RU2427041C2 - Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark - Google Patents
Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark Download PDFInfo
- Publication number
- RU2427041C2 RU2427041C2 RU2009117433/05A RU2009117433A RU2427041C2 RU 2427041 C2 RU2427041 C2 RU 2427041C2 RU 2009117433/05 A RU2009117433/05 A RU 2009117433/05A RU 2009117433 A RU2009117433 A RU 2009117433A RU 2427041 C2 RU2427041 C2 RU 2427041C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- image
- mark
- diffraction
- technological layer
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims description 22
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 19
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002372 labelling Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000016776 visual perception Effects 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- -1 sodium nitride Chemical class 0.000 description 3
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/0005—Adaptation of holography to specific applications
- G03H1/0011—Adaptation of holography to specific applications for security or authentication
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/024—Hologram nature or properties
- G03H1/0244—Surface relief holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/0276—Replicating a master hologram without interference recording
- G03H2001/0292—Replicating a master hologram without interference recording by masking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/22—Processes or apparatus for obtaining an optical image from holograms
- G03H1/2202—Reconstruction geometries or arrangements
- G03H2001/2223—Particular relationship between light source, hologram and observer
- G03H2001/2231—Reflection reconstruction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2224/00—Writing means other than actinic light wave
- G03H2224/04—Particle beam, e.g. e-beam
Abstract
Description
Изобретение относится к ценным изделиям, преимущественно драгоценным камням (в частности, ограненным алмазам - бриллиантам), средствам и способам их маркировки, которая является необходимой для целей обеспечения возможности осуществления последующей идентификации маркированных изделий.The invention relates to valuable products, mainly precious stones (in particular, faceted diamonds - diamonds), means and methods for marking them, which is necessary for the purpose of ensuring the possibility of subsequent identification of marked products.
Из уровня техники известны способ формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий и ценное изделие (драгоценный камень - ограненный алмаз) с ее использованием, согласно которым маркируемую поверхность изделия предварительно полируют и наносят на нее удаляемый после формирования метки вспомогательный технологический слой. Через упомянутый технологический слой на маркируемой полированной поверхности создают оптически визуализируемое в отраженном свете под углом дифракции изображение метки в виде дифракционной структуры. В частности, в виде микроштрихов синусоидального профиля, в совокупности образующих дифракционное растровое изображение метки. Упомянутую дифракционную структуру организуют преимущественно по типу отражательной фазовой дифракционной решетки и формируют посредством ионного травления полированной поверхности изделия совместно со структурой упомянутого технологического слоя. Причем время экспонирования, тип и энергию ионов выбирают из условия обеспечения формирования на маркируемой поверхности таких микроструктур упомянутой дифракционной структуры (функционально образующей изображение метки), размеры которых не превышают допустимую величину микронеровностей в общепринятой технологии полировки драгоценных камней, преимущественно алмазов (RU, 221565902, 2003 г.).The prior art method of forming an identification tag for marking valuable products and a valuable product (gemstone - faceted diamond) with its use, according to which the marked surface of the product is pre-polished and applied to it is removed after the formation of the tag auxiliary technological layer. Through the mentioned technological layer on the marked polished surface an image of the mark in the form of a diffractive structure is optically visualized in reflected light at an angle of diffraction. In particular, in the form of microstrikes of a sinusoidal profile, which together form a diffraction raster image of the label. Said diffraction structure is organized predominantly by the type of reflective phase diffraction grating and is formed by ion etching of the polished surface of the article together with the structure of said technological layer. Moreover, the exposure time, type and energy of ions are selected from the condition of ensuring the formation of such microstructures of the mentioned diffraction structure (functionally forming the image of the mark) on the marked surface, the dimensions of which do not exceed the allowable microroughness in the conventional technology of polishing precious stones, mainly diamonds (RU, 221565902, 2003 g.).
Таким образом, на полированной поверхности образуют оптически видимое (с помощью специальных оптических средств при обязательном увеличении изображения метки) в отраженном под углом дифракции свете изображение метки. Изображение образуют путем сканирования по заданной программе маркируемой области полированного слоя изделия сфокусированным ионным пучком с энергией ионов больше 10 кэВ, преимущественно 30-50 кэВ. В результате этого изменяют геометрическую структуру полированного слоя изделия с обеспечением изменения оптических свойств структурированной области по отношению к ее исходным свойствам, соответствующим оптическим свойствам необработанных участков полированной поверхности.Thus, on a polished surface they form an optically visible (with the help of special optical means with mandatory enlargement of the mark image) in the light reflected at the diffraction angle of the mark image of the mark. The image is formed by scanning according to a given program the marked area of the polished product layer with a focused ion beam with an ion energy of more than 10 keV, mainly 30-50 keV. As a result of this, the geometric structure of the polished layer of the product is changed to ensure that the optical properties of the structured region change with respect to its initial properties corresponding to the optical properties of the unprocessed portions of the polished surface.
Предварительно на полированную поверхность алмаза наносят тонкий вспомогательный технологический слой проводящего материала (например, золота) для снятия заряда, образующегося на его поверхности от воздействия ионного пучка. Изображение метки формируют посредством непрерывного сканирования структурируемой области сфокусированным ионным пучком по заданной программе, посредством которого (т.е. ионного пучка) разрушают связи между соседними атомами кристаллических решеток, с последующим химическим травлением этой области сильным окислителем, например нитридом натрия, и частичным удалением материала поверхностного слоя изделия.Previously, a thin auxiliary technological layer of a conductive material (for example, gold) is applied to the polished surface of the diamond to remove the charge formed on its surface from the action of the ion beam. The image of the mark is formed by continuous scanning of the structured region with a focused ion beam according to a predetermined program, by which (i.e., an ion beam) the bonds between adjacent atoms of the crystal lattices are destroyed, followed by chemical etching of this region with a strong oxidizing agent, such as sodium nitride, and partial removal of the material surface layer of the product.
К недостаткам данных известных из уровня техники способа формирования идентификационной метки и ценного изделия с ее использованием целесообразно отнести следующее.The disadvantages of the known from the prior art method of forming an identification tag and a valuable product using it, it is advisable to include the following.
