SE443888B - Uppteckningsberare pa vilken information er lagrad i en stralningsreflekterande informationsstruktur som er lesbar med ett optiskt stralknippe - Google Patents

Description

kl _ E É ./3U/43/'J 2 strålning som mottas av detektorn och således detektorns utgångssignal varierar i beroende av den nal av informationsstrukturen som för ögonblicket avläses.

För en maximal modulation av detektorns utgångssignal skall avståndet mellan infonnationsytornas och mellanytornas ytor ha ett speciellt värde. I enlighet med den aerikanska patentskriften 4.041.530 skall detta avstånd vara en kvarts våglängd för lässtrålknippet. Den del av lässtrålknippet som reflekterats av en informations- yta skall därvid ha en 180° fasförskjutning relativt den del al lässtrålknippet som reflekterats av en mellanyta. Den nämnda fasskillnaden är fasskillnaden uppmätt nära infonmationsstrukturens yta. Det är härvid underförstått att infonmationsytorna har vinkelräta väggar eller med andra ord att väggarnas lutningsvinkel är O°. Väg- garnas lutningsvinkel definieras såsom den spetsiga vinkeln mellan dessa väggar och normalen till uppteckningsbärarens infonmationsbärande yta.

Nyligen har det upptäckts att för uppnående av optimal utläsning av infonna- tionsstrukturen det inte så nqcket är fasskillnaden nära infonnationsstrukturen utan snarare det s.k. "fasdjupet' hos denna struktur som skall vara ungefär l80°. Under avläsning av informationsstrukturen belyses denna struktur med en läsfläck av sama storleksordning som infonnationsytorna och infonnationsstrukturen kan betraktas så~ som ett brytningsgitter vilket delar upp lässtrålknippet i ett antal spektrala ord- ningar. Dessa ordningar kan tillordnas en specifik fas och amplitud. 'Fasdjupet' definieras såsun skillnaden mellan fasen för den spektrala ordningen 0 och för den första spektrala ordningen.

Emellertid har det visat sig att bortsett från nämnda avstånd mellan infonma- tionsytorna och mellanytorna fasdjupet är bestämt av: - lässtrålknippets effektiva våglängd relativt ytornas effektiva bredd eller spårens effektiva bredd, _ - lässtrålknippets polarisationstillstånd och - lutningsvinkeln hos ytornas väggar.

Den effektiva våglängden är våglängden nära infonnatíonsstrukturen och utanför det strålningsreflekterande skiktet. Om informationsstrukturen är belagd med ett genomskinligt skyddsskikt är den effektiva våglängden lika med våglängden i vakuum dividerad med skyddsskiktets brytningsidex. Den effektiva bredden av en yta är me- delbredden. d.v.s om väggarna har en konstant lutning, bredden vid halva djupet av en grop eller bredden vid halva höjden av en upphöjning.

För optisk inskrivning av infonmation i den s.k. ”master”-skivan på ett väl styrt sätt och för kopiering av denna master-skiva på ett reproducerbart sätt har det 1 praktiken visat sig att en lutningsvinkel skall användas, vilken skiljer sig vasefm ig: från o°.

Skulle lutningsvinkeln vara mindre än ungefär 25° skulle fasdjupet variera YäiU74§ï'å ringa såsofi funktion av lutningsvinkeln och ett fasdjup av 180' skulle ungefär svara mot fasskillnaden l80° för branta väggar, såsom är angivet i den amerikanska patentskriften 4.041.530. För lutningsvinklar från ungefär 30°, vilka är av prak- tisk betydelse, kommer lutningsvinkelns storlek att ha en avsevärd effekt på fas- djupet om den effektiva våglängden är av samma storleksordning eller mindre än ytor- nas effektiva bredd. Generellt kommer nämnda avstånd av Å /4 mellan infomationsy- tornas yta och mellanytornas yta inte längre att vara optimal födessa lutningsvink- lar.

Huvudstrålkällan som numera använes för avläsning av en uppteckningsbärare leê en optisk infornationsstruktur är helium-neon-gaslasern med en våglängd av 633 nn i vakuum. Dessutom används alltmer AlGaAs halvledardiodlasrar med en våglängd i områ- det mellan ungefär 780 nm till ungefär 860 nm för denna läsmetod. _ Ett ändamål med föreliggande uppfinning är att åstadkomma en uppteckningsbärare i vilken infonnationsstrukturens väggar har en avsevärd lutningsvinkel, vilken kan avläsas på ett optimalt sätt ned hjälp av de typer av strålningskällor som i prakti» ken oftast användes.

