SU960559A2 - Pressure pickup - Google Patents

Pressure pickup Download PDF

Info

Publication number
SU960559A2
SU960559A2 SU813252270A SU3252270A SU960559A2 SU 960559 A2 SU960559 A2 SU 960559A2 SU 813252270 A SU813252270 A SU 813252270A SU 3252270 A SU3252270 A SU 3252270A SU 960559 A2 SU960559 A2 SU 960559A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pressure pickup
box
pressure sensor
sensor
electronic circuit
Prior art date
Application number
SU813252270A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Васильевич Беликов
Юрий Алексеевич Васильев
Георгий Никитович Вязенкин
Александр Егорович Муравьев
Евгений Петрович Трофимов
Юрий Александрович Хаустов
Original Assignee
Всесоюзный научно-исследовательский институт природных газов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный научно-исследовательский институт природных газов filed Critical Всесоюзный научно-исследовательский институт природных газов
Priority to SU813252270A priority Critical patent/SU960559A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU960559A2 publication Critical patent/SU960559A2/en

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к измеритель ной технике, а точнее к измерению цавлений жицких и газообразных срео.The invention relates to a measuring technique, and more specifically to the measurement of the thickening of zhitsky and gaseous media.

По основному авт. св. № 679835 известен датчик давлени , соцержащий консольно закрепленную в корпусе датчика мембранную коробку в виде балки, образованную соединенными между собой мо нокристаллическими кремниевыми пластинами , и тензорезисторы, расположенные на, наружной поверхности коробки 1.According to the main author. St. No. 679835, a pressure sensor is known that associates a membrane box in the form of a beam mounted in a sensor housing in a sensor housing, formed by interconnected monocrystalline silicon wafers, and strain gages located on the outer surface of the box 1.

Недостатком этого датчика давлени   вл етс  температурна  погрешность, вызванна  различием коэффициентов линейного расширени  материалов кристалла, на 15 которых сформирована электронна  схема, и изолирук цей поцлржки, на которой смонтирован этот кристалл.The disadvantage of this pressure sensor is the temperature error caused by the difference in the linear expansion coefficients of the materials of the crystal, for which the electronic circuit is formed, and the insulation of the sample on which this crystal is mounted.

Цель изобретени  - повышение точности за счет уменьшени  температурной пог20 решности датчика.The purpose of the invention is to improve the accuracy by reducing the temperature resolution of the sensor.

Указанна  цель достигаетс  тем, что в датчике давлени  электронна  схема тензорезисторов расположена на наружной поверхности балки на рассто 1ши от места закреплени  2-3 в, где в- толщина балки.This goal is achieved by the fact that, in the pressure sensor, an electronic circuit of the strain gauges is located on the outer surface of the beam at a distance of 1 to 3 sec.

На чертеже привеоен один из вариантов датчика давлени .In the drawing, one of the pressure sensor variants is illustrated.

Датчик давлени  состоит из корпуса, включающего в себ  подлож.ку 1 и сое пи- ненный с ней кожух 2, мембранной коробки в виде балки, образованной монокрис- таллическими пластинами 3 и 4,The pressure sensor consists of a body that includes the substrate 1 and the casing 2 connected with it, a membrane box in the form of a beam formed by monocrystalline plates 3 and 4,

.На наружной поверхности мембраны сформированы тензорезисторы 5 и электронна  схема 6, соединенна  электровыводами 7, Мембранна  коробка через промежуточную пластину 8соединена с nothложкой 1. Через патрубок 9 в пространство , образованное подложкой 1 и кожухом 2, подаетс  измер емое давление Р.A strain gauge 5 and an electronic circuit 6 connected by electrical leads 7 are formed on the outer surface of the membrane. The diaphragm box is connected to noth through the intermediate plate 8 through the notch 1. The measured pressure P is supplied to the space formed by the substrate 1 and the housing 2.

Датчик работает слес(ующим образом.Sensor works sloz (in an amicable way.

