Claims (8)
1. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวอัญมณีที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไอออน 2. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของอัญมณีที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายตามดฟกัสของลำไอออน โดยหลีกเลี่ยงการประทุ 3. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของเพชรที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไอออน 4. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของของเพชรที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไออน โดยหลีกเลี่ยงการประทุ 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งอัญมณีคืออัญมณีที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์ 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่งโฟกัสของลำไอออนถูกเคลื่อนอย่างสัมพันธ์กับเพชรหรืออัญมณี 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบถูกใช้เพื่อเคลือ่นโฟกัสของลำไอออน 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 7 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบประกอบด้วยการตรวจสอบแบบราสเตอร์ 9. วิธีการตราเครื่องหมายบนผิวของอัญมณีที่ประกอบด้วยคุณสมบัติของขั้นตอนการฉายรังสีบนอย่างน้อยส่นหนึ่งของอัญมณีเพื่อการทำให้เกิดขั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 0. วิธีการตราเครือ่งหมรยบนผิวของเพลาที่ประกอบด้วยคุณสมบัติของขั้นตอนการฉายรังสีบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของเพชรเพื่อทำให้เกิดขั้นที่ยุ่งเหยิงชั้นบนนั้นจ และการกำจัดชั้นที่ยุ่งเฟยิงดังกล่าวโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ที่ซึ่งอัญมณีคืออัญมณีที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์ 1 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งอัญมณีหรือเพชรถูกฉายรังสีด้วยลำไอออน 1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 12 ที่ซึ่งเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรัสสีโดยใช้โฟกัสของลำไอออน 1 4.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 12 ที่ซึ่งเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรังสีโดยใช้ลำไอออนที่หลีกเลียงการประทุ 1 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งผิวของเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรังสีโดยวิถีทางของโฟกัสของลำไอออนดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดชึ้นที่ยุ่งเหยิงขึ้นบนนั้น และชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ที่ซึ่งสารออกซิไดซ์คืออย่างน้อยสารประกอบหนึ่งที่อยู่ในรูป XnYm ซึ่งกลุ่ม X คือ Li+,Na+,K+,Rb+,Cs+ หรือเคทไออนอื่น ๆ และกลุ่ม Y คือ OH-,NO3,-O2 2-,O2-,CO3 2- หรือแอนไอออนอื่น ตัวเลขจำนวนเต็ม n และ m ถูกใช้ในการสมดุลประจุ 1 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ที่ซึ่งสารออกซิไดซืคือโปแทสเซียมไนเตรท 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการฉายรังสีอย่างน้อยส่วนหนึ่งของเพรหรืออัญมณีด้วยลำไอออนเพื่อทำให้เกิดชั้นที่ยุ่งเหยิงบนนั้นและการกำจัดชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าว โดยปกคลุมชั้นที่ยุ่งเหยิงมิดด้วยโปแตสเซียม ไนเตรทหลอมเหลว 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 18 ที่ซึ่งอุณหภูมิของอัญมณีหรือเพชรและโปแทสเซียมไนเตรทหลอมเหลวถูกคงไวเป็นเวลาประมาณหนึ่งชั่วโมง 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งชั้นผิวของเพชรถูกฉายรังสีโดยวิถีทางโฟกัสของลำไอออนดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดชั้นที่ยุ่งเหยิงขึ้นบนนั้นและชั้นที่ถูกทำให้ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดด้วยกรด 2 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งชั้นที่หนึ่งยึ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดออกโดยใช้สารออกซิไดซืซึ่ละลายอยู่ในกรด 2 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 21 ที่ซึ่งชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดออกโดยใช้โพแทสเซียมไนเตรทซึ่งละลายอยู่ในกรด 2 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 13 ถึง 22 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งโฟกัสของลำไอออนถูกเคลื่อนอย่างสัมพันธ์กับเพชรหรือัญมณี 2 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 23 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบถูกใช้เพื่อเคลื่อนโฟกัสของลำไอออน 2 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 24 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบประกอบด้วยการตรวจสอบแบบราสเตอร์ 2 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ประกอบด้วยการเคลือบผิวดังกล่าวด้วยชั้นนำไฟฟ้าก่อนขึ้นรูปเครื่องหมาย 2 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 26 ที่ซึ่งชั้นดังกล่าวคือทอง 2 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, หรือ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งบริเวณที่จะถูกตราเครื่องหมายถูกฉายรังสีด้วยลำไอออนพลังงานต่ำก่อนขึ้นรูปเครื่องหมายเพื่อปรับสภาพผิวขอเพชรให้มีสภาพที่นำไฟฟ้า 2 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 28 ซึ่งพลังงานของลำไอออนพลังงานต่ำดังกล่าวมีค่าประมาณ 3 ถึง 10 keV 3 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 , และ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งบริเวณที่จะถูกตราเครื่องหมายจะถูกฉายรังสีไปพร้อม ๆ กันโดยใช้อุปกรณ์ที่ทำให้ประจุเป็นกลาง 31. The marking method on the surface of gemstones that cannot be seen by the naked eye has the feature of forming the mark with the focus of the ion beam. Does not have the property of forming the ion-beam mark. 3. The method for forming the mark on the surface of the diamond that is not visible to the naked eye has the feature of forming the mark with the focus of the ion beam. 4. Method for forming the mark on the surface of the diamond. That cannot be seen with the naked eye, has the feature of forming the mark with the ion beam focus 5. Method of claim 1 or 2, where gemstones are gems made of silicon carbide. 