В связи с тем, что структурирование полированной поверхности изделия осуществляют путем непрерывного сканирования по заданной программе формирующей изображение метки области поверхностного слоя изделия сфокусированным ионным пучком, невозможно получить высокую точность формируемого изображения на. То есть, точность в части взаимного расположения микроструктур в дифракционной структуре и тем более правильной, идентичной для всех микроструктур, штрихов с синусоидальной формой их профиля. Объясняется это тем, что сканирование осуществляется длительный отрезок времени, в течение которого могут изменяться внешние условия (появление вибрации, изменение и/или появление внешних электромагнитных и электростатических полей и т.п.), негативно влияющие на стабильность реализуемых точностных параметров при осуществлении рассматриваемого технологического процесса ионного травления. В результате низкой технологической точности резко снижается контрастность изображения метки при ее визуализации в отраженном под углом дифракции свете, вследствие проявления дифракции второго и более высоких порядков. Следовательно, для получения необходимой контрастности при визуализации метки необходимо увеличивать глубину микроструктур (микроштрихов) в дифракционной структуре, формирующей изображение, что нежелательно как в связи со значительным ухудшением исходных эстетических свойств, так и в связи со снижением рыночной стоимости изделия. В этом случае приходится уменьшать размеры метки таким образом, чтобы без увеличения она не была видна.Due to the fact that structuring of the polished surface of the product is carried out by continuous scanning according to a given program forming the image of the label of the region of the surface layer of the product with a focused ion beam, it is impossible to obtain high accuracy of the generated image on. That is, the accuracy in terms of the relative position of the microstructures in the diffraction structure and, moreover, the correct one, identical for all microstructures, of strokes with a sinusoidal shape of their profile. This is explained by the fact that scanning is carried out for a long period of time during which external conditions (appearance of vibration, change and / or appearance of external electromagnetic and electrostatic fields, etc.) that negatively affect the stability of the implemented accuracy parameters during the implementation of the technological ion etching process. As a result of low technological accuracy, the contrast of the image of the mark decreases sharply when it is visualized in light reflected at an angle of diffraction, due to the manifestation of diffraction of the second and higher orders. Therefore, in order to obtain the necessary contrast when marking, it is necessary to increase the depth of microstructures (microstrikes) in the diffraction structure that forms the image, which is undesirable both in connection with a significant deterioration in the initial aesthetic properties and in connection with a decrease in the market value of the product. In this case, it is necessary to reduce the size of the mark so that without an increase it was not visible.
Кроме того, по мере испарения вспомогательного технологического проводящего слоя ухудшается эффективность отвода статического заряда, в результате чего происходит частичная расфокусировка и некоторое смещение ионного пучка от заданной траектории сканирования. Следствием этого является снижение точностных показателей вышеописанного технологического процесса.In addition, as the auxiliary technological conducting layer evaporates, the efficiency of removal of the static charge deteriorates, resulting in partial defocusing and some shift of the ion beam from a given scanning path. The consequence of this is a decrease in accuracy indicators of the above process.
Косвенным недостатком известной из уровня техники метки и способа ее реализации являются и соответствующие сложности технологического процесса структурирования. Объясняется это тем, что сфокусированный ионный пучок с необходимой для травления на указанную глубину энергией ионов можно получать и использовать лишь в высоком вакууме (менее 10-6 Тор). Кроме того, в способе необходимо использовать трудоемкий и нежелательный с экологической точки зрения процесс травления, в котором сначала кислотой удаляют слой золота, а затем используется нитрид натрия при температуре 380-550 градусов Цельсия в течение часа для удаления материала с частично разрушенными межатомными связями.An indirect disadvantage of the label known from the prior art and the method for its implementation are the corresponding complexity of the structuring process. This is explained by the fact that a focused ion beam with the ion energy necessary for etching to a specified depth can be obtained and used only in high vacuum (less than 10 -6 Torr). In addition, it is necessary to use a laborious and environmentally undesirable etching process in which the gold layer is first removed with acid and then sodium nitride is used at a temperature of 380-550 degrees Celsius for an hour to remove material with partially broken interatomic bonds.
Кроме того, минимизация геометрических размеров формируемой метки (до размеров невидимых невооруженным глазом без дополнительного увеличения специальными оптическими средствами) влечет за собой снижение до минимума дифракционной эффективности метки вследствие недостаточного количества дифракционных структур, которые возможно разместить в пределах ее площади. Так, например, невидимая (без увеличения) невооруженным глазом метка (реализуемая посредством рассматриваемого технического решения) должна иметь линейные размеры порядка 3-10 мкм. Известно, что характерный период штрихов в дифракционной решетке, обеспечивающей качественный дифракционный эффект, составляет 0,5-2 мкм. Причем количественный порядок штрихов должен составлять десятки сотен штук. Простой математический расчет показывает, что в пределах площади известной из уровня техники метки в предельном случае можно разместить не более двадцати микроштрихов с шагом 0,5 мкм, что явно недостаточно для обеспечения необходимого для визуализации метки под углом дифракции в отраженном свете дифракционного (и тем более на уровне голографического) эффекта. В этом случае для увеличения эффективности дифракционного эффекта приходится увеличивать глубину штрихов.In addition, minimization of the geometrical dimensions of the formed mark (to the sizes invisible to the naked eye without additional increase by special optical means) entails a reduction in the minimum diffraction efficiency of the mark due to the insufficient number of diffraction structures that can be placed within its area. So, for example, an invisible (without magnification) with the naked eye mark (realized by the considered technical solution) should have linear dimensions of the order of 3-10 microns. It is known that the characteristic period of strokes in the diffraction grating, which provides a high-quality diffraction effect, is 0.5–2 μm. Moreover, the quantitative order of strokes should be tens of hundreds of pieces. A simple mathematical calculation shows that within the area of the mark known from the prior art, in the limiting case, no more than twenty microstrikes with a pitch of 0.5 μm can be placed, which is clearly not enough to provide the mark necessary for visualizing at a diffraction angle in diffracted light (and even more so at the level of the holographic) effect. In this case, to increase the efficiency of the diffraction effect, it is necessary to increase the depth of the strokes.
Таким образом, вышеперечисленные недостатки ограничивают область использования известных из уровня техники способа реализации идентификационной метки и ценного изделия с ее использованием.Thus, the above disadvantages limit the scope of use of the method known from the prior art for implementing an identification tag and a valuable product using it.
В основу заявленного изобретения была положена задача расширения области использования способа формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий путем создания на маркируемой поверхности долговечной, цветной, оптически видимой в отраженном под углом дифракции свете метки с высокой контрастностью при минимизации ухудшения качества полировки маркируемой поверхности. То есть, минимизации глубины микроштрихов, необходимой для проявления качественного дифракционного эффекта визуализации метки невооруженным глазом, голографической точности формы дифракционных структур (микроштрихов) и абсолютной точности и идентичности их синусоидального профиля, в совокупности обеспечивающих устранения высших порядков дифракции.The basis of the claimed invention was the task of expanding the field of use of the method of forming an identification mark for marking valuable products by creating on the marked surface a durable, high-contrast, optically visible, high-contrast mark on the marked light at the diffraction angle while minimizing the deterioration in the quality of polishing of the marked surface. That is, minimizing the depth of microstrikes necessary for the manifestation of a high-quality diffraction effect of label visualization with the naked eye, the holographic accuracy of the shape of diffraction structures (microstrikes) and the absolute accuracy and identity of their sinusoidal profile, which together ensure the elimination of higher diffraction orders.
