SE437587B - Halvledaranordning - Google Patents
HalvledaranordningInfo
- Publication number
- SE437587B SE437587B SE7714533A SE7714533A SE437587B SE 437587 B SE437587 B SE 437587B SE 7714533 A SE7714533 A SE 7714533A SE 7714533 A SE7714533 A SE 7714533A SE 437587 B SE437587 B SE 437587B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- channels
- outer electrode
- electrode parts
- cooling
- main
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
7714533°2
2
Kylkanalerna är lämpligen anordnade.vid den inre utsidan av
respektive yttre elektroddel och utformade som koncentriska ring-
formiga kanaler, som via tvâ mot denna utsida vinkelräta förbindel-
sekanaler är förbundna med en inlopps- och en utloppskanal i form
av cylinderborrningar, vilka ligger i ett med kylkanalerna paral-
lellt plan.
Halvledaranordningen enligt uppfinningen utgör en ny och
förbättrad halvledarkomponent, vid vilken kontaktytan mellan elekt-
roderna och kylkropparna eliminerats. Denna komponent är genom
sin konstruktion tillverkningstekniskt enkel och utnyttjar i maxi-
mal utsträckning konventionell, redan genomarbetad teknik, vilket
avspeglar sig i ökad tillförlitlighet och är av stort intresse ur
ekonomisk synpunkt.
En utföringsform av halvledaranordningen enligt uppfinningen
beskrivas närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning, på
vilken fig. 1 visar densamma delvis i sektion och fig. 2 visar
tvåsnitt genom dess huvudelektrod i två mot varandra vinkelräta
plan.
Den i delsektion i fig. 1 visade halvledaranordningen eller
-komponenten innefattar ett halvledarelement 7, som befinner sig
i exempelvis friktionskontakt mellan två huvudelektroder hos kom-
ponenten. Halvledarelementet 7 utgöres av en kiselskiva med minst
en PN-övergång, vilken skiva kan vara försedd med en förstyvnings-
platta av molybden eller volfram. Komponentens huvudelektroder
består av tvâ hermetiskt förbundna delar 13 respektive 14 och 5
respektive 5', varvid den första, mot halvledarelementet 7 anlig-
gande delen 13 respektive 14 utgöres av en cirkulär skiva, medan
den andra delen 5 respektive 5' är försedd med ett system av kana-
ler 1, 2 och 3.
De andra delarna 5 respektive 5' av halvledarkomponentens bå-
da huvudelektroder är längs omkretsen försedda med en fläns 4, med
vilken en keramisk isolerrings 8 hållare 9 är fast förbunden (¿xem-
pelvis genom svetsning). Den längs omkretsen gående flänsen Ä kan
utgöra den del av ringen som skjutes på den andra delen 5 respekti-
ve 5' av huvudelektroden och därefter fastsvetsas (med skikt 15) el-
ler kan vara en del av den andra delen 5 respektive 5' av huvudelekt-
roden. Den keramiska isolerringen 8 kan vara försedd med ett genom-
gångsrör ll för styrelektrodanslutningsklämman för det fall att ef-
fekthalvledarkomponenten är en tyristor eller en triac eller eventu-
ellt en transistor. I detta fall är den första delen 14 av huvud-
7714533-2
3
elektroden försedd med ett urtag 10 för upptagande av styrelektro-
dens anslutningsorgan.
Såsom framgår av fig. 2, är kanalerna i den andra delen 5 av
huvudelektroderna anordnade i två inbördes (och med halvledarelemen-
tets 7 plan) parallella plan och inbördes förbundna medelst tvâ för-
bindelsekanaler 2. De mot utsidan av den första delen 13 respekti-
ve 14 av huvudelektroden anliggande kanalerna utgöres av ett antal
koncentriska kanaler 3, medan kanalerna på den motsatta sidan av den
andra delen 5 respektive 5' av huvudelektroden utgöres av två, huvud-
sakligen parallella, cylindríska kanaler l. Dessa parallella kana-
ler 1 är försedda med organ 5 (fig. l), vilka är avsedda för in- och
utmatning av kylmedel, exempelvis vatten. De båda delarna 13 respek-
tive lä och 5 respektive 5' av huvudelektroderna är inbördes herme-
tiskt förbundna exempelvis genom ett lodskikt 15 (visat med en kraf-
tigare linje 1 fig. 1). Huvudelektrodernas andra delar 5 och 5'
kan på utsidan vara försedda med centreringsöppningar 12, vilka reg-
lerar effekthalvledarkomponentens enligt uppfinningen oentrering i
hoptryokningsriktníngen.
Uppbyggnaden av halvledarkomponenten enligt uppfinningen möj-
liggör en ökning av effekthalvledarkomponenternas nyttovärde. Med
hänsyn till den märkbart bättre avledningen av förlustvärmet ökas
halvledarkomponentens strömbelastningsförmàga i hög utsträckning
och vidgas halvledarkomponentens användbarhet. Den ringa volymen
av effekthalvledarkomponenten enligt föreliggande uppfinning är även
fördelaktig gentemot den konventionella uppfattningen med en enskild
komponent och en enskild kylkropp. Komponentens konstruktion är även
fördelaktig ur ekonomisk synpunkt. Effekthalvledarkomponenten enligt
uppfinningen utgör ett kvalitativt bidrag inom effektelektronikområ-
det och dess användning resulterar i betydande besparingar av de äd-
laste energiformerna.
