2, Способ поп, 1, включающий дис-кретное удаление. материала пленочного элемента, о т л н ч а ю щ и йс тем5 что дл сохранени иепре .рывкости реза одновременно с формированием реза уменьшаюишйс ширины снижают величину дискретности.
3 Устройство дл подгонки пленочных элементов интегральнь х схеМд содер}ка1цее блок лазера блоки простра ственной фокусировки и развертки ла-зерного луча5 блок измерени величины подгон емого параметра пленочного элемента и блок управлени процессом под.голки, о т л и чающеес тем, что, с целью повышени точности подгонки,, в блок управлени процессом подгонки введен субблок плавного умень1нени интенсивности лазерного луча, соединенный с блоком лазера и блоком измерени подгон емого параметра пленочного элемента.
Изобретение Kacaei cH 11рои.зво-дст изделий ми.кроэлектроники и может бы использовано в электрониой промышленности , преиизионно.й подгонки пара,метров резисторов.., конденсатор резонаторов, индуктивностей и друг пленочных элементов интегральных сх Известный способ .лазерной подго ки пленочных элементов, например р зисторов заключаетс в у.цалении (путем вьпкигани. ) части резистивного сло резистора, сфокусированнымлазерным лучом посто нной интенсивности „ перемещаемьн по- поверхности резистивпого с.по резистора до достш::ени заданной :ве-личины сопротивлени , после чего лазер отключают hj . Недостаток данного способа состо ит в TOMj что при посто нной интенсивности изучени диаметра н тна в Фокусе составл ет 10-100 мкм (.тхаль нейшее уменьшение св зано с сушественньм ус.ложнепием оптической фокусирующей системы и снижением нача.ль ной расходимости лазерного луча), что определ ет точность подгонки и не позво.л ет ее повьк:ить,, Известно устройство дл лазерной ПОДГОПК1.5 пленочных элеме тов интегральных схем., например резисчора„ содерк ащее лазер, блоки пространственно .й развертки и фокусировки лазерного луча, блорс измерени сопротивлени подгон емого эл.s ieнтa н блок уп..ав..пени процессом подгонки 2 , это устройство не может быть использовано дл реализации предлагаемого способа... так как в нем отсутствует блок, предназначенный дл п.лавного снижени интенсивности излучени лазера. Цель изобретени - повышение точности подгонки. Поставленна цель .достигаетс тем, что в устройство дл .лазерной подгонки пленочных злементов интегральных схем, содержащее блок лазе ра, блоки пространственггой фокусировки и развертки лазерного луча, блок измерени величины подгон емого параметра и блок управлени процессом подгонки., в блок управлени процессом подгонки введен субблок плавного умегпэшени интенсиврюсти лазерного луча5 соединенный с блоком лазера и блоком измерени гюдгон емого параметра пленочного элемента. Цель изобретени - повы.шение точности подгонки, Поста- ленпа цель достигаетс тем,, что при реализации способа лазерной подгонки пленочньх элементов интегральных схем, включающему непрерывное или дискретное удаление в виде непрерывного реза материала пленочного элемента сфокусированным лазерным лучом, перемещаемым по поверхности пленочного элемента до достижени зада 1ного значени номинала, при приближении подгон емого параметра пленочного элемента к номиналу плавно уменьишют ширину реза до величины, при которой минимальное количество уда.л еиого материала соответствует требуемой точности подгонки, причем дл сохранени непрерывности реза при использовании импульсных частотных лазеров одновременно с формированием реза уменьшающейс ширины плавно снижают скорость перемещени лазерного луча по поверхности плено ного элемента или увеличивают часто ту следовани лазерных импульсов. На фиг. 1 показана форма выжигаемого участка резистивной пленки по известному способу; на фиг. 2 - то же, по предлагаемому способу; на фиг. 3 приведены зависимости изменени величины сопротивлени резист ра по известному способу; на фиг. 4 то же, по предлагаемому способу; на фиг. 5 - блок-схема устройства дл лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем, работающего по предлагаемому способу. Пример. На 1Г) тест-платах производилась подгонка толстопленоч ных резисторов (величина сопротивле ни равн лась 1-100 кОм). Дл подгонки использовалс перестраиваемый лазер на неодимовом сте ле с акустооптической модул цией до бротности резонатора. Частота следо . вани импульсов генерации составл ла 20 кГц, обща длительность-генер ции за вспышку - 2,5 мс. Дл измерени величины подгон емого сопротивлени использовались ампервольтомметр Ф-30 и специальна измерительна система, обеспечивающа прекращение генерации лазера при достижении заданного номинала. Подгонка осуществл лась известным способом (при стабильной мощнос ти пучков лазерного излучени , обес печивающей посто нную ширину реза) и предлагаемым, привод щим к моното ному уменьшению ширины реза в процессе подгонки. Установлено, что при предлагаемо способе минимальный воспроизводимый выжженный диаметр п тна на поверхности резистивной пленки в,3-4 раза меньше начального диаметра. В результате подгонки было установлено , что относительна погрешность подгонки известным способом при диаметре -выжженного п тна 100 мкм и шаге п тен 50 мкм (50% перекрытие ) составила (1-2)%, при уменьшении шага до 10 мкм - 0,25%, при резе переменной ширины (предлагаемым способом) - 0,025%. Таким образом, точность подгонки повысилась на пор док. 254 Лл подгонки пленочных элементов обычно используют лазеры, работающие на нижайшем поперечном типе колебаний, обеспечивающем минимальную расходимость излучени и однородность лазерного луча. При этом закон распределени интенсивности по сечению луча близок к гауссовому с максимумом интенсивности на его оси. Дл предотвращени структурных изменений материала подложки и устранени возможного вли ни лазерного облучени на другие элементы микросхемы плотность мощности излучени ограничивают величиной, незначительно превышающей порог испарени пленки. При плавном уменьшении интенсивности лазерного излучени диаметр выжигаемого п тна будет сокращатьс , поскольку в испарении материала будут участвовать участки сечени лазерного, луча, все ближе расположенные к его оси. Отметим, что в этом случае нет известных принципиальных ограничений на диаметр п тна, св занных с л.