SU364962A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Запоминающее устройство

Info

Publication number
SU364962A1
SU364962A1 SU1499645A SU1499645A SU364962A1 SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1 SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 1499645 A SU1499645 A SU 1499645A SU 364962 A1 SU364962 A1 SU 364962A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
electrodes
bus
input
additional
Prior art date
Application number
SU1499645A
Other languages
English (en)
Inventor
Я. В. Мартынюк О. В. Викторов витель К. Г. Самофалов
Original Assignee
Киевский ордена Ленина политехнический институт лети Великой Окт брьской социалистической революции
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевский ордена Ленина политехнический институт лети Великой Окт брьской социалистической революции filed Critical Киевский ордена Ленина политехнический институт лети Великой Окт брьской социалистической революции
Priority to SU1499645A priority Critical patent/SU364962A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU364962A1 publication Critical patent/SU364962A1/ru

Links

Landscapes

  • Reciprocating Pumps (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Description

1
Известно запоминающее устройство, содержащее широкополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы, входные электроды которых подключены к соответствующим числовым шинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени . Экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щипам второй группы , св занным через ключи с щиной нулевого потенциала, а выходные электроды подключены к соответствующим разр дным щинам, один конец каждой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател  записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител  считывани .
Недостатками известного запоминающего устройства  вл ютс  низка  помехозащищенность и снижение надежности при увеличении объема пам ти.
Описываемое запоминающее устройство отличаетс  от известного тем, что оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов . Один конец щины подключен к выходу соответствующего формировател  записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител  считывани .
Это позвол ет повысить надежность работы устройства.
На чертеже изображено запоминающее устройство .
Устройство содержит сегнетоэлектрические щирокополосные пьезотрансформаторы /, которые  вл ютс  запоминающими элементами. Онп представл ют собой монолитную конструкцию , состо щую из пьезокерамических
пластин, акустически св занных между собой через экранирующие электроды 2. Пластина 3  вл етс  пластиной возбуждени  пьезотрансформатора . Пластина 4 - генераторна  и выполн ет функции запоминани . На ее
верхнюю поверхность нанесены основной 5 и дополнительный 6 выходные металлические электрод,ы. Входной электрод 7 нанесен на нижнюю поверхность пластины возбуждени  3. Входные электроды объединены в числовые
шины S первой группы, которые соединены с выходами формирователей возбуждени  9. Клеммы 10  вл ютс  управл ющими входами этих формирователей. Экранирующие электроды 2 объединены по адресам в числовые
шины // второй группы, которые подсоединены к ключам 12. Ключи 12  вл ютс  одновременно и формировател ми сигналов стирани . Клемма 13 используетс  в качестве управл ющего входа. Основные выходные электроды
5 объединены в разр дные шины 14, подключенные к выходам формирователей записи пр мого кода 15 (в которых клемма 16  вл етс  управл ющим входом) и соединенные с одним входом усилителей считывани  17. Дополнительные выходные электроды 6 объединены в дополнительные разр дные шины 18, подключенные к выходам формирователей записи 19 обратного кода (клемма 20 в которых  вл етс  управл ющим входом) и соединенные со вторым входом усилителей считывани  17. Ключи 12 подсоединены к шине нулевого потенциала 21.
Устройство работает следующим образом.
Запись информации производитс  после перевода всех запоминающих элементов данного адреса в состо ние «О. В режиме записи информации по данному адресу выбранна  дешифратором адреса шина 11 подключаетс  через соответствующий ключ 12 к шине нулевого потенциала 21 (остальные шины // отключены от этой шины). К разр дным шинам 14 и 18 прикладываютс  записывающие напр жени  с выходов формирователей записи 15 и 19. Если в данном разр де записываетс  «1, то к шине 14 прикладываетс  импульс напр жени  с выхода формировател  записи 15, равный по амплитуде напр жению пол ризации Up генераторных пластин 4, а к
Up шине 18 - импульс напр жени  -- с выхода
формировател  записи 19. Вследствие этого в выбранном разр де направление пол ризации пьезокерамики под основным выходным электродом 5 измен етс  на противоположное, а под дополнительным выходным электродом 6
Up остаетс  прежним, так как напр жение - не
обеспечивает перепол ризацию сегнетоэлектрической пластины. Если в данном разр де записываетс  «О,, то к шине 14 с выхода формировател  записи 15 прикладываетс  имUP
пульс напр жени , а к шине 18 - импульс напр жени  Up с выхода формировател  записи 19, и направление пол ризации пьезокерамики в выбранном разр де измен етс  только под дополнительным выходным электродом 6.
Up Напр жени  Up и - прикладываютс  к
разр дным шинам 14 и 18 одновременно, и в выбранном адресе участки пьезокерамики генераторной пластины 4 под основными выходными электродами 5 пол ризуютс  в таких направлени х, которые соответствуют пр мому коду записываемого числа, а под дополнительными - обратному коду этого числа.
В невыбранных адресах шины 11 отключены от шины нулевого потенциала 21, поэтому к участкам пьезокерамической генераторной пластины и под основным 5 и дополнительным 6 выходными электродами прикладываUr .
ютс  при записи напр жени  помех ±
равные половине разности напр жений между шинами 14 и 18, а потенциал числовых шин 11 второй группы этих адресов равен % Up, так как участки генераторных пластин 4 с нанесенными на них электродами конструктивно представл ют собой конденсаторы равной емкости, которые соединены последовательно и включены между разр дными шинаUP
ми 14 и 18. Знак напр жени  помех ±
определ етс  записываемым числом («1 или «О) в данном разр де, а величина этого напр жени  недостаточна дл  изменени  направлени  пол ризации участков пьезокераМИКИ генераторных пластин 4.
Таким образом, при записи информации в выбранном адресе в невыбранных адресах не происход т ложна  запись и разрушение информации .
При считывании информации ключи 12 открыты , и шины // подключены к шине нулевого потенциала 2L По сигналу дешифратора адреса на входе 10 формировател , импульс напр жени  с выхода формировател  возбуждени  9 прикладываетс  к шине 8. Вследствие этого пластины возбуждени  3 пьезотрансформаторов выбранного адреса деформируютс . Эта деформаци  передаетс  генераторным пластинам 4, и на выходных электродах (основном 5 и дополнительном 6) по вл ютс  импульсы напр жени , пол рность которых определ етс  направлением пол ризации участков пьезокерамики под электродами , т. е. записанной информацией. Эти импульсы по разр дным шинам 14 и 18 поступают на входы усилителей считывани  /7. Вследствие того, что импульсы в каждом разр де на шинах 14 и 18 имеют противополож-ные знаки, на выходе каждого усилител  по вл етс  импульс, который определ етс  суммарным действием импульсов на его входах. Пол рность импульса на выходе усилител  17 определ ет записанное число в данном разр де .
Устройство обеспечивает неразрушающее считывание, и неограниченное во времени хранение информации без потреблени  энергии . Разр дные шины 14 и 18 через формирователи 15 и 19 соединены с шиной нулевого потенциала 21. При стирании импульс напр жени , равный по амплитуде напр жению пол ризации Up с выхода ключа 12, выбранного дешифратором адреса числа, прикладываетс 
к шине 11. Вследствие чего направление вектора пол ризации участков пьезокерамики под основными 5 и вспомогательными 6 выходными электродами генераторных пластин 4 пьезотрансформаторов данного адреса приводитс  в соответствие с записью «О, и данный адрес оказываетс  подготовлен к записи нового числа.
Предмет изобретени 
Запоминающее устройство, содержащее щирокополосные сегнетоэлектрические пьезотрансформаторы , входные электроды которых подключены к соответствующим числовым щинам первой группы, подсоединенным к выходам формирователей возбуждени , экранирующие электроды подключены к соответствующим числовым щинам второй группы, св занным через ключи с щиной нулевого потенциала , а выходные электроды подключены к
соответствующим разр дным щинам, один конец калчдой из которых подсоединен к выходу соответствующего формировател  записи пр мого кода, другой - к первому входу соответствующего усилител  считывани , отличающеес  тем, что, с целью увеличени  емкости пам ти и повыщени  надежности работы устройства , оно содержит в каждом разр де дополнительную разр дную щину, подключенную к дополнительным выходным электродам соответствующих пьезотрансформаторов, один конец которой подключен к выходу соответствующего формировател  записи обратного кода, а другой - ко второму входу соответствующего усилител  считывани .
1S 20
18
SU1499645A 1970-12-03 1970-12-03 Запоминающее устройство SU364962A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1499645A SU364962A1 (ru) 1970-12-03 1970-12-03 Запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1499645A SU364962A1 (ru) 1970-12-03 1970-12-03 Запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU364962A1 true SU364962A1 (ru) 1972-12-28