Uppteckningsbäraren enligt uppfinningen kännetecknas därav att lutningsvinkeln mellan informationsytornas väggar och en normal till uppteckningsbäraren har ett värde mellan 30° och 65° och att det geometriska avståndet mellan det första och det andra planet har ett värde mellan 165/N nm och 270/N nm, där N är brytningsindf> för ett genomskinligt medim som är anbringat mellan det första och det andra pla- net.

Om nämnda uppteckningsbärare, son har en speciell effektiv bredd på ytorna, skall avläsas med ett strålknippe som har ett givet polarisationstillstånd, vars effektiva våglängd är mindre än ytornas effektiva bredd tillordnas ett speciellt värde på lutningsvinkeln till ett speciellt värde på det geometriska avståndet i området från 165/n nn till 270/n nn; varvid det geometriska avståndet ökar då lut- ningsvinkeln ökar. Ett exempel på detta är en helium-neonlaser för avläsning av en _ infonmationsstruktur, i vilken den maximala bredden av en yta är av storleksordning-É en 625 nn. i -l I en uppteckningsbärare enligt uppfinningen som är avsedd att avläsas med cir- kulårt polariserad strålning ned en våglängd av storleksordningen 633 ngngqggef |;g- ger Iutningsvlnkeln företrädesvis i området från ungefär üS° till ungefär 50° me- dan det geometriska avståndet är ungefär 200/N nm.

F» Denna utföringsform av uppteckningsbäraren är också mycket lämplig för att av- läsas med ett strålknippe som är alstrat av en halvledardiodlaser av AlGaAs-typ vid ett värde av storleksordningen 625 nn för den manïnala bredden på ytorna gr gen ef- fßlllívä v5fll3nflflen dörvïd St' rre fn ytornas effektiva bredd. Lässtrålkníppets p0la~ riationstillstånd bestämmer därvid också fasdjupet. Men brytningsvinkelns in- 7902437-3 .“ verkan på fasdjupet är därvid liten: lutningsvinkeln kan ha ett godtyckligt värde mellan ungefär 30° och 60° förutsatt att lutningsvinkeln är konstant över hela uppteckningsbärarens yta.

De angivna värdena på lutningsvinklarna gäller för de radiella Övergångarna mellan informationsytorna och mellanytorna eller mera generellt uttryckt för över-e gångarna i riktning tvärs mot spårriktningen. Lutningsvinkeln för övergångarna i spårriktningen är av sama storleksordning._ Värdet 200/N nm som är angivet för det geometriska avståndet vid avläsning med strålning från en AlGaAs-laser är det gynnsammaste värdet om denna strålning är po- lariserad vinkelrätt, d.v.s. om den elektriska fältvektorn är vinkelrät mot infonma- tionsytornas längdriktning. Det geometriska avståndet kan emellertid variera mellan 200/N nm och 235/N nm med bibehållande av en tillfredsställande avläsning.

Uppfinningen kommer nu att beskrivas mera detaljerat med hänvisning till rit- ningarna, där_[ig_l visar en del av infonnationsstrukturen på en uppteckningsbärare, j1g_§ visar en del av ett tangentiellt tvärsnitt genom en föredragen utföringsfonm av uppteckningsbäraren enligt uppfinningen,_fig_§ visar en del av ett radiellt tvär- snitt genom en föredragen utföringsfonn av uppteckningsbäraren enligt uppfinningen, jïg_§ visar en känd apparat för avläsning av en uppteckningsbärare,_fig;§ visar tvärsnitt genom delstrålknippet av ordningen noll och två delstrålknippen av första ordningen i infonnationsstrukturens fjärrfält,_fig_§ visar variationen i lutnings- vinkeln som funktion av framkallningstiden vid framställning av uppteckningsbärarna och_fig_Z visar en tabell som ger några värden på lutningsvinkeln och de tillhöran- de värdena på det optiska avståndet samt det geometriska avståndet mellan det första och det andra planet.

