SA518392340B1 - صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق - Google Patents

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بصينية ركيزة substrate tray والتي يتم استخدامها بوسيلة تكوين غشاء رقيق thin-film formation device وتجعل من السهل تحسين جودة الغشاء وتماثل وانتظام سُمك الغشاء على ركيزة بتحسين كفاءة تسخين الركيزة وتماثل وانتظام تسخين الركيزة. بالتالي، صينية ركيزة ليتم استخدامها بوسيلة تكوين غشاء رقيق وتتميز بأنه: حيث يتم تشكيل فراغات قابلة للتحميل بالركيزة والتي يكون كل منها مُناظراً لشكل ركيزة بواسطة أُطر تقسيم partition frames تنصيب مصفوفة والتي لكل منها شكل إطار رباعي الزوايا بداخل إطار خارجي وبتقسيم الجزء الداخلي من الإطار الخارجي إلى شبكة، حيث يتم تنصيب مجموعة من الأسلاك بين أُطر جانب الإطار الأمامي والخلفي بشكل تبادلي بالإطار الخارجي ويتم توصيل كل إطار تقسيم partition frame ودعمه بواسطة الأسلاك، وبحيث تكون الركيزة قابلة للتحميل على جزء دعم الركيزة بإطار التقسيم السفلي متصلة بالسطح السفلي من إطار القسم العلوي بإطار القسم أو على الأسلاك المتعارضة مع فراغات قابلية التحميل بالركيزة. شكل3

Description

صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق ‎Substrate Tray for Use in Thin-Film Formation Device‏ الوصف الكامل

خلفية الاختراع

يتعلق الاختراع الحالي بصينية ركيزة ‎substrate tray‏ والتي يتم استخدامها بوسيلة تكوين غشاء

.thin-film formation device ‏رقيق‎

بشكل تقليدي؛ صينية ركيزة للاستخدام بجهاز تنمية لطور البخار ‎vapor phase‏ له بنية حيث يتم

تشكل تجويف لتعشيق الركيزة به على السطح العلوي من جسم صينية الركيزة وركيزة أو ركيزة

زجاجية شبه موصلة ‎semiconductor substrate‏ يتم تعشيقها بالتجويف وكذلك يتم تجهيزة صينية

الركيزة هذه بسخان ‎heater‏ كذلك؛ بينما يتم تسخين الركيزة عبر صينية الركيزة بواسطة السخان؛

يتم تتفيذ تكوين الغشاء الرقيق على السطح العلوي من الركيزة بواسطة وسيلة ترسيب البخار

الكيميائي ‎(CVD) Chemical Vapor Deposition‏ بلازما ‎plasma‏ أو وسيلة ترسيب البخار 0 الكيميائي حرارية أعلى الركيزة (على سبيل المثال» انظر ‎sale‏ البراءة 1(

1 طلب البراءة اليابانية المطروح مفتوحاً بالرقم 2012-162752.

الوصف العام للاختراع

بصينية الركيزة التقليدية المنكورة بالأعلى؛ تم تبني فكرة أن يتم تشكل تجاويف على السطح العلوي

من جسم صينية الركيزة على مسافات فاصلة مُحددة مُسبقاً ويتم تعشيق الركيزة بالتجويف. يتم 5 وضع جسم صينية الركيزة على هيئة طبقة على السخان (لوح سخان التسخين ‎heating heater‏

‎Jag (plate‏ تسخين الركيزة المُعشقة بجسم صينية الركيزة ‎substrate tray body‏ عبر جسم صينية

‏الركيزة. بجسم صينية الركيزة المذكورء يكون من الضروري على الأقل بضع ملليمترات - تقريباً

‏عشرات من الملليمترات للشمك من السطح السفلي الداخلي للتجويف إلى السطح العلوي من جسم

‏صينية الركيزة للحفاظ على صلابة جسم صينية الركيزة. بالتالي» نتيجة لأنه يتم تسخين الركيزة 0 بواسطة توصيل الحرارة عبر صينية الركيزة؛ فإن كفاءة توصيل الحرارة تصبح سيئة وعلاوة على

‏ذلك فإنها تفتقد إلى التجانس والتماثل نظراً لان التصاق السطح الخلفي لصينية الركيزة وسطح

‏السخان (لوح سخان التسخين) لا يكون كاملاً نتيجة لوجود اعوجاج أو انحراف بالتمدد الحراري

‎Cheat expansion‏ بالتالي» سوف يكون هناك خوف من أن تكون الغشاء بواسطة ترسيب البخار الكيميائي البلازما أو وسيلة ترسيب البخار الكيميائي الحرارية قد لا يكون متساوي ولا يمكن أن تصبح جودة الغشاء جيدة. يوفر الاختراع الحالي صينية ركيزةٍ بوسيلة تكوين غشاء رقيق والذي وفقاً له يكون من الممكن بسهولة إجراء عملية تكوين غشاء حيث يُمكن تحسين ‎JS‏ من تماثل وانتظام تكوين الغشاء على الركيزة وجودة الغشاء. يوفر الاختراع وفقاً لعنصر الحماية 1 صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق؛ حيث انه يتم تشكيل فراغات بالركيزة يُمكن التحميل عليها والتي يكون كل ‎Lie‏ مُناظراً لشكل ركيزة بواسطة ‎Ll‏ تقسيم ‎partition frames‏ تنصيب مصفوفة والتي لكل منها شكل إطار ‎ely‏ الزوايا بداخل 0 إطار خارجي ويتقسيم ‎gall‏ الداخلي من الإطار الخارجي إلى شبكة؛ حيث يتم تنصيب مجموعة من الأسلاك بين أطر جانب الإطار الأمامي والخلفي بشكل تبادلي بالإطار الخارجي ويتم توصيل كل إطار قسم ‎partition frame‏ ودعمه بواسطة ‎«DY‏ وبحيث تكون الركيزة قابلة للتحميل على جزء دعم الركيزة ‎substrate support portion‏ بإطار القسم السفلي متصلة بالسطح السفلي من إطار القسم العلوي بإطار القسم أو على الأسلاك المتعارضة مع فراغات قابلية التحميل بالركيزة. 5 يتميز الاختراع وفقاً لعنصر الحماية 2 بأنه: بصينية الركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق؛ حيث كبنية لإدراج وتخلل السلك عبر شمك ‎Hla)‏ القسم؛ بالحالة حيث تكون فتحة الاختراق عامط ‎penetration‏ مفتوحة بمركز السمك بالحفر؛ يتم تشكل إطار تقسيم بوضع إطار التقسيم العلوي وإطار التقسيم السفلي باثنتين من الطبقات العلوية والسفلية وبتوصيل إطارات التقسيم العلوية والسفلية عبر ‎daly‏ نشر ‎«diffusion bonding‏ لحام نقطي ‎spot welding‏ أو باللولبة؛ وبحيث يتم 0 ثثبيت وقمط الأسلاك بحز مُشكل بسطح طبقة على إطارات التقسيم العلوية والسفلية. يتميز الاختراع وفقاً لعنصر الحماية 3 بأنه: بصينية الركيزة للإستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق؛ حيث يكون هناك آلية شد ‎tension mechanism‏ لتوفير الشد للأسلاك على سطح الجانب الخارجي من الإطار الخارجي؛ وبحيث يتم تشكل آلية الشد من جسم انزلاق والذي يتم به توصيل إحدى أطراف السلك؛ أعمدة انزلاق لتنفيذ توجيه الانزلاق لجسم الانزلاق ونوابض لولبية ‎coil‏ ‎springs 5‏ ملتفة حول أعمدة الانزلاق المتخللة بين الإطار الخارجي وجسم الانزلاق.

يتميز الاختراع وفقاً لعنصر الحماية 4 بأنه: بصينية الركيزة للإستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق حيث يكون لأعمدة الانزلاق اثنتين من الأعمدة اليسرى واليمنى التي يتم إدراجها ووضعها بالأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق وتوجه الأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق. يتميز الاختراع وفقاً لعنصر الحماية 5 بأنه: بصينية الركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق؛ حيث يكون هناك مسافة بين السطح السفلي من إطار التقسيم ‎shag‏ دعم الركيزة أو السطح العلوي من السلك الممتد بالنطاق من 1150 ميكرومتر - 1250 ميكرومتر. وفقاً للاختراع بعنصري الحماية 1 و 2 حيث قد تم تشكل فراغات تحميل بالركيزة والتي يكون كل منها مُناظراً لشكل ركيزة بواسطة أطر تقسيم تنصيب مصفوفة والتي لكل منها شكل إطار رياعي الزوايا بداخل إطار خارجي ويتقسيم الجزءِ الداخلي من الإطار الخارجي إلى شبكة؛ حيث يتم 0 تنصيب مجموعة من الأسلاك بين أطر جانب الإطار الأمامي والخلفي بشكل تبادلي بالإطار الخارجي ‎ping‏ توصيل كل إطار تقسيم ودعمه بواسطة ‎«PUY‏ وبحيث تكون الركيزة قابلة للتحميل على ‎gia‏ دعم الركيزة بإطار التقسيم السفلي متصلة بالسطح السفلي من إطار القسم العلوي بإطار القسم أو على الأسلاك المتعارضة مع فراغات قابلية التحميل ‎SOL‏ وبحيث كبنية لإدراج وتخلل السلك عبر شمك إطار ‎andl)‏ بالحالة حيث تكون فتحة الاختراق مفتوحة بمركز السمك ‎pall‏ يتم 5 تشكل إطار تقسيم بوضع إطار التقسيم العلوي وإطار التقسيم السفلي باثنتين من الطبقات العلوية والسفلية وبتوصيل إطارات التقسيم العلوية والسفلية عبر ربط نشر؛ لحام نقطي أو باللولبة؛ وبحيث يتم تثبيت وقمط الأسلاك بحز مُشكل بسطح طبقة على إطارات التقسيم العلوية والسفلية. كما هو مذكور؛ عندما يتم تحميل الركيزة على فراغ التحميل بالركيزة المتكون بواسطة إطار التقسيم؛ يتم تحميل الركيزة على ‎gia‏ دعم الركيزة الذي نتاً بهذا الفراغ أو بالأسلاك التي تم إطالتها بهذا الفراغ؛ 0 بالتالي قد يتم وضع الركيزة بين إطارات التقسيم بشبكة. بالتالي؛ فإنه ليس هناك أي عضو لإعاقة الحرارة من التماس مع عنصر التسخين ‎heating element‏ (لوح تسخين السخان) الموجودة إلى الأسفل» بالتالي يكون من الممكن إشعاع الحرارة الإشعاعية مباشرة. ونتيجة لذلك؛ قد يتم تقليل ناقل الحرارة ‎heat transfer‏ بأكبر قدر ممكن ويكون من الممكن تنفيذ التسخين بفترة قصيرة ويكون من الممكن الحصول على شكل متماثل أكثر لتسخين الركيزة. كما هو الحال بالماضي؛ بحالة صينية 5 الركيزة حيث يتم تحميل الركيزة المُثبتة بها على لوح تسخين السخان؛ نظراً لأنه لا يمكن أن يتم تحميل صينية الركيزة بشكل قريب بحالة مسطحة بالكامل على لوح تسخين السخان (نتيجة لوجود

اعوجاج أو انحراف بصينية الركيزة)؛ ينتج التفاوت بدرجة ‎hall‏ بشكل جزئي وهذا الميل يكون كبيراً عندما تصبح منطقة صينية الركيزة اكبر . بالتالي» يصبح انتشار درجة ‎hall‏ للركيزة سيئاً مما يكن له تأثيراً ‎Lob‏ على تماثل وانتظام شمك الغشاء وجودة الغشاء بتكون الغشاء بواسطة وسيلة ترسيب البخار الكيميائي بلازما أو وسيلة ترسيب البخار الكيميائي حرارية. مع ذلك؛ وفقاً للاختراع ‎(Jali‏ نظراً ‎a‏ يتم تحميل الركيزة على ‎ga‏ دعم الركيزة أو الأسلاك؛ فإن انتشار درجة الحرارة لا يتحرف أو يتغير حتى إذا ما تم استخدام ركيزة بمنطقة سطح كبيرة؛ بالتالي يكون من الممكن الحصول على تكون غشاء متماثل ومنتظم. وفقاً للاختراع بعنصري الحماية 3 و 4؛ حيث يتم توفير آلية شد لتوفير الشد للسلك على سطح الجانب الخارجي من الإطار الخارجي؛ وبحيث يتم تشكل آلية الشد من جسم انزلاق والذي يتم به 0 توصيل إحدى أطراف السلك؛ أعمدة انزلاق لتنفيذ توجيه الانزلاق لجسم الانزلاق ونوابض لولبية ملتفة حول أعمدة الانزلاق المتخللة بين الإطار الخارجي وجسم الانزلاق وبحيث يكون لأعمدة الانزلاق اثنتين من الأعمدة اليسرى واليمنى التي يتم إدراجها ووضعها بالأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق وتوجه الأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق. بالتالي؛ وفقاً لآلية الشد؛ يتم امتصاص أي انحراف بالأسلاك نتيجة للتمدد الحراري للأسلاك وتصبح البنية بحيث يتم شد 5 الأسلاك بمقدار شد مُحدد مُسبقاً. بالتالي؛ قد يتم تنفيذ دعم إطار التقسيم تحديداً ومن الممكن أن يتم احتجازه تحديداً بفراغ مُحدد مُسبقاً بين الركيزة ‎hag‏ دعم الركيزة أو السلك ولوح تسخين السخان. كذلك؛ قد يتم تشكل انتشار موحد لدرجة الحرارة على الهيكل ككل (بالحرارة الإشعاعية ‎radiant‏ ‎«(heat‏ بالتالي قد يؤدي ذلك إلى تكون غشاء بجودة ودرجة تماثل جيدان. وفقاً للاختراع بعنصر الحماية 5؛ يصبح الفراغ بين الأسلاك التي تحمل الركيزة ولوح تسخين 0 السخان الذي يحمل صينية الركيزة ‎Cus‏ يتم توفير إطارات التقسيم فراغ مُحدد مُسبقاً. بالتالي؛ قد يتم منع الفقد بالحرارة الإشعاعية من لوح تسخين السخان بأكبر قدر ممكن. كذلك؛ ‎Dh‏ لأنه لا هدف من وجود عائق أو تداخل ‎Lad‏ بينهاء يصبح انتشار الحرارة موحد ومنتظم ويتم تخفيض الصفيحة المعدنية لدرجة الحرارة؛ بالتالي يكون هناك تأثير بحيث يكون من الممكن الحصول على تكون غشاء موحد ومتماتل. 5 شرح مختصر للرسومات