Техническим результатом заявленных технических решений является повышение контрастности метки вследствие обеспечения возможности формирования микроструктур дифракционной структуры (образующей изображение метки) с максимально высокой степенью точности. То есть, с голографической точностью, обеспечиваемой интерферирующими когерентными лазерными пучками, используемыми в технологическом процессе изготовления метки, как в отношении геометрии этих микроструктур, так и в отношении их взаимного пространственного расположения. При этом абсолютно исключено влияние внешних факторов (например, вибрации, внешних электромагнитных и электростатических полей и т.п.) на точность формирования упомянутых дифракционных микроструктур, т.к. время воздействия лазерных лучей на материал вспомогательного технологического слоя составляет несколько наносекунд (приблизительно 2 нсек). Следствием повышения точности является обеспечение возможности минимизации глубины микроструктур дифракционной структуры без ухудшения контрастности изображения метки при ее визуализации под углом дифракции в отраженном свете. При этом обеспечивается невидимость метки при наблюдении ее с десятикратным увеличением под углами, отличными от дифракционных, не за счет малых геометрических размеров метки, как в прототипе, а за счет малой глубины (10 нм и менее) и правильности (гладкости) синусоидальных микроструктур, которые имеют только первый порядок дифракции. Сравнительно большие геометрические размеры метки, в заявляемом случае, голографически точных дифракционных структур увеличивают дифракционную эффективность за счет большего числа сфазированных микроштрихов. Это позволяет существенно уменьшить глубину отдельного микроштриха и тем самым сделать метку невидимой во всех углах наблюдения, кроме дифракционных.The technical result of the claimed technical solutions is to increase the contrast of the mark due to the possibility of forming microstructures of the diffraction structure (forming the image of the mark) with the highest possible degree of accuracy. That is, with the holographic accuracy provided by the interfering coherent laser beams used in the manufacturing process of the mark, both in relation to the geometry of these microstructures and to their relative spatial arrangement. In this case, the influence of external factors (for example, vibration, external electromagnetic and electrostatic fields, etc.) on the accuracy of the formation of the mentioned diffraction microstructures is absolutely excluded. the exposure time of laser beams to the material of the auxiliary technological layer is several nanoseconds (approximately 2 nsec). The consequence of increasing the accuracy is to ensure that the depth of the microstructures of the diffraction structure can be minimized without compromising the contrast of the image of the mark when it is visualized at the diffraction angle in reflected light. This ensures the invisibility of the mark when observing it with a tenfold increase at angles other than diffraction, not due to the small geometric dimensions of the mark, as in the prototype, but due to the shallow depth (10 nm or less) and the correctness (smoothness) of sinusoidal microstructures, which have only the first diffraction order. The relatively large geometric dimensions of the label, in the present case, of holographically accurate diffraction structures increase diffraction efficiency due to a larger number of phased microstrikes. This allows you to significantly reduce the depth of an individual microstroke and thereby make the mark invisible in all observation angles, except for diffraction ones.
Углы наблюдения изображения такой метки, соответствующие углам дифракции падающего света на образованной дифракционной структуре, могут существенно отличаться от направления зеркального отражения падающего излучения (излучения подсветки). В результате этого возможен режим наблюдения метки с повышенным контрастом изображения, т.е. наблюдение подсвеченной метки на темном фоне остальной части поверхности.The viewing angles of the image of such a mark, corresponding to the diffraction angles of the incident light on the formed diffraction structure, can differ significantly from the direction of specular reflection of the incident radiation (backlight radiation). As a result of this, a mark observation mode with increased image contrast, i.e. observing a highlighted mark on a dark background of the rest of the surface.
В качестве дополнительного технического результата можно отметить улучшение дисперсионных свойств изделия (в частности, драгоценного камня) при наличии на его маркируемой поверхности заявленной метки. Особенно наглядно этот эффект проявляется при выполнении метки на всей площади маркируемой поверхности (например, грани бриллианта - ограненного природного алмаза).As an additional technical result, we can note the improvement of the dispersion properties of the product (in particular, gemstone) in the presence of the declared mark on its marked surface. This effect is especially evident when marking on the entire area of the marked surface (for example, a diamond facet - a faceted natural diamond).
Поставленная задача в отношении объекта «способ» по п.п.1-6 формулы изобретения решается посредством того, что в способе формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий, согласно которому: маркируемую поверхность предварительно полируют и наносят на нее удаляемый после формирования метки вспомогательный технологический слой, через который на маркируемой полированной поверхности создают оптически визуализируемое в отраженном свете под углом дифракции изображение метки в виде дифракционной структуры, в частности микроштрихов синусоидального профиля, в совокупности образующих дифракционное растровое изображение метки; упомянутую дифракционную структуру организуют преимущественно по типу отражательной фазовой дифракционной решетки и формируют посредством ионного травления полированной поверхности изделия совместно со структурой упомянутого технологического слоя; причем время экспонирования, тип и энергию ионов выбирают из условия обеспечения формирования на маркируемой поверхности таких микроструктур упомянутой дифракционной структуры, функционально образующей изображение метки, размеры которых не превышают допустимую величину микронеровностей в общепринятой технологии полировки драгоценных камней, преимущественно алмазов, согласно изобретению перед образованием на маркируемой поверхности оптически визуализируемого изображения метки во вспомогательном технологическом слое формируют пространственную дифракционную структуру в виде регулярного микрорельефа синусоидального профиля путем обеспечения абляции (испарения) материала этого слоя посредством, по меньшей мере, одного импульса интерферирующих пучков когерентного лазерного излучения; в результате этого в технологическом слое образуют дифракционную пространственную структуру с голографической точностью, преимущественно организованную по типу отражательной фазовой дифракционной решетки; упомянутую пространственную структуру формируют путем частичного удаления материала технологического слоя в пределах его толщины; оптически визуализируемое изображение метки в виде дифракционной структуры на маркируемой поверхности также образуют с голографической точностью, обеспечиваемой посредством упомянутых интерферирующих когерентных лазерных пучков; для этого осуществляют экспонирование широким ионным пучком сформированной в технологическом слое пространственной дифракционной структуры.The problem with the object "method" according to
Целесообразно в технологическом цикле формирования метки использовать маску-трафарет с изображением метки, а ограниченную маской-трафаретом часть сформированной в технологическом слое пространственной дифракционной структуры использовать в качестве маскирующего слоя при экспонировании.It is advisable to use a stencil mask with the image of the mark in the technological cycle of marking, and use the part of the spatial diffraction structure formed in the technological layer as the masking layer during exposure when it is limited by the mask mask.
Маску-трафарет с изображением метки можно использовать:The mask mask with the image of the label can be used:
- на этапе формирования технологического слоя, посредством чего образуют технологический слой в виде сплошного изображения метки;- at the stage of formation of the technological layer, whereby form the technological layer in the form of a continuous image of the label;
- на этапе формирования пространственной дифракционной структуры синусоидального профиля в сплошном технологическом слое, посредством чего упомянутую пространственную структуру формируют исключительно на площади изображения метки;- at the stage of formation of the spatial diffraction structure of the sinusoidal profile in the continuous technological layer, whereby said spatial structure is formed exclusively on the area of the image of the label;
- на этапе экспонирования широким ионным пучком сформированной в технологическом слое пространственной дифракционной структуры синусоидального профиля, посредством чего на маркируемой поверхности изделия формируют изображение метки в виде дифракционной структуры с голографической точностью.- at the stage of exposure with a wide ion beam of a sinusoidal profile formed in the technological layer of the spatial diffraction structure, whereby a mark image is formed on the marked surface of the product in the form of a diffraction structure with holographic accuracy.