Såsom framgår av fig 1 innefattar infonmationsstrukturen ett flertal infonna- tionsytor 2 som är ordnade i spår 3. I spårriktningen eller den tangentiella rikt- ningen t och i den radiella riktningen r är ytorna 2 skilda från varandra genom mel- lanytor 4. Mellanytorna 4 mellan spåren 3 övergår i varandra och bildar kontinuerli- ga mellanremsor 5. Ytorna 4 i spåren 3 är i ett stycke med mellanremsorna 5. Infor- mationsytorna 2 kan innefatta gropar som är inpressade i uppteckningsbärarens yta eller upphöjningar som skjuter ut från uppteckningsbärarens yta. I princip är av- ståndet mellan groparnas botten eller upphöjningarnas översida och uppteckningsbära- rens yta konstant och så är också infermationsytornas 2 bredd vid uppteckningsbära- rens yta. Nämnda avstånd och nämnda bredd är oberoende av den infonmation som är lagrad i strukturen.

Den infonnation som lagras medelst uppteckningsbäraren ligger enbart i variati- onen i ytornas struktur i tangentiell riktning. Om ett färgtelevisionsprogram är lagrat på uppteckningsbäraren kan lminanssignalen vara kodad såsom en variation i infonmationsytornas 2 spatiella frekvens, medan krominans- och ljudsignalen kan vara kodad såsom en variation i ytornas längder. Uppteckningsbäraren kan också innehålla digital information. En speciell kombination av infornationsytor 2 och nellanytor 4 representerar därvid en speciell kombination av digitala ettor och nollor.

Uppteckningsbäraren kan avläsas med en apparat som är schematiskt visad i fig 4. Ett monokramatiskt och linjärt polariserat strålknippe 11 som avges av en gasla- ser 10, t.ex. en helium-neon-laser, reflekteras mot ett objektivsystem 14 av en spe- gel 13. I strålknippets 11 strålbana är en hjälplins 12 införd vilken säkerställer att objektivsystemets 14 öppning är fylld.'En diffraktionsbegränsad läsfläck V bil- das därvid på infonmationsstrukturen. Infonmationsstrukturen är schematiskt repre- senterad genom spåren 3 och uppteckningsbäraren är följaktligen visad i ett radiellt tvärsnitt.

Infonmationsstrukturen kan vara belägen på den sida av uppteckningsbäraren som är vänd mot lasern. Såsom är visat i fig 4 är emellertid informationsstrukturen fö- reträdesvis belägen på den sida av uppteckningsbäraren som är vänd bort från lasern så att avläsning utföres genom uppteckningsbärarens genomskinliga substrat 8. Förde- _ len med detta är att informationsstrukturen därvid är skyddad mot fingeravtryck, É dcmmpartiklar och repor. A Lässtrålknippet 11 reflekteras av infonnationsstrukturen och då uppteckningsbä- raren roteras medelst en platta 16, som drivs av en motor 15, moduleras strålknippet i enlighet med sekvensen av infonnationsytor 2 och mellanytor 4 i ett spår som avlä- ses. Det modulerade lässtrålknippet passerar åter igenom objektivsystemet 14 och r:fT-Kteras av spegeln 13. För att separera det modulerade lässtrålknippet från det omodulerade lässtrålknippet innehåller strålbanan företrädesvis ett polarisations- känsligt delningsprisma 17 och en.4;/4-platta 18, där Å 0 representerar läs- strålknippets våglängd i fria rummet. Prismat 17 överför strålknippet 11 till ~ fi 0/4-plattan 18 som omvandlar den linjärt polariserade strålningen till cirku- lärt polariserad strålning, vilken faller på informationsstrukturen. Det reflektera~ de lässtrålknippet passerar återÅ°/4-plattan 18, varvid den cirkulärt polariserade strålningen åter omvandlas till linjärt polariserad strålning, vars polarisations- plan är vridet 90° relativt den strålning som avges av lasern 10. Till följd härav reflekterar prismat 17 lässtrålknippet till den strålningskänsliga detektorn 19 vid den andra passagen. På utgången av denna detektor alstras en elektrisk signal S vilken är modulerad i enlighet med den information som avlästs.

