SE515553C2 - Kretskortstest - Google Patents

Description

25 30 35 515 553 2 förekomma mellan kretskort och stiftkontakt. Detta kan uppstå genom att stiftet har böjts, stiftet har oxiderat eller att fixturen inte är tillräckligt tätad så att det inte bildas ett önskat undertryck då stiften avses att tryckas upp, exempelvis med hjälp av tryckluft, mot kretskortet.

För att lösa dessa problem kan mätorganet utgöras av en eller flera antenner eller probar som mäter ett elektromagnetiskt fält kring en eller flera komponenter.

Denna typ av mätning brukar benämnas som närfältsmätning.

För att mäta dessa elektromagnetiska fält kan en antenn användas, som är placerad nära intill mätobjektet. De signaler som fångas upp av antennen kan behandlas i någon form av behandlingsenhet. Denna behandlingsenhet kan exempelvis utgöras av en spektrumanalysator och en anordning för analys av mätvärdena. De resultat som erhålles från frekvenskaraktäristika dels över hela kretskort dels över mätningarna kan vara i form av enskilda komponenter, där detta resultat exempelvis kan användas för att avgöra ifall ett kort är helt eller ej, men även för att avgöra hur känsligt kortet är för omgivande elektriska fält (EMC-mätning). På ett kretskort kan det förekomma ett antal komponenter som strålar ut signaler som varierar i tiden, där var och en av dessa komponenter inducerar ett elektromagnetiskt fält. Om ett fel skulle uppstå hos någon komponent på detta kretskort kommer även det elektromagnetiska fältet att ändra sig.

Ett sätt för att mäta elektromagnetisk strålning från kretskort visas i EP-A-0,239,25l. Strålningen mäts i detta fall med hjälp av en matris av mätprobar som successivt adresseras och mäter de strömmar som inducerats i probarna i en mottagare. En signatur genereras över den elektromagnetiska strålningen som funktion av en position på ett kretskort och visas tillsammans med kretskortets 10 15 20 25 30 s 1 s 553 3 layout. Genom att jämföra den signatur, som genererats vid det aktuella testet, med en referenssignatur som utmärker ett helt kretskort kan områden med ändrad strålning identifieras, dvs att positionen och eventuellt orsaken till ett eventuellt fel kan härledas på detta sätt.

Emellertid tillhandahåller denna lösning endast en jämförelse med en referenssignatur, vilket kan innebära att det inte alltid är möjligt att avgöra det egentliga felet.

Dessutom verkar det som om EP-A-O,239,25l använder sig av absoluta jämförelser av signaturerna, vilket kan vara mycket tidskrävande.

En lösning som visar hur fel på kretskort kan lokaliseras genom att jämföra en testsignatur med en referenssignatur US-Patent 4,l76,780. Både test- och referenssignaturerna genereras i ett testprogram och är i beskrivs i form av binära tabeller, med antingen en etta eller nolla som indikerar tillståndet för ett visst steg i testprogrammet. En eventuell felaktighet på testkortet kommer att lokaliseras genom att testkortets signatur skiljer sig från referenssignaturen vid motsvarande steg i testprogrammet, varefter felet sedan isoleras rekursivt.

Emellertid kan detta leda till väldigt långa väntetider ifall ett fel påträffas eftersom testprogrammet måste leta fram den punkt där felet föreligger genom att isolera felet rekursivt. Dessutom verkar det som om US-Patent 4,l76,780 använder sig av absoluta jämförelser av signaturerna, vilket kan vara mycket tidskrävande.

En annan lösning som visar hur fel på kretskort kan lokaliseras genom att jämföra en testsignatur med en referenssignatur beskrivs i US-Patent 4,l94,1l3. Denna lösning liknar den som visas i US-Patent 4,l76,780. 10 15 20 25 30 35 515 555 4 REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN: Det är därför ett syfte med föreliggande uppfinning att tillhandahålla ett sätt och en anordning för att minska väntetiderna vid ett kretskortstest, exempelvis vid isolering av fel.

Ett ytterligare syfte med föreliggande uppfinning är att tillhandahålla ett sätt och en anordning för att underlätta analysen av felorsak.