Оптимально расчетную толщину технологического слоя выбирают с учетом упомянутой допустимой величины микронеровностей, регламентируемой общепринятой технологией полировки драгоценных камней.Optimally, the estimated thickness of the technological layer is selected taking into account the mentioned allowable size of microroughness, regulated by the generally accepted technology of polishing precious stones.
Поставленная задача в отношении объекта «устройство» по п.7 формулы изобретения решается посредством того, что в ценном изделии, преимущественно драгоценном камне, имеющем полированную поверхность с маркировкой, выполненной в виде идентификационной метки, изображение которой организовано по типу дифракционной структуры, согласно изобретению идентификационная метка конструктивно-геометрически организована в соответствии со способом по любому из п.п.1-6 формулы изобретения.The problem in relation to the object "device" according to
Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволил установить, что не обнаружены аналоги, характеризующиеся признаками и связями между ними, идентичными всем существенным признакам заявленных технических решений, а выбранный из выявленных аналогов прототип как наиболее близкий по совокупности признаков аналог позволил выявить совокупность существенных (по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату) отличительных признаков в заявленных объектах изобретения, изложенных в формуле изобретения.The analysis of the prior art by the applicant, including a search by patent and scientific and technical sources of information and identification of sources containing information about analogues of the claimed invention, made it possible to find that no analogues were found that are characterized by signs and relationships between them, identical to all the essential features of the claimed technical solutions, and the prototype selected from the identified analogs as the closest analogue in terms of the totality of features made it possible to identify the essential set (with respect to proposed by the applicant the technical result) of the distinguishing features in the claimed objects of the invention set forth in the claims.
Следовательно, заявленное техническое решение соответствует условию патентоспособности «новизна» по действующему законодательству.Therefore, the claimed technical solution meets the condition of patentability "novelty" under the current law.
Для проверки соответствия заявленных объектов изобретения требованию условию патентоспособности «изобретательский уровень» заявитель провел дополнительный поиск известных технических решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленных объектов, результаты которого показывают, что заявленные объекты изобретения не следуют для специалиста явным образом из известного уровня техники, поскольку из уровня техники, определенного заявителем, не выявлено влияние предусматриваемых существенными признаками заявленных технических решений преобразований на достижение усматриваемого заявителем технического результата.To check the conformity of the claimed objects of the invention to the patentability requirement “inventive step”, the applicant conducted an additional search for known technical solutions in order to identify features that match the distinctive features of the claimed objects, the results of which show that the claimed objects of the invention do not explicitly follow from the well-known prior art, since from the prior art determined by the applicant, the influence of the envisaged entities has not been identified ennymi features of the claimed technical solutions transformation to achieve a technical result sees the applicant.
В частности, в заявленных объектах изобретения не предусматриваются следующие преобразования известного объекта-прототипа:In particular, the claimed objects of the invention do not provide for the following transformations of the known prototype object:
- дополнение известного объекта каким-либо известным признаком, присоединяемым к нему по известным правилам, для достижения технического результата, в отношении которого установлено влияние именно таких дополнений;- addition of a well-known object by any well-known sign, attached to it according to known rules, to achieve a technical result, in respect of which the influence of such additions is established;
- замена какого-либо признака известного объекта другим известным признаком для достижения технического результата, в отношении которого установлено влияние именно такой замены;- replacement of any sign of a known object with another well-known sign to achieve a technical result, in respect of which the influence of such a replacement is established;
- исключение какого-либо признака известного объекта с одновременным исключением обусловленной наличием этого признака функции и достижением при этом обычного для такого исключения результата;- the exclusion of any sign of a known object with the simultaneous exclusion due to the presence of this sign of the function and the achievement of the usual result for this exclusion;
- увеличение количества однотипных признаков в известном объекте для усиления технического результата, обусловленного наличием в объекте именно таких признаков;- an increase in the number of similar features in a known object to enhance the technical result due to the presence of just such signs in the object;
- выполнение известного объекта или его части из известного материала для достижения технического результата, обусловленного известными свойствами материала;- the implementation of a known object or part of it from a known material to achieve a technical result due to the known properties of the material;
- создание объекта, включающего известные признаки, выбор которых и связь между ними осуществлены на основании известных правил и достигаемый при этом технический результат обусловлен только известными свойствами признаков этого объекта и связей между ними.- the creation of an object that includes known features, the choice of which and the relationship between them are based on known rules and the technical result achieved in this case is due only to the known properties of the features of this object and the relationships between them.
Следовательно, заявленные объекты изобретения соответствуют требованию условия патентоспособности «изобретательский уровень» по действующему законодательству.Therefore, the claimed objects of the invention comply with the requirement of the patentability condition "inventive step" under applicable law.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
Фиг.1 - оптическая схема, иллюстрирующая ход лучей падающего и отраженного потока излучения подсветки от участков исходной полированной поверхности маркируемого изделия и от ее дифракционной структуры (микроштрихов), функционально образующей изображение метки (микроструктуры дифракционной структуры, т.е. профили штрихов, условно показаны отрезками прямой линии, а не синусоиды).Figure 1 is an optical diagram illustrating the path of the rays of the incident and reflected radiation flux from the areas of the original polished surface of the marked product and from its diffraction structure (micro-bars), functionally forming the image of the mark (microstructure of the diffraction structure, i.e., the profiles of strokes, are conventionally shown segments of a straight line, not a sinusoid).
Фиг.2 - оптическая схема, иллюстрирующая условие контрастного наблюдения метки под углом дифракции в более слабом дифракционно отраженном от ее поверхности потоке излучения подсветки, без визуально воспринимаемых помех со стороны более сильного зеркально отраженного потока излучения упомянутой подсветки (микроструктура дифракционной структуры, т.е. профиль штриха, условно показана отрезком прямой линии, а не синусоиды).Fig. 2 is an optical diagram illustrating a condition for contrasting observation of a mark at a diffraction angle in a weaker backlight radiation flux reflected from its surface, without visually perceived interference from the side of a stronger specularly reflected radiation flux of said backlight (microstructure of the diffraction structure, i.e. the stroke profile is conventionally shown as a straight line segment, not a sinusoid).
Фиг.3 - маска-трафарет с изображением метки.Figure 3 - mask-template with the image of the label.
Фиг.4 - пространственная дифракционная структура, организованная по типу отражающей фазовой дифракционной решетки с заданной постоянной D во вспомогательном технологическом слое посредством интерферирующих когерентных лазерных пучков.Figure 4 - spatial diffraction structure, organized as a reflective phase diffraction grating with a given constant D in the auxiliary technological layer by means of interfering coherent laser beams.
