SU110419A1

SU110419A1 - Device for measuring the parameters of semiconductor triodoz at low frequencies

Info

Publication number: SU110419A1
Application number: SU568986A
Authority: SU
Inventors: А.М. Рыбаков
Original assignee: А.М. Рыбаков
Priority date: 1957-03-15
Filing date: 1957-03-15
Publication date: 1957-11-30

Description

Предметом изобретени вл етс устройство дл измерени параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, а именно: сопротивлени эмиттера г, сопротивлени базы tg, сопротивлени коллекторного переходаг, и коэффициента -:.The subject of the invention is a device for measuring parameters of semiconductor triodes at low frequencies, namely: emitter resistance g, base resistance tg, collector junction resistance, and coefficient - :.

в отличие от известных устройств дл измерени параметров полупроводниковых триодов, которые не обеспечивают непосредственного отсчета измер емых величин без усложнени конструкции, в предлагаемом устройстве все измерени осуществл ютс при посто нном включении звукового генератора в цепь коллектора, что позвол ет упростить коммутацию прибора и сократить количество операций, необходимых дл измерений.Unlike the known devices for measuring the parameters of semiconductor triodes, which do not provide a direct reading of measured values without complicating the design, in the proposed device all measurements are performed while the sound generator is constantly connected to the collector circuit, which allows to simplify switching the device and reduce the number of operations required for measurements.

Схема измерител приведена на фиг. 1, а эквивалентные схемы измерений различных параметров даны в таблице (фиг. 2).The meter diagram is shown in FIG. 1, and the equivalent measurement schemes for various parameters are given in the table (Fig. 2).

Измерение всех параметров осуществл етс или при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера по переменному току, или, наоборот, при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании цепи базы.All parameters are measured either when the base circuit is idling and the emitter circuit is short-circuited in alternating current, or, on the contrary, when the emitter circuit is idling and the base circuit is short-circuited.

Холостой ход цепи базы и цепи эмиттера осуществл етс с помощью дросселей Х и , а короткое замыкание с помощью конденсатора С.Idling of the base and emitter circuit is carried out with the help of chokes X and, and short circuit with the help of capacitor C.

Режим триода контролируетс по приборам путем измерени тока эмиттера . тока базы /до и коллекторного напр жени t//(O.Triode mode is monitored instrument by measuring emitter current. base current / to and the collector voltage t // (O.

От генератора Г в цепь коллектора через делитель подаетс напр жение U частоты 1000 гц.From generator D to the collector circuit, a voltage U of 1000 Hz is applied through a divider.

Необходима коммутаци производитс переключателем П.The required switching is performed by the switch P.

Измерение г b положении переключател Я на г, -1 замечаетс показание лампового вольтметра ЛВ, Перев П в положениеMeasurement of the g b position of the switch I per g, -1 the indication of the lamp voltmeter LV is noted, turning into position

№ 10419No. 10419

Гз -2 изменением величины добиваютс такого же отклонени стрелки лампового вольтметра ЛВ.Gz -2, by changing the value, achieve the same deflection of the needle of the LV lamp voltmeter.

Величина сопротивлени между точками Си/) будет равна искомой величине г..The magnitude of the resistance between the points C /) will be equal to the desired value of r.

Измерение rg производитс таким же образом, как и г.The rg is measured in the same way as r.

Измерение в положении переключател П на замечаетс отклонение стрелки лампового вольтметра ЛВ. Перевед П в положение г -2, изменением величины сопротивлени добиваютс такого же положени показани лампового вольтметра ЛВ.The measurement in the position of the switch P does not notice the deviation of the needle of the lamp voltmeter LV. Transferring P to position r -2, by changing the resistance value, the indication of the lamp voltage meter voltmeter is obtained by the same position.

Величина сопротивлени будет равна г + г.The magnitude of the resistance will be g + g.

Измерение : замечаетс показание лампового вольтметра ЛВMeasurement: The reading of the LV lamp voltmeter is noted.

в положегп1п П на (-;-I. Перевед П в положение на -: -2,in pozhevegpn P on (-; - I. Translating P in position on -: -2,

I -а/ 1 -к/ I-a / 1 -k /

изменением величины добиваютс такого же отклонени стрелки лампового вольтметра ЛВ.by changing the value, the same deflection of the needle of the LV lamp voltmeter is obtained.

Отношение величины R между точками А и В к величине части сопротивлени между точками С и Д и будет искомой величинойThe ratio of the value of R between points A and B to the value of the part of the resistance between points C and D will be the desired value

1 „14,1 14,

-;. Ьсли , то при отклонении стрелки лампового вольт1-а1-а Crf- ;. If, then at a deviation of an arrow lamp volt1-а1-and Crf

метра ЛВ на величину 6, , i. - . ,.meter LV by the value of 6,, i. -. ,

где коллектора при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера, i ток в цепи коллектора при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании в цепи базы.where is the collector when the base circuit is idling and the emitter circuit is short-circuited; i is the collector circuit current when the emitter circuit is idling and short-circuit in the base circuit.

Описываемое устройство позвол ет осуществл ть непосредственный отчет измер емых параметров при погрешности измерений, не превышающей + 5 - 6%, и может быть использовано дл измерительных целей в заводских и лабораторных услови х.The described device allows a direct report of the measured parameters with measurement errors not exceeding + 5-6%, and can be used for measurement purposes under factory and laboratory conditions.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл измерени параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, отличающеес тем, что, с целью упрощени его конструкции, а так же повышени оперативности и точности измерений, генератор при измерении всех параметров испытываемого триода включен в цепь его коллектора, а измерение параметров триода производитс путем создани или режима холостого ход цепи базы и короткого замыкани цепи эмиттера, или режима холостого хода цепи эмиттера и короткого замыкани цепи базы.A device for measuring the parameters of semiconductor triodes at low frequencies, characterized in that, in order to simplify its design, as well as to increase the efficiency and accuracy of measurements, the generator, when measuring all parameters of the tested triode, is included in its collector circuit, or idle mode of the base circuit and short circuit of the emitter circuit, or idle mode of the emitter circuit and short circuit of the base circuit.

:f ., 1.. : f., 1 ..

3HCD 1 кб CD3HCD 1 kb CD

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. С. КутафинаГр. 8Committee on the Issues of Discoveries and Discoveries at the Council of Ministers of the USSR Editor N. S. KutafinGr. eight

Информационно-издательский отдел. Подп. к печ. 28.П1-59 г. -Объем 0,34 п. л.Зак. 1802Тираж 810Цена 50 KOJI.Information and publishing department. Sub. to pec. 28.P1-59 g. - Volume is 0,34 p. L. Zak. 1802 Circulation 810 Price 50 KOJI.

Типографи Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРPrinting houses of the Committee on Inventions and Discoveries at the Council of Ministers of the USSR

Москва, Петровка, 14.Moscow, Petrovka, 14.

«о"about

к-0-|Щ.k-0- | Sch.