Ytterligare ett syfte med föreliggande uppfinning är att tillhandahålla ett lättolkat resultat. Ännu ett syfte med föreliggande uppfinning är att till- handahålla en ökad precision i mätningarna vid ett kretskortstest.

Ytterligare ett syfte med föreliggande uppfinning är att tillhandahålla ett system som eliminerar kontaktproblem som kan förekomma mellan ett kretskort och en mätprob.

Ett annat syfte med föreliggande uppfinning är att signalerna som uppmäts vid ett kretskortstest är dynamiska, d.v.s. att signalerna inte är bundna till några logiska nivåer som exempelvis 1 eller 0.

I enlighet med föreliggande uppfinning uppnås dessa ovan nämnda syften genom att tillhandahålla en metod och en anordning för att testa kretskort, som kan mäta upp signaler på ett kretskort. Testen bygger bl.a. på jämförelser mellan testkort och tidigare uppmätta referenskort. För att kunna göra en snabb mätning' kan jämförelsen utföras relativt, exempelvis genom en lämplig skattning. Signalerna behöver inte vara bundna till några logiska villkor, utan kan vara dynamiska. 10 15 20 25 30 35 515 555 5 För att åstadkomma ett referensmönster av referenskortet mäts en eller flera referenssignaler upp på referenskretskortet, genom en eller flera mätprober. Sedan kan referenssignalen vidarebefordras, genonumätproben, till en analysator, varvid analysatorn först analyserar referenssignalen vid en eller flera frekvenser och omvandlar sedan referenssignalen till ett referensmönster.

Därefter kan referensmönstret registreras i ett minne.

För att åstadkomma ett testmönster av testkortet mäts en eller flera testsignaler upp på testkretskortet, genom en eller flera mätprober. Dessa testsignaler kan därefter vidarebefordras till en analysator, där analysatorn först analyserar testsignalen vid en eller flera frekvenser och omvandlar sedan testsignalen till ett testmönster.

Testmönstret kan då jämföras med ett eller flera referensmönster som registrerats i ett minne. Då flera referensmönster finns registrerade i minnet kan det vara lämpligt att göra jämförelsen i en viss följd, t.ex. att jämförelsen börjar med referensmönster som är mest frekventa. Dessutom kan ett resultat erhållas iterativt, d.v.s. genom att upprepa ett test med efterföljande referensmönster en eller flera gånger.

Vidare uppnås ovannämnda syften genom att tillhandahålla ett minne med information om tidigare uppmätta mönster, där informationen kan inbegripa t.ex. felsymptom och felorsak.

För att öka precisionen i mätningen kan signalerna mätas vid flera olika frekvenser. Dessutom kan mätningen utföras m.h.a. fältprobar, d.v.s. probar som inte har galvanisk kontakt med kretskortet och på så sätt eliminera kontaktproblem. un... 10 15 20 25 30 35 515 553 FIGURBESKRIVNING: Uppfinningen kommer att beskrivas närmare nedan där föredragna utföringsformer visas som exempel med hänvisning till de bifogade ritningarna, där: Fig. l visar en principskiss över en kretskortstestare i enlighet med föreliggande uppfinning; och Fig. 2 visar ett flödesschema över en metod i enlighet med föreliggande uppfinning.