Фиг.5 - пространственная структура по фиг.4, организованная во вспомогательном технологическом слое изделия по типу отражающей фазовой дифракционной решетки с заданной постоянной D с наложенной на нее маской-трафаретом по фиг.3 с изображением формируемой метки.Figure 5 - spatial structure of figure 4, organized in the auxiliary technological layer of the product according to the type of reflective phase diffraction grating with a given constant D with the mask mask applied to it in figure 3 with the image of the formed mark.
Фиг.6 - сформированная на маркируемой поверхности изделия идентификационная метка, изображение которой выполнено с голографической точностью в виде дифракционной структуры (микроштрихов), пространственно организованной по типу отражательной фазовой дифракционной решетки (микроштрихи дифракционной структуры условно показаны черным цветом).6 is an identification mark formed on the marked surface of the product, the image of which is made with holographic accuracy in the form of a diffraction structure (microstrikes) spatially organized by the type of a reflective phase diffraction grating (microstrikes of the diffraction structure are conventionally shown in black).
Фиг.7 - схематичное изображение микроструктур пространственной дифракционной структуры (регулярного рельефа) синусоидального профиля, сформированной на исходной поверхности (показана пунктиром) технологического слоя посредством когерентных интерферирующих лазерных пучков, а также сформированная по ее подобию (т.е. с использованием рельефа упомянутой пространственной структуры) дифракционная структура (показано пунктиром) голографической точности на поверхности изделия после ионного травления широким пучком ионов.Fig. 7 is a schematic representation of the microstructures of a spatial diffraction structure (regular relief) of a sinusoidal profile formed on the initial surface (shown by a dotted line) of the technological layer by means of coherent interfering laser beams, and also formed according to its similarity (i.e., using the relief of said spatial structure ) the diffraction structure (shown by a dotted line) of holographic accuracy on the surface of the product after ion etching by a wide beam of ions.
Совершенно очевидно, что геометрические параметры:It is obvious that the geometric parameters:
- дифракционных структур, постоянной D дифракционной решетки, образованной совокупностью этих микроструктур упомянутых дифракционных структур технологического слоя и непосредственно изделия (см. фиг.1 и фиг.7);- diffraction structures, constant D diffraction gratings formed by the combination of these microstructures of said diffraction structures of the technological layer and the product itself (see Fig. 1 and Fig. 7);
- маски по фиг.4 (в отношении размеров идентификационной метки);- masks of figure 4 (in relation to the size of the identification tag);
- размеров структур синусоидального профиля в технологическом слое и на поверхности изделия (см. фиг.7);- the size of the structures of the sinusoidal profile in the technological layer and on the surface of the product (see Fig.7);
в графических материалах настоящей заявки показаны в увеличенном на несколько порядков масштабе, с целью визуального восприятия перечисленных микроструктур без специальных оптических средств.in the graphic materials of this application are shown on a scale enlarged by several orders of magnitude, with the goal of visual perception of the listed microstructures without special optical means.
Далее по тексту конструктивные и структурные элементы заявленных объектов изобретения обозначены следующими позициями:Further, the structural and structural elements of the claimed objects of the invention are indicated by the following positions:
1 - метка (идентификационная);1 - label (identification);
2 - изделие (ценное маркируемое);2 - product (valuable marked);
3 - поверхность (полированная маркируемого изделия 2);3 - surface (polished marked product 2);
4 - поток (излучения, падающего на дифракционную структуру /структурированную область/, реализованную с голографической точностью на поверхности 3 изделия 2);4 - flux (radiation incident on the diffraction structure / structured region /, realized with holographic accuracy on the
5 - поток (излучения, отраженного под углом дифракции от дифракционной структуры /структурированной области/, реализованной с голографической точностью на поверхности 3 изделия 2);5 - flux (radiation reflected at an angle of diffraction from the diffraction structure / structured region / realized with holographic accuracy on the
6 - поток (излучения падающего на структурированную область поверхности 3 изделия 2);6 - flow (radiation incident on the structured region of the
7 - поток (излучения зеркально отраженного от структурированной области поверхности 3 изделия 2);7 - flow (radiation specularly reflected from the structured region of the
8 - микроштрихи (микроструктуры дифракционной структуры /структурированной области/, сформированной на поверхности 3 изделия 2 с голографической точностью, совокупность которых образует изображение метки 1);8 - microstrikes (microstructures of the diffraction structure / structured region / formed on the
9 - источник (падающего излучения);9 - source (incident radiation);
10 - объектив (приемника излучения, дифракционно отраженного /от структурированной области поверхности 3 изделия 2/ излучения первого порядка дифракции);10 - lens (receiver of radiation diffractically reflected / from the structured region of the
11 - слой (вспомогательный технологический);11 - layer (auxiliary technological);
12 - структура (пространственная дифракционная, организованная в слое 11 по типу отражательной фазовой дифракционной решетки с заданной постоянной D);12 - structure (spatial diffraction, organized in
13 - поверхность (исходная технологического слоя 11);13 - surface (initial technological layer 11);
14 - маска-трафарет с изображением метки 1.14 - mask-mask with the image of the
Изобретение реализуется следующим образом.The invention is implemented as follows.
Далее рассмотрены варианты реализации способа, согласно изобретению, на примере конструктивно-геометрической реализации нижеописанной идентификационной метки 1.The following are options for implementing the method according to the invention, using the structural-geometric example of the
Идентификационная метка 1 для маркировки ценных изделий 2 выполнена в виде сформированного на полированной поверхности 3 изделия 2 оптически визуализируемого изображения, организованного в виде дифракционной структуры, в частности микроштрихов 8 синусоидального профиля, в совокупности образующих дифракционное растровое изображение метки 1. Дифракционная структура пространственно организована преимущественно по типу отражательной фазовой дифракционной решетки, функционально являющейся средством повышения контраста и изменения цветового тона спектра излучения в процессе визуализации изображения метки 1 под углом дифракции в отраженном свете. При этом микроструктуры (микроштрихи 8) упомянутой дифракционной структуры выполнены таким образом, что их размеры не превышают допустимую величину микронеровностей в общепринятой технологии полировки драгоценных камней, преимущественно алмазов. Отличительными особенностями заявленной идентификационной метки 1 является то, что изображение метки 1, организованное в виде дифракционной структуры, выполнено с геометрическими размерами, достаточными для его визуального восприятия под углом дифракции в отраженном свете невооруженным глазом без дополнительного увеличения специальными оптическими средствами. При этом форма и относительное пространственное расположение микроструктур (микроштрихов 8) в упомянутой дифракционной структуре реализованы с голографической точностью, обеспечиваемой посредством интерферирующих когерентных лазерных пучков, используемых в технологическом процессе формирования метки 1.The
В определенных случаях дифракционная структура, формирующая изображение метки, расположена на всей площади маркируемой поверхности 3 изделия 2, например грани драгоценного камня, функционально являясь средством улучшения дисперсионных характеристик изделия в целом.In certain cases, the diffractive structure forming the image of the mark is located over the entire area of the
Настоящее изобретение дополнительно распространяется и на ценное изделие 2, например драгоценный камень (в частности, бриллиант), на полированной маркируемой поверхности 3 которого реализована заявленная идентификационная метка 1.The present invention further extends to a
Ценное изделие 1, преимущественно драгоценный камень, имеющее полированную поверхность с маркировкой, выполненной в виде идентификационной метки 1, изображение которой организовано по типу дифракционной структуры, реализовано таким образом, что идентификационная метка 1 конструктивно-геометрически организована в соответствии с вышеприведенным описанием метки 1 (т.е. в соответствии с признаками, реализованными по любому из п.п.1-6 формулы изобретения).
