SE437587B - Halvledaranordning - Google Patents

Halvledaranordning

Info

Publication number
SE437587B
SE437587B SE7714533A SE7714533A SE437587B SE 437587 B SE437587 B SE 437587B SE 7714533 A SE7714533 A SE 7714533A SE 7714533 A SE7714533 A SE 7714533A SE 437587 B SE437587 B SE 437587B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
channels
outer electrode
electrode parts
cooling
main
Prior art date
Application number
SE7714533A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7714533L (sv
Inventor
P Novak
M Pellant
J Zuna
J Kratina
P Reichel
P Kafunek
Original Assignee
Ckd Praha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ckd Praha filed Critical Ckd Praha
Publication of SE7714533L publication Critical patent/SE7714533L/sv
Publication of SE437587B publication Critical patent/SE437587B/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

7714533°2 2 Kylkanalerna är lämpligen anordnade.vid den inre utsidan av respektive yttre elektroddel och utformade som koncentriska ring- formiga kanaler, som via tvâ mot denna utsida vinkelräta förbindel- sekanaler är förbundna med en inlopps- och en utloppskanal i form av cylinderborrningar, vilka ligger i ett med kylkanalerna paral- lellt plan.
Halvledaranordningen enligt uppfinningen utgör en ny och förbättrad halvledarkomponent, vid vilken kontaktytan mellan elekt- roderna och kylkropparna eliminerats. Denna komponent är genom sin konstruktion tillverkningstekniskt enkel och utnyttjar i maxi- mal utsträckning konventionell, redan genomarbetad teknik, vilket avspeglar sig i ökad tillförlitlighet och är av stort intresse ur ekonomisk synpunkt.
En utföringsform av halvledaranordningen enligt uppfinningen beskrivas närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning, på vilken fig. 1 visar densamma delvis i sektion och fig. 2 visar tvåsnitt genom dess huvudelektrod i två mot varandra vinkelräta plan.
Den i delsektion i fig. 1 visade halvledaranordningen eller -komponenten innefattar ett halvledarelement 7, som befinner sig i exempelvis friktionskontakt mellan två huvudelektroder hos kom- ponenten. Halvledarelementet 7 utgöres av en kiselskiva med minst en PN-övergång, vilken skiva kan vara försedd med en förstyvnings- platta av molybden eller volfram. Komponentens huvudelektroder består av tvâ hermetiskt förbundna delar 13 respektive 14 och 5 respektive 5', varvid den första, mot halvledarelementet 7 anlig- gande delen 13 respektive 14 utgöres av en cirkulär skiva, medan den andra delen 5 respektive 5' är försedd med ett system av kana- ler 1, 2 och 3.
De andra delarna 5 respektive 5' av halvledarkomponentens bå- da huvudelektroder är längs omkretsen försedda med en fläns 4, med vilken en keramisk isolerrings 8 hållare 9 är fast förbunden (¿xem- pelvis genom svetsning). Den längs omkretsen gående flänsen Ä kan utgöra den del av ringen som skjutes på den andra delen 5 respekti- ve 5' av huvudelektroden och därefter fastsvetsas (med skikt 15) el- ler kan vara en del av den andra delen 5 respektive 5' av huvudelekt- roden. Den keramiska isolerringen 8 kan vara försedd med ett genom- gångsrör ll för styrelektrodanslutningsklämman för det fall att ef- fekthalvledarkomponenten är en tyristor eller en triac eller eventu- ellt en transistor. I detta fall är den första delen 14 av huvud- 7714533-2 3 elektroden försedd med ett urtag 10 för upptagande av styrelektro- dens anslutningsorgan.
Såsom framgår av fig. 2, är kanalerna i den andra delen 5 av huvudelektroderna anordnade i två inbördes (och med halvledarelemen- tets 7 plan) parallella plan och inbördes förbundna medelst tvâ för- bindelsekanaler 2. De mot utsidan av den första delen 13 respekti- ve 14 av huvudelektroden anliggande kanalerna utgöres av ett antal koncentriska kanaler 3, medan kanalerna på den motsatta sidan av den andra delen 5 respektive 5' av huvudelektroden utgöres av två, huvud- sakligen parallella, cylindríska kanaler l. Dessa parallella kana- ler 1 är försedda med organ 5 (fig. l), vilka är avsedda för in- och utmatning av kylmedel, exempelvis vatten. De båda delarna 13 respek- tive lä och 5 respektive 5' av huvudelektroderna är inbördes herme- tiskt förbundna exempelvis genom ett lodskikt 15 (visat med en kraf- tigare linje 1 fig. 1). Huvudelektrodernas andra delar 5 och 5' kan på utsidan vara försedda med centreringsöppningar 12, vilka reg- lerar effekthalvledarkomponentens enligt uppfinningen oentrering i hoptryokningsriktníngen.
Uppbyggnaden av halvledarkomponenten enligt uppfinningen möj- liggör en ökning av effekthalvledarkomponenternas nyttovärde. Med hänsyn till den märkbart bättre avledningen av förlustvärmet ökas halvledarkomponentens strömbelastningsförmàga i hög utsträckning och vidgas halvledarkomponentens användbarhet. Den ringa volymen av effekthalvledarkomponenten enligt föreliggande uppfinning är även fördelaktig gentemot den konventionella uppfattningen med en enskild komponent och en enskild kylkropp. Komponentens konstruktion är även fördelaktig ur ekonomisk synpunkt. Effekthalvledarkomponenten enligt uppfinningen utgör ett kvalitativt bidrag inom effektelektronikområ- det och dess användning resulterar i betydande besparingar av de äd- laste energiformerna.
IEC? 'ii ._ u? QUALITY