FÖREDRAGNA UTFÖRINGSFORMER: Med hänvisning till figur 1 visas en mätanordning i enlighet med föreliggande uppfinning, där en fixtur 40 är försedd med en eller flera fasta eller rörliga mätprobar 50 som exempelvis kan mäta det elektromagnetiska fältet, det elektriska E-fältet och/eller det magnetiska H-fältet, företrädesvis E- eller H-fältet, helst E-fältet över en eller flera komponenter på ett kretskort 60. Hädanefter refereras till det elektriska E-fältet, vilket dock kan utvidgas i överensstämmelse med föregående. Mätningen sker utan galvanisk kontakt på det kretskort 60 som avses att mätas, exempelvis genom fältprobar. Givetvis kan mätningen utföras med galvaniska mätprobar eller kombination av både fältprobar och galvaniska probar. Vid uppmätning av svaga signaler och/eller signaler vid låga frekvenser kan det vara fördelaktigt att mätningen utföres med galvaniskt kontakterande probar. Proberna 50 kan scanna över hela kortet 60 genom att flyttas kontinuerligt över hela kortet 60, för att kunna mäta upp den emission (E-fält) som strålar ut från kortet 60. Istället för att mäta E-fältet kan exempelvis spänning och/eller ström mätas på kretskortet 60 genom att mätproberna 50 är i galvanisk kontakt med mätpunkter på kretskortet 60. Fixturen 40 kan anslutas till ett mätinstrument, såsom en spektrumanalysator 30, för att ta emot, analysera signaler 10 15 20 25 30 35 515 553 7 i exempelvis ett frekvensplan och vidarebefordra de signaler som erhålles från kretskortet 60 vid olika frekvenser. Därefter kan nämnda signaler omvandlas efter att spektrumanalysatorn 30 har vidarebefordrat signalerna, där den information som erhålles från spektrumanalysatorn 30 vidare kan behandlas i en anordning för signalbehandling 10, exempelvis genom en dator av PC-typ, som på ett enkelt sätt analyserar kretskortets tillstånd genom att använda en mönsterigenkänningsmetod som kommer att beskrivas mer i detalj längre fram i. beskrivningen med hänvisning till figur 2. Givetvis kan andra typer av mätinstrument än en spektrumanalysator användas, t.ex. går det också bra att använda ett oscilloskop för att undersöka signaler i tidsplanet istället för frekvensplanet. En annan typ av mätinstrument kan vara en frekvensselektiv mätmottagare.

Vidare behöver signalerna inte vara bundna till några logiska villkor, utan kan vara dynamiska.

För att omvandla signalerna från spektrumanalysatorn till datorn kan ett gränssnitt anslutas mellan spektrumanalysatorn och datorn, där gränssnittet exempelvis kan vara av GPIB-typ (General Purpose Interface Bus).

Datorn 10 kan vidare anslutas till en skrivare (visas ej) som möjliggör utskrift av olika tillstånd på det kretskort 60 som avses att mätas.

Det är mycket enkelt och billigt att tillverka en mätprob 50 för att utföra en mätning av ett E-fält. Det går exempelvis alldeles utmärkt att konstruera en prob av en koaxialkabel. Exempelvis går det att använda en 50 Ohms kabel med en ytterledare av aluminium eller koppar, en innerledare som har en diameter på omkring 0,1-1,0 mm, företrädesvis 0,3-0,6 mm, och där ytterledaren har en diameter på omkring 0,5-2,0 mm, företrädesvis 0,9-1,6 mm.

Andra prober som har en hög tillförlitlighet kan vara en mikrovågskontakt, exempelvis en Huber & Suhner (varumärke) 10 15 20 25 30 35 515 555 8 23 SMA-50-0-3, och där ett dielektrikum på kontakten kan täckas med koppar, aluminium eller annat lämpligt material.

Dielektrikumet på mikrovågskontakten kan ha en varierande längd på omkring l-10 mm, företrädesvis mellan 1,8-4,1 mm.

Givetvis behöver proben inte utgöras av en Huber&Suhner (varumärke) 23 SMA-50-0-3 utan kan vara en mikrovågskontakt av annan sort.

I det fall probarna 50 är rörliga kan dessa förflyttas, t.ex. genom motor och styrskenor, till en önskad position på kretskortet 60, låsas vid denna position och utföra den avsedda mätningen, d.v.s den scannar inte över kretskortet 60.

Analysen av kretskortets 60 tillstånd kan gå till på så sätt att de aktuella signalerna läggs in i ett eller flera minnen 20 och jämföres med en eller flera referenssignaler som redan finns inlagda i ett annat eller samma minne 20 i anslutning till nämnda dator 10. De olika signalerna kan placeras i minnet 20, exempelvis i form av matriser.

Därefter kan ett resultat erhållas snabbt och enkelt, t.ex. genom att använda en punktskattningsmetod, såsom minsta kvadratmetoden eller en annan lämplig approximeringsmetod, dvs att jämförelserna görs relativt.

