Claims (39)
1. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.1. A method of marking the surface of a gemstone, comprising forming a marking using a focused ion beam, in which the marking is invisible to the naked eye.
2. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, причем, по существу, без распыления, в котором маркировка невидима невооруженным глазом. 2. A method of marking a surface of a gemstone, comprising forming a marking using a focused ion beam, and essentially without spraying, in which the marking is invisible to the naked eye.
3. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, в котором маркировка невидима невооруженным глазом. 3. A method of marking the surface of a diamond, including forming a marking using a focused ion beam, in which the marking is invisible to the naked eye.
4. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, причем, по существу, без распыления, в котором маркировка невидима невооруженным глазом. 4. A method of marking the surface of a diamond, comprising forming a mark using a focused ion beam, and essentially without spraying, in which the marking is invisible to the naked eye.
5. Способ по п. 1 или 2, в котором драгоценный камень представляет собой драгоценный камень из карбида кремния. 5. The method according to claim 1 or 2, in which the gemstone is a gemstone made of silicon carbide.
6. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части упомянутого драгоценного камня для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, используя окисляющий реагент. 6. A method of marking a surface of a gemstone, comprising the steps of irradiating at least a portion of said gemstone to form a disordered layer thereon and remove said disordered layer using an oxidizing reagent.
7. Способ по п. 6, в котором драгоценный камень представляет собой драгоценный камень из карбида кремния. 7. The method of claim 6, wherein the gemstone is a silicon carbide gemstone.
8. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части алмаза для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, используя окисляющий реагент. 8. A method for marking a diamond surface, comprising the steps of irradiating at least a portion of the diamond to form a disordered layer thereon and remove said disordered layer using an oxidizing reagent.
9. Способ по любому из пп. 6-8, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя ионный пучок. 9. The method according to any one of paragraphs. 6-8, in which a gem or diamond is irradiated using an ion beam.
10. Способ по п. 9, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя сфокусированный ионный пучок. 10. The method of claim 9, wherein the gem or diamond is irradiated using a focused ion beam.
11. Способ по п. 9, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя сфокусированный ионный пучок, причем, по существу, без распыления. 11. The method according to p. 9, in which a gem or diamond is irradiated using a focused ion beam, and essentially without spraying.
12. Способ по любому из пп. 1-5, в котором поверхности драгоценного камня или алмаза облучают с помощью упомянутого сфокусированного ионного пучка для образования на нем разупорядоченного слоя, а упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя окисляющий реагент. 12. The method according to any one of paragraphs. 1-5, in which the surface of the gem or diamond is irradiated with said focused ion beam to form a disordered layer thereon, and said disordered layer is removed using an oxidizing reagent.
13. Способ по любому из пп. 6-12, в котором окисляющий реагент представляет собой, по меньшей мере, одно соединение с формулой XnYm, где группа Х-Li+, Na+, К+, Rb+, Cs+ или другой катион, а группа Y-ОН-, NО3 -, O2 2-, О2-, СО3 2 или другой анион; целые числа n и m используются для поддержания баланса зарядов.13. The method according to any one of paragraphs. 6-12, in which the oxidizing reagent is at least one compound with the formula XnYm, where the group X-Li + , Na + , K +, Rb + , Cs + or another cation, and the group Y-OH - , NO 3 - , O 2 2- , O 2- , CO 3 2 or another anion; the integers n and m are used to maintain charge balance.
14. Способ по любому из пп. 6-12, в котором окисляющий реагент представляет собой нитрат калия. 14. The method according to any one of paragraphs. 6-12, in which the oxidizing reagent is potassium nitrate.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части драгоценного' камня или алмаза ионным пучком для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, по существу, покрывая разупорядоченный слой расплавленным нитратом калия. 15. The method according to any one of the preceding paragraphs, comprising the steps of irradiating at least a portion of the gemstone or diamond with an ion beam to form a disordered layer thereon and remove said disordered layer, essentially coating the disordered layer with molten potassium nitrate.
16. Способ по любому из пп. 1-5, в котором поверхность драгоценного камня или алмаза облучают с помощью упомянутого сфокусированного ионного пучка для образования на нем разупорядоченного слоя, а упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя кислоту. 16. The method according to any one of paragraphs. 1-5, in which the surface of the gemstone or diamond is irradiated with said focused ion beam to form a disordered layer thereon, and said disordered layer is removed using acid.