شكل 1 هو منظر منظوري يوضح الإنشاء بالكامل لوسيلة معالجة البلازما ‎plasma treatment‏ ‎.device‏ ‏شكل 2 هو منظر إيضاحي لتوضيح الإنشاء القطاعي لوسيلة معالجة البلازما. شكل 3 هو منظر حيث قد تم تكبير ‎gall‏ الأساسي من الشكل 2 وتوضيحه. شكل 4 هو منظر حيث قد تم تكبير ‎gall‏ الأساسي من الشكل 3 وتوضيحه. شكل 5 هو منظر منظوري يوضح إنشاء صينية ركيزة والتي عليها يتم تحميل الركيزة. شكل 16 هو منظر مستوي يوضح صينية الركيزة والشكل 6ب هو منظر جانبي يوضح صينية الركيزة. شكل 17 هو منظر منظوري يوضح إطار تقسيم حيث يتم إدراج السلك؛ شكل 7ب هو منظر مُمدد 0 يوضح أطر الجانب العلوي والجانب السفلي والسلك الذي يُشكل إطار التقسيم وشكل 7ج هو منظر يوضح أطر الجائب العلوي والجانب السفلي والسلك الذي يُشكل إطار التقسيم. شكل 8 هو منظر مستوي يوضح ‎gall‏ الأساسي من صينية الركيزة. شكل 9 هو منظر يوضح الحالة حيث يتم توصيل لوح تسخين السخان بصينية الركيزة. شكل 10 هو منظر قطاعي تم اجتزائه بواسطة الخط أ-اً بالشكل 6. 5 شكل 11 هو منظر قطاعي تم اجتزائه بواسطة الخط ب-ب بالشكل 6. شكل 12 هو منظر جانبي يوضح الحالة حيث يتم تحميل الركيزة على صينية الركيزة ويتم ملامسة لوح تسخين السخان. شكل 13 هو منظر مستوي يوضح تكوين صينية الركيزة وفقاً لتجسيد أخر. شكل 114 هو منظر منظوري لإطار التقسيم(1«*1) قادراً على تحميل ركيزة واحدة وشكل 14[ب هو 0 منظر تكوبني له. شكل 115 هو منظر منظوري لإطار التقسيم الموحد ‎(1x2)‏ قادراً على تحميل ركيزتان» شكل 15ب هو منظر تكويني له وشكل 15ج هو منظر قطاعي له. شكل 116 هو منظر منظوري لإطار التقسيم الموحد ‎(2x2)‏ قادراً على تحميل أريع ‎«BS‏ شكل 6ب هو منظر تكوبني له وشكل 16ج هو منظر قطاعي له. 5 شكل 17 هو منظر يوضح نموذج لنظام ‎plasma treatment system Lol) dallas‏ بطريقة داخل أنابيب للإنتاج بالجملة.

qe ‏للإنتاج‎ cluster method ‏البلازما بطريقة عنقودية‎ dallas ‏شكل 18 هو منظر يوضح نموذج لنظام‎ ‏بالجملة.‎ ‏الوصف التفصيلي:‎ ‏ينطوي الجزء الأساسي من الاختراع على صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق» حيث‎ ‏انه يتم تشكيل فراغات بالركيزة يُمكن التحميل عليها والتي يكون كل منها مُناظراً لشكل ركيزة‎ 5 ‏بواسطة أطر تقسيم تنصيب والتي لكل منها شكل إطار رباعي الزوايا مصفوفة بداخل إطار‎ ‏خارجي وبتقسيم الجزءِ الداخلي من الإطار الخارجي إلى شبكة؛ حيث يتم تنصيب مجموعة من‎ ‏الأسلاك بين أطر جانب الإطار الأمامي والخلفي بشكل تبادلي بالإطار الخارجي ويتم توصيل كل‎ ‏وبحيث تكون الركيزة قابلة للتحميل على جزءٍ دعم الركيزة‎ «DULY ‏إطار قسم ودعمه بواسطة‎ ‏بإطار القسم السفلي متصلة بالسطح السفلي من إطار القسم العلوي بإطار القسم أو على الأسلاك‎ 0 ‏المتعارضة مع فراغات قابلية التحميل بالركيزة؛ وينطوي كذلك على صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة‎ ‏إطار القسم؛ بالحالة حيث تكون‎ dads ‏تكوين غشاء رقيق؛ حيث كبنية لإدراج وتخلل السلك عبر‎ ‏فتحة الاختراق مفتوحة بمركز السمك بالحفر؛ يتم تشكل إطار تقسيم بوضع إطار التقسيم العلوي‎ ‏وإطار التقسيم السفلي باثنتين من الطبقات العلوية والسفلية وبتوصيل إطارات التقسيم العلوية‎ ‏والسفلية عبر ربط نشر؛ لحام نقطي أو باللولبة؛ وبحيث يتم تثبيت وقمط الأسلاك بحز مُشكل‎ 5 ‏بسطح طبقة على إطارات التقسيم العلوية والسفلية؛ وينطوي كذلك أيضاً على صينية ركيزة‎ ‏يكون هناك آلية شد لتوفير الشد للأسلاك على سطح‎ Cua ‏للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق؛‎ ‏الجانب الخارجي من الإطار الخارجي؛ وبحيث يتم تشكل آلية الشد من جسم انزلاق والذي يتم به‎ ‏توصيل إحدى أطراف السلك؛ أعمدة انزلاق لتنفيذ توجيه الانزلاق لجسم الانزلاق ونوابض لولبية‎ ‏ملتفة حول أعمدة الانزلاق المتخللة بين الإطار الخارجي وجسم الانزلاق» وينطوي كذلك أيضاً على‎ 0 ‏صينية ركيزة للاستخدام بوسيلة تكوين غشاء رقيق؛ حيث يكون لأعمدة الانزلاق اثنتين من الأعمدة‎ ‏اليسرى واليمنى التي يتم إدراجها ووضعها بالأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق وتوجه‎ ‏الأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق» وبنطوي كذلك أيضاً على صينية ركيزة للاستخدام‎ ‏بوسيلة تكوين غشاء رقيق؛ حيث يكون هناك مسافة بين السطح السفلي من إطار التقسيم وجزء‎

دعم الركيزة أو السطح العلوي من السلك الممتد بالنطاق من 1150 ميكرومتر - 1250

ميكرومتر.

هنا فيما يلي؛ بالمرجعية للأشكال» سوف يتم توضيح تجسيد الاختراع الحالي. بذلك؛ سوف يتم

توضيح التجسيد؛ على سبيل المثال؛ اعتماداً على وسيلة ترسيب البخار الكيميائي بلازما والتي لها تكوين أكثر تعقيداً من وسيلة ترسيب البخار الكيميائي حرارية. شكل 1 هو منظر منظوري يوضح

الإنشاء بالكامل لوسيلة معالجة البلازما ‎plasma treatment device‏ شكل 2 هو منظر إيضاحي

لتوضيح الإنشاء القطاعي لوسيلة معالجة البلازماء شكل 3 هو منظر حيث قد تم تكبير ‎Sal‏

الأساسي من الشكل 2 وتوضيحه؛ وشكل 4 هو منظر حيث قد تم تكبير الجزءِ الأساسي من

الشكل 3 وتوضيحه.

0 يوضح شكل | وسيلة معالجة بلازما م للاستخدام بصينية ركيزة ‎N‏ الخاصة بالاختراع الحالي. بوسيلة معالجة البلازما م عضو غطاء ‎lid member‏ 3 يغلق الجزء العلوي من جسم ‎clog‏ التفاعل ‎reaction vessel body‏ 1 المتكون بشكل صندوقي مجوف»؛ ‎eg‏ عضو الغطاء 3؛ يتم تحميل صندوق واقي ‎shield box‏ 5 والذي يتم تغطيته بحيث لا يتم تسرب تردد عالي للخارج على لوح الكترود مرتفع ‎electrode elevation plate‏ 20 عبر اسطوانة دعم ‎supporting cylinder‏ 10

5 (نظر شكل 2) على شكل منفاخ. كذلك؛ يتم دعم لوح الالكترود المرتفع 20 بواسطة آلية دفع رأسي ‎vertical drive mechanism‏ (غير موضح) مُثبتة على عضو الغطاء 3. كما هو مُبين بالشكل 2؛ على الجزء العلوي من الصندوق الواقي 5» يتم تحميل وسيلة موائمة تردد ‎high frequency matching device Je‏ 4 ويتم توصيل وسيلة موائمة التردد العالي 4 بمصدر قدرة عالي التردد (غير موضح).

0 يتم عبر الصندوق الواقي 5؛ اسطوانة الدعم 10 وجسم وعاء التفاعل 1؛ كما هو مبين بالشكل 2؛ إنشاء مجموعة من قضبان الالكترود ‎electrode rods‏ أ بالدخول والتخلل إلى الصندوق الواقي 5؛ اسطوانة الدعم 10 وجسم وعاء التفاعل 1. كما هو مبين بالشكل 3؛ يتم تشكل قضبان الالكترود أ من مجموعة من الأنابيب المتراكبة وبكل من قضبان الالكترود أ أنبوب واقي ‎shield pipe‏ أ1؛ أنبوب عازل ‎insulative pipe‏ أ2 وقناة تردد عالي ‎high frequency conduit‏ أ 3 حيث يتم تشكل

5 فتحة توصيل غاز ‎gas communication hole‏ أ4 بمركزها يتم تغطيتها بشكل متحد المركز واستيعابها ببعضها البعض.

بداخل الصندوق الواقي 5 إلى ‎gia‏ السقف من الصندوق الواقي 5؛ قد تم توفير ألواح سلكية gall ‏لتوصيل التردد العالي من وسيلة موائمة التردد العالي 4. يتم توصيل‎ 7 wiring boards

العلوي بكل لوح سلكي ‎wiring board‏ 7 بواسطة صمولة 9 بجزء القمة العلوي من قناة التردد

العالي أ3 حيث يتم تشكل فتحة توصيل الغاز أ4؛ بالتالي يتم تشكل مجموعة من قضبان الالكترود

أ

ويذلك»؛ يتم بقضيب الدعم ‎of‏ توصيل ‎ial‏ الطرفي من اللوح السلكي 7 بجزءٍ القمة العلوي من قناة

التردد العالي أ3 حيث يتم تشكل فتحة توصيل الغاز أ4؛ عبر الصمولة 9 وقناة التردد العالي 31

حيث يتم توصيل فتحة توصيل الغاز أ4 التي تكون مفتوحة عبر تركيبات التوصيل ‎connection‏

‎fittings‏ 712 التي بها أنبوب إضافة غاز عازل ‎insulative gas introduction pipe‏ 14 يتم وضعه بداخل الصندوق الواقي 5 وحلقة على شكل 0. كذلك؛ يتم توصيل الجزءٍ العلوي من أنبوب

‏إضافة الغاز العازل 14 عبر تركيبات التوصيل 12 التي بها أنبوب من الفولاذ غير القابل للصداً

‏الأنبوب غاز المعالجة 13 وحلقة على شكل 0.

‏بذلك؛ يكون من المرغوب فيه أن يكون أنبوب إضافة الغاز العازل 14 مصنوعاً من ‎sale‏ عازلة

‎steatite ‏راتنج الصابون الصخري‎ calumina ceramic ‏مثل الصخر» خزف الألومينا‎ insulator ‏وما إلى ذلك.‎ (PTFE) ethylene polytetrafluoroethylene ‏بولي تترافلور وايقيلين‎ 5

‏يتم توصيل القمة العلوية من قناة التردد العالي أ3 بأنبوب إضافة الغاز العازل 14 بالتالي يتم

‏توصيل مسار توصيل الغاز ‎gas communication path‏ 8 لأنبوب إضافة الغاز العازل 14 وفتحة

‏توصيل الغاز أ4 التي تتخلل مركز قناة التردد العالي أ3. بمركز قضيب الالكترود ‎electrode rod‏

‎of‏ يتم إحاطة المحيط الخارجي من قناة التردد العالي أ3 حيث تتخلل فتحة توصيل الغاز أ4 بأنبوب 0 عازل أ2.

‎ly‏ يتم إحاطة وتطويف قناة التردد العالي أ3 المتصلة بوسيلة موائمة التردد العالي 4 عبر اللوح

‏السلكي 7 بواسطة ‎insulative ring dle dala‏ 17 بحيث يتم قمط وتثبيت الحلقة العازلة 17 بلوح

‏الالكترود المرتفع ‎electrode elevation plate‏ 20 بواسطة اسطوانة الدعم 10 وشفة معدنية

‎metallic flange‏ 21 بالتالي يتم تثبيت قناة التردد العالي أ3 بواسطة بنية معزولة كهربائياً عن 5 الخارج.