С физической точки зрения метка 1 выполнена дифракционной с голографической точностью, т.е. обеспечивающей возможность ее визуального восприятия под углом дифракции с повышенным контрастом изображения, по меньшей мере, в одном из цветовых тонов спектра падающего на нее излучения 4. Для этого структурированная область (дифракционная структура) исходной полированной поверхности 3 выполнена в виде микроштрихов 8 (сосредоточенных на площади изображения метки 1), пространственно организованных по типу отражательной фазовой дифракционной решетки с заданной постоянной D. То есть, упомянутая дифракционная решетка функционально является средством повышения контраста визуального восприятия изображения метки 1, по меньшей мере, в одном из цветовых тонов спектра падающего на нее излучения.From a physical point of view,
Вышеописанная идентификационная метка 1 и ценное изделие 2 (например, драгоценный камень) с ее использованием могут быть практически реализованы исключительно нижеописанным способом.The
Способ формирования идентификационной метки 1 для маркировки ценных изделий 2 заключается в следующем. Маркируемую поверхность 3 предварительно полируют и наносят на нее удаляемый после формирования метки 1 вспомогательный технологический слой 11, через который на маркируемой полированной поверхности 3 создают оптически визуализируемое в отраженном свете под углом дифракции изображение метки 1 в виде дифракционной структуры (в частности, микроштрихов 8 синусоидального профиля, в совокупности образующих дифракционное растровое изображение метки 1). В качестве вспомогательного технологического слоя может использоваться, например, слой меди толщиной 10 нм, напыленный на полированную поверхность маркируемого алмаза.The method of forming an
Упомянутую дифракционную структуру организуют преимущественно по типу отражательной фазовой дифракционной решетки и формируют посредством ионного травления полированной поверхности 3 изделия 2 совместно со структурой упомянутого технологического слоя 11. Причем время экспонирования тип и энергию ионов выбирают из условия обеспечения формирования на маркируемой поверхности 3 таких микроструктур упомянутой дифракционной структуры (функционально образующей изображение метки), размеры которых (в частности, глубина Н) не превышают допустимую величину микронеровностей в общепринятой технологии полировки драгоценных камней, преимущественно алмазов. В качестве вспомогательного технологического слоя преимущественно используется слой меди толщиной около 10 нм, напыленный на полированную поверхность маркируемого алмаза.Said diffraction structure is organized predominantly by the type of a reflective phase diffraction grating and is formed by ion etching of the
Перед образованием на маркируемой поверхности 3 оптически визуализируемого изображения метки 1 во вспомогательном технологическом слое 11 формируют пространственную дифракционную структуру 12 в виде регулярного микрорельефа синусоидального профиля путем обеспечения абляции (испарения) материала этого слоя 11 посредством, по меньшей мере, одного импульса двух или более интерферирующих пучков когерентного лазерного излучения. В результате этого в технологическом слое 11 образуют дифракционную пространственную структуру 12 с голографической точностью, преимущественно организованную по типу отражательной фазовой дифракционной решетки. Упомянутую пространственную структуру 12 формируют путем частичного удаления материала технологического слоя в пределах его толщины. Оптически визуализируемое изображение метки 1 в виде дифракционной структуры на маркируемой поверхности 3 также образуют с голографической точностью, обеспечиваемой посредством упомянутых интерферирующих когерентных лазерных пучков. Для этого осуществляют экспонирование широким ионным пучком сформированной в технологическом слое 11 пространственной дифракционной структуры 12. При этом в технологическом цикле формирования метки допустимо использовать маску-трафарет 14 с изображением метки 1. В этом случае ограниченную маской-трафаретом 14 часть сформированной в технологическом слое пространственной дифракционной структуры 12 используют в качестве маскирующего слоя при экспонировании. Таким образом можно формировать идентификационную метку 1 как на части площади маркируемой поверхности 3, так и на всей ее площади.Before the formation of an optically visualized image of the
Целесообразно расчетную толщину технологического слоя 11 выбирать с учетом упомянутой допустимой величины микронеровностей, регламентируемой общепринятой технологией полировки драгоценных камней.It is advisable to select the estimated thickness of the
Маску-трафарет 14 с изображением метки 1 можно использовать:
- на этапе формирования технологического слоя 11, посредством чего образуют технологический слой 11 в виде сплошного изображения метки 1;- at the stage of forming the
- на этапе формирования пространственной дифракционной структуры 12 синусоидального профиля в сплошном технологическом слое 11, посредством чего упомянутую пространственную структуру 12 формируют исключительно на площади изображения метки 1;- at the stage of formation of the
- на этапе экспонирования широким (т.е. полностью охватывающим изображение метки 1) ионным пучком сформированной в технологическом слое 11 пространственной дифракционной структуры 12 синусоидального профиля, посредством чего на маркируемой поверхности 3 изделия 2 формируют изображение метки 1 в виде дифракционной структуры с голографической точностью.- at the stage of exposure with a wide (i.e., completely covering the image of the mark 1) ion beam formed in the
Один из возможных вариантов вышерассмотренного способа формирования идентификационной метки 1 согласно изобретению допустимо реализовывать следующим образом.One of the possible options for the above method of forming an
Данный вариант реализации способа в своей основе идентичен первому вышеописанному варианту. Принципиальным отличием в изобретательском уровне этого варианта является лишь то, что в нем функционально используют всю площадь формируемой в технологическом слое 11 пространственной структуры 12 в качестве маскирующего слоя, а процесс экспонирования ионным пучком осуществляют через маску-трафарет 14, обеспечивающую диафрагмирование упомянутого широкого ионного пучка в соответствии с геометрическими размерами и формой сформированной в технологическом слое 11 пространственной структуры 12, сформированной на всей площади маркируемой поверхности 3. Таким образом формируется идентификационная метка, размещенная на всей площади маркируемой поверхности.This embodiment of the method is basically identical to the first embodiment described above. The fundamental difference in the inventive step of this option is that it functionally uses the entire area of the
Настоящее изобретение дополнительно распространяется и на ценное изделие 2, например драгоценный камень (в частности, бриллиант), на полированной маркируемой поверхности 3 которого реализована вышеописанная идентификационная метка 1 в соответствии с одним из вариантов заявленного способа ее реализации.The present invention further extends to a
