SU1142862A1 - Read-only memory with error detection and error correction - Google Patents

Read-only memory with error detection and error correction Download PDF

Info

Publication number
SU1142862A1
SU1142862A1 SU833584274A SU3584274A SU1142862A1 SU 1142862 A1 SU1142862 A1 SU 1142862A1 SU 833584274 A SU833584274 A SU 833584274A SU 3584274 A SU3584274 A SU 3584274A SU 1142862 A1 SU1142862 A1 SU 1142862A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
elements
outputs
memory
blocks
Prior art date
Application number
SU833584274A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Елизар Ильич Николаев
Валерьян Павлович Раев
Ефим Зиньделевич Храпко
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1586
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1586 filed Critical Предприятие П/Я А-1586
Priority to SU833584274A priority Critical patent/SU1142862A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1142862A1 publication Critical patent/SU1142862A1/en

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАОДЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБНАРУЖЕНИЕМ И ИСПРАВЛЕНИЕМ ОШИБОК, содержащее основные |блоки посто нной пам ти, дополнительные блоки посто нной пам ти, блок декодировани , входы первой группы которого соединены с входами основных и дополнительных блоков посто нной пам ти и  вл ютс  одними входами устройства, выходы блока декодировани   вл ютс  выходами устройства, отличающеес  тем, что, с целью повышени  надежности устройства , в него введены элементы И, элементы ИЛИ и дешифратор, входы которого  вл ютс  другими входами устройства и соединены с входами второй группы блока декодировани , выходы блоков посто нной пам ти соединены с первыми входами элементов И, вторые входы которых подключены к выходам дешифратора, выходы элементов И соединены с входами элементов ИЛИ, причем выходы элементов ИЛИ основных блоков посто нной пам ти соединены с входами третьей группы (Л блока декодировани , входы четвертой группы которого подключены к выходам элементов ИЛИ дополнительных блоков посто нной пам ти.PERMANENT REMEMBERING DEVICE WITH DETECTING AND FIXING ERRORS, containing basic fixed memory blocks, additional fixed memory blocks, a decoding unit, the inputs of the first group of which are connected to the inputs of the main and additional blocks of the fixed memory and are the same inputs of the device the outputs of the decoding unit are the outputs of the device, characterized in that, in order to increase the reliability of the device, AND elements, OR elements and a decoder are entered into it, the inputs of which are other inputs devices and connected to the inputs of the second group of the decoding unit; outputs of the blocks of the permanent memory are connected to the first inputs of the AND elements, the second inputs of which are connected to the outputs of the decoder, the outputs of the AND elements are connected to the inputs of the OR elements, and the outputs of the OR elements of the main blocks of the fixed memory connected to the inputs of the third group (L decoding unit, the inputs of the fourth group of which are connected to the outputs of the elements OR additional blocks of the permanent memory.