كما هو مذكور؛ يتم تشكل قضيب الالكترود أ بحيث يكون الأنبوب الواقي أ1؛ الأنبوب العازل أ2؛ قناة التردد العالي أ3 وفتحة توصيل الغاز أ4 متحدة المركز وبالتالي موجودة ناحية مركزه من الخارج» يتم توصيل الجزء العلوي من قضيب الالكترود أ بأنبوب إضافة الغاز العازل 14 بالصندوق الواقي 5 ويتم توصيل ‎gia‏ القمة العلوي من قناة التردد العالي أ3 بوسيلة موائمة التردد العالي 4 عبر اللوح السلكي. يتم مد قضيب الالكترود أ بجسم وعاء التفاعل 1 بتخلل عضو الغطاء 3. بداخل جسم وعاء التفاعل 1؛ قد تم توفير لوح واقي 27 له شكل صندوقي بالجزء السفلي والذي يتم فتحة إلى الأسفل ولوح عازل جانبي 30 والذي يتم تشكله بواسطة حافة محيطية قائمة ‎Ld)‏ للوح عازل 29 (انظر شكل 2) على هيئة حاشية. يتم استيعاب لوح الكترود ‎electrode plate‏ 31 بداخل اللوح العازل 29

0 واللوح العازل الجانبي 30 والجزء المحيطي الداخلي من لوح الالكترود 31 يتم معالجته بشكل تدريجي . كما هو مبين بالأشكال 2 و 4؛ يتم استيعاب لوح تشتيت غاز ‎gas dispersion plate‏ 2, لوح تشتيت وسيط ‎intermediate dispersion plate‏ 33 ولوح انهمار غاز 34 بشكل طابقي كذلك يتم اتخاذ الشكل التكويني حيث يتم تخلل فراغ تشتت الغاز ‎«ST‏ 52 و 53 بين كل اثنتين من الطبقات.

5 يتخلل ‎gall‏ السفلي من قضيب الالكترود أ اللوح الواقي 27, اللوح العازل 29 لوح الالكترود 31؛ لوح تشتت الغاز 32 ولوح التشتيت الوسيط 33 ويصل للوح انهمار الغاز ‎gas shower plate‏ 34 علاوة على ذلك؛ تتخلل قناة التردد العالي أ3 لقضيب الالكترود أ لوح الالكترود 31 وتلامس لوح الالكترود 31, بالتالي يتم تشكلها بحيث يتم إمداد طاقة التردد العالي إلى لوح الالكترود 31 لوح تشتت الغاز 32 ولوح التشتيت الوسيط 33 ولوح انهمار الغاز 34. على الجانب الأخرء فإنها

0 تتشكل من فتحة توصيل الغاز أ4 بقضيب الالكترود أ الذي يتصل بعد ذلك بفراغ تشتت الغاز 51؛ 2 و 53 وبتم إمداد غاز المعالجة ‎process gas‏ بشكل موحد إلى فراغ تصريف البلازما ‎plasma‏ ‎discharge space‏ ع. بذلك؛ يتم توصيل فتحة توصيل الغاز 41 بفراغ تشتيت الغاز ق1 بارتفاع 3 مم إلى ما يُقارب حوالي 5 مم عبر ممرات التوصيل الجانبية 15 المُشكلة بالجدار المحيطي لقناة التردد العالي أ3.

5 بلح تشتيت الغاز 32 بشمك 2 مم إلى ما يُقارب 5 مم الذي يتم تحديد موضعه بموضع أسفل من فراغ تشتيت الغاز 51؛ يتم حفر العديد من الفتحات الصغيرة العلوية 32 بقطر 1.5 مم إلى ما

يُقارب 2.0 مم لتوصيل الغاز للأسفل وتم تحديد أوضاع الفتحات الصغيرة العلوية 32 بالأوضاع

المتماثلة المنتظمة المتمركزة على وضع التقاطع للأربع زوايا بمريع افتراضي.

بالطبقة السفلية من لوح تشتيت الغاز 32؛ يتم وضع لوح التشتيت الوسيط 33 عبر فراغ تشتيت

الغاز الوسيط 52 بمسافة (خلوص) من 2 حتى ما يُقارب 3 مم. بلوح التشتيت الوسيط 33 قد تم حفر العديد من الفتحات الصغيرة العلوية 33” بقطر 0.8 مم إلى ما يُقارب 1.5 مم لتوصيل الغاز

للأسفل وبتم تحديد أوضاع الفتحات الصغيرة الوسيطة 33 بالأوضاع المستهدفة المنتظمة المتمركزة

على وضع التقاطع للأريع زوايا بمربع افتراضي (المركز) للفتحات الصغيرة العلوية 32”.

بالطبقة السفلية من فراغ تشتيت الغاز ق2؛ يتم وضع لوح انهمار الغاز 34 بشمك من 5 حتى ما

بُقارب 8 مم عبر فراغ تشتيت الغاز السفلي ق3 بمسافة (خلوص) من 2 حتى ما يُقارب 3 مم.

0 بلوح انهمار الغاز 34؛ قد تم حفر العديد من الفتحات الصغيرة العلوية 34" وقد تم تحديد أوضاع الفتحات الصغيرة السفلية بالأوضاع المنتشرة بكل الاتجاهات والمتمركزة على وضع مناظر للفتحات الصغيرة الوسيطة 33”. بصفة خاصة؛ يتم ‎JS‏ من الفتحات الصغيرة السفلية ‎C34‏ تشكل طرف سفلي بشكل مستدق ويتم تحديد قطر الفتحة السفلية ليكون من 0.5 مم حتى ما يُقارب 0.5 مم.

5 تحت لوح انهمار الغاز 34 يتم تشكل فراغ تصريف البلازما ع بمسافة مُحددة ‎Tass‏ (خلوص). يتم تطويق محيط فراغ تصريف البلازما ع بواسطة لوح عازل جانبي ‎side insulative plate‏ 30 باللوح العازل 29 ‎ts‏ الغاز الذي يتم تصريفه من الفتحات الصغيرة السفلية 34" من لوح انهمار الغاز 34 تصريف للبلازما بداخل قطاع بلوح العزل الجانبي 30 بواسطة قدرة تردد عالي. بهذا الوقت؛ نظراً لأنه قد تم تطويق فراغ تصريف البلازما ع وتقسيمه بلوح العزل الجانبي 30

0 باللوح العازل 29؛ فإنه قد يتم حصر تصريف البلازما. بالتالي؛ وفقاً لهذا الحصرء فإنه قد يتم تخفيض كل من خرج التردد العالي ومعدل التدفق لغاز المعالجة وقد يتم تحسين جودة تكوين الغشاء على الركيزة وجعله متمائل. كما هو مذكور»؛ يتم استيعاب لوح الالكترود 31 باللوح العازل 29 حيث يكون اللوح العازل الجانبي 0 قائم ‎Lud)‏ على شكل حاشية؛ ويتم وضعه أسفل لوح الالكترود 31 لوح تشتيت الغاز 32 لوح

5 التشتيت الوسيط 33 ولوح انهمار الغاز 34 التي لكل منها فتحات صغيرة؛ بالتالي يتم إخراج ‎Se‏ ‏المعالجة ونشره من العديد من الفتحات الصغيرة التي تم حفرها بشكل منتظم على كل لوح بشكل

دقيق من لوح انهمار الغاز 34 وأخيراً يصل إلى فراغ تصريف البلازما ع. بالتالي» يتم ‎shal‏ ‏تصريف البلازما بالفراغ العلوي لصينية الركيزة 'ن” أو لوح تسخين السخان ح وقد يتم إتمام تكوين الغشاء على الركيزة 'ن” على صينية الركيزة 'ن". يتم توصيل لوح تسخين السخان ح بالأرض. يتم أسفل فراغ تصريف البلازما ع بوسيلة معالجة البلازما م المؤلفة على النحو الموضح أعلاه؛ وضع صينية الركيزة 'ن". بذلك؛ بين صينية الركيزة ‎N‏ والطرف السفلي من اللوح العازل الجانبي 0 باللوح العازل 29 يتم تشكل فجوة حصر البلازما ‎plasma confinement gap‏ 35 (انظر شكل 2) بحيث لا تتسرب البلازما التي يتم تصريفها. حيث تكون المسافة (الخلوص) لفجوة حصر البلازما 35 3 مم إلى تقريباً 15 مم معقولة. إذا كانت عريضة ‎das‏ يختفي تأثير هذا الحصر. يتم تحميل صينية الركيزة ن على لوح تسخين السخان ح (يتم توصيل لوح تسخين السخان "ح" 0 بالأرض) ويتم إجراء تكوين الغشاء بواسطة تصريف البلازما بينما يتم التحكم بتسخين ركيزة تكوين الغشاء ن المُحملة على صينية الركيزة ن حتى درجة حرارة مُحددة بشكل مُسبق. تتشكل صينية الركيزة "ن" وفقاً للفكرة الأساسية للاختراع الحالي على النحو التالي. شكل 5 هو منظر منظوري يوضح إنشاء صينية ركيزة والتي عليها يتم تحميل ‎ERS‏ شكل 6أ هو منظر مستوي يوضح صينية الركيزة ن؛ الشكل 6ب هو منظر جانبي يوضح صينية الركيزة ‎J‏ شكل 17 5 هو منظر منظوري يوضح إطار تقسيم 'و" للركيزة حيث يتم إدراج الأسلاك ث1 ث2 شكل 7ب هو منظر مُمدد يوضح أطر الجانب العلوي والجانب السفلي ث1 ث2 والأسلاك ث1؛ ث2 التي تشكل إطار التقسيم ف؛ شكل 7ج هو منظر يوضح أطر الجانب العلوي والجانب السفلي 71 ‎F2‏ ‏والأسلاك ث1؛ ث2 التي تُشكل إطار التقسيم ‎(Gh‏ شكل 8 هو منظر مستوي يوضح الجزء الأساسي من صينية الركيزة 'ن"» شكل 9 هو منظر يوضح الحالة حيث يتم توصيل لوح تسخين 0 السخان "ح" بصينية الركيزة 'ن”» شكل 10 هو منظر قطاعي تم اجتزائه بواسطة الخط أ-اً بالشكل 6» شكل 11 هو منظر قطاعي تم اجتزائه بواسطة الخط ب-ب بالشكل 6؛ شكل 12 هو منظر جانبي يوضح الحالة حيث يتم تحميل الركيزة على صينية الركيزة ‎N‏ ويتم ملامسة لوح تسخين السخان "ح". كما هو مُبين بالأشكال 5 و 6؛ يتم تشكل صينية الركيزة 'ن" من إطار خارجي مستطيل الشكل 5 40 ألواح واقية ‎shield plates‏ 50» 51 ¢52 53 مُشكلة بشكل مستطيل بعرض مُحدد مُسبقاً بطول الجزء المحيطي الداخلي للإطار الخارجي 40 والعديد من أطر التقسيم 'و" التي تمتد متقارية

بداخل الألواح الواقية ‎ghd 53 52 51 S50‏ تحميل ركيزة ‎substrate mounting space‏ 'ق" مُشكل بداخل إطار التقسيم 'و" المناظر إلى حد كبير لشكل الركيزة 'ن" والأسلاك ث1؛ ث2 بقطر 3مم إلى ما يُقارب 0.5 مم ممدودة بحيث تتخطى فراغ تحميل الركيزة 5 بين الإطار الجانبي للإطار الأمامي 42 والإطار الجانبي للإطار الخلفي 43 المواجه للإطار الخلفي 40.

يتم الدمج بين الإطار الخارجي 40 والألواح الواقية 50« 51؛ 52 و 53 على النحو التالي. يتم تشكل كلا من الإطار الجانبي للإطار الأيسر 46 والإطار الجانبي للإطار الأيمن 47 من الإطار الخارجي 40 على هيئة حرف "ل" إلى حد كبير بالمنظر القطاعي؛ يتم تنصيب الأطر الجانبية الأمامية والخلفية 42 و 43 بكلا طرفي الأطر الجانبية اليسرى واليمنى 46 47؛ يتم تراكب أطرافها وتثبيتها بواسطة مزالج تثبيت ‎mounting bolts‏ 48؛ بالتالي يتم تشكل الإطار الخارجي

0 40. كذلك؛ على الأسطح العلوية من الأطر الجانبية الأمامية والخلفية 42 و 43 يتم لولبة أغطية سلكية ‎wire covers‏ 49( 49”. كذلك؛ يتم إسقاط الألواح الواقية الأمامية؛ الخلفية واليسرى؛ اليمنى بمسامير 48" بطول ‎ja‏ الحافة الداخلية المستطيل بالإطار الخارجي 40 وتثبيتها. يتم تشكل إطار التقسيم "و" من إطار واحد له فراغ تحميل الركيزة 'ق" والذي عليه يكون من الممكن تحميل ركيزة واحدة 'ن" بشكل خارجي محدد مُسبقاً أو إطار تركيبي له مجموعة من فراغات تحميل

5 الركيزة 'ق" ويتم تشكل شكل إطار التقسيم 'و" من إطار رباعي الزوايا إلى حد كبير والذي يتم تكبيره بحوالي 0.1 مم إلى تقريباً 1.0 مم من شكل الركيزة 'ن". كذلك» يتم تشكل شكل فراغ تحميل الركيزة 'ق" بداخل الإطار رباعي الزوايا بصورة مناظرة لشكل الركيزة 'ن" ويتم تحديد الفراغ المطوق بواسطة الإطار رباعي الزوايا حسب فراغ تحميل الركيزة 58. يكون شكل فراغ تحميل الركيزة 5 مناظراً لكل شكل للركيزة 'ن".

0 يتم وضع إطار التقسيم 'و" مصفوفة بداخل الإطار الخارجي 40 ويتم قولبته على هيئة حجيرة قد تم هنا إطالة ومد الأسلاك ث1؛ ث2 بصورة مستمر متصلة بآلية شد 'ر” متوفرة بالإطار الجانبي للإطار الأمامي 42؛ بين الأطر الجانبية الأمامية والخلفية 42 و 43 بالإطار الخارجي

كما هو مبين بالشكل 7 يتم إدراج أسلاك ث1 ث2 عبر فتحة إدراج السلك 45 المحفورة بالاتجاه

الطولي (من الممكن استخدام اتجاه اليسار -اليمين) بإطار التقسيم 'و" ويتم إطالة ومد اثنتين من

الأسلاك بحيث تتخطى فراغ تحميل الركيزة 5 بينما يتم الإبقاء على مسافة مُحددة مسبقاً بينهما.