Маркированное ценное изделие 2, например драгоценный камень, маркировка которого выполнена в виде идентификационной метки 1 с дифракционной структурой, реализовано таким образом, что его идентификационная метка 1 конструктивно и пространственно организована в соответствии с вышеприведенным описанием метки 1 в соответствии с одним из вариантов заявленного способа ее реализации.Marked
Таким образом согласно настоящему изобретению может быть получена идентификационная метка 1 для маркировки ценных изделий 2, которая, с одной стороны, невидима при наблюдении ее с помощью 10-20 кратной лупы при условиях освещения, принятых для экспертизы ювелирных изделий в алмазном бизнесе. Однако при определенных (нижеописанных) условиях освещения и наблюдения метка 1 четко визуализируется даже невооруженным глазом.Thus, according to the present invention, an
Такая невидимость метки 1 очень важна для сохранения рыночной стоимости ювелирных изделий, например маркированных бриллиантов, после их маркировки.This invisibility of
Указанное качество метки 1 реализуется при следующих условиях:The specified
- если изображение метки 1 образовано на полированной поверхности 3 изделия 2 в виде реализованных с голографической точностью микроструктур дифракционной структуры синусоидального профиля, организованных по типу отражательной фазовой дифракционной решетки с периодом D;- if the image of the
- для подсветки метки 1 используется источник 9, поток излучения которого направлен ортогонально микроштрихам 8 под углом θ к нормали маркируемой поверхности 3 изделия 2 с угловой шириной ω спектра источника 9 подсветки.- to illuminate the
В данном случае, если наблюдение метки 1 проводится по нормали к поверхности изделия 2 с угловой шириной спектра φ приемного объектива 10 (или глаза наблюдателя), условия контрастного наблюдения метки 1 на длине волны λ будут соответствовать следующему соотношению: θ=arcsin(λ/D)>φ+ω.In this case, if the
При выполнении этого условия можно четко наблюдать метку 1, даже если микроштрихи 8 метки 1 имеют очень слабый, практически неразличимый контраст при малой (в пределах 10 нм) глубине рельефа. Для этого необходимо лишь увеличить яркость источника 9 подсветки.Under this condition,
Подобное явление происходит, например, при визуализации пылинок в воздухе. А именно, при прохождении яркого пучка света пылинки можно наблюдать лишь под заметным углом к направлению распространения пучка света таким образом, чтобы пучок света своими прямыми лучами не слепил наблюдателя.A similar phenomenon occurs, for example, when visualizing dust particles in the air. Namely, during the passage of a bright beam of light, dust particles can be observed only at a noticeable angle to the direction of propagation of the light beam so that the light beam does not blind the observer with its direct rays.
В случае с предлагаемой меткой 1 ее структурированные участки с дифракционной структурой, кроме отражения основного излучения (т.е. потоков 4 и 6 источника 9 подсветки) по законам зеркальной оптики (поток 7), также дифракционно отражают малую часть потока 4, падающего на структурированную область (т.е. часть в виде пучка 5) под углом, отличающимся от угла зеркального отражения основного излучения (т.е. потоков 4 и 6) на величину угла дифракции θ=arcsin(λ/D) (где λ - длина волны падающего света, D - период решетки), что позволяет четко наблюдать даже очень слабое изображение метки 1, если при этом основной, более сильный пучок не мешает наблюдению (т.е. является оптически невизуализируемым наблюдателем).In the case of the proposed
Кроме того, дифракционная отражающая структура изображения метки 1 (образованная совокупностью микроштрихов 8) позволяет пространственно выделить (т.е. отразить под углом θ в зону угла зрения объектива 10) из падающего под заданным углом потока 4, 6 излучения поток 5 излучения заданной длины волны (регламентируемой постоянной D) и, соответственно, определенного цветового тона. Таким образом, в зону угла зрения объектива 10 и, соответственно, наблюдателя отражается только поток 5 излучения с увеличенной интенсивностью за счет интерференции при определенном значении разности хода лучей Δ в потоках 4 и 5. Поток 7 излучения, зеркально отраженный от участков поверхности 3 под углом падения потоков 4 и 6, находится вне зоны угла зрения объектива 10, следовательно, для наблюдателя эти участки воспринимаются как темные (черные) структуры. Таким образом, в значительной степени увеличивается контрастность изображения метки 1 (см. фиг.1 и фиг.2).In addition, the diffractive reflective structure of the image of the mark 1 (formed by a combination of microstrikes 8) allows one to spatially isolate (i.e., reflect at an angle θ into the zone of the angle of view of the lens 10) a
Метка 1 может быть выполнена любой конфигурации, но изобретение, в частности, но не исключительно, направлено на формирование идентификационной метки 1 на поверхности 3 (грани) драгоценного камня, например бриллианта. При этом конфигурация метки 1 может быть выполнена как в виде единичных буквенно-цифровых символов или их множества (которые занимают лишь часть маркируемой поверхности 3), так и в виде системы и/или систем параллельных и/или пересекающихся микроштрихов 8 (дифракционных структур), занимающих всю площадь маркируемой поверхности 3 изделия 2.
Метка 1 является невидимой как для невооруженного глаза, так и при использовании лупы с десяти-, двадцатикратным увеличением, которая обычно используется ювелирами. Однако становится видимой даже невооруженным глазом под углом дифракции в дифракционно отраженном свете при определенных условиях подсветки ввиду ее дифракционных свойств.
Размеры дифракционных структур (микроштрихов 8) идентификационной метки 1 (не нарушающие степень чистоты драгоценного камня и обеспечивающие необходимую степень контрастности) согласно изобретению, как правило, составляют 5-10 нм.The dimensions of the diffraction structures (microstrikes 8) of the identification mark 1 (which do not violate the purity of the gemstone and provide the necessary degree of contrast) according to the invention, as a rule, are 5-10 nm.
Дифракционные структуры (совокупность множества микроштрихов 8) могут быть выполнены преимущественно в виде параллельных линий и/или множества пересекающихся штрихов, образующих дифракционное растровое изображение метки 1 в виде, например, простой штриховки и/или перекрестной штриховки, которая организована по всей площади маркируемой поверхности изделия 2.Diffraction structures (a plurality of microstrikes 8) can be made predominantly in the form of parallel lines and / or many intersecting strokes forming a diffraction raster image of
При травлении широким ионным пучком, как правило, для алмазов используются ионы кислорода, аргона или их смеси с энергией 1-1,5 кэв, однако в качестве альтернативы или для травления других материалов может быть использован и пучок других подходящих для осуществления этой задачи ионов.When etching with a wide ion beam, as a rule, oxygen, argon ions or mixtures thereof with an energy of 1-1.5 keV are used for diamonds, however, as an alternative or for etching other materials, a beam of other ions suitable for this task can also be used.
