SU960559A2 - Pressure pickup - Google Patents
Pressure pickup Download PDFInfo
- Publication number
- SU960559A2 SU960559A2 SU813252270A SU3252270A SU960559A2 SU 960559 A2 SU960559 A2 SU 960559A2 SU 813252270 A SU813252270 A SU 813252270A SU 3252270 A SU3252270 A SU 3252270A SU 960559 A2 SU960559 A2 SU 960559A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- pressure pickup
- box
- pressure sensor
- sensor
- electronic circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к измеритель ной технике, а точнее к измерению цавлений жицких и газообразных срео.The invention relates to a measuring technique, and more specifically to the measurement of the thickening of zhitsky and gaseous media.
По основному авт. св. № 679835 известен датчик давлени , соцержащий консольно закрепленную в корпусе датчика мембранную коробку в виде балки, образованную соединенными между собой мо нокристаллическими кремниевыми пластинами , и тензорезисторы, расположенные на, наружной поверхности коробки 1.According to the main author. St. No. 679835, a pressure sensor is known that associates a membrane box in the form of a beam mounted in a sensor housing in a sensor housing, formed by interconnected monocrystalline silicon wafers, and strain gages located on the outer surface of the box 1.
Недостатком этого датчика давлени вл етс температурна погрешность, вызванна различием коэффициентов линейного расширени материалов кристалла, на 15 которых сформирована электронна схема, и изолирук цей поцлржки, на которой смонтирован этот кристалл.The disadvantage of this pressure sensor is the temperature error caused by the difference in the linear expansion coefficients of the materials of the crystal, for which the electronic circuit is formed, and the insulation of the sample on which this crystal is mounted.
Цель изобретени - повышение точности за счет уменьшени температурной пог20 решности датчика.The purpose of the invention is to improve the accuracy by reducing the temperature resolution of the sensor.
Указанна цель достигаетс тем, что в датчике давлени электронна схема тензорезисторов расположена на наружной поверхности балки на рассто 1ши от места закреплени 2-3 в, где в- толщина балки.This goal is achieved by the fact that, in the pressure sensor, an electronic circuit of the strain gauges is located on the outer surface of the beam at a distance of 1 to 3 sec.
На чертеже привеоен один из вариантов датчика давлени .In the drawing, one of the pressure sensor variants is illustrated.
Датчик давлени состоит из корпуса, включающего в себ подлож.ку 1 и сое пи- ненный с ней кожух 2, мембранной коробки в виде балки, образованной монокрис- таллическими пластинами 3 и 4,The pressure sensor consists of a body that includes the substrate 1 and the casing 2 connected with it, a membrane box in the form of a beam formed by monocrystalline plates 3 and 4,
.На наружной поверхности мембраны сформированы тензорезисторы 5 и электронна схема 6, соединенна электровыводами 7, Мембранна коробка через промежуточную пластину 8соединена с nothложкой 1. Через патрубок 9 в пространство , образованное подложкой 1 и кожухом 2, подаетс измер емое давление Р.A strain gauge 5 and an electronic circuit 6 connected by electrical leads 7 are formed on the outer surface of the membrane. The diaphragm box is connected to noth through the intermediate plate 8 through the notch 1. The measured pressure P is supplied to the space formed by the substrate 1 and the housing 2.
Датчик работает слес(ующим образом.Sensor works sloz (in an amicable way.
Через патрубок 9 подают измерйемое давление. Оно деформирует мембрану, вызыва тем самым изменение сопротивлени тензореа1сторов 5, которое схемой 6 преобразуетс в удобный дл йспользшани выходной сигнал.Through pipe 9 serves the measured pressure. It deforms the membrane, thereby causing a change in the resistance of tensor stresses 5, which is converted by circuit 6 into an easy-to-use output signal.
Изменение температуры окружающей среды не -привооит к Ёоэникноёению дополн нительных оеформаций коробки из-за раовости Коэффициентов линейного расширени материалоь .коробки и пластины 8, если элементы электронной схемы расположены на рассто нии от места закреплени 2-3 & В област х нулевых деформаций, где в толщина балки.A change in the ambient temperature does not lead to additional box formations due to the ragacity of the linear expansion coefficients of the box and plate 8 materials, if the electronic circuit elements are located at a distance of 2–3 & In areas of zero deformation, where in the thickness of the beam.
Таким образом, при испс)льзовании изобретени изменение температуры окру жакхцей среды не вли ет на резу/штат измерений, что приводив к увеличению . точности измерений.Thus, when using the invention, a change in the ambient temperature of the environment does not affect the cut / state of measurements, which leads to an increase. measurement accuracy.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813252270A SU960559A2 (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Pressure pickup |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813252270A SU960559A2 (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Pressure pickup |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU679835 Addition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU960559A2 true SU960559A2 (en) | 1982-09-23 |
Family
ID=20944631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813252270A SU960559A2 (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Pressure pickup |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU960559A2 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4930353A (en) * | 1988-08-07 | 1990-06-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
US4967600A (en) * | 1988-02-24 | 1990-11-06 | Killer AG fur Druckmebrechnik | Manometer |
US5174158A (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-29 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
US5224384A (en) * | 1991-06-07 | 1993-07-06 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
-
1981
- 1981-02-25 SU SU813252270A patent/SU960559A2/en active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4967600A (en) * | 1988-02-24 | 1990-11-06 | Killer AG fur Druckmebrechnik | Manometer |
US4930353A (en) * | 1988-08-07 | 1990-06-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
US5174158A (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-29 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
US5224384A (en) * | 1991-06-07 | 1993-07-06 | Maclean-Fogg Company | Resistive strain gauge pressure sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7775117B2 (en) | Combined wet-wet differential and gage transducer employing a common housing | |
US4373399A (en) | Semiconductor strain gauge transducer | |
RU2362133C1 (en) | Microelectronic absolute pressure gage and absolute pressure sensor | |
US3213681A (en) | Shear gauge pressure-measuring device | |
SU960559A2 (en) | Pressure pickup | |
US7584665B2 (en) | Combustion transducer apparatus employing pressure restriction means | |
JPS5856428B2 (en) | Pressure sensor using a crystal oscillator | |
SU1716979A3 (en) | Method of measuring pressure and pressure transducer | |
SU1536196A1 (en) | Piezooptical meter of object deformations | |
RU44384U1 (en) | SEMICONDUCTOR SENSITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT | |
SU1525504A1 (en) | Pressure transducer | |
SU1247693A1 (en) | Semiconductor measuring device | |
RU2286555C2 (en) | Strain primary pressure transducer with zero drift compensation and membrane for it | |
RU2010195C1 (en) | Pressure microsensor | |
RU2034251C1 (en) | Pressure gauge | |
US4928529A (en) | Force multiplying membrane instrument | |
SU800744A1 (en) | Pressure difference sensor | |
SU1413451A1 (en) | Strain-gauge pressure transducer | |
SU1415086A2 (en) | Semiconductor strain transducer | |
SU681339A1 (en) | Pressure transducer | |
SU767585A1 (en) | Pressure transducer | |
RU2028583C1 (en) | Pressure transducer | |
SU1432357A1 (en) | Pressure transducer | |
SU851139A1 (en) | Pressure pickup | |
RU2014579C1 (en) | Force sensor |