Antag en matris MM, som symboliserar ett referensmönster, och en matris Mm” som symboliserar ett testmönster. Genom att subtrahera Mm från Mm,ger detta en differensmatrislgm, där varje element motsvarar skillnaden i signalnivå vid en viss position och vid en viss frekvens. Därefter kvadreras absolutbeloppet av varje element i differensmatrisen och summeras ihop. Istället för kvadrering kan varje element upphöjas med en exponent n, där n#0 och behöver inte vara ett heltal (som kan vara större eller mindre än 2).

Slutligen delas antalet element N med det upphöjda och summerade resultatet, för att erhålla en normalisering 10 15 20 25 515 555 9 eller ett s.k. medelkvadratavvikelse (då kvadrering används). Ett kvadratvärde beräknas för varje referensmönster från en databas, dvs minnet 20, och det minsta värdet utgör således det mest lika signalmönstret.

Symboliskt kan denna beräkning uttryckas som: 1 (M -M V' TV2 mät ref , där multipliceringen av matriserna sker elementvis.

Ifall variansen är för stor i dessa beräkningar, som kan uppstå pga brus eller andra störningar, kan en maskningsmatris Ngßk införas. De värden som inkluderas i jämförelsen indikeras med exempelvis "l" och de värden som utesluts i jämförelsen indikeras med exempelvis "O".

Beroende på referensmönstret kan maskningsmatrisen Mmuk avpassas till respektive referensmönster. Symboliskt kan detta uttryckas som: 1 TV2 Mmask (Mmä t -Mzetà 2 , där multipliceringen av matriserna sker elementvis.

För att förbättra signifikansen i mönsterjämförelserna kan en viktningsmatris M¿m införas. Värden med liten varians kan därför viktas med värden större än exempelvis 1 och värden med stor varians kan därför viktas med värden mindre än exempelvis 1. Beroende på referensmönstret kan viktningsmatrisen Nyh avpassas till respektive referensmönster. Symboliskt kan detta uttryckas som: 1 M (M -M )2 TV2 viktMmask mät ref , där multipliceringen av matriserna sker elementvis.

I vissa fall kan vara lämpligt att öka vissa strategiska mätpunkters betydelse och/eller minska eller helt eliminera 10 l5 20 25 30 35 515 555 10 andra.mätpunkters betydelse vidlnönsterjämförelserna. Detta p.g.a. att vissa mätpunkter är av större betydelse därför att de ger mer information än andra, då storleken på de uppmätta signalerna i dessa strategiska mätpunkter ändras mycket beroende på vilket fel kretskortet har. En dylik ökning av vissa strategiska mätpunkters betydelse och/eller viktningsmatrisen Mfim. Det går även att utföra denna innefattas i maskningsmatrisen M mask beräkning utan maskningsmatrisen Mmm ifall variansen inte är för stor. Givetvis kan andra skattningar än minsta kvadratmetoden användas, t.ex. maximum-likelihood-metoden går även att tillämpa i detta fall ifall fördelningen över värdena är känt.

Resultat av jämförelserna kan sedan presenteras grafiskt, där jämförelserna kan utgöras av skillnader i nivåer hos de olika mätpunkterna vid olika frekvenser, exempelvis genom att visa de olika nivåerna i tvådimensionella stolpdiagram eller liknande. Även andra typer av diagram kan vara tänkbara, t.ex. tredimensionella fältdiagram eller konturdiagram av dessa, där skillnaderna xnarkerats med olika färg eller svärta. Företrädesvis presenteras resultatet numeriskt, där det numeriska resultatet anger vilket/vilka referenskort testkortet är mest likt samt hur likt testkortet är i förhållande till detta/dessa referenskort. Tillsammans med detta resultat kan även den troliga felorsaken och felsymptomet på kretskortet presenteras.

