SE456291B - VERTICAL MOSPHET DEVICE INCLUDING A COLLECTOR AREA LOCATED ON SCREEN ELECTRODE FOR MINIMIZER MILLER CAPACITANCE AND POWER DISTURBANCE - Google Patents
VERTICAL MOSPHET DEVICE INCLUDING A COLLECTOR AREA LOCATED ON SCREEN ELECTRODE FOR MINIMIZER MILLER CAPACITANCE AND POWER DISTURBANCEInfo
- Publication number
- SE456291B SE456291B SE8100148A SE8100148A SE456291B SE 456291 B SE456291 B SE 456291B SE 8100148 A SE8100148 A SE 8100148A SE 8100148 A SE8100148 A SE 8100148A SE 456291 B SE456291 B SE 456291B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- collector
- electrode
- emitter
- area
- collector area
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
456 291 10 15 20 25 30 35 40 strömförträngningen i en vertikal MOSFET-anordning. Skärmen är belägen i närheten av styret och ligger över den del av kollektor- omrädet som ligger intill anordningens kanalområde. 456 291 10 15 20 25 30 35 40 current constriction in a vertical MOSFET device. The screen is located in the vicinity of the handlebars and lies over the part of the collector area which is adjacent to the channel area of the device.
Uppfinningen beskrivs närmare nedan under hänvisning till den bifogade ritningen, i vilken fíg. 1 visar ett snitt genom en känd VDMOS-anordning och fig. 2 ett snitt genom en VDMOS-anordning ~ enligt föreliggande uppfinning.The invention is described in more detail below with reference to the accompanying drawing, in which fig. Fig. 1 shows a section through a known VDMOS device and Fig. 2 shows a section through a VDMOS device according to the present invention.
En konventionell VDMOS-anordning 10 visas i fig. 1 och inne- fattar ett i huvudsak plant substrat 12 med första och andra mot- stående ytor (44 resp. 16) samt angränsande emitter-, kropps- och kollektoromràden (18, 20 resp. 22) av alternerande ledningstyp.A conventional VDMOS device 10 is shown in Fig. 1 and comprises a substantially planar substrate 12 with first and second opposing surfaces (44 and 16, respectively) and adjacent emitter, body and collector regions (18, 20 and 16, respectively). 22) of alternating wire type.
Kollektoromrádet 22 uppvisar typiskt ett relativt högkonduktivt parti 24 intill den andra ytan 16 och ett utskjutande kollektor- parti 26 av material med lägre konduktivitet, vilket parti sträc- ker sig till den första ytan 14. Vid en typisk uppbyggnad sträcker sig ett par kroppspartier 20, åtskilda av det utskjutande kollek- torpartiet 26, in i substratet från den första ytan 14 och bildar ett par PN-övergångar 23 mellan kroppen och kollektorn. Ett mot- svarande par emitterområden 18 sträcker sig in i substratet från den första ytan 14 inom gränserna för kroppsområdet 20. Emitter- områdena är med avseende på det däremellan liggande kollektorom- rådet belägna så att de definierar ett par kanalpartier 28 vid varje kroppsområdes 20 första yta.The collector area 22 typically has a relatively highly conductive portion 24 adjacent the second surface 16 and a projecting collector portion 26 of lower conductivity material, which portion extends to the first surface 14. In a typical construction, a pair of body portions 20 extend. separated by the projecting collector portion 26, into the substrate from the first surface 14 and forming a pair of PN junctions 23 between the body and the collector. A corresponding pair of emitter regions 18 extend into the substrate from the first surface 14 within the boundaries of the body region 20. The emitter regions are located with respect to the intermediate collector region therebetween so as to define a pair of channel portions 28 at the first of each body region 20. surface.
En kollektorelektrod 30 är anordnad över den andra ytan 16 och kontaktar kollektorområdets 24 relativt högkonduktiva del.A collector electrode 30 is arranged over the second surface 16 and contacts the relatively highly conductive part of the collector area 24.
En emitterelektrod 32 på den första ytan kontaktar varje emitter- område 18 och kroppsområde 20 vid en relativt kanalpartiet 28 förskjuten plats. Ett styre 34 är anordnat på den första ytan över såväl kanalpartiparen 28 som det mellan kanalpartierna ut- skjutande kollektoromrádet 26. Styret 34 utgöres typiskt av en på substratytan 14 anordnad oxid 36 och en över oxiden belägen elektrod Q8.An emitter electrode 32 on the first surface contacts each emitter region 18 and body region 20 at a location offset relative to the channel portion 28. A guide 34 is arranged on the first surface over both the channel portion pair 28 and the collector area 26 projecting between the channel portions. The guide 34 typically consists of an oxide 36 arranged on the substrate surface 14 and an electrode Q8 located above the oxide.
