SU1100604A1 - Способ формировани изображени на подложке - Google Patents

Способ формировани изображени на подложке Download PDF

Info

Publication number
SU1100604A1
SU1100604A1 SU823452887A SU3452887A SU1100604A1 SU 1100604 A1 SU1100604 A1 SU 1100604A1 SU 823452887 A SU823452887 A SU 823452887A SU 3452887 A SU3452887 A SU 3452887A SU 1100604 A1 SU1100604 A1 SU 1100604A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
photomask
photo
distortion
template
Prior art date
Application number
SU823452887A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Борисович Цветков
Анатолий Николаевич Кизилов
Иван Николаевич Рубцов
Виктор Алексеевич Курмачев
Владимир Павлович Мартыненко
Александр Николаевич Якименко
Original Assignee
Московское Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана
Предприятие П/Я А-3562
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московское Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана, Предприятие П/Я А-3562 filed Critical Московское Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана
Priority to SU823452887A priority Critical patent/SU1100604A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1100604A1 publication Critical patent/SU1100604A1/ru

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРА- j ЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, включающий и змерение масштабных искажений рисунка фото-, шаблона, коррекцию искажений путем j совместного изгиба фотошаблона и под- ложки, прижим фотошаблона к подложке и экспонирование подложки через фотощаблон , отличающийс  тем, что, с целью повьппени  качества изображени  за счет уменьшени  плотности локальных дефектов, перед коррекцией искажений фотошаблон и подложку иэгибают до контактировани  их центральных участков при зазоре на кра х между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности.

Description

Изобретение относитс  к микроэлек ронике и может быть использовано в процессе контактной фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов и питетральных схем. Известен способ формировани  изоб ражени , включающий измерение искаже , НИИ рисунка фотошаблона и их коррекцию путем термического воздействи  нафототаблон или подложку, прижим фотошаблона к подложке, экспонирование подложки через фотошаблоне М. Недостатком данного способа  вл етс  то, что после прижима подложки к фотошаблону дл  экспонировани  их температура за счет теплопередачи выравниваетс , при этом точность про веденной коррекции снижаетс . Кроме того, при относительном смещении раб чих поверхностей фотошаблона и подложки в плоскости их контакта происходи повреждение этих поверхностей, что снижает качество формируемых изображений . Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  способ формировани  изображени , включа ющий измерение искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений путем совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошабло на к подложке и экспонирование подло ки через фотошаблон zl. Совместный изгиб фотошаблона и подложки в известном способе позвол  ет компенсировать искажени  и повысить точность изображени . Однако при совместном изгибе фотошаблона и подолжки до положени  коррекции происходит относительное проскальзывание рабочих поверхностей фотошаблс на и подложки и их повреждение. По в л ющиес  в результате дефекты снижают качество изображени . Цель изобретени  - повышение качества изображени  за счет снижени  плотности локальных дефектов. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу формировани  изображени  на подложке, включающему измерение масштабных искажений рисунка фотошаблона, коррекцию искажений путем совместного изгиба фотошаблона и подложки, прижим фотошабло на к подложке и экспонирование подложки через фотошаблон, перед коррек цией искажений фотошаблон и подложку изгибают до контактировани  их цент042 ральных участков при зазоре на кра х между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности. В соответствии с данным способом после измерени  искажающих погрешностей определ етс  величина совместного прогиба фотошаблона и подложки, необходима  дл  коррекции этих искажений . Перед прижимом подложки к фотошаблону их изгибают так, что контакт произошел прежде всего по их центральным участкам, по периферии подложки и фотошаблона оставалс  зазор. где W (,д - неплосне менее костность пластин фотошаблона и подложки . При дальнейшем прижиме фотошаблона к подложке и одновременном их изгибе до положени  коррекций происходит облегание рабочих поверхностей подложки и фотошаблона, причем координатно сопр женные участки этих поверхностей движутс  навстречу друг другу без существенных касательных составл ющих. Это уменьшает относительное проскальзывание рабочих поверхностей и повьш1ает качество изображени  за счет уменьшени  плотности локальных дефектов. На фиг. 1 и 2 дл  вариантов однои разнонаправленного изгиба пластин показаны предварительно изогнутые фотошаблон и подложка; на фиг. 3 и 4 - положени  контакта центральных участков подложки и фотошаблона; на фиг. 5 и 6 - фотошаблон и подложка , в положении коррекции искажений топологического рисунка. На фиг. 1 и 2 изображены фотошаблон 1, держатель 2, стекл нна  подложка 3, держатель 4, камеры 5, 6 и 7. Предварительный изгиб фотошаблона и подложки может проводитьс  различными приемами: приложением распределенного давлени , сосредоточенного усили  и т.д. Форма изгиба пластин также может быть различной: фотошаблон и подложка могут изгибатьс  в одну сторону (фиг. 1, 3 и 5), в разные стороны (фиг. 2, 4 и 6), возможен изгиб лишь одной из пластин - фотошаблона или подложки. В зависимости от величины искажений вдоль осей X и Y возможен изгиб пластин фотошаблона и подложки раздельно относительно соответствующих осей. После осуществлени  контакта центральных участков предварительно изогнутых фотошаблона и подложки и их
дальнейшего прижима с одновременным изгибом до положени  коррекции производ т зкспонирование подложки излучением через фотошаблон.
Пример. При контактном копировании рабочих фотошаблонов, используемых при фотолитографии, производитс  перенос изображени  эталонного фотошаблона 1, закрепленного в держателе 2, на стекл нную подложку 3, закрепленную в держателе 4. С помощью оптического компаратора типа-MVG 5x5 производитс  измерение искажений , имеющих место при контактной перепечатке фотошаблонов. Коэффициенты искажений (К к и Ши вдоль соответствующих осей составл ют (0,2-0,5)х10 т.е. на рассто нии 30 мм от центра шаблона рассовмещени  элементов доход т до 0,6 - 1,5 мкм. Это значитель но превьшает допуски на погрешности рисунка, обычно не превьш1ающие 0,5 0 ,8 мкм.
Расчетом или пробными пропечатками устанавливаетс  величина и направление совместного прогиба, необходимого дл  коррекции этих искажений. После закреплени  пластин в держател х 2 и А в камерах 5, 6 и 7, расположённых над эталонным фотошаблоном и под подложкой и между пластинами.
устанавливаютс  давлени , обеспечивающие , например, однонаправленный, прогиб этих пластин (фиг. 1, 3 и 5) или прогиб в разных направлени х (фиг.2, 4 и 6). Величины прогибов назначаютс  таким образом, чтобы после контакта центральных участков изогнутых пластин между их периферийными участками оставалс  зазор около 20-100 мкм. Величину зазора можно контролировать . различными средствами, например по качеству наблюдаемых интерференционных колец.
После контакта центральных участков фотошаблона и подложки производитс  изменение давлений в вакуумных камерах 5, 6 и 7 таким образом, .чтобы изогнуть фотошаблон и подложку до положени  коррекции искажений с одновременным прижимом их друг к другу.
В случае значительной разницы искажений вдоль осей X и Y производитс  изгиб фотошаблона и подложки относительно соответствующей оси. При близких значени х искажений изгиб производитс  относительно обеих осей
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет за счет улучшени  качества на одной из самых критичных операций повысить выход годных фотошаблонов .
срйг.1 фие.З
ilHUIUii.
1ИИИИИ
риг.6

