14 и 18 прикладываютс записывающие напр жени с выходов формирователей записи 15 и 19. Если в данном разр де записываетс «1, то к шине 14 прикладываетс импульс напр жени с выхода формировател записи 15, равный по амплитуде напр жению пол ризации Up генераторных пластин 4, а к
Up шине 18 - импульс напр жени -- с выхода
формировател записи 19. Вследствие этого в выбранном разр де направление пол ризации пьезокерамики под основным выходным электродом 5 измен етс на противоположное, а под дополнительным выходным электродом 6
Up остаетс прежним, так как напр жение - не
обеспечивает перепол ризацию сегнетоэлектрической пластины. Если в данном разр де записываетс «О,, то к шине 14 с выхода формировател записи 15 прикладываетс имUP
пульс напр жени , а к шине 18 - импульс напр жени Up с выхода формировател записи 19, и направление пол ризации пьезокерамики в выбранном разр де измен етс только под дополнительным выходным электродом 6.
Up Напр жени Up и - прикладываютс к
разр дным шинам 14 и 18 одновременно, и в выбранном адресе участки пьезокерамики генераторной пластины 4 под основными выходными электродами 5 пол ризуютс в таких направлени х, которые соответствуют пр мому коду записываемого числа, а под дополнительными - обратному коду этого числа.
В невыбранных адресах шины 11 отключены от шины нулевого потенциала 21, поэтому к участкам пьезокерамической генераторной пластины и под основным 5 и дополнительным 6 выходными электродами прикладываUr .
ютс при записи напр жени помех ±
равные половине разности напр жений между шинами 14 и 18, а потенциал числовых шин 11 второй группы этих адресов равен % Up, так как участки генераторных пластин 4 с нанесенными на них электродами конструктивно представл ют собой конденсаторы равной емкости, которые соединены последовательно и включены между разр дными шинаUP
ми 14 и 18. Знак напр жени помех ±
определ етс записываемым числом («1 или «О) в данном разр де, а величина этого напр жени недостаточна дл изменени направлени пол ризации участков пьезокераМИКИ генераторных пластин 4.
Таким образом, при записи информации в выбранном адресе в невыбранных адресах не происход т ложна запись и разрушение информации .
При считывании информации ключи 12 открыты , и шины // подключены к шине нулевого потенциала 2L По сигналу дешифратора адреса на входе 10 формировател , импульс напр жени с выхода формировател возбуждени 9 прикладываетс к шине 8. Вследствие этого пластины возбуждени 3 пьезотрансформаторов выбранного адреса деформируютс . Эта деформаци передаетс генераторным пластинам 4, и на выходных электродах (основном 5 и дополнительном 6) по вл ютс импульсы напр жени , пол рность которых определ етс направлением пол ризации участков пьезокерамики под электродами , т. е. записанной информацией. Эти импульсы по разр дным шинам 14 и 18 поступают на входы усилителей считывани /7. Вследствие того, что импульсы в каждом разр де на шинах 14 и 18 имеют противополож-ные знаки, на выходе каждого усилител по вл етс импульс, который определ етс суммарным действием импульсов на его входах. Пол рность импульса на выходе усилител 17 определ ет записанное число в данном разр де .
Устройство обеспечивает неразрушающее считывание, и неограниченное во времени хранение информации без потреблени энергии . Разр дные шины 14 и 18 через формирователи 15 и 19 соединены с шиной нулевого потенциала 21. При стирании импульс напр жени , равный по амплитуде напр жению пол ризации Up с выхода ключа 12, выбранного дешифратором адреса числа, прикладываетс
к шине 11. Вследствие чего направление вектора пол ризации участков пьезокерамики под основными 5 и вспомогательными 6 выходными электродами генераторных пластин 4 пьезотрансформаторов данного адреса приводитс в соответствие с записью «О, и данный адрес оказываетс подготовлен к записи нового числа.
Предмет изобретени
Запоминающее устройство, содержащее щирокополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы , входные электроды которых подключены к соответствующим числовым щинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени , экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щинам второй группы, св занным через ключи с щиной нулевого потенциала , а выходные электроды подключены к
соответствующим разр дным щинам, один конец калчдой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител считывани , отличающеес тем, что, с целью увеличени емкости пам ти и повыщени надежности работы устройства , оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов, один конец которой подключен к выходу соответствующего формировател записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител считывани .
1S 20
18
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU364962A1 true SU364962A1 (ru) | 1972-12-28 |
Family
ID=20461132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1499645A SU364962A1 (ru) | 1970-12-03 | 1970-12-03 | Запоминающее устройство |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU364962A1 (ru) |
-
1970
- 1970-12-03 SU SU1499645A patent/SU364962A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5835400A (en) | Ferroelectric memory devices having nondestructive read capability and methods of operating same | |
US5424975A (en) | Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory | |
US5373463A (en) | Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments | |
US5406510A (en) | Non-volatile memory | |
US5668754A (en) | Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof | |
SU654197A3 (ru) | Полупроводниковое запоминающее устройство | |
GB1177939A (en) | Method of Making a Memory Device | |
JPS5916355B2 (ja) | メモリ・システム | |
JPH0863979A (ja) | 不揮発性メモリ | |
SU364962A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU368645A1 (ru) | Всесоюзная ' | |
JP3717097B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
US3798619A (en) | Piezoelectric transducer memory with non-destructive read out | |
JPH11110976A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US3936810A (en) | Sense line balancing circuit | |
SU447757A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
US5737180A (en) | Ferroelectric capacitor structure | |
SU374662A1 (ru) | Ассоциативный накопитель | |
SU1042083A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU934554A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
SU1057987A1 (ru) | Сегнетоэлектрический элемент пам ти | |
SU1088068A1 (ru) | Полупосто нное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации | |
SU946001A1 (ru) | Счетное устройство,сохран ющее информацию при отключении питани | |
SU481067A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
SU485499A1 (ru) | Матрица запоминающего устройства |