Infonnationsstrukturen belyses med en läsfläck V vars dimension är av samma storleksordning som informationsytorna 2. lnfonnationsstrukturen kan betraktas såsom ett brytningsgitter vilket delar upp lässtrålknippet i ett ej brutet delstrålknippe av ordningen noll, ett antal delstrålknippen av första ordningen samt ett antal del- strålknippen av högre spektral ordning. 1 huvudsak är delstrålknippen¿vilka är . i ~. 1; .gt -7907437-3 ° ä Ffä .i E 7.:! avböjda i strålriktningen, av betydelse för avläsningen och av dessa strålknippen de delstrålknippen som är avböjda i första ordningen. Objektivsystemets nuneriska öpp- å» ning och lässtrålknippets våglängd är anpassade till infonnationsstrukturen på så- É dant sätt att delstrålknippena av högre ordning till större delen faller utanför 2 objektivsystemets öppning och ej når detektorn. Vidare är amplituderna av högre ord- ningens delstrålknippen låg relativt amplituderna hos delstrålknippena av ordningen noll och delstrålknippena av första ordningen. -s Eig 5 visar tvärsnittet genom delstrålknippena av första ordningen i planet för objektivsystemets utgångsöppning, vilka delstrålknippen har avböjts i spårriktning- en. Cirkeln 20 med centrat 21 representerar utgångsöppningen. Denna cirkel represen- terar också tvärsnittet för strålknippet b (0,0) av ordningen noll. Cirklarna 22 och 24 med centrumpunkterna 23 och 25 representerar tvärsnittet för de första ordningens delstrålknippena b (+1,0) respektive bi-1,0). Pilen 26 representerar spårriktningen.

Avståndet mellan centrat 21 för delstrålknippet av ordningen noll och centrumpunk- terna 23 och 25 för delstrålknippepa av första ordningen är bestämt av /io/p, där p (se fig 1) representerar ytornas 2 spatiella period vid stället för lässtrålknip- pet V.

I föreliggande beskrivning av läsförloppet kan det antas att de första ordning- ens delstrålknippena överlappar delstrålknippet av ordningen noll och att interfe- rens uppträder i de ytor som är sektionerade i fig 5. Faserna hos de första ord- ningens delstrålknippena varierar om läsfläcken rör sig relativt ett informations- spår. Till följd härav varierar intensiteten av den totala strålningen som passerar genom objektivsystemets utgångsöppning. m centrat för läsfläcken sammanfaller med centrat för en infonmationsyta 2 uppkumner en specifik fasdifferens HV , som benämnas fasdjupet mellan ett delstrål- knippe av första ordningen och delstrålknippet av ordningen noll. On läsfläcken rör sig till en efterföljande yta ökar delstrålknippets b (+l,0) fas med 2 ¶7Ä Det är därför korrekt att anta att då lässtrålknippet rör sig i tangentiell riktning det nämnda delstrålknippets fas varierar medial t relativt delstrålknippet av ordningen noll. Härvid är~MJen tidsfrekvens som är bestämd av informationsytornas 2 spatiella frekvens och av den hastighet med vilken läsfläcken rör sig över ett spår. Delstrål- knippets b (+l,0) och delstrålknippets b (-1,0) faser¶Ö(+1,0) respektive ¶5(-1,0) relativt delstrålknippet b (0,0) av ordningen noll kan skrivas: 0 (+1,0) = VV* Mit respektive E U (-1,0) = 1”- UJt ä vid den här beskrivna läsmetoden kombineras, såsom är angivet i fig 4, de delar av ' 7907437-3 delstrålknippena av första ordningen som passerar genom objektivsystemet ned del- strålknippet av ordningen noll på en detektor 19. Den tidsberoende utgångssignalen från denna detektor kan därvid skrivas: S, = A i W) . cosfif. cos (MÅ) där A (V) minskar vid minskande värde på f. Amplituden A (Y). cosY/av signalen Si är maximum för ett fasdjup av}P'=Éïrad.

Vid den metod för avläsning med ett helium-neon-laserstrålknippe, som är visad i fig 4, belyses informationsstrukturen med cirkulärt polariserad strålning och den effektiva bredden på infonmationsytorna är större än den effektiva våglängden. Såsom framgår av beräkningar, som gjorts och som bekräftats genom experiment, bestämmes fasdjupet av följande parametrar: ' - lässtrålknippets våglängd i fria rumetla 0, - brytnngsindex N för det genomskinliga medium som är beläget mellan infonma- tionsytornas 2 plan och mellanytornas 4 plan och som vidare täcker infonmations- strukturen, - det geometriska avståndet mellan dessa plan, d.v.s. vid en gropstruktur det geometriska gropdjupet och - lutningsvinkeln 0 hos ytornas 2 väggar.