I fig. 2 illustreras en VDMOS-anordning enligt föreliggande uppfinning. I det inre är halvledaranordningens SO uppbyggnad i huvudsak densamma som beskrivits med hänvisning till den tidigare kända anordningen 10, och följaktligen används samma hänvisníngs- beteckningar för liknande halvledarområden. I anordningen 50 in- går vidare en kollektorelektrod 30, som kontaktar det relativt högkonduktiva kollektorområdet 24 vid den andra ytan 16, samt en emitterelektrod 32, som kontaktar vartdera emitter- och kropps- 10 15 20 25 30 35 40 3 456 291 området (18 resp. 22) på den första ytan 14. En styrelektrod 52 är placerad över vartdera kanalomràdet 28 och är av en oxid S4 isolerad från den första ytan.Fig. 2 illustrates a VDMOS device according to the present invention. In the interior, the structure of the semiconductor device SO is substantially the same as described with reference to the prior art device 10, and consequently the same reference numerals are used for similar semiconductor regions. The device 50 further includes a collector electrode 30, which contacts the relatively highly conductive collector region 24 at the second surface 16, and an emitter electrode 32, which contacts each of the emitter and body regions (18). respectively 22) on the first surface 14. A control electrode 52 is placed over each channel region 28 and is insulated from an oxide S4 from the first surface.
Vid föreliggande uppfinning är en isolerad skärmelektrod 56 belägen över den första ytan så att den ligger över det utdragna kollektoromrádets 26 parti invid kanalpartierna 28. Vid den före- dragna uppbyggnaden ligger en kant hos vardera styrelektroden S8 direkt ovanför kropps/kollektor-övergången 23, och skärmelektro- den 56 ligger i närheten av denna kant men är isolerad därifrån.In the present invention, an insulated shield electrode 56 is located over the first surface so as to overlie the portion of the extended collector area 26 adjacent the channel portions 28. In the preferred construction, one edge of each gate S8 is directly above the body / collector junction 23, and the shield electrode 56 is located near this edge but is insulated therefrom.
Skärmelektroden S6 är isolerad från den första ytan 14 medelst samma oxid 54 som används för isolering av styrelektroderna 52, men det är icke nödvändigt att skärm- och styrelektroderna är be- lägna på ett enda, kontinuerligt oxidskikt. Vid en typisk anord- ning S0 av detta slag är kanallängden av storleksordningen 5 pm, oxidens 54 tjocklek approximativt 100 nm samt mellanrummet mellan styr- och skärmelektroderna så att det ligger inom det approxima- tiva området 100 nm till S um.The shield electrode S6 is insulated from the first surface 14 by the same oxide 54 used to insulate the gate electrodes 52, but it is not necessary that the shield and gate electrodes be located on a single, continuous oxide layer. In a typical device S0 of this kind, the channel length is of the order of 5 μm, the thickness of the oxide 54 is approximately 100 nm and the gap between the control and shield electrodes so that it is within the approximate range 100 nm to 5 μm.
Anordningen S0 kan tillverkas under användning av inom halv- ledarindustrin allmänt kända metoder. En tillverkningsmetod för en konventionell VDMOS-anordning beskrives exempelvis i ameri- kanska patentskriften 4 055 884. För erhållande av en konstruk- tion i enlighet med föreliggande uppfinning erfordras dessutom alstríng av mönstret för skärmelektroden 56 jämte bildandet av denna elektrod, vilket kan ske på i stort sett samma sätt som vid tillverkning av en konventionell styrelektrod.The device S0 can be manufactured using methods generally known in the semiconductor industry. A manufacturing method for a conventional VDMOS device is described, for example, in U.S. Pat. No. 4,055,884. In order to obtain a structure in accordance with the present invention, it is also necessary to generate the pattern of the shield electrode 56 as well as to form this electrode, which can be done in much the same way as in the manufacture of a conventional control electrode.
Det bör observeras att den beskrivna VDMOS-anordningen 50, innefattande ett par kropps- och emitteromràden, representerar en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning. Även en an- ordning innefattande ett gemensamt kropps- och emitteromráde skul- le kunna användas. Trots att ritningen visar halvledaromràden av speciell ledningstyp (en N-kanalanordning) erhålles vidare en fun- gerande anordning (av P-kanaltyp) om samtliga angivna ledningsty- per omkastas.It should be noted that the described VDMOS device 50, comprising a pair of body and emitter regions, represents a preferred embodiment of the present invention. A device comprising a common body and emitter area could also be used. Although the drawing shows semiconductor areas of a special cable type (an N-channel device), a functioning device (of the P-channel type) is obtained if all specified cable types are reversed.