‎(JUL‏ يكون للاثنتين من الأسلاك ث1؛ ث2 دوراً في احتجاز إطار التقسيم 'و" بشكل موازي

‏5 بشبكة بداخل الإطار الخارجي المستطيل الشكل 40 ولدعم الركيزة 'ن" من الجانب السفلي على

‏الاثنتين من الأسلاك ث1؛ ث2.

‏بذلك؛ بالحالة حيث تكون الأسلاك ث1؛ ث2 ليست اثنتين؛ قد تتألف بحيث يتم استخدام العديد من

‏الأسلاك أكثر من اثنتين» بالتالي يتم دعم ‎BS‏ 'ن" بشكل وظيفي.

‏كذلك؛ قد يتم إطالة الأسلاك ث1؛ ث2 أيضاً بين الإطار الجانبي للإطار 42 43 46 47 0 المقابلة للاتجاهات الطولية اليسرى واليمنى بالإطار الخارجي 40؛ بحيث يتم تعارض الأسلاك

‏ث1ء ث2 بشكل تبادلي. بهذه الحالة؛ قد يتم دعم الركيزة من الجانب السفلي بواسطة ‎DU"‏

‏ث1ء ث2 المتعارضة.

‏كذلك؛ كما هو مبين بالشكل 7؛ عندما تكون الأسلاك ث1؛ ث2 ممددة بشكل مستعرض بفراغ

‏تحميل الركيزة 'ق” بإطار التقسيم ف؛ فيما عدا الحالة حيث يتم إدراج الأسلاك ث1 ث2 بفتحة إدراج السلك 45 المحفورة بإطار التقسيم ف؛ قد يتم اتخاذ الإنشاء بحيث يتم تكون إطار التقسيم

‏'و' من إطار التقسيم الرقيق الجانبي السفلي والجانبي العلوي و1؛ و2 والتي يتم وضعها ويتم قمط

‏وتثبيت الأسلاك ث1؛ ث2 بحز بسطح التصفيح بإطار التقسيم الجانبي السفلي والجانبي العلوي

‏1< و2 ويتم إطالة الأسلاك ث1 ث2 بشكل مستعرض عبر فراغ تحميل الركيزة 5. كذلك؛ يتم

‏توصيل أطر التقسيم الجانبية السفلية والجانبية العلوية و1؛ و2 بواسطة رابط نشرء لحام نقطي أو 0 باللولبة وما إلى ذلك.

‏كما هو مذكور؛ يتم مد إطار التقسيم و بشبكة بداخل الفراغ الداخلي بالإطار الخارجي 40 بواسطة

‏الأسلاك ث1؛ ث2 التي يتم مدها بالإطار الخارجي 40.

‎cll‏ يتم نقل صينية الركيزة ‎"J‏ بوسيلة معالجة البلازما ‎Cd‏ وكما هو مبين بالشكل 9؛ يمتد إطار

‏التقسيم 'و" مصفوفة بالإطار الخارجي 40 من صيتية الركيزة 'ن" التي يتم تحميلها على لوح 5 تسخين السخان "ح".

للإطار الخارجي 40 المتكون على النحو الموضح أعلاه؛ يكون من المرغوب فيه استخدام؛ كمادة ‎cal‏ مادة مانعة للصداً ‎rust prevention metal‏ مثل | لألومونيوم ‎aluminum‏ أو فولاذ مقاوم للصداً ‎ls stainless steel‏ عليها يتم ‎dallas‏ السطح ‎of‏ خزف الألومينا ‎.alumina ceramic‏ يكون إطار التقسيم 'و' مصنوعاً من مادة مانعة للصداً مثل الألومونيوم أو فولاذ مقاوم للصداً بشمك 2 مم. يتم تحديد قطر فتحة إدراج السلك ‎wire insertion hole‏ 45 لإدراج الأسلاك ث1 ث2 0.6 مم إلى تقريباً 0.7 مم إذا ما تم تحديد قطر الأسلاك ث1 ث2 0.5 مم. كذلك؛ فإنه من المرغوب فيه أن يتم تشكل الخلوص (التفاوت) ليزيد بحوالي 0.3 - 0.5 مم مقابل البعد الخارجي للركيزة المشحملة 'ن" ببُعد فراغ تحميل الركيزة 'ق" ‎daly‏ الإطار الخارجي 40. بذلك؛ بخلاف الشكل المستطيل؛ قد يتم تشكل فراغ تحميل الركيزة 'ق" بشكل متوافق مع شكل 0 الركيزة 'ن". كذلك بهذه الحالة؛ يتم تشكل الخلوص (التفاوت) بحوالي 0.3 - 0.5 مم بين الشكل الخارجي للركيزة "ن" والحافة الخارجية للفراغ 'ق". كذلك؛ يتم تحديد السطح العلوي للوح الواقي 50» 51؛ ¢52 53 المتوفر بطول الحافة المحيطية الداخلية بالإطار الخارجي 40 بنفس موضع المستوى للسطح العلوي للإطار 'و' المُثبت بينما يتم إدراج الأسلاك ث1 ث2 بموضع ‎ef‏ بشكل طفيف من السطح العلوي للإطار 'و". يتم تحديد 5 السطح العلوي للركيزة 'ن" المحملة على فراغ تحميل الركيزة 5 بإطار التقسيم 'و" بموضع هو نفسه للسطح العلوي لإطار التقسيم 'و' أو موضع أدنى من السطح العلوي لإطار التقسيم 'و" بما يُقارب حوالي 200 ميكرومتر - 350 ميكرومتر. كذلك؛ قد يكون من المرغوب فيه أن يتم تصنيع الأسلاك ث1؛ ث2 من ‎Bale‏ من الفولاذ غير القابل للصداً أو التنجستن ‎tungsten‏ بغرض مقاومة الشد؛ مقاومة الحرارة» منع الصداً ويكون قطرها 0 0.3مم - 0.5مم. كذلك» عند اتخاذ قطر السلك المذكور أعلاه؛ بالألواح الواقية 50» 51 652 53 المتوفرة بالإطار الخارجي 40 وبحافة المحيط الداخلي ‎cad‏ يتم تشكل حز إدراج سلك ‎wire insertion groove‏ 54" وحز استقبال سلك ‎wire receiving groove‏ 54 (انظر الأشكال 8 . 11) لإدراج الأسلاك ‎I‏ ث2 على الترتيب. 5 «وبذلك؛ على سطح الإطار الجانبي للإطار الأمامي 42 حيث تكون آلية الشد 'ر" لجذب الأسلاك ث1؛ ث2 متوفرة؛ يتم حفر حز إدراج السلك 754 بعرض 1 مم وعمق 1 مم عندما يكون قطر

الأسلاك ث1؛ ث2 مُحدد ليكون 0.5 مم. كذلك؛ على سطح الإطار الجانبي للإطار الخلفي 43

المُحدد موضعه عند الجانب المقابل من آلية الشد "ر"؛ يتم حفر حز سلك ارتداد ‎return wire‏

‎groove‏ 55 (انظر شكل 8( بعرض 1 مم وعمق 1 مم.

‏كذلك؛ يتم جذب الأسلاك ث1 ث2 بين الأطر الجانبية الأمامية والخلفية 42 43 التي يواجه كل منها الأخر. يتم توصيل كلا طرفي الأسلاك ث1ء ث2 بآلية الشد ‎"J‏ المذكورة أعلاه ويتم إعادة

‏الأجزاء الوسيطة من الأسلاك للإطار الجانبي للإطار الخلفي 43 بينما يتخطى فراغ تحميل الركيزة

‎5

‏يتم تشكل ‎gia‏ الارتداد بالأسلاك ث1 ث2 بطول حز سلك الارتداد 55 والذي يتم حفرة على هيئة

‏شكل بحرف ‎U‏ بالإطار الجانبي للإطار الخلفي 43. بالتالي؛ من ضمن اطر التقسيم 'و" الممتدة

‏0 على الأطر الجانبية للإطار الأمامي والخلفي 42؛ 43؛ بأطر التقسيم 'و' بكل صف أمامي وخلفي؛ يسار ويمين كلا طرفي ‎gaa]‏ الأسلاك ث1؛ ث2 يتم توصيلها بالترتيب باثنتين يسرى ويمنى من آليات الشد ‎tension mechanisms‏ 'ر" والجزءِ الوسيط لها يتم إعادته إلى داخل الإطار الجانبي للإطار الخلفي 43 ويعبر الاثنتين من الأسلاك فراغ تحميل الركيزة 5 بالاتجاه الأمامي والخلفي.

‏5 كما هو مبين بالأشكال 8 و 10 يتم تشكل آلية الشد 'ر" على النحو التالي ويتم وضعها بأوضاع مناظرة للأطراف اليسرى واليمنى من إطار التقسيم 'و' الممتد بصف واحد باتجاه أمامي وخلفي وساراً ويميناً بكلا طرفي الأسلاك ث1؛ ث2 على الترتيب يتم توصيلها باثنتين يسرى ويمنى من آليات ‎Saal‏ ‏يتم تشكل آلية الشد 'ر” من اثنتين من أعمدة الانزلاق 56 البارزة على مسافات فاصلة منتظمة من

‏0 السطح الجانبي الخارجي للإطار الجانبي للإطار الأمامي 42؛ نوابض ملتفة ‎coil springs‏ 58 ملفوفة حول كل عمود انزلاق ‎slide shaft‏ 56 وجسم انزلاق 59 مُثبت بشكل قابل للانزلاق بين اثنتين من أعمدة الانزلاق 56 تحت تأثير ‎Alla‏ بذل قوة الدفع لنوابض الارتداد 58. يتم شد وتثبيت كلا الطرفين الأيسر والأيمن من الأسلاك المرتدة ث1 ث2 بشكل مُحكم على الترتيب بأجسام الانزلاق اليسرى واليمنى 59.

‏5 بالتالي؛ فإنه يتم جذب كلا الطرفين للأسلاك ث1؛ ث2 ودفعها باتجاه الجانب الخارجي عبر أجسام الانزلاق 59 بواسطة قوى الدفع لنوابض الارتداد 58 بالتالي يكون ‎gall‏ الأوسط للأسلاك

‎(I‏ ث2 بالحالة المشدودة بإحكام من خلال ‎ga‏ الارتداد ويدعم الركيزة « بينما تمر بفراغ تحميل

‏الركيزة 'ق".

‏كما هو مذكور؛ وفقاً لآلية الشد 'ر"» يتم دعم الركيزة 'ن" وتحميلها على الأسلاك ث1؛ ث2

‏المطولة بفراغ تحميل الركيزة 5 وكذلك يتم تحديد موضع لوح تسخين السخان "ح" بحيث يدعم

‏5 الإطار الخارجي 40 تحت الأسلاك ث1؛ ث2.

‏في غضون ذلك؛ يتم تحديد تفاوت بين السطح العلوي للوح تسخين السخان "ح" والسطح الخلفي

‏للركيزة 'ن" عند ما يُقارب حوالي 1.25 مم )1250 ميكرومتر) ويتم تحديد تفاوت (خلوص) بين

‏السطح السفلي لإطار التقسيم 'و' والسطح الخلفي للسلك (إث1؛ ث2) عند حوالي 0.75 مم )750

‏ميكرومتر). بالتالي؛ عندما يتم تحديد القطر للسلك (ث1؛ ث2) عند 300 ميكرومتر- 500 0 ميكرومتر؛ بالحالة حيث يكون حجم قطر السلك ( ث1؛ ث2) لتحميل الركيزة « متضمناً كما هو

‏مبين بالشكل 12

‏يصبح التفاوت بين السطح الخلفي للركيزة ‎"of‏ والسطح العلوي من لوح تسخين السخان "ح" 1150

‏ميكرومتر- 1250 ميكرومتر. المسافة حيث يتم إضافة السلك (ث1؛ ث2) إلى التفاوت

‏(الخلوص) بين السلك (ث1؛ ث2) والسطح السفلي من إطار التقسيم 'و" تصبح إلى حد كبير (نتيجة لتفاوت قطر السلك وفتحة إدراج السلك 45) هي نفسها نفس المسافة على الأقل من السطح

‏الخلفي للركيزة 'ن" إلى السطح العلوي من لوح تسخين السخان "ح".

‏كما هو مذكور؛ اعتمادا على أنه يتكون بحيث يقوم بالحفاظ على علاقة المسافة للركيزة ‎in‏ السلك

‎(TE)‏ ث2)؛ إطار التقسيم 'و" و لوح تسخين السخان "ح"؛ قد يكون التسخين من لوح تسخين

‏السخان "ح" ‎change‏ سريعاً ونفذ بصورة أكثر كفاءة وفاعلية ومن الممكن تنفيذ تكوين الغشاء على 0 الركيزة 'ن" بجودة جيدة اعتماداً على أن يتم تحقيق تصريف البلازما بشكل فعال.

