SU1027794A1 - Способ получени отверстий в полиимидной пленке - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКЕ, включающий .нанесение на поверхность пленки ..маскирующего сло , формирование в нем рисунка методом фотолитографии и травление полию4идной пленки в кислородсодержащей плазме, отличающийс  тем, что, с целью повьшени  воспроизводимости процесса , перед нанесением маскирующего сло  и перед травлением полиимидной пленки провод т имидизацию полиимидной пленки.

Description

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных пленочных микросхем .

Известен способ получени  отверстий в полиимидной.пленке, включающий формирование на подложке первого сло  схемы, нанесение полиимидной пленки, травление полиимидной пленки в местах перехода с первого сло  схемы на второй и нанесение на нее металлизации второго сло  схемы.

Недостатком данного способа  вл етс  невысока  воспроизводимость размеров отверстий в полиимидной пленке. Это св зано с тем, что продукты неполной имидизации полиимидной пленки преп тствуют равномерному травлению полиимида и осаждению металлических слоев. В конечном итоге

/CO-liili-R

Ж -НООС СООН.

в массе образующегос  поЛиимида присутствует до 15% полиамидокислоты , а также растворитель-диметилформ амид. Полиимидна  пленка обладает способностью влагопоглощени , составл ющего до 5% от веса полиимида. Причем эти процессы обратимые.

При нанесении Маскирующего покрыти  выдел ющиес  в результате неполной инидизации газообразные продукты преп тствуют равномерному осаждению , взаимодействуют с материалом наносимого сло , измен ют его свойства . В конечном итоге маскирующее покрытие локально отслаиваетс  и не выполн ет своих защитных функций , что ухудшает вопроизводимость размеров получаемых отверстий, и снижает качество и надежность микросхем , в которых полиимидна  пленка  вл етс  изол цией или подложкой.

Цель изобретени  - повышение воспроизводимости процесса.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу получени  отверстий в полиимидной пленке, включающему нанесение на поверхность пленки маскирующего сло , формировани  в нем рисунка методом фотолито , графии и травление полиимидной плен ки в кислородсодержащей плазме, перед нанесением маскирующего сло  и перед травлением полиимидной пленки провод т имидизацию полиимидной пленки .

Полна  имидизаци  полиимидной пленкинепосредственно перед нанесением маскирующего сло  и перед травлением в плазме сдвигает реакцию вправо. В результате образуетс 

ухудилаетс  качество получаемой микросхемьа .

Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ получени  отверстий в полиимидной пленке, включающий нанесение на поверхность пленки маскирующего сло , формирование в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородосодержащей плазме12.

Недостатком известного способа  вл етс  невысока  воспроизводимость размеров, получаемых в полиимидной пленкеотверстий, св занна  с неполной имидиэацией полиимидной пленки.

Получение полиимидов осуществл ют путем внутримолекул рной дегидратационной циклизации полиамидокислот по следующей реакции:

i

-2«НаО - If-W

do о

100%-ный полиимид и в массе его отсутствуют полиамидокислота, диметилформамид и влага.

Пример. Полиимидную пленку марки ПМ-1 толщиной 50 мкм, .диаметром 160 мм подвергают перед нанесением маскирующего сло  полной имидизации , дл  чего обрабатывают уксусным ангидридом в присутствии пиридина и подсушивают. Затем полиимидную пленку помещают в вакуумную камеру напылительной установки, где испарением наноситс  маскирующий слой алюмини  толщиной 1,5-2 мкм. Далее формируетс  рисунок в маскирующем слое нанесением фоторезиста ФН-11 с про влением участков, необходимых дл  травлени  пленки. С этих вскрыты Участков удал етс  алюминий до полиимида . Затем процесс полной имидизац повтор ют перед травлением полиимида Травление осуществл ют в кислородсодержащей плазме на установке Плазма 600 Т. При этом алюминий маскирует , а из вскрытых участков пленкр стравливаетс . Далее максирующий слой удал ют и полиимидна  пленка дл  межслойной изол ции готова.

П р и м е р 2. Полиимидную пленку марки ПИ-40 толщиной 40 мкм подвегают полной имидизации уксусным ангидридом в присутствии пиридина подсушивают . Затем нанос т на обе стороны полиимидной пленки маскирующий слой Сь-Си-АЕ испарением металлов в вакууме, толщиной соответственно 0,05) 2 и 1 MKMj: Далее формируетс  фоторезистивна -маска ФН-11, со вскрытых участков удал етс  травлением алюминий, медь и хрс л до поли31027794

имида, после чего, операцию полной имигподслоем хрома формируют пленочную

диэации повтор ют Сквозное травле-микросхему.

ние пленки полиимида осуществл ют Предлагаемый способ позвол ет

в кислородной плазме при давлении .в 3-4 раза повысить воспроизводимость

кислорода 1-2 мм рт.ст. Затем слойполучени  размеров отверстий в полииалюмини  удал ют в щелочном раствот 5мидной пЛенкеи обеспечить высокое ка ре , а на оставшихс  сло х меди счество и надежность гибридных микросхем.

Claims (1)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКЕ, включающий нанесение на поверхность пленки .маскирующего слоя, формирование в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидиэацию полиимидной пленки.