SK500482014A3 - Spôsob plazmatického opracovania vrstvy plynového senzora citlivej na plyn - Google Patents
Spôsob plazmatického opracovania vrstvy plynového senzora citlivej na plyn Download PDFInfo
- Publication number
- SK500482014A3 SK500482014A3 SK50048-2014A SK500482014A SK500482014A3 SK 500482014 A3 SK500482014 A3 SK 500482014A3 SK 500482014 A SK500482014 A SK 500482014A SK 500482014 A3 SK500482014 A3 SK 500482014A3
- Authority
- SK
- Slovakia
- Prior art keywords
- sensor
- hydrogen
- gas
- plasma
- conductive polymer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 abstract 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 13
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 7
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 230000001953 sensory effect Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021065 Pd—Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 SnCh Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- GFSQUFUIPGFIHV-UHFFFAOYSA-N copper;ethynylbenzene Chemical compound [Cu].C#CC1=CC=CC=C1 GFSQUFUIPGFIHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMCPOSDMTGQNKG-UHFFFAOYSA-N anilinium chloride Chemical compound Cl.NC1=CC=CC=C1 MMCPOSDMTGQNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000004395 organic heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/126—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising organic polymers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/005—H2
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/0052—Gaseous halogens
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Vynález sa týka senzora na presné skúmanie a analýzu plynov, najmä vodíka a/alebo amoniaku, použitím elektrických a elektrochemických prostriedkov. Citlivý element senzora pozostáva z vodivého polyméru, ktorého vonkajší povrch sa opracuje v plazmatickom výboji s teplotou elektrónov (tepelnou kinetickou energiou) 1 až 10 eV a hustotou elektrónov 1014 až 1018 m-3. Plazma je generovaná v kyslíku alebo senzor je následne po plazmatickom opracovaní v inom plyne vystavený prostrediu s obsahom kyslíka. Vodivý polymér je polyanilín alebo polypyrol, alebo polytiofén, alebo ich kombinácia.
Description
Oblasť techniky
Vynález sa týka spôsobu výroby plynového senzora na presnejšiu analýzu plynov, najmä vodíka a/alebo amoniaku, použitím elektrických a elektrochemických prostriedkov.
Doterajší stav techniky
Na trhu existuje veľmi veľké množstvo plynových senzorov založených na rôznych princípoch, napr. elektrochemické, optické, rezistívne, rezonančné alebo senzory využívajúce povrchové akustické vlny, tranzistory riadené poľom, optické vlákna a pod. Tieto senzory využívajú zmeny vlastností materiálov pri ich kontakte s konkrétnym plynom. Pri snímaní vodíka a/alebo amoniaku sa môže jednať napríklad o zmenu absorpcie svetla v oxide volfrámu. Väčšina vodíkových senzorov však využíva paládium, ktoré absorbuje molekuly vodíka, čo spôsobuje zmeny jeho vlastností. Paládium môže byť použité ako hradlo v FET tranzistoroch, avšak výroba takýchto elektronických prvkov býva skôr nákladná a komplikovaná.