‏بالتجسيد المذكور أعلاه؛ على الرغم من انه قد تم شرحه على انه نموذج حيث يتم تحميل الركيزة

‏أن" على الأسلاك (ث1؛ ث2)؛ بالتجسيد الحالي؛ فإن هناك إمكانية لأن يتم تنفيذ تكوين الغشاء

‏بالسطح الخلفي من الركيزة 'ن" نتيجة للعناصر الفعالة المُغلفة حول التفاوت (الخلوص) المحيطي

‏لإطار التقسيم "و" والركيزة ‎"(J‏ المحملة به. بالعملية من غير المفضل تكوين الغشاء على السطح 5 الخلفي؛ يكون من المتصور ذلك للتجسيد التالي. بالتجسيد التالي؛ كما هو مبين بالأشكال 13 و

‏4 4ب:»؛ يتم تشكل حزات إدخال السلك 145 (والتي هي؛ حز بإطار التقسيم بالجانب السفلي

‎(F2a‏ على جانب الإطار الأيسر والأيمن بإطار التقسيم بالجانب السفلي 1728 بإطار التقسيم ‎(Fa‏ ‏يتم تركيب الأسلاك (1718» 1728) بحزات إدراج السلك 45أ؛ يتم إطالة الأسلاك ‎(W2a «Wila)‏ بين الأطر الجانبية للإطار الأمامي والخلفي 42؛ 43 بالإطار الخارجي 40 ويتم وضع اطر التقسيم ‎Fa‏ بشبكة بالفراغ بالإطار الخارجي 40 بتوصيل اطر التقسيم ‎Fa‏ ‏5 علاوة على ذلك؛ على السطح العلوي من إطار التقسيم الجانبي السفلي 728؛ يتم توصيل إطار التقسيم الجانبي العلوي ‎Fla‏ بواسطة ‎dda)‏ انتشار أو باللحام النقطي؛ بالتالي يتم غلق فتحات إدراج السلك 145 ويتم تشكل إطار التقسيم ‎Fa‏ الحجم الخارجي لإطارات التقسيم الجانبية العلوية والسفلية ‎(F2a (Fla)‏ يتم تصنيعه بشكل مشترك بنفس الحجم؛ وكما هو الحال بالنسبة للحجم الداخلي؛ يتم جعل الفتحة بإطار التقسيم الجانبي السفلي 1728 ‎Gaal‏ ب 1000 ميكرومتر ~ 1500 0 ميكرومتر من فتحة إطار التقسيم الجانبي العلوي ‎(Fla‏ يصبح هذا التفاوت ‎gia‏ دعم ركيزة 61 وينفس الوقت؛ فإن هذا الفراغ الداخلي يصبح فراغ تحميل الركيزة 'ق" ويتم تحميل الركيزة 'ن" على جزء بقعة الركيزة 61. بالتالي» بالتجسيد المذكور ‎coded‏ قد تشكل صينية الركيزة بواسطة الحالة حيث يتم تحميل الركيزة ان" على الأسلاك (1718» ‎(W2a‏ بداخل إطار التقسيم 'و" ويتم تحميل الركيزة 'ن" على فراغ تحميل الركيزة 3" (هناك تخوف من أن يتم استثارة العناصر الفعالة بواسطة البلازما المغلفة حول السطح الخلفي من الركيزة ‎TY‏ عبر التفاوت بخلوص الحجم بفراغ تحميل الركيزة 'ق" والركيزة 'ن" ويتم تنفيذ تكون الغشاء على السطح الخلفي من الركيزة ‎(1G‏ على النقيض؛ بهذا التجسيد؛ يتم إدراج الأسلاك ‎(W2a (Wa)‏ بفتحة إدراج الأسلاك ‎M5‏ المتكونة بجوانب الإطار اليسرى واليمنى من إطار التقسيم ‎(Fa‏ حيث يعمل كل إطار تقسيم ‎Fa‏ كأسلاك للوضع والدعم بشبكة بداخل 0 الإطار الخارجي 40؛ يبرز ‎gia‏ دعم الركيزة 61 إلى حافة الجانب الداخلي من فراغ تحميل الركيزة 5 لتعمل على تحميل الركيزة 'ن". ‎(lly‏ فإنه يتم دعم الركيزة 'ن" بواسطة السطح المحيطي بالكامل لحافة الجانب الداخلية )500 ميكرومتر - 750 ميكرومتر) ‎shan‏ دعم الركيزة 61. نظراً لان الركيزة « يتم دعمها بواسطة ملامسة السطح؛ قد يتم منع استثارة العناصر الفعالة بواسطة البلازما المغلفة حول السطح الخلفي من الركيزة 'ن" ويتم إتمام تكوين الغشاء. ‎(INS‏ قد يتم دعم الركيزة ‎TY 5‏ بشكل دقيق ومن الممكن منع وتفادي التلطخ والترسيب بوزن الركيزة 'ن” بأكبر قدر ممكن.

على الرغم من أن إطار التقسيم ‎Fa oF‏ للركيزة 'ن" يكون إطار تقسيم له بنية لتحميل ركيزة « واحدة (1*1))؛ فإنه قد يكون لإطار التقسيم ‎Fa (F‏ بنية لتحميل مجموعة من الركائز 'ن". على سبيل المثال؛ كما هو موضح بالشكل 15؛ قد يتم تصور بنية لتحميل اثنتين من الركائز 'ن" ‎(1x2)‏ وكما هو موضح بالشكل 16؛ قد يتم تصور بنية لتحميل أريعة من الركائز 'ن" ‎(2x2)‏ ‏5 بذلك؛ عندما يصبح إطار التقسيم ‎Fa F‏ كبيراً ‎dan‏ يكون هناك إمكانية للاعوجاج أو للانحراف الناتج عن التمدد الحراري بإطار التقسيم ‎Fa oF‏ مما يؤثر على الركيزة « المُحملة على إطار التقسيم 1 18. بشكل صحيح وملموس» على حسب حجم الركيزة المُحملة على إطار التقسيم ‎F‏ ‎Fa‏ كإحدى الأمثلة؛ بالحالة حيث يتم استخدام رقاقة ‎Si‏ بحجم ‎gaye‏ 156 مم ‎X‏ 156 مم كركيزة خلية لخلية طاقة شمسية ‎solar cell‏ يتم تحميلها على إطار التقسيم ‎(Fa F‏ يحدث تأثير اعوجاج 0 أو انحراف رقاقة ‎Si‏ بواسطة التمدد الحراري لإطار التقسيم ‎Fa F‏ ويكون ضمن الحدود المقبولة (النتيجة التجريبية) إذا ما كان الحجم الخارجي لإطار التقسيم ‎Fa oF‏ ممتداً بنطاق حجم مربع 0 مم ‎X‏ 350 مم. بشكل مغاير؛ إذا ما أصبح الحجم الخارجي لإطار التقسيم 7 ‎Fa‏ بحجم يتجاوز حجم ‎pope‏ 350 مم ‎cae 350 X‏ فإن انتشار درجة حرارة السطح لرقاقة ال ‎Si‏ المُحملة على إطار التقسيم ‎Fa oF‏ يتأثر سلبياً بشكل ملحوظ بتأثير الاعوجاج أو الانحراف نتيجة للتمدد الحراري ا لإطار التقسيم 7» ‎Fa‏ وفقاً لهذه النتيجة؛ فإن إطار التقسيم الذي يحمل اثنتين من الركائز ‎(1x2)n‏ ‏المبين بالشكل 15 وإطار التقسيم ‎Fe‏ الذي يحمل أربعة من الركائز « ‎(2x2)‏ يكونا أيضاً ضمن سياق وتوجه الاختراع الحالي. باختصار؛ بوسيلة ترسيب البخار الكيميائي التي تستخدم تسخين الركيزة؛ كما بالنسبة لحجم إطار تقسيم الركيزة؛. حجم مريع حوالي 350 مم ‎X‏ 350 مم يكون هو الحد وليس هناك أي مشكلة تتعلق بعدد الركائز « التي يتم تحميلها ضمن هذا النطاق. بذلك؛ فإن 0 المرجعيات 10 ‎Fle‏ بالأشكال 15 و 16 تُمثل إطار التقسيم الجانبي العلوي؛ 720؛ ‎F2e‏ تُمثل إطار التقسيم الجانبي السفلي؛ ‎Jad W2e (Wile «W2b Wb‏ الأسلاك و 45ب؛ 45ج ‎Jad‏

فتحات إدراج الأسلاك ‎.wire insertion holes‏ على الرغم من أن ‎dallas‏ تكوين الغشاء باستخدام وسيلة ‎dallas‏ البلازما الواحدة هو على النحو الموضح أعلاه؛ عندما يتم بالفعل استخدام وسيلة معالجة البلازما 1؛ كما هو مبين بالأشكال 17 و 5 18 يتم استخدامها كتظام معالجة بلازما حيث يتم وضع مجموعة من حجرات معالجة البلازما ‎X) MX - M1 plasma treatment rooms‏ هو رقم طبيعي) على التوالي أو على التوازي. يوضح

شكل 17 نظام معالجة بلازما بطريقة داخل أنابيب وشكل 18 هو نظام معالجة بلازما بطريقة عنقودية. هنا فيما يلي سوف يتم توضيح نظام معالجة البلازما بالطريقة داخل خط أنابيب المبينة

بالشكل 17. تم تحميل ركيزة 'ن" تم نقلها بواسطة عملية سابقة على صينية الركيزة 'ن" بمكنة تحميل شغل ‎work loader 5‏ (,1). تفتح صينية الركيزة ‎N‏ حيث يتم عليها تحميل الركيزة 'ن" صمام بوابي ‎G1 gate valve‏ (مفتوح) ويتم نقلها إلى حجرة مقفولة للتحميل ‎load lock room‏ (1). بالتالي يتم غلق الصمام البوابي 61 (مغلق) ويتم سحب الحجزرة المقفولة للتحميل ‎LD‏ لتفريغ الهواء. عند وصول الحجرة المقفولة للتحميل ‎LD‏ إلى درجة تفريغ هواء مثل تلك بحجرة معالجة البلازما ‎M1‏ ‏يتم فتح الصمام البوابي 62 (مفتوح) ويتم نقل صينية الركيزة 17 إلى حجرة ‎dallas‏ البلازما ‎MI‏ ‏0 بالتالي يتم غلق الصمام البوابي 62 (مغلق). بعد أن يتم إمداد غاز المعالجة © بمعدل تدفق والذي يتم التحكم فيه (قيد التشغيل) ويتم ضبطه حسب ضغط المعالجة؛ يتم إضافة قدرة التردد (قيد التشغيل) إلى حجرة معالجة البلازما 811 بالتالي يتم بدء معالجة البلازما (تكوين الغشاء). في غضون ذلك؛ يكون من المنطقي أن يتم ضبط لوح تسخين السخان "ح" حسب درجة حرارة المعالجة (درجة حرارة الركيزة المثالية) والتي قد تم تحديدها مُسبقاً. كذلك؛ بعد أن يتم غلق الصمام البوابي 62 (مغلق)؛ يتم إعادة الحجرة المقفولة للتحميل ‎LD‏ إلى الضغط الجوي. يتم فتح الصمام البوابي 1 (مفتوح) وبتم نقل صينية الركيزة ‎N‏ والتي عليها تم وضع الركيزة التالية « إلى الحجرة المقفولة للتحميل ‎(LD‏ بعد أن يتم إنهاء معالجة البلازما (تكوين الغشاء) بحجرة ‎dallas‏ البلازما ‎M1‏ يتم إيقاف الإمداد بغاز المعالجة 'ز" وقدرة التردد (إيقاف). بعد أن يتم استنفاد الغاز المتخلف بحجرة معالجة البلازما ‎(MI‏ يتم نقل صينية الركيزة 17 إلى حجرة معالجة البلازما التالية 142 ويتم تكرار 0 عملية المعالجة (تكوين الغشاء) باستمرار» بالتالي يتم نقل صينية الركيزة ‎(AN‏ حجرة مقفولة لتفريغ الحمل ‎unload lock room‏ (010). بعد أن يتم إعادة الحجرة المقفولة لتفريغ الحمل ‎ULD‏ ‏إلى الضغط الجوي» يتم نقل صينية الركيزة 15 إلى الحجرة المقفولة لتفريغ الحمل 11.1 التي تفتح صمام بوابي أخير ‎X) GX‏ هو رقم طبيعي) (مفتوح) ويتم حملها للخارج إلى مكنة تفريغ حمولة الشغل .17111. يتم غلق الصمام البوابي الأخير ‎GX‏ (مغلق) ويتم سحب الحجرة المقفولة لتفريغ 5 الحمل ‎ULD‏ إلى تفريغ الهواء وينتظر النظام. بنفس الوقت؛ يتم أخذ الركيزة « إلى الخارج عند مكنة تفريغ حمولة الشغل ‎(WULD) work unloader‏ ويتم إزاحة الركيزة « التي تم أخذها إلى

الخارج إلى العملية التالية. يتم ‎sale)‏ صينية الركيزة 7 التي تم منها أخذ الركيزة « إلى الخارج إلى مكنة تحميل الشغل ‎WLD‏ بواسطة آلية إرجاع ‎return mechanism‏ كما هو مذكور؛ يتم بشكل متعاقب إجراء عملية المعالجة (تكوين الغشاء). وفقاً للنتيجة العملية بالهواء الجوي؛ كان الوقت المستغرق في رفع درجة الحرارة من درجة حرارة الغرفة (30 درجة مئوية) إلى درجة حرارة المعالجة المُحددة ‎lars‏ )190 درجة مئوية - 210 درجة مثوية) حوالي 30 ثانية ~ 50 ثانية. في غضون ذلك؛ انتشار درجة ‎ha‏ السطح (نقطة واحدة للمركز وأريع نقاط بشكل قطري مائل بالدخول للداخل بحوالي 5 مم من محيط الركيزة) كان ضمن + 1 درجة مئوية مقابل درجة حرارة المعالجة المُحددة مُسبقاً. وفقاً للنتيجة العملية بتفريغ الهواء؛ كان الوقت المستغرق في رفع درجة الحرارة من درجة الحرارة (30 درجة مئوية) تحت نفس 0 الظروف بالهواء الجوي إلى درجة حرارة المعالجة المُحددة مُسبقاً )190 درجة مئوية ~ 210 درجة مئوية) حوالي 60 ثانية. في غضون ذلك؛ انتشار درجة حرارة السطح (نقطة واحدة للمركز وأربع نقاط بشكل قطري مائل بالدخول للداخل بحوالي 5 مم من محيط الركيزة) كان ضمن + 3 درجة مئوية مقابل درجة حرارة المعالجة المُحددة مُسبقاً. لا يعتبر الاختراع الحالي مقتصراً على التجسيدات الموضحة أعلاه ولكنه يتضمن أي إنشاء حيث 5 يُمكن أن يتم استبدال أو دمج أي إنشاء أو تركيب تم الكشف عنه هنا بالتجسيد أعلاه بشكل تبادلي؛ أو أي إنشاء حيث يتم تغيير المجال السابق واستبدال أو دمج أي إنشاء تم الكشف عنه بالتجسيد أعلاه بشكل تبادلي. كذلك؛ لا يقتصر التوجه التقني للاختراع الحالي على التجسيد الموضح أعلاه ويتضمن الاختراع ‎JS‏ من المادة التقنية الموضحة بعنصر حماية الاختراع الحالي ومكافئاتها .