17. Способ по любому из пп. 6-12, в котором упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя окисляющий реагент, растворенный в кислоте. 17. The method according to any one of paragraphs. 6-12, wherein said disordered layer is removed using an oxidizing agent dissolved in acid.
18. Способ по п. 17, в котором упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя нитрат калия, растворенный в кислоте. 18. The method of claim 17, wherein said disordered layer is removed using potassium nitrate dissolved in acid.
19. Способ по любому из пп. 1-5 и 9-18, включающий покрытие упомянутой поверхности электропроводящим слоем до операции формирования маркировочного знака. 19. The method according to any one of paragraphs. 1-5 and 9-18, including coating said surface with an electrically conductive layer prior to the operation of forming the mark.
20. Способ по п. 19, в котором слой представляет собой слой золота. 20. The method according to p. 19, in which the layer is a layer of gold.
21. Способ по любому из пп. 1-5 и 9-18, в котором область, на которую наносится маркировка, облучают пучком ионов с низкой энергией до формирования маркировочного знака для того, чтобы модифицировать поверхность алмаза так, чтобы она стала электропроводящей. 21. The method according to any one of paragraphs. 1-5 and 9-18, in which the region on which the marking is applied is irradiated with a low-energy ion beam to form a mark in order to modify the surface of the diamond so that it becomes electrically conductive.
22. Способ по пп. 1-5 и 9-18, в котором маркируемая область одновременно облучается с использованием устройства для нейтрализации электрического заряда. 22. The method according to PP. 1-5 and 9-18, in which the marked area is simultaneously irradiated using a device to neutralize an electric charge.
23. Способ по любому из пп. 1-5 и 9-22, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не более, чем примерно 1017/см2.23. The method according to any one of paragraphs. 1-5 and 9-22, in which a mark is formed at a radiation dose of not more than about 10 17 / cm 2 .
24. Способ по п. 23, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не более, чем примерно 1016/см2.24. The method according to p. 23, in which a mark is formed at a radiation dose of not more than about 10 16 / cm 2 .
25. Способ по п. 23, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не более, чем примерно 1015/см2.25. The method according to p. 23, in which a mark is formed at a radiation dose of not more than about 10 15 / cm 2 .
26. Способ по п. 23, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не менее, чем примерно 1014/см2.26. The method according to p. 23, in which a mark is formed at a radiation dose of not less than about 10 14 / cm 2 .
27. Способ по п. 23, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не менее, чем примерно 1013/см2.27. The method according to p. 23, in which a mark is formed at a radiation dose of not less than about 10 13 / cm 2 .
28. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки примерно 10-70 нм. 28. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the depth of the marking is approximately 10-70 nm.
29. Способ по п. 28, в котором глубина маркировки составляет примерно 20-50 нм. 29. The method according to p. 28, in which the depth of the marking is approximately 20-50 nm.
30. Способ по п. 28, в котором глубина маркировки составляет примерно 20-30 нм. 30. The method according to p. 28, in which the depth of the marking is approximately 20-30 nm.
31. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит знаки, высота которых примерно 50 мкм. 31. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking contains characters whose height is approximately 50 microns.
32. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит линии шириной примерно 2-3 мкм. 32. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking contains lines with a width of about 2-3 microns.
33. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки составляет не более, чем примерно 100 нм. 33. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the depth of the marking is not more than about 100 nm.
34. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит линии, для которых отношение ширины к глубине больше, чем примерно 20: 1. 34. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking contains lines for which the ratio of width to depth is greater than about 20: 1.
35. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка представляет собой информационную маркировку. 35. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking is an information marking.
36. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка невидима глазом при использовании лупы с 10-кратным увеличением. 36. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking is invisible to the eye when using a magnifier with a 10x magnification.
37. Способ по любому из пп. 6-36, в котором маркировка невидима невооруженным глазом. 37. The method according to any one of paragraphs. 6-36, in which the marking is invisible to the naked eye.
38. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка наносится на отшлифованную грань драгоценного камня или алмаза. 38. The method according to any one of the preceding paragraphs, in which the marking is applied to the polished face of a gem or diamond.
39. Драгоценный камень иди алмаз, на который нанесена маркировка с помощью способа по любому из предыдущих пунктов. 39. Gemstone go diamond marked with the method according to any of the preceding paragraphs.