V súčasnosti najviac používanými senzormi plynov sú rezistívne senzory, u ktorých je citlivý element tvorený polovodivými oxidmi kovov, napr. SnCh, V2O5, WO3, a iné. Oxid kovu je obyčajne v podobe tenkej vrstvy umiestnenej na povrchu hrebeňových elektród umiestnených na izolačnom substráte. Citlivý materiál je pripravený niektorou zo známych technológií prípravy tenkých vrstiev (naprašovaním, sol-gel, rotačným nanášaním, atď.). Štruktúra výslednej tenkej vrstvy býva zvyčajne polykryštalická. Molekuly plynu vplývajú najmä na zakrivenie energetických pásiem na rozhraní kryštalických zŕn, čo má za následok zmenu vodivosti materiálu. Jednou z nevýhod senzorov na báze oxidu kovu je, že sa stávajú citlivými až pri vysokej teplote, cca. 200 až 400 °C. Citlivý element býva vyhrievaný na pracovnú teplotu pomocou ohrievania. Za účelom účinnej tepelnej izolácie tenko-vrstvového citlivého elementu bývajú použité mikroelektromechanické štruktúry (MEMS). Na jednom substráte môže byť integrovaných viacero citlivých elementov (každý z iného materiálu) za účelom zvýšenia selektivity senzora - schopnosti rozlišovať medzi rôznymi plynmi. Keďže hĺbka, do ktorej difundujú molekuly plynu vnikajúce do citlivého materiálu, je obmedzená, je rozumné použiť citlivý materiál v podobe nanovlákien, prípadne pokryť citlivú tenkú vrstvu katalytickými časticami, napríklad Pt. Pre snímanie vodíka je možné namiesto kovových oxidov použiť priamo kov - paládium. Paládium reaguje s vodíkom (absorbuje vodík do svojej kryštálovej mriežky, ktorá následne zväčší svoj objem) za vzniku hydridu paládia, ktorý mení celkovú elektrickú vodivosť.
Iné typy rezistívnych senzorov plynu využívajú katalytickú oxidáciu detekovaného plynu. V tomto prípade senzory obsahujú platinovú cievku s priemerom drôtu rádovo 10 pm zaliatu v keramickom katalytickom materiáli, pričom takto vytvorená kapsula má priemer okolo 1 mm. Senzor je vyhrievaný rezistívnym vyhrievaním Pt cievky na pracovnú teplotu v rozsahu 200 až 400 °C. Molekuly plynu absorbované do objemu kapsule sú katalytický oxidované, čoho výsledkom sú zmeny elektrického odporu senzora. Na kompenzáciu zmien odporu spôsobených zmenou teploty sú spolu zapojené dva citlivé elementy v mostíkovom zapojení, pričom prístup plynu je umožnený len k jednému z nich.
Podľa vynálezu opísanom v patentovej prihláške JP3089157 (A) je známy senzor, ktorý je schopný detekovať plyny ako amoniak, oxid dusíka, sírovodík a oxid siričitý pomocou poly(fenylacetylénu medi). Poly(fenylacetylén medi) je zlisovaný do tvaru pelety alebo zmiešaný s termoelastickou živicou do tvaru filmu alebo pelety. V inom uskutočnení je poly(alkylfenylacetylén medi) zmiešaný s teplom tvrditeľnou živicou do tvaru filmu alebo pelety alebo nanesený na povrch. Plynový senzor získaný týmto spôsobom je pritom schopný detekovať amoniak, oxid dusíka, sírovodík a oxid siričitý na základe prechodu medzi izolačným stavom a kovovou vodivosťou materiálu, keď je vodivý polymér, poly(fenylacetylén) alebo poly(alkylfenylacetylén), dopovaný amoniakom, oxidom dusíka, sírovodíkom a oxidom siričitým. Je potrebné zdôrazniť, že tento senzor je citlivý na sírovodík a nie na samotný vodík.
Senzor opísaný v patentovej prihláške JP2007033416 (A) je schopný detekovať vodík, plyny kyselín a podobne s vyššou citlivosťou než predtým. V spôsobe fungovania plynového senzora na báze príjmu protónu sa tento typ senzora skladá z časti citlivej na plyn obsahujúcej organickú heterocyklickú zlúčeninu, v štruktúre ktorej sa nachádza atóm dusíka, a z páru elektród pripojených k citlivej časti. Medzi elektródami sa striedavo aplikuje napätie s prevrátenou polaritou. Takýto senzor je však technicky zložitý a jeho výroba je nákladná.