Через патрубок 9 подают измерйемое давление. Оно деформирует мембрану, вызыва  тем самым изменение сопротивлени  тензореа1сторов 5, которое схемой 6 преобразуетс  в удобный дл  йспользшани  выходной сигнал.Through pipe 9 serves the measured pressure. It deforms the membrane, thereby causing a change in the resistance of tensor stresses 5, which is converted by circuit 6 into an easy-to-use output signal.

Изменение температуры окружающей среды не -привооит к Ёоэникноёению дополн нительных оеформаций коробки из-за раовости Коэффициентов линейного расширени  материалоь .коробки и пластины 8, если элементы электронной схемы расположены на рассто нии от места закреплени  2-3 & В област х нулевых деформаций, где в толщина балки.A change in the ambient temperature does not lead to additional box formations due to the ragacity of the linear expansion coefficients of the box and plate 8 materials, if the electronic circuit elements are located at a distance of 2–3 & In areas of zero deformation, where in the thickness of the beam.

Таким образом, при испс)льзовании изобретени  изменение температуры окру жакхцей среды не вли ет на резу/штат измерений, что приводив к увеличению . точности измерений.Thus, when using the invention, a change in the ambient temperature of the environment does not affect the cut / state of measurements, which leads to an increase. measurement accuracy.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР Ni 679835, кл. q 01 U 9/О4, 18.06,76 (прототип).1. USSR author's certificate Ni 679835, cl. q 01 U 9 / О4, 18.06,76 (prototype).
SU813252270A 1981-02-25 1981-02-25 Pressure pickup SU960559A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813252270A SU960559A2 (en) 1981-02-25 1981-02-25 Pressure pickup

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813252270A SU960559A2 (en) 1981-02-25 1981-02-25 Pressure pickup

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU679835 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU960559A2 true SU960559A2 (en) 1982-09-23

Family

ID=20944631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813252270A SU960559A2 (en) 1981-02-25 1981-02-25 Pressure pickup

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU960559A2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4930353A (en) * 1988-08-07 1990-06-05 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor
US4967600A (en) * 1988-02-24 1990-11-06 Killer AG fur Druckmebrechnik Manometer
US5174158A (en) * 1991-06-07 1992-12-29 Maclean-Fogg Company Resistive strain gauge pressure sensor
US5224384A (en) * 1991-06-07 1993-07-06 Maclean-Fogg Company Resistive strain gauge pressure sensor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4967600A (en) * 1988-02-24 1990-11-06 Killer AG fur Druckmebrechnik Manometer
US4930353A (en) * 1988-08-07 1990-06-05 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor
US5174158A (en) * 1991-06-07 1992-12-29 Maclean-Fogg Company Resistive strain gauge pressure sensor
US5224384A (en) * 1991-06-07 1993-07-06 Maclean-Fogg Company Resistive strain gauge pressure sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7775117B2 (en) Combined wet-wet differential and gage transducer employing a common housing
US4373399A (en) Semiconductor strain gauge transducer
RU2362133C1 (en) Microelectronic absolute pressure gage and absolute pressure sensor
US3213681A (en) Shear gauge pressure-measuring device
SU960559A2 (en) Pressure pickup
US7584665B2 (en) Combustion transducer apparatus employing pressure restriction means
JPS5856428B2 (en) Pressure sensor using a crystal oscillator
SU1716979A3 (en) Method of measuring pressure and pressure transducer
SU1536196A1 (en) Piezooptical meter of object deformations
RU44384U1 (en) SEMICONDUCTOR SENSITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT
SU1525504A1 (en) Pressure transducer
SU1247693A1 (en) Semiconductor measuring device
RU2286555C2 (en) Strain primary pressure transducer with zero drift compensation and membrane for it
RU2010195C1 (en) Pressure microsensor
RU2034251C1 (en) Pressure gauge
US4928529A (en) Force multiplying membrane instrument
SU800744A1 (en) Pressure difference sensor
SU1413451A1 (en) Strain-gauge pressure transducer
SU1415086A2 (en) Semiconductor strain transducer
SU681339A1 (en) Pressure transducer
SU767585A1 (en) Pressure transducer
RU2028583C1 (en) Pressure transducer
SU1432357A1 (en) Pressure transducer
SU851139A1 (en) Pressure pickup
RU2014579C1 (en) Force sensor