IEC? 'ii ._
u? QUALITY
Claims (2)
1. Halvledaranordníng, vid vilken ett skivformigt effekthalv- ledarelement (7) anligger med sina utsidor mot två såsom kylkroppar tjänande och med kylkanaler försedda huvudelektroder, som består av två tätt med varandra förbundna inre och yttre elektroddelar (13, 5; lü, 5'), varvid en gemensam imflernhg (8) är via hållare (9) anordnad vid huvudelektroderna och alla kylkanalerna (3) är anordna- de i de yttre elektroddelarna (5, 5'), k ä n n e t e c k n a d av att de inre elektroddelarna (13, lü) av varje huvudelektrod, som anligger mot halvledarelementet (7), består av en cirkulär skiva och att vid de yttre elektroddelarna (5, 5') är fäst en åt sidan utbkjutande fläns (H), vid vilken ísoknvingfll (8) är fäst via hål- larna (9).
2. Anordning enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att kylkanalerna (3) är anordnade vid den inre utsidan av respektive yttre elektroddel (5, 5') och utformade som koncentriska ringfor- miga kanaler, som via två mot denna utsida vinkelräta förbindelse- kanaler (2) är förbundna med en inlopps- och en utloppskanal i form av cylinderborrningar (1), vilka ligger i ett med kylkanalerna (3) parallellt plan.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS108877A CS190866B1 (en) | 1977-02-18 | 1977-02-18 | High-capacity semiconductor detail |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7714533L SE7714533L (sv) | 1978-08-19 |
SE437587B true SE437587B (sv) | 1985-03-04 |
Family
ID=5344335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7714533A SE437587B (sv) | 1977-02-18 | 1977-12-20 | Halvledaranordning |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH629337A5 (sv) |
CS (1) | CS190866B1 (sv) |
DE (1) | DE2758166C2 (sv) |
PL (1) | PL115317B2 (sv) |
SE (1) | SE437587B (sv) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4302816C2 (de) * | 1993-01-28 | 1996-08-08 | Aeg Westinghouse Transport | Anordnung zur Kühlung von druckkontaktierbaren Leistungs-Scheibenhalbleitern |
DE10334354B4 (de) * | 2002-07-25 | 2016-12-22 | Gva Leistungselektronik Gmbh | Anordnung, enthaltend einen Flüssigkeitskühler und ein Leistungshalbleiter-Element |
DE102007001234A1 (de) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterbaugruppe zum Anschluss an eine Transformatorwicklung und Transformatoranordnung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1729293U (de) * | 1955-03-14 | 1956-09-06 | Licentia Gmbh | Trokkengleichrichterelement mit plattenfoermigen elektroden. |
DE1514679A1 (de) * | 1966-01-29 | 1969-06-19 | Siemens Ag | Anordnung zur Fluessigkeitskuehlung einer Gleichrichterzelle |
FR2003573A1 (sv) * | 1968-03-09 | 1969-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | |
GB1306224A (sv) * | 1969-02-24 | 1973-02-07 | ||
SE337263B (sv) * | 1969-03-24 | 1971-08-02 | Asea Ab | |
DE2160302C3 (de) * | 1971-12-04 | 1975-07-17 | Siemens Ag | Kühldose zum Einbau in Scheibenzellenstapel |
-
1977
- 1977-02-18 CS CS108877A patent/CS190866B1/cs unknown
- 1977-12-20 SE SE7714533A patent/SE437587B/sv not_active IP Right Cessation
- 1977-12-27 DE DE19772758166 patent/DE2758166C2/de not_active Expired
-
1978
- 1978-02-15 CH CH167178A patent/CH629337A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-02-17 PL PL20473678A patent/PL115317B2/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH629337A5 (en) | 1982-04-15 |
SE7714533L (sv) | 1978-08-19 |
DE2758166C2 (de) | 1982-12-30 |
PL204736A1 (pl) | 1978-11-06 |
CS190866B1 (en) | 1979-06-29 |
DE2758166A1 (de) | 1978-08-24 |
PL115317B2 (en) | 1981-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6002183A (en) | Power semiconductor packaging | |
US3706129A (en) | Integrated semiconductor rectifiers and processes for their fabrication | |
US4559580A (en) | Semiconductor package with internal heat exchanger | |
US3590346A (en) | High d/d, fast turn-on darlington controlled semiconductor switch | |
US5537074A (en) | Power semiconductor packaging | |
KR19990037360A (ko) | 킬로와트 파워 트랜지스터 | |
US3736474A (en) | Solderless semiconductor devices | |
GB1599852A (en) | Package for holding a composite semiconductor device | |
US3287610A (en) | Compatible package and transistor for high frequency operation "compact" | |
US3526815A (en) | Controllable semi-conductor devices comprising main and auxiliary thyristors having all except one emitter-layer in common | |
WO1986001031A1 (en) | Solid state switch assembly | |
US4626888A (en) | Gate turn-off thyristor | |
SE437587B (sv) | Halvledaranordning | |
US3746947A (en) | Semiconductor device | |
US3328650A (en) | Compression bonded semiconductor device | |
GB1564965A (en) | Semiconductor components | |
JPS6156628B2 (sv) | ||
US2819435A (en) | Rectifier assemblies | |
USRE35807E (en) | Power semiconductor packaging | |
JP7139799B2 (ja) | 半導体装置 | |
US3566210A (en) | Semiconductor switching device having a shorted emitter | |
CN110943062A (zh) | 半导体装置 | |
US3382419A (en) | Large area wafer semiconductor device | |
EP0145033B1 (en) | Semiconductor device having an interdigital electrode configuration and its manufacture | |
US3177413A (en) | Semi-conductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7714533-2 Effective date: 19910704 Format of ref document f/p: F |