Vynález podľa patentovej prihlášky W02004066415 (A2) sa týka nových senzorov na báze tenkej kovovej vrstvy s katalytickým povrchom citlivým na prítomnosť plynov, kde povrch je pokrytý ochrannou membránou z anorganického materiálu pripravenou pulzným jednosmerným naprašovaním. Tenká kovová vrstva je prednostne vyrobená z Pd, Pt, Ni, Au, Ag alebo z ich zliatin. Anorganickú membránu tvorí materiál so vzorcom MaObNcCd, kde M je kov alebo polovodič, Oje kyslík, N je dusík a C je uhlík a číslice a, b, c a d sú navzájom nezávisle z rozsahu 0 až 7, pričom aspoň dve z nich musia byť rôzne od nuly. Konštrukcia senzora je obzvlášť vhodná pre rôzne aplikácie snímania vodíka. Tento vynález zahŕňa aj spôsoby výroby takýchto senzorov. Nakoľko uvedený senzor vyžaduje použitie vzácnych kovov, jeho výroba je nákladná.
Podľa vynálezu opísaného v patentovej prihláške GB2306656 (A) je známy senzor na meranie plynu vo vzduchu alebo iných plynoch. Senzor pozostáva z dvoch elektrolytov 2 a 3, z ktorých jeden je vo vnútri druhého, s elektrickým prívodom 1 zapojeným doprostred vnútorného elektrolytu 3 a iným prívodom zapojeným k povrchu vonkajšieho elektrolytu 2. Potenciál meraný medzi dvoma elektrolytmi závisí logaritmický od parciálneho tlaku meraného plynu. Elektrolyty môžu byť tuhá látka alebo kvapalina uchovaná v keramickej štruktúre. Takýto senzor je schopný detegovať oxid uhličitý, chlorovodík, fluorovodík, oxidy síry, oxidy dusíka a vodnú paru. Nevýhodou tohto senzora je potreba použitia elektrolytov.
Vynález podľa patentovej prihlášky JP8015204(A) rieši problém odstránenia rozptylu charakteristík jednotlivých cievok pri hromadnej výrobe, a zvyšuje bezpečnosť pri dlhodobom používaní, využitím Pd-Fe zliatiny pre cievku senzorického a kompenzačného elementu, ako aj použitím dvojvrstvovej katalytickej štruktúry zloženej zo spekanej základnej vrstvy obsahujúcej najmä AI2O3 a katalytickej SnCh vrstvy. Senzor je tvorený drôtom z Pd-Fe zliatiny s obsahom Fe od 15% do 60% hmôt. a s obsahom Pd od 40 do 85% hmôt., pričom drôt je vytvarovaný do cievky a upevnený medzi nosné elektrické prívody. Po tom, čo je základný materiál obsahujúci najmä AI2O3 spolu so spojivovým materiálom nanesený a vysušený na povrchu cievky apo vytvorení jeho súvislej vrstvy, dochádza k jeho spečeniu zahriatím v dusíkovej atmosfére s malým obsahom vodíka prostredníctvom prúdu tečúceho samotnou cievkou. V prípade senzorického elementu je na povrch nanesený katalytický materiál, ktorý je vytvorený impregnovaním jedného alebo viacerých katalytických kovov - Pt, Pd, Rh, Ru a Ir do SnC>2 s pridaným spojivom. Tento senzor má však veľký objem a jeho výroba je nákladná.
Iný typ chemirezistívneho senzora plynu je vyrobený z tenkej vrstvy polyanilínu (asi 100 nm hrubej) nanesenej na zlatých hrebeňových elektródach (katóda a anóda) umiestnených na izolačnom substráte. Pri zmenách koncentrácie vodíka a/alebo amoniaku mení vodivý polymér svoj elektrický odpor, čo sa okamžite prejavuje zmenou elektrického prúdu pretekajúceho cez anódu a katódu.
Hoci je uvedený senzor plynu technicky jednoduchý a ľahko pripraviteľný, má nízku stabilitu základného odporu a pomalú odozvu. Selektivita na vodík voči amoniaku je nedostatočná pre praktické aplikácie.