Det inses även att VDMOS-anordningen S0 kan ingå i en större anordning. Denna större anordning kan exempelvis innefatta ett flertal delar, vilka var och en uppvisar det i fig. 2 illustrera- de tvärsnittet. Denna av ett flertal delar bestående anordning kan utgöras av en konstruktion med in i varandra inskjutande par- tier eller av en konstruktion av meandertyp, såsom är välkänt inom halvledartekniken. 456 291 10 15 20 25 30 35 40 Den vertikala VDMOS-anordningen 50 är speciellt lämpad för drift vid hög effekt och hög frekvens, och den kan vara av anrik- nings- eller bristtyp. Vid typiska driftvillkor för exempelvis en N-kanalanordning av anríkningstyp är emitterelektroden 32 jordad, under det att kollektorelektroden 16 ligger vid 400 volt.och styr- elektroden 52 oscillerar mellan 0 och 30 volt vid en frekvens av storleksordningen 100 Mz. Skärmelektroden 56 hâlles vid i huvud- sak konstant, positiv förspänning, av liknande men oftast större storlek än styrets förspänning. Vid föreliggande exempel skall skärmelektroden hållas inom spänningsomrâdet 30-60 volt.It will also be appreciated that the VDMOS device S0 may be included in a larger device. This larger device may, for example, comprise a plurality of parts, each of which has the cross-section illustrated in Fig. 2. This multi-part device can consist of a construction with interlocking portions or of a meandering type construction, as is well known in the semiconductor technology. 456 291 10 15 20 25 30 35 40 The vertical VDMOS device 50 is particularly suitable for operation at high power and high frequency, and it may be of the enrichment or shortage type. Under typical operating conditions of, for example, an enrichment-type N-channel device, the emitter electrode 32 is grounded, while the collector electrode 16 is at 400 volts and the control electrode 52 oscillates between 0 and 30 volts at a frequency of the order of 100 Mz. The shield electrode 56 is maintained at a substantially constant, positive bias voltage, of a similar but usually larger size than the control bias voltage. In the present example, the shield electrode should be kept within the voltage range of 30-60 volts.
Strömflödet 60 inom anordningen är i huvudsak vertikalt (dvs vinkelrätt mot huvudytorna 14 och 16) men uppvisar även en horisontell komponent. Laddningsbärare flyter väsentligen horison- tellt fràn emitterområdena 18, genom kanalpartierna 28 och till det utdragna kollektorområdet 26 samt därefter í huvudsak verti- kalt genom kollektoromràdet 22 till kollektorelektroden 30.The current flow 60 within the device is substantially vertical (ie perpendicular to the main surfaces 14 and 16) but also has a horizontal component. Charge carriers flow substantially horizontally from the emitter areas 18, through the channel portions 28 and to the extended collector area 26 and thereafter substantially vertically through the collector area 22 to the collector electrode 30.
Skärmelektroden 56 förbättrar anordningens 50 prestanda avse- värt. Såsom nämnts tidigare överlappar styrelektroden 38 i en kon- ventionell anordning 10 det utdragna kollektorområdet 26 på den första ytan 14,.vilket under drift ger upphov till en icke önskad Miller-kapacitans. Vid den enligt föreliggande uppfinning utförda anordningen 50 minimeras Miller-kapacitansen eftersom styrelektro- derna S8 i huvudsak är belägna endast ovanför kanalpartierna 28.The shield electrode 56 significantly improves the performance of the device 50. As mentioned previously, in a conventional device 10, the control electrode 38 overlaps the extended collector area 26 on the first surface 14, which during operation gives rise to an undesired Miller capacitance. In the device 50 embodied according to the present invention, the Miller capacitance is minimized since the control electrodes S8 are located substantially only above the channel portions 28.
Visserligen är skärmelektroden 56 belägen så att den överlappar den utdragna kollektorn 26, men den hàlles vid konstant spänning (i stället för vid styrets 34 vanligen oscillerande spänning) och bidrar därför inte till Miller-kapacitansen.Although the shield electrode 56 is located so as to overlap the extended collector 26, it is maintained at a constant voltage (instead of the normally oscillating voltage at the handle 34) and therefore does not contribute to the Miller capacitance.