De referenssignaler som finns inlagda i minnet utgör det resultat som uppmätts från tidigare mätningar. För att kunna analysera vad det är för fel som uppstått på ett kretskort har en eller flera mätningar tidigare gjorts på ett eller flera kretskort, som var fungerande eller där vissa komponenter vid olika tillfällen och frekvenser avsiktligt eller oavsiktligt har varit felaktiga eller 10 15 20 25 30 35 515 553 ll tagits bort. På så sätt kan alltså ett kretskort analyseras genom att det mönster som finns på kretskortet passar in helt eller delvis med ett av de mönster som tidigare registrerats i ett av datorns minne(n) och operatören behöver således endast utläsa det resultat som erhålles efter denna mönsterigenkänningsmetod för att kunna avgöra om kortet är helt, vilka komponenter som saknas eller vilka som är felaktiga.

För att skapa ett referensmönster kan således en uppmätning göras av en eller flera referenssignaler på ett eller flera referenskretskort 60, genom en fixtur 40 försedd med en eller flera mätprober 50 vilken är i anslutning till nämnda kretskort 60. vidarebefordras, genom nämnda mätprober 50, till en Referenssignalen kan därefter analysator 10,30, varvid nämnda analysator 10,30 först analyserar nämnda referenssignal vid en frekvens och sedan omvandlar nämnda referenssignal till ett referensmönster.

Analysatorn 10,30 utgör alltså för enkelhetens skull i detta fall både av en spektrumanalysator 30, ett GPIB- gränssnitt (visas ej) och en dator 10. Referensmönstret registreras i ett eller flera minnen 20 som är i anslutning till nämnda analysator 10,30. Minnet 20 kan monteras antingen internt eller externt i anslutning till eller på analysatorn 10,30. För att åstadkomma flera referensmönster upprepas denna uppmätning på olika referenskort 60 och åstadkommer flera referensmönster vilka registreras i minnet 20. Vidare kan minnet innehålla information om referenskretskortets 60 tillstånd, som registrerats vid andra mättillfällen, exempelvis manuellt eller med automatik, d.v.s. som en operatör registrerat eller som analysatorn 10,30 på egen hand kunnat tolka med hjälp av ett program för felanalys. Informationencnnreferenskortets 60 tillstånd, som exempelvis innefattar felorsak och/eller felsymptom för referenskortet 60, kan vara lagrat utanför minnet under förutsättning att nämnda minne refererar till 10 15 20 25 30 35 515 553 12 informationen. Således är informationen inbegripen i minnet. Exempelvis kan informationen vara lagrad på papper.

Signalerna som omvandlas till ett referensmönster kan vidare uppmätas vid flera olika frekvenser, för att åstadkomma olika referensmönster.

I figur 2a visas hur en lagring av ett referensmönster kan gå till. Först mäts det mönster som referenskortet har, exempelvis genom att mäta referenskortets E-fält, och ifall där finns ett fel på referenskortet analyseras felorsaken, antingen manuellt, automatiskt eller en kombination av båda. Därefter lagras referensmönstret tillsammans med kortets status, d.v.s. felsymptom och felorsak om kortet är behäftat med fel, annars är kortets status att det är helt.

I figur 2b visas hur själva kretskortstesten kan gå till.

Ett sätt för att testa ett kretskort kan vara att först mäta testkortet i ett produktionstest, där särskilda parametrar mätes beroende på vad som avses att mätas på testkortet. Därefter kan det avgöras ifall det föreligger ett fel eller ej på testkortet. Ifall det föreligger ett fel, genereras ett testmönster, exempelvis baserat på testkortets E-fält, och jämför testmönstret med de lagrade referensmönsterna genom en numerisk metod, för att på sätt kunna skatta en trolig felorsak. När skattningen är klar presenteras olika referensmönster med felorsak, felsymptom och hur pass bra referensmönstren stämmer med testmöstret. tillräckligt lika testmöstret kan detta testmönster lagras på samma sätt som Ifall referensmönstren inte är beskrivs med hänvisning till figur 2a. Med tillräckligt menas att den uppfyller en viss felmarginal som operatören själv kan sätta. Då referensmönstren är tillräckligt likt testmönstret kan testkortet repareras med en eller flera åtgärder som referensmönstret föreslår eller hänvisar till.