Description

Изобретение относитс  к цифровой вычислительной технике и может быть использЬвано в устройствах посто нной пам ти на полупроводниковых микросхемах . Известны цифровые устройства с контролем, использующие корректирующие коды, содержащие основные блоки пам ти, дополнительные блоки пам ти и декодирующее устройство И Недостатком данных устройств  вл етс  отсутствие возможности коррек ции ошибок высокой кратности. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  запоминающее устройство (ЗУ с обнаружением и исправлением ошибок содержащее основные блоки посто нной пам ти, дополнительные блоки посто н ной пам ти, блок декодировани , выходы которого  вл ютс  выходами устройства , а входы соединены с входами и выходами блоков пам ти и  вл ютс  входами устройства 21. Недостаток указанного устройства состоит в том, что она способно корректировать ошибки только низкой кратности (исправл ть одиночные и обнаруживать двухкратные ошибки). Таким образом, область П15именени  З распростран етс  только на устройст ва пам тиJ веро тность по влени  многократных ошибок в которых несоизмеримо мала по сравнению с ошибками однократньи4и. Цель изобретени  - поввш ение надежности устройства за счет перевод многократных ошибок в класс однократных . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в посто нное запоминающее устройство с обнаружением и исправлением ошибок, содержащее основные блоки посто нной пам ти, дополнител ные блоки посто нной пам ти, блок декодировани , входы первой группы которого соединены с входами основ йых и дополнительных блоков посто н ной пам ти и  вл ютс  одними входами устройства, выходы блока декодирова ни   вл ютс  выходами устройства, введены элементы И, элементы ИЛИ и дешифратор, входы которого  вл ют с  другими входами устройства и сое динены с входами второй группы блок декодировани , выходы блоков посто нной пам ти соединены с первыми входами элементов И, вторые входы которых подключены к выходам дешифр тора, выходы элементов И соединены с входами элементов ИЛИ, причем выходы элементов ИЛИ основных блоков посто нной пам ти соединены с входами третьей, группы блока декодиро- , вани , входы четвертой группы которого подключены к выходам элементов ИЛИ дополнительных блоков посто нной пам ти. На чертеже приведена блок-схема предлагаемого устройства. Устройство содержит основные блоки 1 посто нной пам ти, дополнительные блоки 2 посто нной пам ти, блок 3 декодировани , дешифратор 4, элементы И 5 и 6, элементы ШШ 7 и 8. Блоки 1 предназначены дл  хранени  основной информации, блоки 2 дл  хранени  контрольной информации. Блоки 1 и 2 вьшолнены на полупроводниковых многоразр  дных микросхемах пам ти. Хот  каждый блок 1 или 2  вл етс  многовыходным (К - число выходов), однако на этапе записи основной или дополнительной информации в каждый из них записываетс  информаци  лишь об одном разр де с увеличением числа адресов в К раз, поэтому при отказе всего кристалла микросхемы поражаетс  только один разр д информации. Блок 3 декодировани  предназначен дл  генерации контрольных разр дов основной информации при считывании из пам ти, дл  сравнени  их с контрольными разр дами, считанными цз дополнительной пам ти, дл  коррекции одиночных ошибок и индикации наличи  двухкратных ошибок. Входы блоков пам ти  вл ютс  младшими разр дами адреса устройства . Дешифратор 4, входами которого  вл ютс  старшие разр ды адреса устройства , элементы И 5 и 6, элементы ИЛИ 7 и 8 мультиплексируют информацию с выходов блоков 1 и 2 пам ти на входы блока 3 декодировани . Устройство .работает следующим образом. По адресу, установленному на первых входах устройства (младшие разр ды адреса), с блоков 1 и 2 происходит считывание основной и контрольной информации по всем их выходам. Эта информаци  поступает на первые входы элементов И 5 и 6. Адрес, установленный на вторых входах устройства (старшие разр ды адреса), дешифрируютс  на одном из выходов дешифратора 4 и открывает элементы И 5 и 6 по их вторым входам. Информаци  с выходов блоков 1 и 2 через открытые элементы И 5 и 6, через элементы ШШ 7 и 8 поступает на входы третьей и четвертой групп блока 3 декодировани . На входы первой и второй групп блока декодировани  поступает информахщ  младших и старших разр дов адреса.The invention relates to digital computing and can be used in devices of a fixed memory on semiconductor chips. Digital control devices are known that use correction codes containing main memory blocks, additional memory blocks and a decoding device. A disadvantage of these devices is the lack of error correction capability of high multiplicity. The closest to the proposed is a memory device (error detection and correction memory containing the main blocks of permanent memory, additional blocks of permanent memory, a decoding unit whose outputs are device outputs, and inputs are connected to the inputs and outputs of memory blocks These are the inputs of the device 21. The disadvantage of this device is that it is capable of correcting errors of only low multiplicity (correct single errors and detect double errors). Thus, the region The name of the spreads out only on the memory device the probability of occurrence of multiple errors in which is incommensurably small compared to single errors. The aim of the invention is to increase the reliability of the device due to the translation of multiple errors into one-time class. An error detection and correction memory containing the main blocks of the fixed memory, additional blocks of the fixed memory, a decoding block, the inputs of the first group of which are connected with the inputs of the base and additional blocks of the constant memory and are the same inputs of the device, the outputs of the decoder are the outputs of the device, the AND elements, the OR elements and the decoder are entered, the inputs of which are with the other inputs of the device and connected to the inputs the second group of the decoding unit, the outputs of the fixed memory blocks are connected to the first inputs of the AND elements, the second inputs of which are connected to the outputs of the decoder, the outputs of the AND elements are connected to the inputs of the OR elements, and the outputs of the OR elements of the main blocks The fixed memory is connected to the inputs of the third, decoding unit group, the inputs of the fourth group of which are connected to the outputs of the elements OR additional blocks of the fixed memory. The drawing shows a block diagram of the proposed device. The device contains basic blocks 1 of fixed memory, additional blocks 2 of fixed memory, block 3 of decoding, decoder 4, elements AND 5 and 6, elements SH 7 and 8. Blocks 1 are intended for storing basic information, blocks 2 for storing control data. information. Units 1 and 2 are implemented on semiconductor multi-bit memory chips. Although each block 1 or 2 is multi-output (K is the number of outputs), however, at the stage of recording the main or additional information, only one bit of information is recorded in each of them with an increase in the number of addresses K times, therefore, if the entire chip fails, the chip is affected Only one bit of information. The decoding unit 3 is designed to generate the check bits of the basic information when reading from the memory, to compare them with the check bits read from the additional memory, to correct single errors and to indicate the presence of double errors. The inputs of the memory blocks are the lower bits of the device address. The decoder 4, whose inputs are the high-order bits of the device address, the elements of AND 5 and 6, the elements of OR 7 and 8 multiplex the information from the outputs of blocks 1 and 2 of memory to the inputs of block 3 of decoding. The device works as follows. At the address set on the first inputs of the device (lower address bits), blocks 1 and 2 read the main and control information for all their outputs. This information arrives at the first inputs of the And 5 and 6 elements. The address set at the second inputs of the device (the upper bits of the address) is decrypted at one of the outputs of the decoder 4 and opens the elements And 5 and 6 by their second inputs. Information from the outputs of blocks 1 and 2 through the open elements And 5 and 6, through the elements 7 and 8, enters the inputs of the third and fourth groups of the decoding unit 3. The inputs of the first and second groups of the decoding block receive information from the low and high bits of the address.