Skärmelektroden 56 minimerar dessutom strömförträngningen och höjer nivån på den rymdladdningsbegränsade ström som kan upp- rätthållas i det utdragna kollektorområdet 26. Strömförträngningen med åtföljande intensifiering av det elektriska fältet härrör från övergången från horisontellt strömflöde ( i kanalerna 28) till vertikalt strömflöde (i kollektorområdet 26). Den är kraftigast i de områden där PN-övergångarna 23 träffar den första ytan 14.The shield electrode 56 also minimizes the current constriction and raises the level of the space charge limited current that can be maintained in the extended collector region 26. The current constriction with concomitant intensification of the electric field results from the transition from horizontal current flow (in the channels 26) to the vertical channel 28. . It is strongest in the areas where the PN junctions 23 strike the first surface 14.
Den rymdladdningsbegränsade strömmen i den utdragna kollektorn 26 är en funktion av antalet majorítetsbärare i området.The space charge limited current in the extended collector 26 is a function of the number of majority carriers in the area.
Under drift av anordningen 50 medför skärmelektrodens 56 närvaro ovanför den utdragna kollektorn 26 alstring av ett kon- stant elektrostatiskt fält vid kollektorns yta 14. Detta fält attraherar majoritetsbärare till omrâdet, vilket medför höjd led- å? 10 456 291 ningsförmäga och främjande av den rymdladdningsbegränsade ström- men vid kollektorns yta 14. Skärmelektroden minskar strömförträng- ningen i den utdragna kollektorn i sådan grad att den alstrar ett elektrostatiskt fält som är större än det fält som förorsakas av den oscillerande styrelektrodspänningen. _ Uppfinníngen har således beskrivits under hänvisning till vertikala VDMOS-anordningar. Emellertid är uppfinningen ej så be- gränsad, utan det inses att den även kan tillämpas vid vertikala VMOS-anordningar och vid plana MOS-anordningar. Vid VMOS- och MOS-anordningar kommer skärmelektroden även att ligga ovanför den del av det utdragna kollektoromràdet som gränsar till kropps- omràdets kanalparti. Även här begränsas därigenom Mi1ler-kapaci- tansen och strömförträngningen, under det att en höjning sker av den rymdladdningsbegränsade strömmens nivå i kollektoromràdet.During operation of the device 50, the presence of the shield electrode 56 above the extended collector 26 results in the generation of a constant electrostatic field at the surface 14 of the collector. This field attracts majority carriers to the area, which results in a height joint. 10 456 291 capability and promotion of the space charge limited current at the collector surface 14. The shield electrode reduces the current constriction in the extended collector to such an extent that it generates an electrostatic field which is larger than the field caused by the oscillating electrolyte. The invention has thus been described with reference to vertical VDMOS devices. However, the invention is not so limited, but it will be appreciated that it can also be applied to vertical VMOS devices and to flat MOS devices. In VMOS and MOS devices, the shield electrode will also be located above the part of the extended collector area adjacent to the channel portion of the body area. Here, too, the Mi1ler capacity and current narrowing are thereby limited, while an increase in the level of the space charge-limited current in the collector area takes place.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12371580A | 1980-02-22 | 1980-02-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8100148L SE8100148L (en) | 1981-08-23 |
| SE456291B true SE456291B (en) | 1988-09-19 |
Family
ID=22410424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8100148A SE456291B (en) | 1980-02-22 | 1981-01-13 | VERTICAL MOSPHET DEVICE INCLUDING A COLLECTOR AREA LOCATED ON SCREEN ELECTRODE FOR MINIMIZER MILLER CAPACITANCE AND POWER DISTURBANCE |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56131961A (en) |
| DE (1) | DE3105693A1 (en) |
| FR (1) | FR2476914B1 (en) |
| GB (1) | GB2070331B (en) |
| IT (1) | IT1135091B (en) |
| PL (1) | PL136606B1 (en) |
| SE (1) | SE456291B (en) |
| YU (1) | YU41520B (en) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141964A (en) * | 1981-02-26 | 1982-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Insulated gate type field effect transistor |
| DE3210353A1 (en) * | 1982-03-20 | 1983-09-22 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | MONOLITHICALLY INTEGRATED DARLINGTON CIRCUIT |
| US4577208A (en) * | 1982-09-23 | 1986-03-18 | Eaton Corporation | Bidirectional power FET with integral avalanche protection |
| EP0205639A1 (en) * | 1985-06-25 | 1986-12-30 | Eaton Corporation | Bidirectional power fet with substrate referenced shield |