Úlohou vynálezu je predstaviť spôsob výroby rezistívneho senzora plynu citlivého najmä na vodík a/alebo amoniak, ktorý by bol výrobne jednoduchý a lacný a zároveň by mal pri izbovej teplote zvýšenú citlivosť a nižší prah citlivosti na konkrétny plyn a väčšiu selektivitu voči ostatným plynom.
Podstata vynálezu
Stanovený cieľ je podľa vynálezu dosiahnutý novým spôsobom výroby senzora plynu, najmä senzora vodíka a/alebo amoniaku, založenom na vodivom polyméri. Podstatou predloženého vynálezu je, že vonkajší povrch vodivého polyméru sa opracuje pomocou plazmy. V priebehu tohto procesu narúšajú energetické atómy plazmy chemické väzby v polyméri a vytvárajú aktívne miesta na jeho povrchu. Tieto aktívne miesta sú následne obsadzované atómami kyslíka. Preto je vhodné použiť kyslíkovú plazmu alebo vystaviť po opracovaní povrch vodivého polyméru plynnému prostrediu s obsahom kyslíka. Parametre plazmy sú nasledovné: teplota elektrónov (tepelná kinetická energia) je v rozsahu 1 až 10 eV a hustota elektrónov je 1014 až 1018 m’3.
Vodivý polymér môže byť polyanilín, polypyrol, alebo polytiofén, alebo ich kombinácie.
Hlavnou výhodou nového spôsobu výroby senzora plynu, najmä senzora vodíka a/alebo amoniaku, je, že toto riešenie umožňuje jednoducho použiť vodivé polyméry na detekciu vodíka. Použitie vodivého polyméru prináša viacero výhod. Predovšetkým odpadá potreba vyhrievať senzor na vysokú pracovnú teplotu (bežné senzory na báze oxidov kovov musia byť vyhrievané na 200 400°C), nakoľko má dostatočnú citlivosť pri izbovej teplote. Výroba tenkých vrstiev vodivého polyméru je jednoduchá a s nízkymi nákladmi. Plazmatickým opracovaním dochádza k zmenám chemických a fyzikálnych vlastností povrchovej vrstvy polyméru. V dôsledku toho degraduje elektrická vodivosť povrchovej vrstvy a znižuje sa hrúbka polyméru. Zmena hrúbky polyméru je veľmi dôležitá pokiaľ sa jedná o štruktúru, najmä v prípade tenkých vrstiev a nanoštruktúr. Plazmatické opracovanie mení objem a štruktúru polyméru. Štruktúra polymémeho senzora sa potom skladá z plazmatický opracovaného povrchu, neopracovaného pôvodného polyméru a rozhrania medzi týmito dvoma oblasťami. Vplyv plazmatického opracovania je navyše ľahko škálovateľný zmenou času opracovania alebo hustoty energie v plazme.
Zmeny vodivého polyméru indukované plazmatickým opracovaním taktiež ovplyvňujú interakciu senzora s okolitými molekulami plynu. Výsledkom plazmatického opracovania vodivého polyméru je zlepšenie jeho senzorických vlastností, najmä v súvislosti s detekciou vodíka. Jedná sa najmä o výrazné zvýšenie citlivosti senzora na vodík. Senzor dosahuje po opracovaní nižší prah citlivosti, takže výrazná zmena jeho odporuje merateľná už pri nižších koncentráciách vodíka. Po opracovaní sa navyše zrýchľuje odozva senzora (t.j. zmeny v koncentrácii plynu sa rýchlejšie prejavia zmenami elektrického odporu senzora) a zvyšuje sa jeho stabilita, t.j. zrýchľuje sa návrat odporu senzora na jeho základnú úroveň v prostredí bez obsahu vodíka.