العلامات المرجعية 1 ... جسم وعاء التفاعل 3 ... عضو غطاء 4.. وسيلة موائمة تردد عالي 5 5 ... صندوق واقي 7 .. لوح سلكي

8 ... مسار توصيل غاز 9 ... صمولة 0 ... اسطوانة دعم 2 ... تركيبات توصيل 13 ... أنبوب غاز معالجة 4 ... أنبوب إضافة غاز عازل 5 ... مسار توصيل جانبي 7 ... حلقة عازلة 0 ... لوح الكترود مرتفع 0 21 ... شفة معدنية 7 ...لوح واقي 9 ... لوح عازل 0 ... لوح عازل جانبي 1 ... لوح الكترود 32 ... لوح تشتيت غاز 2 ... فتحة صغيرة علوية 3 ... لوح تشتيت وسيط 3 ... فتحة صغيرة وسيطة 4 ... لوح انهمار غاز 0 34 ... فتحة صغيرة سفلية 5 ... فجوة حصر بلازما ‎P‏ ... فراغ تصريف بلازما ‎A‏ ... قضيب الكترود ‎Al‏ ... أنبوب واقي ‎A225‏ ... أنبوب عازل 3ه ... قناة تردد عالي

‎A4‏ ... فتحة توصيل غاز 1 592 583 ... فراغ تشتيت غاز ‎M‏ ... وسيلة معالجة بلازما ‎...n‏ ركيزة ‎N 5‏ ... صينية ركيزة 1 ... لوح سخان التسخين 1 ... آلية الشد 0 ... الإطار الخارجي 2 ... الإطار الجانبي الأمامي 0 43 ... الإطار الجانبي الخلفي 5. 45 45ب» 45ج ... فتحة إدراج سلك 6 ... الإطار الجانبي الأيسر 7 ... الإطار الجانبي الأيمن 8 ... مزلاج تحميل 48 ... مسمار 9 9 ... لوح تغطية سلك 0 - 53 ... لوح واقي 4 ... حز استقبال سلك 4 ... حز إدراج سلك 0 55 ... حز سلك ارتداد 6 ... عمود انزلاق 8 ... نابض ملتف 9 ... جسم انزلاق ‎Fe Fb «Fa ©‏ ... إطار تقسيم ‎«Fla 01 5‏ 16 216 ... إطار تقسيم جانبي علوي ‎«Fa 2‏ 206 22 ... إطار تقسيم جانبي سفلي

8 ... فراغ تحميل الركيزة 1 الك ‎W2e 171 «<W2b «(W1b (W2a «Wla‏ ... سلك 1 ... جزءٍ دعم ركيزة ‎WLD‏ ... مكنة تحميل ‎Jad‏ ‎WULD 5‏ ... مكنة تفريغ شغل ‎LD‏ ... حجرة إقفال التحميل ‎ULD‏ ... حجرة إقفال تفريغ الحمل ‎GX ~ 1‏ ... صمام بوابي ‎MX ~ 1‏ ... حجرة ‎dallas‏ بلازما. 0 قائمة التتابع: ""- مسقط قطاع عرضي على امتداد ‎lal‏ ‎I'd‏ مسقط قطاع عرضي على امتداد الخط ب-حب "2 300)0 ميكرومتر ..500 ميكرومتر) 9" 11 (1150 ميكرومتر .. 1250 ميكرومتر) ‎a" 15‏ 12 (750 ميكرومتر ...850 ميكرومتر) ‎Fa "yg‏ ‎Wla "y‏ اح" ‎W2a‏ ‏'ط' ‎Fla‏ ‏20 ي' ‎F2a‏ ‏'ك' | ‎Fb‏ ‎(Wib,W2b) "J‏ ‎F1b 0‏ أن" ‎F2b‏ ‏5 س' 17117126 ع - ‎Wila,W2a‏

Fo ‏ف"‎ ‎Fle ‏'اصض'‎ ‎F2c ‏اق‎ ‎WLD "y

LD ‏'ش'‎ 5

Mx a

ULD '&

GX fd

WULD ‏لذ‎ 1 fos 0 cs C1 ws ld

LD/ULD 1 z

Tr "1

Claims (1)

1. عناصر الحماية

   1- صينية ركيزة ‎substrate tray‏ ليتم استخدامها بوسيلة تكوين غشاء رقيق ‎thin-film formation‏

   «device

   حيث يتم تشكيل فراغات قابلة للتحميل بالركيزة والتي يكون كل منها مُناظراً لشكل ركيزة بواسطة

   ‎Ll‏ تقسيم ‎partition frames‏ تنصيب مصفوفة والتي لكل منها شكل إطار ‎ely‏ الزوايا بداخل

   ‏5 إطار خارجي وبتقسيم الجزء الداخلي من الإطار الخارجي إلى شبكة؛

   ‏حيث يتم تتصيب مجموعة من الأسلاك بين أطر جانب الإطار الأمامي والخلفي بشكل تبادلي

   ‏بالإطار الخارجي ويتم توصيل كل إطار تقسيم ‎partition frame‏ ودعمه بواسطة الأسلاك؛ و

   ‏بحيث تكون الركيزة قابلة للتحميل على ‎ela‏ دعم الركيزة ‎substrate support portion‏ بإطار التقسيم

   ‎partition frame‏ السفلي متصلة بالسطح السفلي من إطار القسم العلوي بإطار القسم أو على 0 الأسلاك المتعارضة مع فراغات التحميل بالركيزة.

   ‏2- صينية الركيزة ‎substrate tray‏ للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق ‎thin-film formation‏

   ‎device‏ وفقاً لعنصر الحماية 1؛

   ‏حيث كبنية لإدراج وتخلل السلك عبر شمك إطار القسم ‎epartition frame‏ بالحالة حيث تكون فتحة الاختراق عامط ‎penetration‏ مفتوحة بمركز السمك بالحفر؛ يتم تشكل ‎Ua)‏ تقسيم ‎partition frame‏

   ‏بوضع إطار التقسيم ‎partition frame‏ العلوي وإطار التقسيم ‎partition frame‏ السفلي باثنتين من

   ‏الطبقات العلوية والسفلية وبتوصيل إطارات التقسيم ‎partition frames‏ العلوية والسفلية عبر رابط

   ‏نشر ‎«diffusion bonding‏ لحام نقطي ‎spot welding‏ أو باللولبة؛ و

   ‏بحيث يتم تثبيت وقمط الأسلاك بحز مُشكل بسطح طبقة على إطارات التقسيم ‎partition frames‏ 0 العلوية والسفلية.

   ‏3- صينية الركيزة ‎substrate tray‏ للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق ‎thin-film formation‏

   ‎2 ‏وفقاً لعنصر الحماية 1 أو‎ device

   ‏حيث يكون هناك آلية شد ‎tension mechanism‏ لتوفير الشد للأسلاك على سطح الجانب الخارجي 5 من الإطار الخارجي؛ و

   بحيث يتم تشكل آلية الشد ‎tension mechanism‏ من جسم انزلاق والذي يتم به توصيل إحدى أطراف السلك؛ أعمدة انزلاق ‎slide shafts‏ لتنفيذ توجيه الانزلاق لجسم الانزلاق ونوابض لولبية ‎coil‏ ‏85 ملتفة حول أعمدة الانزلاق ‎slide shafts‏ المتخللة بين الإطار الخارجي وجسم الانزلاق. 4- صينية الركيزة ‎substrate tray‏ للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق ‎thin-film formation‏

   ‎device‏ وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون لأعمدة الانزلاق ‎slide shafts‏ اثنتين من الأعمدة اليسرى واليمنى التي يتم إدراجها ووضعها بالأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق وتوجه الأجزاء اليسرى واليمنى من جسم الانزلاق.

   ‏10 ‏5- صينية الركيزة ‎substrate tray‏ للاستخدام بوسيلة تكوين الغشاء الرقيق ‎thin-film formation‏ ‎device‏ وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون هناك مسافة بين السطح السفلي من إطار التقسيم ‎partition frame‏ وجزء دعم الركيزة ‎substrate support portion‏ أو السطح العلوي من السلك الممتد بالنطاق من 1150 ميكرومتر -

   ‏5 1250 ميكرومتر.

   Q WER a EN LE ‏اام ا‎ £ ‏ب‎ SX Sa te Sa : = ‏اح ل‎ I Re ‏ا‎ ‏حا اا دهم انحا‎ ‏تعد لالد د الك ايان‎ ‏التجتادج‎ TERR ‏ا ل ا‎ ‏اع‎ ٍ HN ‏ا ينا‎ Po ‏ل ب لفلا ان لمن‎ 7 ary ¥ ‏زمري ب 1 الى 0 لأ الس‎ PEE ‏الب رص ص‎ Ne a WY up . ‏الا‎ The Lo PSR ‏أ لا = اسح‎ Pope SRE Pad Fs EE A ‏ار لاسا‎ LT ' ‏م الا دي امم ب‎ Se, ‏البح‎ en.

   Sg A ~~ kd Te Ray Fa: i pas " KN Mea #7 i ‏إلا‎ re 3 EN a SY + ‏ب‎ FEES Ped ‏ص ام‎ ay Ss 00 ِ FP a aa ‏ا‎ See Bo) 3 I< Sa ‏د كات با‎ ap ‏كر‎ WE ‏ا م م‎ ‏ب لكي ص ديق‎ ‏ا‎ a ‏ا‎ 0 pag Wl ¢ ht prey pa ‏ب سس‎ het 8 ‏باق مطح يا‎ 1 ‏سن‎ is ‏م‎ VOR 4 > 0 ‏ات‎ bof ١ ¥ a oF J AR NE ‏اج اول ف‎ SRY ¥ Yom] > ‏ب‎ SS ‏ل‎ a 1 ‏ب‎ (I 4 ‏ا الكل ءا ل‎ ‏ا أ ا ا ل الا و‎ ‏ا‎ a a A ER 3 hae ¢ | mA RUE NE ‏ا‎ 7 ECHR ‏مس‎ ee ‏م اد ات‎ en ‏ات ات ااا ب‎ ju J SENNA ‏ب‎ ‎\ tio 0 ‏وس § لايع‎ I Figg ¥V ‏با‎ 2 Nai ‏اال‎ Ho BE AAPA Ba CI TEE “mwa ARR TSN NER NNN NY LL - ‏ا‎ ‎Po . Ba A ‏ال لاا‎ : HEN of ‏لاج‎ ea aan See aaa A i Pd Pl ay ESRI, HE ; 1 ‏بم مم تسمسسسسلللتتتببتبتتتتبببتيتبستوسهيسبتتبسسلبقا(‎ «8 i 1 fod ; 1 ‏.ا‎ ‏ا ل ا‎ EE AN \ 7 ¢ BY Gl | rd ’ we . ud 3 Sa ‏شكل ؟‎

   . م 0 ‎N Y‏ : و 3 ‎i‏ ‎i‏ ‎he rds‏ ‎BF‏ د ا ا \ ‎A pre” a | ¥‏ ب ا" ‎Po | or rs Pe 3‏ سم اليس لم للم رع ‎NO‏ ‎ied §‏ 3 لي لين 3 ‎ad‏ ‏م ‎A RN BSTC‏ ‎A eae EEE‏ ا "0 ‎i § Ly 5 8 0 oy N‏ بل ) ‎Ned‏ § ا 1 ‎NEO N‏ : ل ‎N N‏ 1 ا وا ‎i‏ 1 ‎re ION 1 BEN Nat # 5‏ ًٍ ‎NN aa‏ الوم ا ا ال ‎IEEE‏ ا 8 دالا ال ال ال ال ال ال ‎FTN ot‏ ¥ ا ا ا ا ا 5 2 5 : 1 1 7 2 : 8 ‎Fa‏ 9 5 2 ب لي مي أ كن ما ان ا 5 م أ ان ان اال ل ‎N INI‏ = اسان ‎BIN‏ ‎١‏ ال ا ‎Nm 7‏ ا لب ‎J‏ ار ا ‎ob‏ ا ا ‎i SR Rs) {‏ الا ‎SIE RCN RS Jf bs Lo SOTA NON‏ يخاي حا يي ‎a TR TT Ny YT EES 7 NN‏ ‎NNN‏ دا ‎NN‏ ان ‎bm Tn NON‏ > 1 بكي ‎Te‏ كاي الا كا ات ‎NIN NN‏ لحك ‎ANY N Uo‏ ا ا حا ا جا جه اج ل ل > 4 ا انوا تجا حا جل م مي عا اج ا ل 8 ‎AS, a‏ حاط ‎LINEA‏ ‎Ei TAN &‏ ‎ho i” {‏ 50 ‎is £00 I ١‏ ‎N $ Ra As >‏ و لحان لح اا ‎Pet‏ د ‎i‏ ا ا ‎R71 nA‏ ا ‎EE‏ دع نا ال و حور دسب ‎bY‏ ب ‎fo 0 : ie os A‏ ما م ‎١‏ تر ين ص كه ا ل 7 ‎La‏ ‏5 ايكيا يي يي رد يحي يتاوخا أطي بكي كيه وي ري جيك اي الات 4 ال اا ‎oo‏ 7 الا لخدن الحا الا ل اا ا ا ا ا - اتيش رشحي ‎ov: ? p; Ty > sing‏ ا ‎Eg i‏ م مضي ا ب ال اي ا ا ‎A‏ اس 24 ‎ed‏ اك رتبب 5 4 ‎Hy‏ 1ب عير يأر ل لت ل و لي د أ ين ‎PR‏ 5 8 الا اماك رحاس ا ‎Ta‏ | لمكا لمج ا ‎Soran TT J‏ ا حا تا ‎i ITU ETR‏ ~ #ت 1 حي م م حت ‎EE‏ 3% $ ¥ الممممممع ممه 0 العامة ا ٍ 1 ‎a i‏ 3-2 ا الس 1 ‎i‏ ‏سا ل ‎i i‏ ‎Tv‏ مم77 ‎i k‏ ‎ya io‏ & 5 أ ب