Синусоидальный профиль дифракционных структур вначале получается при абляции материала технологического слоя, поскольку такое распределение интенсивности образуется в поперечном сечении используемых интерферирующих пучков лазерного излучения. Затем этот профиль переносится в результате травления на маркируемую поверхность. Синусоидальный профиль позволяет исключить нежелательную дифракцию второго и более высоких порядков в отраженном свете, повышая, тем самым, контрастность изображения метки 1 при минимизации глубины ее штрихов.The sinusoidal profile of diffraction structures is first obtained by ablation of the material of the technological layer, since such an intensity distribution is formed in the cross section of the used interfering laser beams. Then this profile is transferred as a result of etching on the marked surface. The sinusoidal profile eliminates the unwanted diffraction of the second and higher orders in reflected light, thereby increasing the contrast of the image of the
Изображение метки 1 предпочтительно просматривается на темном фоне, который существенно предотвращает отражение и появление непосредственно позади или рядом с меткой 1 света источника 9, прошедшего, например, через драгоценный камень. Специалисту будет ясно, что для достижения этого угол и направление, под которыми падает излучение от источника 9 подсветки (и, соответственно, шаг и ориентация дифракционных структур, образующих метку 1), необходимо выбирать таким образом, чтобы гарантировать ситуацию, при которой свет не сможет распространяться по нежелательной траектории, ухудшая условия визуализации изображения метки 1.The image of the
Шаг дифракционных структур (т.е. шаг между микроштрихами 8, совокупность которых образует желаемое изображение метки 1) и угол падения направленного от источника 9 подсветки излучения, а также спектр источника подсветки определяют цветовую гамму метки 1 при ее визуализации.The step of the diffraction structures (i.e., the step between
Настоящее изобретение описано выше только посредством примеров, следовательно, изменения и дополнения могут быть внесены в пределах сущности изобретения, которая распространяется на эквиваленты описанных особенностей.The present invention is described above only by way of examples, therefore, changes and additions can be made within the essence of the invention, which extends to equivalents of the described features.
Заявленные объекты изобретения могут найти широкое применение в различных областях науки и техники для осуществления записи-считывания идентифицирующей ценное изделие информации.The claimed objects of the invention can find wide application in various fields of science and technology for recording and reading of information identifying a valuable product.
Таким образом, вышеизложенные сведения свидетельствуют о выполнении при использовании заявленных технических решений следующей совокупности условий:Thus, the above information indicates the fulfillment of the following set of conditions when using the claimed technical solutions:
- объекты, воплощающие заявленные технические решения, при их осуществлении предназначены для использования, преимущественно для записи-считывания идентифицирующей ценное изделие информации;- objects that embody the claimed technical solutions, when implemented, are intended to be used, primarily for recording, reading information identifying a valuable product information;
- для заявленных объектов в том виде, как они охарактеризованы в независимых пунктах нижеизложенной формулы, подтверждена возможность их осуществления с помощью вышеописанных в заявке или известных из уровня техники на дату приоритета средств и методов;- for the declared objects as described in the independent clauses of the formula below, the possibility of their implementation using the means and methods described above or known from the prior art on the priority date is confirmed;
- объекты, воплощающие заявленные технические решения, при их осуществлении способны обеспечить достижение усматриваемого заявителем технического результата.- objects that embody the claimed technical solutions, when implemented, are able to ensure the achievement of the technical result perceived by the applicant.
Следовательно, заявленные объекты соответствуют требованию условия патентоспособности «промышленная применимость» по действующему законодательству.Therefore, the claimed objects comply with the requirements of the patentability condition "industrial applicability" under applicable law.
Claims (7)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009117433/05A RU2427041C2 (en) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark |
PCT/RU2010/000166 WO2010128891A1 (en) | 2009-05-08 | 2010-04-07 | Method for forming an identification mark for marking valuable items and a valuable item |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009117433/05A RU2427041C2 (en) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009117433A RU2009117433A (en) | 2010-11-20 |
RU2427041C2 true RU2427041C2 (en) | 2011-08-20 |
Family
ID=43050250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009117433/05A RU2427041C2 (en) | 2009-05-08 | 2009-05-08 | Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2427041C2 (en) |
WO (1) | WO2010128891A1 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9514558D0 (en) * | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
IL124592A (en) * | 1997-05-23 | 2002-07-25 | Gersan Ets | Method of marking a gemstone or diamond |
GB2325439A (en) * | 1997-05-23 | 1998-11-25 | Gersan Ets | Marking diamond gemstone by plasma or ion beam etching through a laser ablated resist |
GB9727364D0 (en) * | 1997-12-24 | 1998-02-25 | Gersan Ets | Watermark |
RU2357870C1 (en) * | 2005-08-22 | 2009-06-10 | Интернейшнел Джемстоун Реджистри Инк. | Method and system for laser marking precious stones, such as diamonds |
-
2009
- 2009-05-08 RU RU2009117433/05A patent/RU2427041C2/en not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-07 WO PCT/RU2010/000166 patent/WO2010128891A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2009117433A (en) | 2010-11-20 |
WO2010128891A1 (en) | 2010-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2321499C2 (en) | Optically changeable element and its application | |
JP5157115B2 (en) | Display comprising diffraction grating and printed matter using the same | |
RU2326007C2 (en) | Difraction protective element with a grey-scale image | |
TWI333182B (en) | Optisches sicherheitselement | |
EP2077459B1 (en) | Display body and labeled article | |
EP2860003B1 (en) | Method of providing markings to precious stones including gemstones and diamonds, and markings and marked precious stones marked according to such a method. | |
KR0163018B1 (en) | Diffraction grating | |
JP5434144B2 (en) | Display and labeled goods | |
JP2009285733A (en) | Diamond or gemstone marking | |
JP2008107483A (en) | Ovd medium, information print having ovd medium attached thereto and manufacturing method of ovd medium | |
RU2611232C2 (en) | Method for applying mark onto surface of diamond or cut diamond to determine its authenticity | |
JP6520360B2 (en) | Display body, article, original plate, and method of producing original plate | |
AU2014334373A1 (en) | Method of providing markings to precious stones including gemstones and diamonds, and markings and marked precious stones marked according to such a method | |
WO2016175282A1 (en) | Display body, article, original plate, and method for producing original plate | |
RU2426487C2 (en) | Identification mark to mark valuable items and valuable item with its application | |
JPH11316308A (en) | Diffraction grating pattern | |
JP4940858B2 (en) | display | |
JP2012078447A (en) | Display body and article with label | |
RU2427041C2 (en) | Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark | |
JP2000121815A (en) | Diffraction grating pattern and article applied with same diffraction grating pattern | |
JP2009198549A (en) | Display body and article with label | |
JP2004126326A (en) | Diffraction grating array having blazed diffraction grating pattern | |
JP2005070490A (en) | Photomask substrate with identification tag, photomask, and identification method therefor | |
JP2000121816A (en) | Diffraction grating pattern and article applied with same diffraction grating pattern | |
JP2010078821A (en) | Display body, adhesive label, and labeled article |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130509 |