Citlivosť na iné plyny než vodík však môže po plazmatickom opracovaní polyméru ostať nezmenená alebo môže dokonca i klesať. Použitím rôznych parametrov plazmatického opracovania je možné ľahko pripraviť senzory s odlišnou citlivosťou na jednotlivé plyny, čím sa zvyšuje selektivita senzora. Nie je pritom potrebná žiadna ďalšia úprava povrchu senzora. Použitím viacerých senzorov s odlišnou selektivitou je potom možné rozlíšiť medzi rôznymi plynmi.
Technológia výroby senzora je technicky menej náročná a senzorický materiál neobsahuje materiály ako platina alebo paládium, ktoré by zvyšovali cenu senzora. Podstatné zjednodušenie návrhu, výroby a prevádzky senzora spočíva v skutočnosti, že senzorický materiál nevyžaduje žiadne vyhrievanie na vysokú pracovnú teplotu (200 - 400°C), ako je tomu u senzorov na báze oxidov kovov, keďže senzor je citlivý pri izbovej teplote.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Konkrétny senzor plynu podľa vynálezu, najmä senzor vodíka a/alebo amoniaku, je tvorený tenkou vrstvou vodivého polyméru, ktorý je umiestnený na povrchu dvojice hrebeňových vodivých mikro-elektród (t.j. katódy a anódy) umiestnených na izolačnom substráte. Izolačný substrát môže byť kremíková doska (o hrúbke 500 pm) pokrytá izolačnou vrstvou oxidu kremíka (o hrúbke 100 nm). Ako izolačný substrát môže byť použitý aj akýkoľvek iný izolačný materiál vhodný pre výrobu hrebeňových mikro-elektród (rôzne druhy skla alebo AI2O3, atď.). Hrebeňové mikro-elektródy môžu byť vyrobené naparením tenkej vrstvy zlata (o hrúbke 100 nm), vytvarovanej pomocou optickej litografie a lifit-off technológie do tvaru dvoch vzájomne elektricky odizolovaných častí, t.j. katódy a anódy.
Na povrchu mikro-elektród je vytvorená tenká vrstva vodivého polyméru. Vodivý polymér môže byť polyanilín o hrúbke približne 100 nm. Tenká vrstva polyanilínu môže byť pripravená chemickou polymerizáciou hydrochloridu anilínu pri vhodne nastavených podmienkach pre depozíciu tenkej vrstvy polyméru.
Vonkajší povrch vodivého polyméru sa následne opracuje v kyslíkovej plazme s teplotou elektrónov 1 až 10 eV a hustotou elektrónov 1014 až 1018 m'3. Opracovanie prebieha vrádiofrekvenčne viazanom plazmatickom výboji vytvorenom v bežnom plazmatickom reaktore generujúcom tlejivý výboj s pracovnou frekvenciou 40 kHz a pracovným výkonom 20 W. Tlak v komore plazmatického reaktora je udržiavaný na hodnote 0,3 mbar pri prietoku kyslíka 5 sccm. Pri týchto podmienkach majú častice v nízkoteplotnej plazme dostatočnú energiu na prerušenie chemických väzieb v tenkej vrstve polyméru, avšak nespôsobujú rýchlu alebo rozsiahlu deštrukciu materiálu. Doba trvania plazmatického opracovania je, v závislosti od požadovaných parametrov ako hrúbka a elektrický odpor tenkej vrstvy polyanilínu a citlivosť výsledného senzora na vodík, nastavená v rozsahu 30 až 150 s. S rastúcim časom opracovania dochádza k redukcii hrúbky vrstvy polyanilínu, pričom elektrický odpor zvyšnej tenkej vrstvy polyanilínu narastá a citlivosť senzora na vodík sa zvyšuje.
