Изобретение относитс к измери тельной технике, а именно к тензометрическим преобразовател м, изготавливаемым методами микроэлектронной технологии, и может быть использовано в датчиках давлени , силы , перемещени , линейного ускоре-ни и других подобных устройствах в качестве унифицированного преобразовател деформации мембраны в электрический сигнал. Известен интегральный тензопреобразователь , содержащий мембрану из сапфира, мост из полупроводниковых тензореэисторов и соединенных с ними последовательно подгоночных резисторов и токовыводы, соединенные с вершинами моста С1. Однако данный тензопреобраэователь не обеспечивает высокой точности измерени механических параметров воздействующих на мембрану, так как наличие подгоночных резисторов, не воспринимающих деформацию мембраны , приводит к нелинейности выходного сигнала моста в Ч)ункции от вход ноге механического параметра. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому эффекту вл етс интегральный тенэопреобразователь, содержащий мембрану из кремни одного типа проводимости , мост из тензорезисторов, вырааденных на мембране и имеющих про водимость противоположного типа, дополнительные резисторы, включенные а плечи моста последовательно с тензррезйсторами и используек&зе дл под гонки его чувствительности и начального уровн сигнала, и токовыводы, соединенные с весадинами моста С2, Однако и этот тенэопреобразователь имеет нелинейность градуировочной характеристики, св занную с НсШичием в плечах моста дополнительных резисторов, что снижает точность измерени механических параметров таким устройством. Цель изобретени - повышение точности измерений. поставленна цель достигаетс тем, что интегральный тензопреобразо затель, содержсодий мембрану из кремни одного типа проводимости, мост из .тенэорезисторов, выращенных на мембране и имеющих проводимость противоположнрго типа, и токовыводы, со единенные с вершинами моста, снабжен изол ционн&м слоем, нанесенным поверх одного из тензорезисторов, металлической пластиной, закрепленной на изол ционном слое, и дополнительным токовыводом, соединенным с пластиной . На фиг. 1 представлен интегральный тензопреобразователь, общий вид/ на фиг. 2 - то же, разрез в плоскости , перпендикул рной плоскости мембраны . Интегральный тензопреобразователь содержит мембрану 1, изготовленную из монокристалла кремни одного типа проводимости, мост из тензорезисторов 2-5, выращенных на мембране 1 и имеющих проводимость противоположного типа, токовыводы 6-9, соединенные с вершинами моста, образованными токопровод щими участками 10-13 мембраны 1, изол ционный слой 14, нанесенный поверх одного из тензорезисторов , например тензорезистора 5, металлическую пластину 15 и токовывод 16, соединенный с пластиной 15. Интегральный тензопреобразователь работает следующим образом. Перед измерением преобразователь соедин ют с источниками питани (не пЬказаны). Один источник посто нного напр жени соедин ют с диагональю питани моста, например с токовыводами 6 и 8, другой,регулируемый источник посто нного напр жени , соедин ют соответственно с токовыводом 6, соединенным с тензорезистог ром 5 и с токовыводом 16, соединенным с пластиной 15. Величину и знак напр жени второго источника питани подбирают таким образом, чтобы компенсировать имеющийс технологический разбгшаис моста. При подаче напр жений на пластину 15 имеет место изменение поверхностной проводимости тензорезистора 5 подобно тому , как это имеет место в МДП транзисторах со встроенным каналом при реализации полевого эффекта. После балансировки схемы провод т измерение . Точность такого измерени достаточно высока вследствие того, что нелинейность мостовой схемы существенно уменьшена. Использование предлагаемого интегрального тензопреобразовател позвол ет повысить точность датчиков механических параметров, в которые встроены такие тензопреобразо|ватели . Наличие дополнительного токовывода в тензопреобразователе позвол ет за счет усложнени схемы вторичной электронной аппаратуры реализовать компенсадйю различных погрешностей датчика, вызванных воздействием вли квдих факторов.The invention relates to a measuring technique, namely, strain gauge converters manufactured using microelectronic technology methods, and can be used in pressure sensors, force, displacement, linear acceleration and other similar devices as a unified transducer of deformation of a membrane into an electrical signal. Known integral strain gauge containing a membrane made of sapphire, a bridge of semiconductor strain gages and connected in series with them fitting resistors and current terminals connected to the vertices of the bridge C1. However, this strain transducer does not provide high accuracy in measuring the mechanical parameters acting on the membrane, since the presence of fitting resistors that do not perceive the deformation of the membrane leads to a nonlinearity of the output signal of the bridge in terms of the input from the mechanical parameter. The closest to the proposed technical essence and the achieved effect is an integral shadow transducer containing a silicon membrane of the same type of conductivity, a bridge of strain gages built on the membrane and having the opposite conductivity type, additional resistors connected on the shoulders of the bridge in series with the resistance strain gages and using & However, this shadow transducer has also been used for the race of its sensitivity and initial signal level, and the current terminals connected to the scales of the C2 bridge. t is the nonlinearity of the calibration characteristic associated with the use of additional resistors in the arms of the bridge, which reduces the accuracy of mechanical parameters measurement by such a device. The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy. The goal is achieved by the fact that the integral strain gauge, containing a silicon membrane of the same conductivity type, a bridge of resistors grown on the membrane and having the opposite type of conductivity, and current terminals connected to the vertices of the bridge, is provided with an insulation & layer applied over one of the strain gauges, a metal plate mounted on the insulating layer, and an additional current output connected to the plate. FIG. 1 shows an integral strain gauge, a general view of / in FIG. 2 - the same, a section in a plane perpendicular to the plane of the membrane. The integral strain gauge contains a membrane 1 made of silicon single crystal of the same conductivity type, a bridge of strain gauges 2-5 grown on the membrane 1 and having the opposite type of conductor, current leads 6-9, connected to the vertices of the bridge formed by conductive sections 10-13 of the membrane 1 , an insulating layer 14 deposited on top of one of the strain gauges, for example, the strain gauge 5, the metal plate 15 and the current output 16 connected to the plate 15. The integral strain gauge works as follows by azom Before measurement, the transducer is connected to power supplies (not shown). One source of DC voltage is connected to a diagonal of the bridge power supply, for example, to current leads 6 and 8, the other, an adjustable source of constant voltage, is connected respectively to a current output 6 connected to a strain resistor 5 and to a current output 16 connected to plate 15 The magnitude and voltage sign of the second power source is selected in such a way as to compensate for the existing technological process of the bridge. When voltage is applied to the plate 15, the surface conductivity of the strain gauge 5 changes, just as it takes place in MIS transistors with a built-in channel during the implementation of the field effect. After balancing the circuit, measure. The accuracy of this measurement is quite high due to the fact that the nonlinearity of the bridge circuit is significantly reduced. The use of the proposed integral strain gauge allows one to increase the accuracy of the mechanical parameters sensors in which such strain gauges are embedded. The presence of additional current output in the strain gauge allows, due to the complexity of the circuit of the secondary electronics, to compensate for various sensor errors caused by the influence of four factors.