   = 8 ‏ارا‎ 5 0 N ON ‏ب‎ N NW 5 8 0 oN Vo HT NZ > 2 " 5 ‏ا‎ oh ‏مل‎ A 8 ‏و‎ N 8 1 ‏ا‎ ‎Ye VN \ ” ‏أ‎ ‎pd ‏وي‎ g oN a ! AE i - "a pd ‏و‎ 7 72 TAN ‏م 0 ب‎ ie fr 5 pd Id ‏ب م م‎ no ke] ‏ا‎ ho iY 3 ‏ان م و‎ SRN 7 Sl >, pd rd re : $C wo} IN & pe rd nd oy ON ght ‏ا‎ ‎5 4 pil rd Ge 5H aN SN ~ 33 oe : & ‏ا و ا ب‎ 1 na ey LT 4 ‏ب الا ب‎ 1 le \ ‏را 1 7 ب‎ ‏وم م 8 08 0 ا ا ا 0 5 ا‎ A Fd AN > Ee RS : ‏ا حا 5 ب‎ ge ‏ل ص‎ 0 wy S40 7 A 2 ‏ب ب‎ 3 AN EN EN a, a AS a 3 we i re rd rd Ea ‏ا ل : ا‎ “i CRN | oo So A El rd SN ‏ا - ل‎ 6 0 0 ; oF rd oo 0 ٍ ‏ب 1 0 1 0 2 ب ا 0 حي‎ Ee Fie Ea LL wb ‏اا ال‎ 1 ra ‏إلا‎ ‏مح رص‎ NY Lilt py "١ ‏ف و‎ rs Ea SN 0 ‏ال‎ ٍ Ppa een = a A rd 8 0 1 i H 3 0 - 5 ‏م‎ ON ‏ض‎ NN piss Hho SN = 0 ‏ب م“ 1 8 ىأ 0 ب‎ ‏سس م‎ 2 AR SH gd Th = ٍ TA a A a oh i ‏و و‎ Re - ‏سين ا‎ AX = 1 ps NOT A a —— NEA Yd ‏كب“ كيد‎ 5 00 JENS 2 VEN ro vd py ‏لكاي‎ ‏ا‎ od & 22 ‏ب ص ب سس ا ا ب وطح‎ 4 i i ‏حكني أ ريب‎ Lp = rs Ea = bo 3 A 1 ‏الس ا ا ا‎ 0 ‏ب ااا‎ pr 1 ‏ل ل‎ AN 1 < : 2 , pres 9 ‏م‎ as 1 AA) BD == ‏د مضي‎ ‏نب‎ 1 Ga 2 ‏اح‎ EN = Elise TR Ha SHE) i i. NR pal So NE i i = az 2 ‏ب‎ 0 A so ZN 4 is io SN 2 ‏ا‎ ns en ‏ب‎ ‎77 ُ i lip SN Nl Y 34 = 5 J A A Tp a ‏اص ب‎ = 4 1 SR A ‏قحا‎ Lo w ‏ل م ن- ب‎ ¥ ¥ 1 ِ i Ta ¥ re rd 3 7 & ‏ا‎ ¢ ; 5 ‏مر‎ om pay ‏ع‎ ‎¢ ‏ب" بي‎

   Ey . ‏ان‎ B=

   — 3 1 — 4 A TN ‏ك:* #؛ ل‎ A A ‏داع ان‎ Ey ‏جا اا‎ J ‏وو ل‎ ‏ال‎ TE 1 ‏اا‎ PN Song Sa ‏الح‎ ; . & ‏اريت ال ا اللي ا‎ 3 p> LP 2, ‏حا‎ Soa 3 : ‏اح اكد ل 3 ؟‎ Sa Seve ‏ل‎ SS, a ne. J ~~ ‏ال المي ا حر حر م‎ ‏م سيا‎ ١ ٠ > ‏سح‎ I ‏ا 7 اح‎ VA oli ‏لي“ ص‎ TY > ‏ين ا دك مخ‎ He ; ‏م‎ 25252 > a 2 Ts TIN TYE fat egy ‏الا‎ i ‏بع‎ Ct a SAN TR TN by > RN a d a Eg VL IGE ICESES ‏كت بحي ب م ب‎ Ly ie CREE ‏لا‎ sod ‏ير آل‎ 3 0 = & 7 AN peg od vail aE 5 TRE ‏ل د‎ gy Se TIRE ETN AEE ATT J Ee ‏إل الم الا ل ل‎ ‏5ج‎ RL FEA ‏ل‎ Ny + 1 + 6 ‏شكل‎

   ب ب رق ‎PT aay 0 1‏ ‎ji 1 : J 0‏ ا ‎i FR‏ 2 : اا - ‎aE HE‏ ايا ‎HER‏ :1 | ا ‎Y wd} bog‏ £ ‎ha Ty : 0 " HI‏ ا 1 4 : \ ‎PRR RRR] ed‏ ممم ‎x iS 00303000 RRR‏ ب 4 94 5 لد ‎Sr‏ حنست ‎SSA DE‏ الات ‎i= BS dam Sas:‏ = اللا ‎rf : I HS Pr‏ *»* 0 لق ‎tad : i 4 3 3 Ji IE‏ ‎SUNN SUN‏ أ ل ‎Naf‏ د ا المسءة ‎Wes ese ovr.

   Sn (IR‏ ال 3 ‎Sg‏ ‏ملاسو تبك المسستت" اميد ‎FE BE‏ 8 : > عد لحطتا سعد للد لاد فش ا امع 8 ‎yg ; § [ : 1 Li‏ 4ح 1 : ‎Medel 0 | g‏ ‎J fen i : 8 1 i id‏ ع 1 ‎ie ed jie IA - Ron 2 Ri‏ ‎oman RR? RR oases SEO‏ اد ‎i i‏ 1 : [ § : ب ا ‎Fri I EE‏ ‎J : 3 i 1 ;‏ | 0 ال وما الا الوم ‎١ ANE, SNe ete.‏ الم ‎FE‏ ‎a‏ راح لزه بت مت الا حتت م داب اليا ديه الات ب دمج عه الا ‎SONI SRE.

   ORE‏ تا ‎i 1 8 : 8 8:‏ 1 1 ا ‎iy 3 J 3 IH ed‏ : ا هل ‎i {len‏ 1 : [ 8 الل ‎Bf‏ ‎Ty ® 1 1 : 1 IH 0"‏ ‎fous IEE J 8 i 1 : 1 18 bi‏ ‎Sled ee Ree‏ ‎i So BR ioe” 3 Ng TTI Ey‏ ا ‎2S 7 j‏ ‎i ! : 1 IH 8:‏ 1 1 ‎i‏ 1 3 : إٍْ ب ا ليخ ل 1 : 3 | ‎ERY‏ 1 اد ب لمحتب متت ‎INTC:‏ اصح ‎ARAN VEEN,‏ " الح الت ال لمم الم اا لا ‎i ; 7 3 RT‏ ‎Ee | 0 | : 3 odie Y‏ ‎Ra # [ : 1 1 HEE.‏ هلبا ¥ انا ا سا ا 1 : ! ‎١‏ # !يوا * يع الممسسسا ‎TTR TT re Dent Re Nr fr‏ ‎١ ١ i‏ ‎Pond HI‏ ‎Pod i‏ ‎ERR SERRE JUROR J‏ ‎SOR 0 Lg‏ لتم ‎PL‏ تمع ‎i 3‏ § ‎E i‏ 1 1 > ‎C3 8 : a‏ ‎Y‏ £9 : ‎fx‏ ‏= ‏= ‏_ ‏« £ ,5 ب

   اخ <> وب ‎a 7 Te a‏ مح ص ‎oF ERE‏ ال ‎oo ea‏ ‎“ee, pe ha‏ ‎PRE Pa Ta‏ ا ‎oo Se TS ee‏ ‎Sm -‏ . الي 10 انس ع ا ب اا اصن يي ل نت ‎١‏ 7 ب ‎Reo‏ ا ا ‎Pca‏ امو ال ا ص ‎ae 3 Sen, Cis‏ 8 اص مح ال ‎P r‏ ‎A‏ ل امج ‎Ie, SEE Sea, Bog‏

   ‎SS. r= > 2‏ اح : 5 ‎J‏ الا الوا الام 1 ‎SE‏ ا ‎Pras “ef he = ST pd‏ ‎rt‏ إل ‎ih‏ ‎AS ra‏ ا امنا ‎ar‏ ‎PSC‏ مم ا - ا ‎ob Sg‏ ْ صر ‎gE‏ ‏اج ‏شكل ‎by‏ ‏0 ‏3 ‏0 84 ‎pe‏ 1 » ب ‎A‏ ‏ااا ‎id‏ ‎sv 58‏ = : + % أ 33 ¥ ب سس سس ‎H + 1‏ " ‎IA a‏ ع = إٍْ ا : ‎$y‏ 0 ‎V ®‏ قا 1 * ‎3x 3‏

   ا * % ‎rs‏ ‏=[ + , و ‎a‏ ‏0" ق ” ‎go‏ ‏وا 0 8 2 مس ْ ؤ : ‎Hi H‏ ‎[ETT‏ 1 اكات ‎Wows | il‏ ل | ا ‎CN‏ كك اي ترج ناي ‎gE‏ سسا 8 الاجر ‎ec SR 7 AY Pod‏ لج ‎me‏ سسا ‎Sod TY A‏ ‎H : 1 3 1 3 1 i we‏ 1 7لا 1 ‎bod A 3 1 i Pd‏ 08 اا ا ف سا 1 8 0 8 * ‎HN‏ + 3 جٍِ ري ‎1s‏ | ا اث | ‎i ag‏ ‎Pod 1 0 PE‏ | لوث ‎aq.

   AN SO‏ ‎i 1 i ¢ iu re 4‏ ا 8 : 5 ‎Wadd { i‏ ‎Re ; ; 0 I 1 8 1 i afr :‏ "0 اس سسا ; سس سس الس مجم يه لاس صر ‎Er‏ ا 0 1 1 8 جد خب ‎MN 4 4: 1 1 0 4 0‏ 1 الس ‎Zi‏ مسمس ‎Gi: | ES‏ ا | | 7 ال امتسسسستتبستت ‎AN‏ م . ‎Pod‏ ٍ ليق ‎dy A {JR rom beg‏ 0 ‎TTT‏ اي ِ ‎P R te‏ ‎FAITE‏ ‎Ra fre k ! k‏ ‎Sor , oA «x‏ ‎SET ee dy‏ ‎Ee ot‏ كل“ 1 ; يا ‎eden LE‏ ا لح الل ‎NEBR‏ ا ‎ey‏ ا ا ا لاي ا ال ‎MR‏ ةا ‎NNN‏ كا حا الو ا لي ب اح حال حتيا ‎NERS NR‏ سد ‎NE LR oN‏ ‎AUC ¢‏ ‎ORR VN NE‏ ‎he 4 A x‏ ‎A he‏ جح ‎RTE‏ ‎SNE oa‏ ) ‎te FRR‏ 5 ‎i A‏ ! { 1 ااا سام ‎i <5 /‏ ب 3 * رس ذعد عدا © ‎ie‏ ‎PN oy A SSE 61‏ 5 ب 2 ‎eee a‏ © © ف 0 ‎OF oO‏ ون ان انق انق : شكل 4

   £ ‎ii] i"‏ ‎Er‏ 4 > ا ‎kd‏ ب م ‎١ $‏ ب ‎x‏ ¥ & & ‎a‏ § 0 :8 £ 2 ل 5 4 2 ان 3 ‎RY y 0 5 7 Pr ioe‏ ل ‎ra ny‏ ججح لح د در ددج دجا لح ماي لجس ّ ‎oes‏ ‎TE Sr i ress‏ الج ده جا تيه بوي بواج برج بواج مجك ذا ‎NN DANA ; 1‏ ا > 0 ) ‎DER vw www‏ ‎ON NN A 1 1‏ 0 1 1 ‎HH 41‏ ب ‎aE 3 26 a 8 ha 2 wrt INC‏ ...... ‎BE } NI OA > i 1‏ ‎NN Nn IN 1 H‏ ا { { ‎as eh ¥‏ ‎£y &Y‏ دك \ % ‎Er‏ ‎Hoo 1‏ وه سرس لس ‎Ed { Td‏ 3 ‎So 3 a :‏ \ 3 ‎rs Py 3‏ ‎I >‏ ! و 3 1 5 1 ‎a oo Zl Ed rd a a et Fe rd N‏ و ب بن ‎fo‏ ‎AA pis‏ صن ا ب ‎Fl ay ry i‏ ا ‎VT SY‏ و ‎tan i jess EA Aa‏ لت 0 و / 1 0 ‎Fd‏ 7 0 : 7 > ‎i Es‏ >" ‎aT‏ و اا سسا 140 ب ‎th‏ ‎H 0‏ و ب 0 2 اران لك مر مجرتي رم لت با ب نب لو ال سك لك لبد ع ل ل مرحي لمي لالع ال مر يبلن الع الم لس ب كل ار ا عن أ أ ا ‎S50 3 1‏ اليا ‎Ey‏ : > الك لاا ا 0 تعش ‎Rafe ENG A‏ 3 اي كيك ‎A : aN‏ ا ل