För den beskrivna uppteckningsbäraren som t.ex. är avsedd att lagra ett tele- visionsprogram i stora kvantiteter är det viktigt att infonmationen kan skrivas in på ett väldefinierat sätt och att med utgång från en inskriven master-skiva ett stort antal kopior, d.v.s. uppteckningsbärare som är avsedda att spelas av konsuen- ten, kan framställas. I praktiken resulterar dessa krav i uppteckningsbärare i vilka ytornas 2 väggar har en lutningsvinkel 0 som avviker väsentligt från noll.

Såsom är beskrivet i artikeln 'Laser bem recording of video master disks' i 'Applied Optics' vol. 17, nr 13, sid 2001-2006 upptecknas informationen genom att utsätta ett fotoresistskikt som är anbringat på ett substrat för ett laserstrålknip- pe, vars intensitet moduleras i enlighet med den infonmation som skall upptecknas.

Efter uppteckningen framkallas fotoresistskiktet vilket resulterar i en gropstruktur eller en upphöjningsstruktur. Fotoresistet avlägsnas sedan fullständigt vid stället för groparna eller mellan upphöjningarna, sä att fotoresistskiktets tjocklek bestäm- mer groparnas djup eller upphójningarnas höjd i den slutliga uppteckningsbäraren.

Den slutliga uppteckningsbäraren kommer redan att ha sneda väggar till följd av intensitetsfördelningen för det uppteckningsstrålknippe som användes. Framkallnings- processen inverkar också på väggbrantheten: väggbrantheten ökar allteftersom fram- kallningstiden ökar. l fig 6 är detta illustrerat för en struktur av gropar 33. I ~ «. .f-:wefia ,: i 1 « ëfçsíssevsovllzv-s ß denna figur är masterskivans substrat betecknat ned 30, medan 31 är ett nellanskikt som sxkerszaiier korrekt vianafzning aeiian furoresiscskiktez az ae» subscracer. ne streckade linjerna 34, 35 och 36 repsresenterar väggbrantheten vid framkallning un- der en kort tid, längre tid respektive en ytterligare förlängd tid.

Av den framkallade masterskivan framställes moderskivor på känt sätt och av dessa sin tur matriser. Medelst matriserna framställes ett stort antal upptecknings- bärare. För att underlätta separationen av kopiorna från matrisen skall väggarnas lutningsvinkel företrädesvis vara så stor som möjligt. Till följd av sättet för upp- teckning och kopiering skall därför lutningsvinkeln ha ett givet värde vilket avvi- ker från noll grader.

Vid framställningen av en uppteckningsbärare som är avsedd att läsas med ett He-Ne strålknippe eller med ett strålknippe med jämförbar våglängd, varvid ytornas 2 effektiva bredd är större än den effektiva våglängden, kompenseras den negativa ef- fekten av den stora lutningsvinkeln, som i och för sig är önskvärd, på fasdjupet genom att öka det geometriska avståndet mellan infonmationsytorns 2 yta och mellan- ytornas 4 yta, t.ex. genom att göra fotoresistskiktet tjockare.

Fig 2 visar en liten del av en föredragen utföringsfonm av en uppteckningsbära- re enligt uppfinningen i ett tangentiellt tvärsnitt taget längs linjen ll-ll' i fig 1, medan fig 3 visar en del av sama uppteckningsbärare i ett radiellt tvärsnitt taget längs linjen lll-Ill' i fig 1. Vid avläsning av uppteckningsbäraren belyses substratet 8 som användes såsom ett optiskt skyddsskikt från undersidan. Informati- onsstrukturen kan vara täckt med ett skikt 6 av kraftigt reflekterande material, t.ex. silver eller aluminium eller titan. Vidare kan ett skyddsskikt 7 vara anbragt på skiktet 6 vilket skyddar informationsstrukturen mot ekanisk skada, såsom repor.

Den infällda bilden i fig 2 visar väggarnas 9 lutningsvinkel 0. Lutningsvinkeln @_ är resultatet av en kompromiss. Det har visat sig att uppteckningen och kopieringen blir reproducerbara på optimalt sätt om lutningsvinkeln är av storleksordningen 45° till 50°. Acceptabla resultat kan emellertid också uppnås med lutningsvink- iar f omradet från so° :iii ss°.