Slutligen testas kortet än en gång i produktionstesten för att kontrollera huruvida kortet är helt eller ej. 10 15 20 25 30 35 515 553 13 Varianter för detta test som visas i figur 2b kan vara att exempelvis börja vid punkten 1 eller 2 istället och kan på så sätt, i vissa fall, erhålla ett snabbare test, jämfört med ett produktionstest, för att kunna avgöra ifall ett kort är helt eller ej. Då testen börjar vid l istället för vid "TEST" kan således antalet mätmoment att minska och hastigheten på testet ökar. Förutsättningen för punkten 2 är att testkortet har lagats. Anledningen till att testhastigheten i vissa fall kan öka genom att börja vid punkten 2 är att antalet fel på testkortet kan minimeras, innan det lagade testkortet än en gång mäts i produktionstestet.

Andra utföringsformer av denna test kan vara att tillföra och utnyttja en historikdatabas med fel av olika slag under den senaste tidperioden. På så sätt kan den mest troligaste felorsaken tas fram, vilken bygger på likhet i mönster och hur frekvent ett fel kan vara.

Ifall det testmönstret och där det referensmönster som stämmer bäst finns flera referensmönster som är lika överens med testmönstret inte ger något resultat, vid en reperation går det bra att prova det referensmönster som stämmer näst bäst överens med testmönstret. På så sätt kan ett resultat erhållas iterativt, d.v.s. genom att upprepa ett test med efterföljande referensmönster en eller flera gånger. Referensmönstren kan vara baserade på ett medelvärde av ett flertal kort vilka har liknande eller lika status.

För att testa ett testkretskort kan således en uppmätning göras av en eller flera testsignaler på ett testkretskort 60, genom en fixtur 40 försedd med en eller flera mätprober 50 vilken är i anslutning till nämnda testkretskort 60.

Testsignalen kan därefter vidarebefordras, genom nämnda mätprober 50, till en analysator 10,30, varvid nämnda 10 15 20 25 30 515 553 14 analysator 10,30 först analyserar nämnda testsignal vid en frekvens och sedan omvandlar nämnda testsignal till ett testmönster. Analysatorn 10,30 utgör alltså för enkelhetens skull i detta fall både en spektrumanalysator 30, ett GPIB- gränssnitt (visas ej) och en dator 10. Därefter jämförs testmönstret med referensmönstret, varvid mönsterna som finns j. ett minne 20 kan utgöras av olika värden som representerar olika nivåer av signaler och där jämförelsen mellan värdena i nämnda testmönster och i nämnda referensmönster sker relativt. Givetvis kan testmönstret jämföras med flera olika referensmönster. Minnet 20 kan monteras antingen internt eller externt i anslutning till eller på analysatorn 10,30. Informationen om testkretskortets 60 tillstånd, som erhålles vid jämförelsen av referensmönstret, vidarebefordras till en utenhet.

Utenheten kan exempelvis utgöras av en display, monitor eller liknande visualiseringsmedel. Signalerna som omvandlas till ett testmönster kan vidare uppmätas vid flera olika frekvenser, för att jämföras med olika referensmönster.

Fastän de visade utföringsformerna av den föreliggande uppfinningen har beskrivits i detalj med hänvisning till de medföljande figurerna måste det inses att uppfinningen inte begränsas till dessa specifika utföringsformer och att olika förändringar eller modifikationer kan åstadkommas av en fackman utan att avvika från omfånget som definieras av de följande patentkraven. Exempelvis kan andra liknande skattningar eller förbättringar av de skattningar som nämnts tillämpas på föreliggande uppfinning.

Claims (13)

10 15 20 25 30 35 515 553 15 PATENTKRAV:

1. Metod för att testa kretskort (60), där metoden inbegriper följande steg för att skapa ett referensmönster: al) bl) cl) d1) uppmätning av åtminstone en referenssignal på ett referenskretskort (60), genom åtminstone en mätprob (50) vilken är i anslutning till nämnda kretskort (60), vidarebefordring av referenssignalen, genom nämnda mätprob (50), till en analysator (l0,30), varvid nämnda analysator (l0,30) först analyserar nämnda referenssignal vid åtminstone en frekvens och sedan omvandlar nämnda referenssignal till ett referensmönster, registrering av nämnda referensmönster, i åtminstone ett minne (20) som är ansluten till nämnda analysator (l0,30), och där metoden vidare inbegriper följande steg för att testa ett testkretskort (60): a2) bz) uppmätning av åtminstone en testsignal på ett testkretskort (60), genom åtminstone en mätprob (50) vilken är i testkretskort (60), anslutning till nämnda vidarebefordring av testsignalen, genom nämnda mätprob (50), till en analysator (l0,30), 10 15 20 25 30 35 »s in s15'ššÉ; 16 c2) varvid nämnda analysator (10,30) först analyserar nämnda testsignal vid åtminstone en frekvens och sedan omvandlar nämnda testsignal till ett testmönster, d2) jämförelse av nämnda testmönster med nämnda referensmönster, varvid referensmönstret och testmönstret karaktäriseras av var sin uppsättning värden, k ä n n e t e c k n a d a v , att testmönstrets värden jämförs med referensmönstrets uppsättning av värden för skattning av skillnaden mellan referensmönstret och testmönstret.

2. En metod enligt patentkrav 1 , k ä n n e t e c k n a d a v , att nämnda minne (20) vidare inbegriper information om referenskretskortets (60) tillstånd.

3. En metod enligt patentkrav 2 , k ä n n e t e c k n a d a v , att nämnda information inbegriper felsymptom och/eller felorsak.

4. En metod enligt patentkrav 2 eller 3, k ä n n e - t e c k n a d a v ,attnämndainformationvidarebefordras till en utenhet.

5. En metod enligt något av föregående patentkrav, k ä n - n e t e c k n a d a v , att nämnda referensmönster utgör ett medelvärde från ett flertal kort.

6. En metod enligt något av föregående patentkrav, k ä n - n e t e c k n a d a v , att nämnda signaler uppmäts vid flera olika frekvenser. 10 15 20 25 30 35 515 síššå: 17

7. En metod enligt något av föregående patentkrav, k ä n - n e t e c k n a d a v , att nämnda mätprob är en fältprob och/eller en galvanisk prob.

8. En metod enligt något av föregående patentkrav , k ä n - n e t e c k n a d a v , att nämnda steg för att skapa ett referensmönster upprepas på olika referenskort (60) och åstadkommer flera referensmönster vilka registreras i nämnda minne (20).

9. En. metod enligt patentkrav 8 , k ä n n e t e c k - n a d a v , att nämnda testmönster jämförs med olika referensmönster.

10. En metod enligt patentkrav 9 , k ä n n e t e c k - n a d a v , att metoden kan utföras iterativt.

11. En metod enligt något av föregående patentkrav, k ä n - n e t e c k n a d a v , att nämnda signaler är dynamiska.

12. En metod enligt något av föregående patentkrav , k ä n n e t e c k n a d a v , att nämnda minne (20) antingen är internt eller externt monterat på nämnda analysator (10,30).

13. Anordning för att testa kretskort (60), där anordningen inbegriper följande delar för att skapa ett referensmönster eller ett testmönster: 1) åtminstone en mätprob (50) vilken är i anslutning till nämnda kretskort (60), för att mäta upp åtminstone en referenssignal eller testsignal på ett referenskretskort respektive testkretskort (60), 10 15 20 515 Sšåïšå' 18 2) en analysator (10,30), vilken är i anslutning till nämnda mätprob (50), för att vidarebefordra referenssignalen eller testsignalen, varvid nämnda analysator (10,30) analyserar först nämnda referenssignal eller testsignalen vid en frekvens och omvandlar sedan nämnda referenssignal eller testsignalen till ett referensmönster respektive testmönster, 3) åtminstone ett minne (20) som är i anslutning till nämnda analysator (10,30), för att registrera nämnda referensmönster eller testmönster, varvid nämnda minne (20) är anordnat med ett eller flera referensmönster vid en test av ett kretskort (60), där flertal olika uppsättningar värden, samt att testmönstret innefattar en referensmönsterna innefattar ett uppsättning värden, k ä n n e t e c k n a d a v , att nämnda anordning är försedd med medel för skattning av skillnaden mellan ett av referensmönstren och testmönstret, för att kunna jämföra testmönstrets värden med ett eller flera av referensmönstrets olika uppsättningar av värden.