Vplyv plazmatického opracovania na vlastnosti senzora na báze polyanilínu, podľa predloženého vynálezu, bol študovaný IR a XPS spektroskopiou, kde bolo preukázané, že plazmatické opracovanie ovplyvňuje v prvom rade povrchovú vrstvu polyméru. Senzor vykazuje podstatné zvýšenie citlivosti na vodík po 60 s opracovania. Citlivosť v prítomnosti 10 ppm vodíka vzrástla na približne 23 % a prah citlivosti sa znížil na úroveň 1 ppm. Súčasne bol po plazmatickom opracovaní zistený až 20 násobný nárast selektivity na vodík voči amoniaku, t. j. na úroveň približne 0,1. Pracovný rozsah takéhoto senzora je v rozsahu koncentrácií od 1 do 1000 ppm vodíka a/alebo od 0,5 do 1000 ppm amoniaku.
Opísaný spôsob výroby senzora plynu, najmä senzora vodíka a/alebo amoniaku, nie je jediným možným spôsobom výroby, keďže vodivý polymér môže byť tiež polypyrol, alebo polytiofén, alebo ich kombinácia a forma a morfológia polyméru môžu byť odlišné. Podmienky plazmatického opracovania, ako aj princíp fungovania plazmatického reaktora, môžu byť taktiež odlišné. Plazma môže byť dokonca generovaná v odlišnom plyne za predpokladu, že po plazmatickom opracovaní je povrch senzora vystavený plynu s obsahom kyslíka.
Priemyselná využiteľnosť
Senzor plynu podľa predloženého vynálezu je možné využiť na zisťovanie prítomnosti vodíka alebo na meranie jeho koncentrácie pre bezpečnostné aplikácie, alebo pri vyšších koncentráciách na monitorovanie a kontrolu priemyselných procesov. Vzhľadom na využitie vodíka ako zdroja energie pre palivové články, môže byť senzor vodíka využitý na monitorovanie bezpečnosti vo fabrikách na produkciu vodíka, potrubiach, zásobníkoch, prečerpávacích staniciach a automobiloch s vodíkovým palivom. Senzor je možné využívať na monitorovanie koncentrácie vodíka pri syntéze iných chemických látok (napr. amoniaku a metanolu), pri monitorovaní procesov zvárania a galvanického pokrývania, v uhoľných baniach, v elektrárňach, vo výrobe polovodičov, vo výrobe svetelných zdrojov, v biomedicínskych a kozmických aplikáciách. Monitorovanie koncentrácie vodíka je tiež nevyhnutné pre zabezpečenie bezpečnosti jadrových reaktorov. Taktiež je možné takýto senzor využívať pri monitorovaní životného prostredia a v rôznych poľnohospodárskych aplikáciách.
Claims (3)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Spôsob výroby senzora plynu citlivého najmä na vodík a/alebo amoniak, používajúceho ako citlivý element vodivý polymér, vyznačujúci sa tým, že vonkajší povrch vodivého polyméru sa opracuje v plazmatickom výboji s nasledovnými parametrami plazmy: teplota elektrónov (tepelná kinetická energia) 1 až 10 eV a hustota elektrónov 1014 až 1018 m'3, pričom plazma je generovaná v kyslíku alebo je senzor následne po plazmatickom opracovaní v inom plyne vystavený prostrediu s obsahom kyslíka.
- 2. Spôsob výroby senzora plynu podľa nároku 1, vyznačujúci sa tým, že vodivý polymér je polyanilín, alebo polypyrol, alebo polytiofén, alebo ich kombinácia.