I fig 3 visas ytornas 2 effektiva bredd weff. Den effektiva bredden, som är lika med medelbredden, är bestämd av bredden w i mellanytornas 4 plan, lutningsvin- keln 6 samt groparnas geometriska djup d i enlighet med: För en utföringsfonn av en uppteckningsbärare för vilken w - 625 nm, 0 - 45° och dg I 135 nn ger detta w eff = 490 nn. 9 7907437-3 Det är tänkbart att bredden w inte är konstant över hela uppteckningsbärarens yta utan att bredden w vid inre delen av uppteckningsbäraren är större, t.ex. 800 nm, än vid yttre delen, t.ex. 500 nm. lndmålet med denna spårbreddsvariation är därvid, såsom beskrivits i patentansökningen 7408535-8, att säkerställa optimal av- läsning båda av spåren i centrum och av spåren nära periferin medelst en läsfläck med konstant dimension. Én' ' För en uppteckningsbärare som är avsedd att avläsas med ett He-Ne strålknippe K eller med ett strålknippe av jämförbar våglängd är groparnas optiska djup do eller upphöjningarnas optiska höjd alltid större än Ä /4, medan för de tidigare föreslagna uppteckningsbärarna ett värde av.Å /4 alltid angavs för detta djup respektive höjd.

Det korrekta värdet på det optiska avståndet do bestämmes av väggarnas lut- ningsvinkel 6. I tabellen i fig 7 är de tillhörande värdena på det optiska avståndet do givna för ett fåtal värden på lutningsvinkeln 6. Det geometriska avståndet dg som är tillordnat ett optiskt avstånde do är givet genom: dg=d°/N, där N är brytningsindexet för det genomskinliga materialet i groparna on informationsytorna 2 är gropar eller det genomskinliga materialet mellan upphöjningarna om ytorna är upp~ höjningar. On inget genomskinligt skyddsskikt är anbringat på infonnationsstruktu- ren, d.v.s. om strukturen är angiven av luft, är h=1 och det geometriska avståndet är lika med det optiska avståndet.

Som exempel är de geometriska avstånd som är tillordnade de givna värdena på lutningsvinkeln 6 angivna i kolumnen längst till höger i fig 7 i det fall att en Lppteckningsbärare enligt fig 2 och 3 med ett substrat med ett brytningsindex av 1,5 avläses med cirkulärt polariserad helium-neonstrålning för vilken.Å °= 633nn.

På senare tid användes också halvledardiodlasrar såsom strålningskälla för av- läsning av optiska uppteckningsbärare. I synnerhet är diodlasrar som använder mate- _ rialen aluminium, gallium och arsenik, vilka lasrar avger en våglängd av ungefär 780 å nm till ungefär 860 nm, lämpliga för detta ändamål.

Gm en AlGaAs diodlaser användes i stället för den gaslaser som antagits i fig 4 ; behöver inga åtgärder vidtas för att förhindra att den strålning som reflekteras av F informationsstrukturen matas tillbaka till lasern. Å andra sidan kan denna återmat- ning användas effektivt under avläsning, såsom beskrives i amerikanska patentskrif- ten 3.941.945. Detta betyder att inga polarisationselement, såsomd/4-plattan 18 och prismat 17 i fig 4, behöver användas i läsapparaten. Dm diodlasern avger linjärt polariserad strålning kommer informationsstrukturen att belysas med linjärt polari- serad strålning utan ytterligare åtgärder.

Om avläsning utföres med en diodlaser med längre våglängd kommer kravet att we" skall vara större än Å e" ej längre att vara uppfyllt med mindre att bredden w ökades, vilket inte är tillrådligt med hänsyn till informationstätheten. v r" i. i Så snart den'effektiven våglängden är lika med eller större än den effektiva bredden 'H kan de fenomen, som uppträder under avläsning av informationsstrukturen, ej längre ' till fullo beskrivas med en skalär brytningsteori utan man måste använda en vekto- riell brytningsteori. lnverkan av lässtrålknippets polarisationstillstånd på fas- djupet blir därvid väsentlig. Då ett vinkelrätt polariserat lässtrålknippe användes visar sig en långsträckt grop eller en långsträckt upphöjning att bli djupare re- spektive högre än då ett parallellt polariserat eller cirkulärt polariserat läs- strålknippe användes. Denna effekt gäller också för ett lässtrålknippe för vilket )\eff < wèff. Med ett vinkelrätt eller parallellt polariserat lässtrålknippe X skall därvid förstås ett lässtrålknippe i vilket den elektriska fältvektorn, E-vek- torn, är vinkelrät respektive parallell med groparna eller upphöjningarnas längd- riktning.