Claims (1)

  1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРА- t ЖЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ, включающий измере ние масштабных искажений рисунка фото-! шаблона, коррекцию искажений путем « совместного изгиба фотошаблона и под-j ложки, прижим фотошаблона к подложке ' и экспонирование подложки через фотошаблон, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов, перед коррекцией искажений фотошаблон и подложку изгибают до контактирования их центральных участков при зазоре на краях между фотошаблоном и подложкой не менее величины их неплоскостности.
SU823452887A 1982-06-11 1982-06-11 Способ формировани изображени на подложке SU1100604A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823452887A SU1100604A1 (ru) 1982-06-11 1982-06-11 Способ формировани изображени на подложке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823452887A SU1100604A1 (ru) 1982-06-11 1982-06-11 Способ формировани изображени на подложке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1100604A1 true SU1100604A1 (ru) 1984-06-30

Family

ID=21016649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823452887A SU1100604A1 (ru) 1982-06-11 1982-06-11 Способ формировани изображени на подложке

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1100604A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР 577506, кл. G 03 F 7/26, 1972. 2. Авторское свидетельство СССР 965244, кл. G 03 F 1/00, 1981 (прототип) . *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100485527C (zh) 光刻机成像质量的检测方法
JPH04317316A (ja) 投影露光装置
US6654096B1 (en) Exposure apparatus, and device manufacturing method
JPS5998525A (ja) 分割焼付け装置のアライメント方法
JP3595707B2 (ja) 露光装置および露光方法
JPH0332909B2 (ru)
JP2001127144A (ja) 基板吸着保持方法、基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
SU1100604A1 (ru) Способ формировани изображени на подложке
JP2001093813A (ja) ステッパ式露光方法
EP0422525B1 (en) Exposing method and apparatus
JPH0147006B2 (ru)
JP2000275010A (ja) 位置計測方法および該位置計測法を用いた半導体露光装置
EP0116940B1 (en) Pattern transfer device and method
JP2001148335A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2003512738A (ja) レチクル、ウェーハ、測定ステッパおよび予防保守方法
JPS62159425A (ja) 荷電ビ−ム描画方法
JP3342981B2 (ja) 半導体装置の回路パターン転写方法及びこれに用いられる装置
JP3024617B2 (ja) 位置歪み及び応力の測定方法とx線マスク
JPH1174190A (ja) X線露光装置
JP3394158B2 (ja) 倍率補正装置および倍率補正方法
JPS61256636A (ja) 縮小投影露光装置
JPH0579161B2 (ru)
JP2808152B2 (ja) 露光装置
JP2000260689A5 (ru)
JPH04136855A (ja) 露光用マスクの製造方法