По правилам, в соответствии с примененным корректирук цим кодом, блок 3 декодировани  осуществл ет свертку информации, сравнивает результат свертки с контрольной информацией , считанной с дополнительных блоков посто нной пам ти, вьфабатывает сигнал, обнаружени  ошибки в случае ее наличи  и осуществл ет коррекцию однократной ошибки по результату сравнени  свертки и контрольной информации.According to the rules, in accordance with the applied correction code, decoding unit 3 performs the convolution of information, compares the result of the convolution with the control information read from the additional blocks of the fixed memory, absorbs the signal, detects an error in its presence and performs a one-time error correction. on the result of the comparison of convolution and control information.

При изменении адреса только в младших разр дах устройства считанна  информаци  проходит на вход блока 3 через те же открытые элеменг ты И 5 и 6. При изменении адресаWhen the address is changed only in the lower bits of the device, the read information passes to the input of block 3 through the same open elements AND 5 and 6. When the address changes

в старших разр дах устройства дешифратор 4 открывает другие элементы И 5 и 6, в зависимости от возбужденного выхода дешифратора, и информаци  с других входов блоков пам ти через эти элементы поступает на вход блока 3. За врем  перебора всех адресов старших разр дов все выходы блоков пам ти через элементы И 5 и 6 и элементы ИЛИ 7 и 8 подключаютс  к входам блока 3.In the higher bits of the device, the decoder 4 opens the other elements AND 5 and 6, depending on the excited output of the decoder, and information from the other inputs of the memory blocks through these elements enters the input of the block 3. During the search of all the addresses of the higher bits, all the outputs of the blocks memory via AND 5 and 6 elements and OR elements 7 and 8 are connected to the inputs of block 3.

При наличии многократных отказов, св занных с выходом из стро  всего кристалла (ошибка на всех выходах кмкросхемы), ошибка про вл етс  лишь на одном входе блока декодировани , который способен ее скорректировать.In the presence of multiple failures associated with the failure of the entire crystal (error at all kmcircuit outputs), the error appears only at one input of the decoding unit, which is able to correct it.

Таким образом, введение в устройство деши4)ратора 4,, элементов И 5 и 6, элементов ИЛИ 7 и 8 позвол ет трансформировать многократные отказы на выходах многоразр дных микросхем пам ти в однократные отказы на входах блока декодировани .Thus, the introduction of a rator 4, elements AND 5 and 6, elements OR 7 and 8 into the device 4) allows to transform multiple failures at the outputs of multi-bit memory chips into one-time failures at the inputs of the decoding unit.

Изобретение обеспечивает повьш1ение надежности заботы устройства пам ти за счет коррекции ошибок любой кратности внутри одной микросхемы .The invention provides for enhancing the reliability of a memory device by correcting errors of any multiplicity within a single chip.