| EP0207178A1 (en) * | 1985-06-25 | 1987-01-07 | Eaton Corporation | Bidirectional power fet with field shaping |
| EP0119400B1 (en) * | 1983-02-17 | 1987-08-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | A vertical-type mosfet and method of fabricating the same |
| EP0205640A1 (en) * | 1985-06-25 | 1986-12-30 | Eaton Corporation | Lateral bidirectional shielded notch fet |
| SG165138A1 (en) * | 2000-07-12 | 2010-10-28 | Inst Of Microelectronics | A semiconductor device |
| WO2004066395A2 (en) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | North-West University | Fast switching power insulated gate semiconductor device |
| US7276747B2 (en) * | 2005-04-25 | 2007-10-02 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor device having screening electrode and method |
| CN102569385B (en) * | 2010-12-17 | 2015-04-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) structure provided with shielding grid and preparation method thereof |
| CN102569386B (en) * | 2010-12-17 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with shield grid and preparation method of VDMOS device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1132810A (en) * | 1966-03-30 | 1968-11-06 | Matsushita Electronics Corp | Field-effect transistor having insulated gates |
| GB1316555A (en) * | 1969-08-12 | 1973-05-09 | ||
| US3845495A (en) * | 1971-09-23 | 1974-10-29 | Signetics Corp | High voltage, high frequency double diffused metal oxide semiconductor device |
| GB1423449A (en) * | 1973-07-27 | 1976-02-04 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor device |
| JPS52106688A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Nec Corp | Field-effect transistor |
-
1981
- 1981-01-13 SE SE8100148A patent/SE456291B/en not_active IP Right Cessation
- 1981-01-20 IT IT19216/81A patent/IT1135091B/en active
- 1981-02-12 GB GB8104365A patent/GB2070331B/en not_active Expired
- 1981-02-17 DE DE19813105693 patent/DE3105693A1/en active Granted
- 1981-02-18 JP JP2362181A patent/JPS56131961A/en active Granted
- 1981-02-19 YU YU424/81A patent/YU41520B/en unknown
- 1981-02-20 PL PL1981229786A patent/PL136606B1/en unknown
- 1981-02-20 FR FR8103443A patent/FR2476914B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2476914B1 (en) | 1985-10-18 |
| FR2476914A1 (en) | 1981-08-28 |
| DE3105693C2 (en) | 1992-12-10 |
| PL136606B1 (en) | 1986-03-31 |
| SE8100148L (en) | 1981-08-23 |
| IT8119216A0 (en) | 1981-01-20 |
| GB2070331A (en) | 1981-09-03 |
| GB2070331B (en) | 1984-05-23 |
| IT1135091B (en) | 1986-08-20 |
| JPH0213830B2 (en) | 1990-04-05 |
| PL229786A1 (en) | 1981-09-18 |
| YU42481A (en) | 1983-06-30 |
| YU41520B (en) | 1987-08-31 |
| JPS56131961A (en) | 1981-10-15 |
| DE3105693A1 (en) | 1981-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10192978B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
| US4455565A (en) | Vertical MOSFET with an aligned gate electrode and aligned drain shield electrode | |
| SE461490B (en) | MOS TRANSISTOR TRAINED ON AN INSULATING SURFACE | |
| US7592668B2 (en) | Charge balance techniques for power devices | |
| US8816410B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2004297086A (en) | Lateral power mosfet for high switching speed | |
| KR100276414B1 (en) | Insulated gate type semiconductor device | |
| SE456291B (en) | VERTICAL MOSPHET DEVICE INCLUDING A COLLECTOR AREA LOCATED ON SCREEN ELECTRODE FOR MINIMIZER MILLER CAPACITANCE AND POWER DISTURBANCE | |
| CN110890327B (en) | Trench MOSFET contact | |
| JPH0135508B2 (en) | ||
| US9929259B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device | |
| SE457303B (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCEDURES FOR PREPARING THE SAME | |
| CN110828567A (en) | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips | |
| US10957773B1 (en) | Semiconductor device | |
| US4543596A (en) | Insulated-gate field-effect transistor (IGFET) with injector zone | |
| JPS63266882A (en) | Vertical-type insulated-gate field-effect transistor | |
| US11043554B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH09275212A (en) | Voltage-driven semiconductor device | |
| JP3749191B2 (en) | High voltage semiconductor device | |
| US10256331B2 (en) | Insulated gate turn-off device having low capacitance and low saturation current | |
| JP6678615B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5312889B2 (en) | Semiconductor device | |
| US20180350974A1 (en) | Semiconductor device | |
| US11600692B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2011108800A (en) | Lateral igbt and method of manufacturing for the lateral igbt |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NAL | Patent in force |
Ref document number: 8100148-9 Format of ref document f/p: F |
|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8100148-9 Format of ref document f/p: F |