Claims (2)

7714533-2 4 "Patentkrav
1. Halvledaranordníng, vid vilken ett skivformigt effekthalv- ledarelement (7) anligger med sina utsidor mot två såsom kylkroppar tjänande och med kylkanaler försedda huvudelektroder, som består av två tätt med varandra förbundna inre och yttre elektroddelar (13, 5; lü, 5'), varvid en gemensam imflernhg (8) är via hållare (9) anordnad vid huvudelektroderna och alla kylkanalerna (3) är anordna- de i de yttre elektroddelarna (5, 5'), k ä n n e t e c k n a d av att de inre elektroddelarna (13, lü) av varje huvudelektrod, som anligger mot halvledarelementet (7), består av en cirkulär skiva och att vid de yttre elektroddelarna (5, 5') är fäst en åt sidan utbkjutande fläns (H), vid vilken ísoknvingfll (8) är fäst via hål- larna (9).
2. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att kylkanalerna (3) är anordnade vid den inre utsidan av respektive yttre elektroddel (5, 5') och utformade som koncentriska ringfor- miga kanaler, som via två mot denna utsida vinkelräta förbindelse- kanaler (2) är förbundna med en inlopps- och en utloppskanal i form av cylinderborrningar (1), vilka ligger i ett med kylkanalerna (3) parallellt plan.
SE7714533A 1977-02-18 1977-12-20 Halvledaranordning SE437587B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS108877A CS190866B1 (en) 1977-02-18 1977-02-18 High-capacity semiconductor detail

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7714533L SE7714533L (sv) 1978-08-19
SE437587B true SE437587B (sv) 1985-03-04

Family

ID=5344335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7714533A SE437587B (sv) 1977-02-18 1977-12-20 Halvledaranordning

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH629337A5 (sv)
CS (1) CS190866B1 (sv)
DE (1) DE2758166C2 (sv)
PL (1) PL115317B2 (sv)
SE (1) SE437587B (sv)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4302816C2 (de) * 1993-01-28 1996-08-08 Aeg Westinghouse Transport Anordnung zur Kühlung von druckkontaktierbaren Leistungs-Scheibenhalbleitern
DE10334354B4 (de) * 2002-07-25 2016-12-22 Gva Leistungselektronik Gmbh Anordnung, enthaltend einen Flüssigkeitskühler und ein Leistungshalbleiter-Element
DE102007001234A1 (de) * 2007-01-08 2008-07-10 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbaugruppe zum Anschluss an eine Transformatorwicklung und Transformatoranordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1729293U (de) * 1955-03-14 1956-09-06 Licentia Gmbh Trokkengleichrichterelement mit plattenfoermigen elektroden.
DE1514679A1 (de) * 1966-01-29 1969-06-19 Siemens Ag Anordnung zur Fluessigkeitskuehlung einer Gleichrichterzelle
FR2003573A1 (sv) * 1968-03-09 1969-11-07 Mitsubishi Electric Corp
GB1306224A (sv) * 1969-02-24 1973-02-07
SE337263B (sv) * 1969-03-24 1971-08-02 Asea Ab
DE2160302C3 (de) * 1971-12-04 1975-07-17 Siemens Ag Kühldose zum Einbau in Scheibenzellenstapel

Also Published As

Publication number Publication date
CH629337A5 (en) 1982-04-15
SE7714533L (sv) 1978-08-19
DE2758166C2 (de) 1982-12-30
PL204736A1 (pl) 1978-11-06
CS190866B1 (en) 1979-06-29
DE2758166A1 (de) 1978-08-24
PL115317B2 (en) 1981-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6002183A (en) Power semiconductor packaging
US3706129A (en) Integrated semiconductor rectifiers and processes for their fabrication
US4559580A (en) Semiconductor package with internal heat exchanger
US3590346A (en) High d/d, fast turn-on darlington controlled semiconductor switch
US5537074A (en) Power semiconductor packaging
KR19990037360A (ko) 킬로와트 파워 트랜지스터
US3736474A (en) Solderless semiconductor devices
GB1599852A (en) Package for holding a composite semiconductor device
US3287610A (en) Compatible package and transistor for high frequency operation "compact"
US3526815A (en) Controllable semi-conductor devices comprising main and auxiliary thyristors having all except one emitter-layer in common
WO1986001031A1 (en) Solid state switch assembly
US4626888A (en) Gate turn-off thyristor
SE437587B (sv) Halvledaranordning
US3746947A (en) Semiconductor device
US3328650A (en) Compression bonded semiconductor device
GB1564965A (en) Semiconductor components
JPS6156628B2 (sv)
US2819435A (en) Rectifier assemblies
USRE35807E (en) Power semiconductor packaging
JP7139799B2 (ja) 半導体装置
US3566210A (en) Semiconductor switching device having a shorted emitter
CN110943062A (zh) 半导体装置
US3382419A (en) Large area wafer semiconductor device
EP0145033B1 (en) Semiconductor device having an interdigital electrode configuration and its manufacture
US3177413A (en) Semi-conductor device

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7714533-2

Effective date: 19910704

Format of ref document f/p: F