- 3. Spôsob výroby senzora plynu podľa nároku 2, vyznačujúci sa tým, že plazmatický výboj je generovaný v rádio-frekvenčnom plazmatickom reaktore.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/SK2011/050024 WO2013089652A1 (en) | 2011-12-16 | 2011-12-16 | Method of plasma charge treatment of the gas sensitive layer of a gas sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SK500482014A3 true SK500482014A3 (sk) | 2014-10-03 |
Family
ID=45507851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SK50048-2014A SK500482014A3 (sk) | 2011-12-16 | 2011-12-16 | Spôsob plazmatického opracovania vrstvy plynového senzora citlivej na plyn |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
SK (1) | SK500482014A3 (sk) |
WO (1) | WO2013089652A1 (sk) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111796005B (zh) * | 2019-12-24 | 2023-12-19 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种低温微型气敏元件及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0389157A (ja) | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Sakai Chem Ind Co Ltd | ガスセンサ |
JP3440135B2 (ja) | 1994-06-30 | 2003-08-25 | 根本特殊化学株式会社 | 接触燃焼式coガスセンサの製造方法 |
GB2306656B (en) | 1995-10-16 | 1999-01-06 | Univ Leeds | Solid State Sensors |
CN1301404C (zh) * | 2001-03-13 | 2007-02-21 | Tdk株式会社 | 湿度传感器元件及其制造方法 |
WO2004066415A2 (en) | 2003-01-23 | 2004-08-05 | The Penn State Research Foundation | Thin film semi-permeable membranes for gas sensor and catalytic applications |
JP2007033416A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Yokohama National Univ | プロトン受容型ガスセンサーの駆動方法、ガス検出方法、及びプロトン受容型ガスセンサー装置 |
-
2011
- 2011-12-16 WO PCT/SK2011/050024 patent/WO2013089652A1/en active Application Filing
- 2011-12-16 SK SK50048-2014A patent/SK500482014A3/sk not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013089652A1 (en) | 2013-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Joshi et al. | Au decorated zinc oxide nanowires for CO sensing | |
EP2044424B1 (en) | Method of fabricating a gas sensor having zinc oxide nano-structures | |
JP4849493B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサの製造方法 | |
Parmar et al. | Copper (II) oxide thin film for methanol and ethanol sensing | |
US20080034842A1 (en) | Gas sensor using carbon natotubes and method of manufacturing the same | |
KR102009059B1 (ko) | 센서 및 센서를 제조하는 방법 | |
KR100723429B1 (ko) | 금속 리간드와 탄소나노튜브를 이용한 가스 센서의제조방법 | |
US20180038816A1 (en) | Miniature gas sensor and method for manufacturing the same | |
Abinaya et al. | Highly sensitive room temperature hydrogen sensor based on undoped SnO2 thin films | |
US20130202489A1 (en) | Gas sensor with a highly porous structure constructed of catalyst-capped metal-oxide nanoclusters | |
SK500482014A3 (sk) | Spôsob plazmatického opracovania vrstvy plynového senzora citlivej na plyn | |
KR101721119B1 (ko) | 벤젠 검출용 가스 센서 | |
KR101702619B1 (ko) | 톨루엔 검출용 가스 센서 | |
KR101252232B1 (ko) | 전기장을 이용한 가스센서, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센싱방법 | |
Basu et al. | Schottky junction methane sensors using electrochemically grown nanocrystalline‐nanoporous ZnO thin films | |
Li et al. | Low concentration CO gas sensor based on pulsed-heating and wafer-level fabricated MEMS hotplate | |
Ou et al. | Achieving molecular-level selective detection of volatile organic compounds through a strong coupling effect of ultrathin nanosheets and Au nanoparticles | |
JP2002098665A (ja) | ガスセンサおよびガス濃度の検出方法 | |
JP7246084B2 (ja) | ガスセンサ | |
KR100890193B1 (ko) | 전압 조절 방식을 이용한 가스 센서의 감도 개선 방법 | |
JPS63158445A (ja) | ガスセンサ | |
KR101960193B1 (ko) | 소다라임 유리를 이용한 가스 센서 | |
KR101750010B1 (ko) | 가스센서의 제조방법 | |
Aleksanyan et al. | Room Temperature Detection of Hydrogen Peroxide Vapor by Fe2O3: ZnO Nanograins. Nanomaterials 2023, 13, 120 | |
JPH0961390A (ja) | ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FC9A | Refused patent application |