-. - -. -. - -.

Claims (1)

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ОБНАРУЖЕНИЕМ И ИСПРАВЛЕНИЕМ ОШИБОК, содержащее основные ,'блоки постоянной памяти, дополнительные блоки постоянной памяти, блок декодирования, входы первой группы которого соединены с входами основных и дополнительных блоков постоянной памяти и являются одними входами устройства, выходы блока декодирования являются выходами устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены элементы И, элементы ИЛИ и дешифратор, входы которого являются другими входами устройства и соединены с входами второй группы блока декодирования, выходы блоков постоянной памяти соединены с первыми входами элементов И, вторые входы которых подключены к выходам дешифратора, выходы элементов И соединены с входами элементов ИЛИ, причем выходы элементов ИЛИ основных блоков постоянной памяти соединены с входами третьей группы блока декодирования, входы четвертой группы которого подключены к выходам элементов ИЛИ дополнительных блоков постоянной памяти.A PERMANENT MEMORY DEVICE FOR DETECTING AND CORRECTING ERRORS, containing basic, 'read-only memory blocks, additional read-only memory blocks, a decoding unit, the inputs of the first group of which are connected to the inputs of the main and additional read-only memory blocks and are one device inputs, the outputs of the decoding unit are device outputs , characterized in that, in order to increase the reliability of the device, AND elements, OR elements, and a decoder, the inputs of which are other inputs of the device, are introduced into it properties and are connected to the inputs of the second group of the decoding unit, the outputs of the permanent memory blocks are connected to the first inputs of the AND elements, the second inputs of which are connected to the outputs of the decoder, the outputs of the AND elements are connected to the inputs of the OR elements, and the outputs of the OR elements of the main blocks of permanent memory are connected to the inputs of the third groups of the decoding unit, the inputs of the fourth group of which are connected to the outputs of the elements OR additional blocks of read-only memory. .... SU ,(11) 1142862.... SU, (11) 1142862 1 1142862 J1 1142862 J
SU833584274A 1983-04-25 1983-04-25 Read-only memory with error detection and error correction SU1142862A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833584274A SU1142862A1 (en) 1983-04-25 1983-04-25 Read-only memory with error detection and error correction

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833584274A SU1142862A1 (en) 1983-04-25 1983-04-25 Read-only memory with error detection and error correction

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1142862A1 true SU1142862A1 (en) 1985-02-28

Family

ID=21060861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833584274A SU1142862A1 (en) 1983-04-25 1983-04-25 Read-only memory with error detection and error correction

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1142862A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Щербаков Н.С. Самокорректирующиес дискретные устройства. М., Машиностроение, 1975, с.77-78. 2. Электроника, 1980, № 1,, с. 79-86 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0030612B1 (en) Method of correcting double errors in a data storage apparatus and data storage apparatus
EP0139124A2 (en) Apparatus and method for automatically correcting a double bit hard error within a memory of a computer system and ensuring that said error will never re-occur
DE3587145D1 (en) BUFFER SYSTEM WITH DETECTION OF READ OR WRITE CIRCUIT ERRORS.
KR890702121A (en) Byte write error code method and apparatus
US8843791B2 (en) Memory error management system
US4236247A (en) Apparatus for correcting multiple errors in data words read from a memory
SU1142862A1 (en) Read-only memory with error detection and error correction
JPS58168347A (en) Detecting circuit of synchronizing code
SU1644232A1 (en) Memory with error detection and correction
SU1425787A1 (en) Storage with error detection
SU1446656A1 (en) Storage with error correction
SU1073798A1 (en) Device for correcting errors in memory units
SU1410105A1 (en) Direct-access memory with error correction by majority decoding approach
SU970475A1 (en) Memory having error detection and correction capability
SU1392595A1 (en) Storage with error correction
JPS593645A (en) Error correction system
SU1293760A1 (en) Storage
SU970480A1 (en) Self-checking memory device
SU1596397A1 (en) On-line redundancy storage
SU1603440A1 (en) Storage with error detection and correction
SU736177A1 (en) Self-checking storage
SU1367046A1 (en) Memory device with monitoring of error detection circuits
SU1096697A1 (en) Storage with self-checking
SU1432611A1 (en) Memory with error correction
SU1277214A1 (en) Device for detecting and correcting errors in memory blocks