Enligt föreliggande uppfinning har upptäckts att uppteckningsbäraren, som är avsedd att avläsas med He-Ne-strålning med ett geometriskt gropdjup eller höjd på upphöjningarna av 200/N nm, också är utmärkt lämplig för att avläsas med vinkelrätt polariserad AlGaAs-strålning. Det har överraskande visat sig att lutningsvinkelns inverkan på fasdjupet är relativt ringa. För ett geoetriskt gropdjup av 200/N nu kan lutningsvinkeln ha ett godtyckligt värde mellan ungefär 3D° och ungefär 6U° utan att detta ger upphov till någon väsentlig försämring av kvaliteten på den av- lästa signalen. För de föreliggande värdena på den effektiva våglängden och gropar- nas effektiva bredd kan lässtrålknippet ej längre skilja mellan olika lutningsvink- lar. vw värdet 200/N nm på det geometriska avståndet mellan infonmationsytornas yta osfi mellanytornas yta är ett optimalt värde. Tillfredställande avläsning av en uppteck- ningsbärare är också möjlig om det geometriska avståndet är större. Den övre gränsen - för detta avstånd är ungefär 235/N nm. En uppteckningsbärare vars geometriska av- stånd ligger nära den övre gränsen behöver inte avläsas med ett vinkelrätt polarise» rat strålknippe utan kan också läsas med ett parallellt polariserat lässtrålknippe eller ett cirkulärt polariserat lässtrålknippe. För varje värde på det geometriska avståndet mellan 200/N nm och 235/N nm kan lutningsvinkeln 6 också ha ett godtyck- ligt värde mellan 3D° och 60°. uppfinningen Har'beskrivits på basis av en rund skivformad uppteckningsbärare. uppfinningen kan emellertid också användas i samband med andra uppteckningsbärare, såsom uppteckningsbärare i fonn av ett band eller cylindriska upptecknigsbärare.

Claims (3)

1. 7907437-3 n Patentkrav ,l. Uppteckningsbärare på vilken information ä lagrad i en strålningsre- flekterande informationsstruktur som är läsbar med ett optiskt strålknippe och som innefattar spårvis anordnade lnformatlonsytor vilka, l spårriktningen och tvärs mot spårriktningen, är åtskilda från varandra av mellanytor, var- vid informationsytornas ytor i huvudsak är belägna i ett första plan medan mellanytornas ytor i huvudsak är belägna i ett andra plan och avståndet mel- lan det första och det andra planet är i huvudsak konstant över hela uppteck- ningsbäraren, k ä n n e t e c k n a d av att lutningsvinkeln mellan informa- tlonsytornas väggar och en normal till uppteckningsbäraren har ett värde mel- lan 30" och 6S° och att det geometriska avståndet mellan det första och det andra planet har ett värde mellan l6S/N och 270/N nanometer, varvid N är brytningsindexet för ett genomskinligt medium som är beläget mellan det för- sta och det andra planet.

2. Uppteckningsbärare enligt patentkravet l, vilken är avsedd att avläsas antingen med cirkulärt polariserad strålning med en våglängd av storleksord- ningen 633 nm eller med linjärt polariserad strålning med en våglängd i om- rådet från 780 nm till 860 nm och med en mot spårriktningen vinkelrät pola- risationsriktning, k ä n n e t e c k n a d av att lutningsvinkeln ligger i området från ungefär #50 till ungefär 50° och att det geometriska avståndet är ungefär 200/N nanometer,

3. Uppteckningsbârare enligt patentkravet l, vilken är avsedd att avläsas med cirkulärt polariserad strålning med en våglängd i området från 780 nm till 860 nm, k ä n n e t e c k n a d av att lutningsvinkeln ligger i området från ungefär b5° till ungefär 50° och att det geometriska avståndet har ett värde mellan 2l0/N nm och 225/N nm.