лимом полны лазерного излучени ( d 9 -A ), так как при наличии порога испарени минимальный испаренный участок определ етс лишь структурой и однородностью материала пленки. Таким образом, сущность предлагаемого способа состоит в плавном уменьшении интенсивности излучени лазера в процессе подгонки, что приводит к постепенному уменьшению диаметров выжигаемых п тен, т.е. к уменьшению ширины реза, {аиболее высока точность подгонки будет обеспечена тогда , когда процесс подгонки прекратитс при минимальной возможной ширине реза. Сказанное по сн ют фиг. 1 и фиг.4, где дл сравнени показаны формы выжигаемого участка пленки по известному и предлагаемому способам. В первом случае (см. фиг. 2) ширина реза d не измен етс в процессе подгонки, во втором (см. фит. -2) - она,начина с не ;оторого момента, непрерывно уменьшаетс до 02. Фиг. 4 иллюстрирует изменение сопротивлени резистора в процессе подгонки. По известному способу (фиг. 4) шаг изменени величины сопротивлени - const, в предлр-аемом способе (Лиг. 4) iiR / u4 - О, что и определ ет более высокую точность подгонки, посгсольку подход к заданному значению номинала происходит более мелкими шагами „ Устройство содержит лазер 1 систему-2 пространственной развертки и систему 3 фокусировки лазерного луча, програт-мно-управл ексзгй стол 4 с подгон емым элементом, блох 5 изме рени величины параметра подгон емого пленочного элемента и блок 6 управлени процессом подгонки, соединенный блоком с лазером 1 и блоком 5 Отличительной особенностью устрой ства вл етс наличие в блоке 6 управлени субблока 7 плавного уменьшени интенсивности лазерного излучени , соединенного с. блоком лазера 1 и блоком 5 измерени величины .подгон емого параметра. При использо вании лазеров непрерывного действи субблок 7 может быть выполнен в виде электронного регул тора уровн накачки лазера. В случае использовани импульсных частотных лазеров с элект ро- или акустооптическими модул торами добротности роль субблока 7 может выполн ть управл емый источник напр жени питани с плавно измен ющейс амплитудой„ св занной со схемой питани модул тора Уменьшение площади выжигаемой поверхности пленочного элемента при посто нной частоте следовани лазерных импульсов может привести к тому что на поверхности пленки образуетс сери дискретных неперекрывающихс п тен, что выз.ывает нежелательные резонансные влени в микросхеме,, а также ухудшает шу ;овые характеристики подгон емых пленочных элементов к их долговременную стабильность о Дл устранени этого эффекта, а именно получени непрерывного чистого реза необходимо либо увеличить частоту следовани лазерных ш-1пульсов5 либо уменьшить скорость пространственной развертки луча по поверхности пленоч ного элемента И то и другое достига етс известнгзПШ средствами, и поэтому в устройстве не конкретизируетс . Устройство работает следующим образом . После установки подгон емого пленочного элемента в рабочее положение на. программно-управл емом столе 4 включаетс блок лазера 1,, генерирующии непрерывное лазерное излучение или последовательность лазерных импульсов Система 2 пространственной развертки обеспечивает перемеш.ение сфокусированного системой 3 лазерного излучени по поверхност-и подгон емого пленочного элемента При этом блок 5 измерени величины подгон емого параметра элемента непрерывно выдает данные в блок 6 управлени процессом подгонки (его роль лучше всего может выполн ть минн- ЭВМ), который в зависимости от отклонени от номинала и требуемой точности подгонки выбирает момент включени субблока 7 плавного уменьшени . Вкльочение субблока 7 приводит к уменьшению ширины реза и более медленному изменению величины подгон емого параметра пленочного элемента, что все врем контролируетс блоком 5 измерени величины подгон емого параметра « Интенсивность излучени уменьшаетс до такой величины, при которой площадь вьстсженного п тна определ ет необходим то точность попгонки . При достижениизаданного значени номинала блок 5 измерени подгон емого параметра элемента выдает сигнал в блок 6 управлени процессом под гонки э которьрл отключает блок лазера 1 „ Затем в рабочее положение выводитс следующий подгон вг-гый пленочньш элемент, При использовании импульсных частотных лазеров одновременно с включением субблока 7 привод тс а дей (тви устройства плавного скт-шени скорости пространственной развертки лазерного луча илн повышени частоты следование лазерных импульсов (на фиг. 3 они не показаны)5 что обеспечивает чистоту и непрерывность реза. Использование предлагаемого способа и устройства дл его реализации позвол ет сщественно повысить точность по.дгонки в номинал параметра подгон емого snSMeHTaj при этом эффект от их применени достигаетс сравнительнонебольшим усозершенстзованием известного устройства, что .дает несомненный народнохоз йствекный эффект о