Family

ID=20461132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1499645A SU364962A1 (ru) 1970-12-03 1970-12-03 Запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU364962A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5835400A (en) Ferroelectric memory devices having nondestructive read capability and methods of operating same
US5424975A (en) Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory
US5373463A (en) Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments
US5406510A (en) Non-volatile memory
US5668754A (en) Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof
SU654197A3 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
GB1177939A (en) Method of Making a Memory Device
JPS5916355B2 (ja) メモリ・システム
JPH0863979A (ja) 不揮発性メモリ
SU364962A1 (ru) Запоминающее устройство
SU368645A1 (ru) Всесоюзная '
JP3717097B2 (ja) 強誘電体メモリ
US3798619A (en) Piezoelectric transducer memory with non-destructive read out
JPH11110976A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
US3936810A (en) Sense line balancing circuit
SU447757A1 (ru) Запоминающее устройство
US5737180A (en) Ferroelectric capacitor structure
SU374662A1 (ru) Ассоциативный накопитель
SU1042083A1 (ru) Запоминающее устройство
SU934554A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
SU1057987A1 (ru) Сегнетоэлектрический элемент пам ти
SU1088068A1 (ru) Полупосто нное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации
SU946001A1 (ru) Счетное устройство,сохран ющее информацию при отключении питани
SU481067A1 (ru) Запоминающее устройство
SU485499A1 (ru) Матрица запоминающего устройства