   ‎a . +‏ 4 5 8 5 1 0 5 : 5 : ٍ : { 1 : { 1 ‎£Y sp 9% ov 2%‏ شكل ‎١١‏ ‎wo‏ ¥ 8 0 : ‎E‏ 3 تْ $ ‎Nom > H A‏ : ا # > اراي الوح يي ره ام دي اد ار دن اع نه اد دن حي مر مه ‎i‏ رحا م ‎Te ri npn‏ رن ‎aman ame ne‏ حو > ‎PRUEEIAIL‏ ا ‎RR‏ 0 واي موي ‎ER rt‏ . ‎Sine, | EE‏ ال ‎Ni PA‏ ‎preted ZL SSE SIN La ery‏ ا ا ‎ne‏ لاع ‎TS Tb A‏ ا ا ‎FL TE PIN Te, Tn‏ 1 ‎a re + at‏ و 0 ا اا ‎CE I‏ > الي ا 0 لي اا تك ا 3 1 8 :0 £4 2 ْ ا احلا 8 > 3 3 8 ا الاب ب > ‎BS i 5 pS SN BON AN 0 hN‏ > < الك ل >“ اخ اح اك اح اح ا اح ل اح اخ ا“ انك اح اخ دح ‎TE TEE‏ لك ا نا د آذ ا ذا ا اد ‎١‏ ا عدم د ا نا ا لخدن ذا اخ اح اح الك 4 2 واي ام الا ‎kL t 3 ]‏ ‎rd :‏ السب 4# ‎E‏ ‎FESTUS... ATT J 4 0: !‏ © شكل ‎٠١‏

   Ho 4 i bi :

   8 . 1 ‏لين‎ 1 4 - ‏ف‎ sy ‏ل‎ T 1 3 ‏إْ‎ ٌ { 2 1 } H Po / ; i { 1 ‏لس لأا ييه‎ JRO. VE - ; FI i 1 3 ry yr ‏ال فلا٠١ الل اا ادام‎ HE GB 1 4 H 5 5 i £ | LJ Po JE. J 1 5 Foie a ‏ووو حت هلح‎ SP ‏و3‎ I RN rs SE dd Ta : FY RN 7 ch ‏سوا اي‎ i: ‏ا جب‎ AI 1 AN] 7 ‏إْ أ ل ا‎ HEN ‏ا ال اال‎ NN I 0 ; i Hii HN IR NEN NEN ‏ناسل‎ ‏"م‎ H 1 ‏ا ل ا ا ا‎ i ne Boar i i CO ENN ON NN ty A FEAR ‏ود اال ا‎ HOA NL ud er Re Ee EL EE 8 < = SEL To a YE ‏او اا لا ا‎ 1 NNR Rea NI EE 0 ‏ا‎ ‎£8 1 ‏ا إ‎ A ‏الب‎ NL ‏ل ال ال‎ i A SR NN ENN NEE ‏ا الأ‎ an PORNO EN tg : NL ‏ا أ ا اا اا اد ال اال ا‎ 4 ‏إ‎ a ‏ا ادا‎ A ‏ال ا اال‎ nd Ee ‏لد ال‎ NE ‏ل‎ ANN Lid LS EE Sa ‏الوا‎ a SaaS Ys Yee i PN Eo NO BN Lo ‏ل‎ i ‏ا اا ا ا‎ E a i ‏ل ا‎ ‏ال ةج؛*‎ AN LL : LL Nh Le 00 ‏ل‎ ‏ا 0 اا‎ NE Re ‏ل‎ Tod Fn SE LL ‏الل ا ا أ اي‎ © SAS ‏امد جا د د دما ا حب حت انر ا اا‎ ٍْ DUAN ‏ل‎ RE Vee 1 ‏خخ‎ NE Hi SIR NAN NE Ne aN Tei 2 Sob ‏ب ااا ا ا‎ i i, NN NEA INN RE Ne Lido EWN NL ol AT ‏ل . د‎ = LLY Wa SO ir i ‏ا اا الي‎ NN Ig : ENA ‏ا‎ - NN 8 ‏ا‎ ER WO LNG 1 : ENE ON Na SEAN Ne 13 i CURL EN CONGR Noy Ud ro RC FER RN SRS N CE HS a. PA SSN ‏ا‎ ENN ‏اي‎ Nay i Lid = aE Ve aN SE ‏ماج الح ا‎ a : NN NL 0 ‏ا د ا‎ SE Set sat ‏و‎ ‎1 ‏خخخ‎ I IN i SAN ENN 10 ‏إٍْ‎ 3 . a) Ra i NY NY “© Le i 18 J : ‏ال ال‎ EN NE EN A NaN NN i Eo \ Nn AN NO ‏ب ا‎ No 3 8 fn pe, 0 ‏ااي ل ا لإ ته ال ا ل‎ : nro HR Adar AN A ER La YER EIEN ik Hh T : 1 ١ : i ; fed . 1 bod ٍ ‏ذا‎ ‎3 ‎1 \ iY 3 0 £1 oY EE ١“ ‏شكل‎

   4 و ‎oe, 1‏ صو / ال ‎EI‏ ‎a piconet nee J‏ السك ‎A TT a‏ ال ا ميته : 5 ‎A Pn ay TT‏ ‎ree a‏ ‎rd a Pe ~N _— 2 res any‏ ‎es oe Vaal ¥ Tl a oF‏ ‎oo‏ 3 ابح ال لي ‎Pa Pads‏ ‎A RE IT yg‏ صر ‎es Fd res = % WP re oe‏ ‎spel To T A ATE‏ ره ا ب د ‎LA an pa‏ ‎oe -‏ ص - .~ ‎mi, a A‏ ل د م م ‎Ra Sy Ney Tre, hav Spell Co‏ ‎Pg‏ بن ‎Fe‏ ات انتب رعس ‎i‏ ا التي ا ‎or‏ نص ‎TE er”‏ ال الها سس ‎A‏

   ‏.~~ م ا ا . ‎c= Ret‏ ‎i i H Js i 0‏ 3 ‎be‏ 11 ‎J‏ ‎Ne ~~ SE Ng Ne SY‏ اناك البح لمحا ‎ed Fos‏ يج مسح ا ‎“i‏ ‏اسع ب لب + ااا مستي = يب ط ‎py SS.‏ ‎SE Pr a HN‏ ري م .سب ‎NS pa pd‏ سر 0 ار ات 3

   يي .تمه داق قدا ا 2 ا ال ااا داك ا الا ‎ho a‏ انح ‎Se ra Pats oe‏ اما ‎Pats pa gy AE‏ ال ا ‎I a‏ ا مر نل اليك ‎NSN oF es‏ ا و ‎RE SZ‏ ‎i Ee AE A‏ ‎SF ATI Pl NG Sa‏ ‎SE‏ يب الا الاي اتح ‎A ate fae‏ ني و ص ‎a‏ ام ا موك مسا ا ‎Cd‏ ‏اك ل ب ‎rs‏ الي ‎ros “es I‏ ‎oe A Es‏ جا لات ‎Tra‏ ‎Se ~~ op Pr Pa‏ ‎i Se en FE‏ ‎Fos‏ وا الا 3 الي ‎i aN‏ شار ال ‎fi Nap NT‏ / م اسح ‎Ta‏ 1 غء ‎it‏ اذ تنب[ ; ‎igo‏ ‎i Tg‏ ~~ ‎i } 2‏ ‎A 3 { JL‏ ب ‎i‏ د“ # ‎go‏

   ٠ 3 8 ٠ 1 3 pve Fu pr fay ‏الا‎ on ‏ور‎ ‏اران ال ان‎ NA ‏رجا‎ ‏ام ا الات الور‎ ‏حتت ار‎ ‏ا مه‎ yr 1 ‏لد‎

   ‎. ‏ا‎ NE po - 1 ‏ا العا‎ yd 3 VRAD yi. 4 i ps ; ‏ارا تمي محا‎ \ TN 7 “١ 4 Su NEL red bs ey Bin, hy AEE -- ‏ق‎ ‏ميا أ‎ Mn ra 8 0: A > ‏م‎ ‎1 ‏ا ا‎ Wr SE 0 ‏ل 7 اد الت‎ { ‏ال ال نا‎ ! NY 1 # J Ped 1 ‏ل‎ he ‏شكل‎ ‏مروسسيس سو‎ Qe Jui alt IA Ni “y oR 11 wf = 1 ‏م‎ ‏اين‎ 2 oF ‏ا‎ AN ‏ب‎ ‏ال ات اند‎ 8 7 Nn to bY ® i 1 ‏ب‎ ‏شكل ماج‎

   — 3 9 — w <1 ‏ل‎ nt AEN EN poi ‏ب<‎ ‏الخ حك ب‎ ‏جح ا‎ * 9 3 ‏إن المح تتا ا‎ Sy ‏ميج‎ ‏ب كوي ال 1 ا م‎ » 7 a ¥ I 33 0 ‏ب ا‎ 3 RE Ve os ‏ا‎ ‎Paty 4 ‏ا ل‎ NN Ne SR h AEE et NP ‏ري ا‎ 5 al 4 Ne RARE: FENN SG RSC I: ¥ Ve SN. ‏مرا‎ - Ea I ‏قالح | اما‎ ١١ * Sa ‏عند ب‎ ٠ ‏ا ا ا‎ SEE is AA % A] STN of EL aN ‏“ا مح رالا‎ 1 = ni 5 ~ % RETR ‏زاب‎ 4) PN Ye Va ISSN ts 3 : rer aly ‏ل بو ال‎ / “Se ‏الا‎ REE 0 ‏ل‎ 5 Pr ‏قي تت‎ 0 ‏ال اليد‎ Fog, Sr 0 ww RENN RX: 0 A Ny N pS rn 0 El > ‏حت يب‎ wal 1 ‏ل‎ 0 H NN 3 ‏ف‎ bed ‏سن‎ _ Es = ‏أس”‎ 1 A] = 0 I< 7 ‏لود سسسسسسلسد سوسس ات ين‎ ١ ‏؛!‎ + ‏ِب‎ ‎3 5 1 it * 14 ‏و أو ؟؟“‎ ‏ا اا تصني‎ gee ‏لات ا لل:ك>> ا‎ kN ; =) Bl & a 3 4 = Ee z ‏شكل‎

   ‏الل‎ | ٠ ‏نحة ا اللا و‎ ‏اللقلت قا ل د‎ |! ‏الت‎ i 0 ‏ين‎ fi AAA AAA AAA 1 oe ‏اي لي‎ H AT cag SIE AE ‏ححي‎ 1 ‏ات‎ ; 1 ١ ‏الح‎ ‏رح‎ H - I acti § i] ner re

   +. bl ١ : i i . ‏]أ ال‎ ٍ ‏ان‎

   ‎: . N : he el BEL aa ‏ا‎ i CS il SF I ‏و‎ | Hd ‏بيب‎ ‏ا‎ eT H Jp ‏سن‎ 1 — ye EH 4 1 ‏التي‎ |.. ‏رن .ا سسا‎ ٍ ‏الل‎ wap dd BREET Fo EER : teen i ha ‏نح‎ ‎* ١٠+ ‏شكل‎ a ¥ ty J 0 rom <<» ‏أ‎ ‎N ‏ص إٍْ‎ : 8 0 ‏ب‎ ‎: : H H £4 a ‏زو‎ I EE RE ‏صن الها‎ ‏الا ا الاسم ام‎ a % “Na \ vo ‏ين م‎ 0 5 ‏ألا‎ 0 ٍ YN 3 - ‏زر ا‎ ra AY _— a oh & FN 1 i a, Jey we ! Lo 2 a Pal Se ‏ا 1 يح‎ TF No 2 ‏ا‎ Hy | ‏م م‎ 0 i Rae A nf BS COMUNE OPER. : ‏بن‎ 3 / 7 AF 0 { NN SOA ‏م 4 م‎ ب٠‎ SOROS 5 ‏اسمن‎ ‎1 ‏از الا اا الا من ل ام بك‎ 2 0 : ‏ب م م م م ا‎ > ًً 8 rd ‏ون ا‎ Fz of 7 ‏ب م‎ > ٍ N A ‏ل‎ ‏و ري ا‎ rd re 3 0 % a FA ‏م‎ x \ 3 8 ‏وبا‎ ‏مج ركبا ادص‎ SREP 1 ‏حمل ااا‎ ad er pe cot ‏ب‎ VOR so SAL | ‏وح‎ ‎4 oo 8 i 1 ye ‏ب‎ ‏اي‎ RY : 1 ‏تت 7 د م‎ ‏ب‎ bi 1 H ‏م‎ ‏ا ص د ب‎ َ ea ‏ب< كك ا خض‎ h ‏ار امن‎ id a { oT kN ™ X Se Pr LTS ‏م‎ 3 oo ‏ا رم ا مم الي يات‎ i AUR 3 ‏ب‎ i 9 ‏ا‎ ‎> x oe : Spain ey oi Se 3 Fd kN ‏مي‎ i Ry ne 1 { Ton J ¢ ‏ال “عجوي لجح‎ - pe an = 3 Ne 0 . ‏م‎ yo xX ‏ا من تي‎ TT LL ef rd ‏او ا‎ ¢ BN ~ 5 ad 5 : N ‏ب ا‎ Fe a 2 fo I. “ae, i A ‏ب‎ 1 : 1 ٌ i ! : 7 pn ‏إْ : م‎ 1 i th ‏را‎ ‏شا ا كز‎ Ne oT ‏ض | اج‎ 3 y _— 1 ‏المي لتكت‎ EP ‏م‎ ‏ا بي‎ 1 I eT fod 7 FRY ‏إ‎ ‎Cu ‏ل‎ Fr ١ ‏ليسي ل ثم‎ ELE ‏باس الا ل‎ EN nnn] - ١» hdd bd dd | k i ; bi ‏الثتتتئتن)‎ + - 3 : wunnanl Lo jenununiB ‏ا ا لع بع‎ hina nnniil Umm} : ‏اللا نا‎ ‏ا اللا الل‎ fbb LIAR ‏لاطا : 7 الاج‎ E ¢ } x i ; 2 1 ‏ا[‎ ‎{ 1 i 0 ‏ا‎ 1 ‏ا أل ا‎ 0 ‏ا 8 ؟!‎ i ¥ Ty ‏اض‎ ٠ب‎ yp YA ( ‏شكا‎ ْ

   *. LI

   لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا ‎Sued Authority for intallentual Property‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § 8 ‎Ss o‏ + < م ‎SNE‏ اج > عي كي الج ‎TE I UN BE Ca‏ ‎a‏ ةا ‎ww‏ جيثة > ‎Ld Ed H Ed - 2 Ld‏ وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. ‎Ad‏ ‏صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ v=‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