6. Method according to one of the above claims. Where the focus of the ion beam is shifted in relation to the diamond or gem. 7. The method according to claim 6, where the verification method is used to shift the focus of the ion beam. 7 where the method of examination consists of raster examination 9. The surface marking method of gemstones that contains properties of at least one part of the gem's upper irradiation process for creating such messy steps. It is said by using an oxidizing agent 1 0. A method of marking the surface of the shaft that contains the properties of the irradiation process on at least part of the diamond to create a mess of the upper layer. E And elimination of such messy layers by using oxidizing agents 1 1. Method according to claim 9, where gemstones are gems made from silicon carbide 1 2. Methods according to Claims 9 through 11 in which a gem or diamond is irradiated with ion beam 1 3. Method according to claim 12, where a diamond or gem is colored using the focus of the ion beam 1 4. Procedure under claim 12, where a diamond or gem is irradiated using an ion beam that avoids crackdowns 1 5. Any one of claim 1 to 8 method in which the surface of the diamond or gem is Irradiated by the focal path of the ion beam to create a mess up there. And that messy layer was eliminated using oxidizing agent 1 6. Method according to claim 9 to 15 where the oxidizing agent is at least one compound of the form XnYm, where group X is Li +. , Na +, K +, Rb +, Cs + or other kate ion and the Y group is OH-, NO3, -O2 2-, O2-, CO3 2- or other anions. Integer numbers n and m are used in charge balance 1. 7. Method according to claim 9 to 15, where the oxidizing agent is potassium nitrate 1. 8. Prior claim method. A face consisting of a procedure of irradiating at least part of the pré or gem with an ion beam to create the messy layer on it and the removal of the messy layer. By covering the messy layer with potassium Molten Nitrate 1 9. Claim Method 18, where the temperature of molten gem or diamond and potassium nitrate is maintained for approximately one hour. 2 0. 1 to 8, where the diamond surface layer is irradiated by the focal path of the ion beam to form a messy layer on it, and the tangled layer is eliminated by acid 2 1. Method According to any Clause 9 to 15, where the first layer is eliminated using an oxidizing agent dissolved in the acid 2 2. Method of claim 21, where The messy layer was removed using potassium nitrate, dissolved in acid 2 3. Any method of claim 13 to 22 where the focus of the ion beam was displaced relative to the diamond or Gem 2 4. The method according to claim 23, where the audit path is used to shift the focus of the ion beam 2 5. The method according to claim 24, where the audit path consists of a ras investigation. 2. 6. Methods according to claims 1 to 8, and 12 to 25, any one of them comprises of such a leading coating. Clause 2 7. Method for claim 26, where such floor is gold 2. 8. Method for claim 1 to 8, or 12 to 25, any one where the area to be The mark was irradiated with a low-energy ion beam before forming the mark to refine the surface of the diamond for a conductive condition. 3 to 10 keV 3 0. Method for claim 1 to 8, and 12 to 25, either where the mark area is simultaneously irradiated using a neutralized device 3.
1. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 17/ตร.ซม. 31. Method according to one of the preceding claims where the mark is formed at the emitted dose not exceeding 10 17 / sq cm 3.
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 16/ตร.ซม 32. Method according to claim 31, where the mark is formed at the emitted amount not exceeding 10 16 / sq. Cm 3.
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 15/ตร.ซม 3 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 14/ตร.ซม 3 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 13/ตร.ซม 3 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 0.5 นาโนแอมแปร์ 3 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 38 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งมีพลังงานของลำมีค่าประมาณ 10 ถึงประมาณ 100 keV 4 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 39 ที่ซึ่งพลังงานของลำมีค่าประมาณ 30 keV ถึง ประมาณ 50 keV 4 1.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งลำไอออนเป็นลำไอออนของแกลเลียม 4 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 10 ถึงประมาณ 70 นาโนเมตร 43 วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 50 นาโนเมตร 43. Method according to claim 31, where the mark is formed at the emitted quantity not exceeding 10 15 / sq. Cm 3 4. Method according to claim 31, where the mark is formed. At the emitted dose not more than 10 14 / sq. Cm 3 5. Method according to claim 31, where the mark is formed at the emitted dose not more than 10 13 / sq. Cm 3. CM 3 6. Clause 1 to 8, and 12 to 35, any one of the procedures in which the current is approximately 01 na ampere 3 7. Clause 1 to 8, and 12 to 35. Any one of which the beam current is approximately 0.5 nanampere. 3. 8. Method for claim 1 to 8, and 12 to 35, any one of which the beam current is approximately 01 Nanampere. 3 9. Method according Any of the No. 1 to 8, and 12 to 38 claims whose beam energy is approximately 10 to approximately 100 keV 4 0. Method 39, where the beam energy is approximately 30 keV. Up to approximately 50 keV 4 1. Any of the preceding claims methods 1 through 8, and 12 to 40 in which the ion beam is the gallium ion beam. The depth of the mark is approximately 10 to approximately 70 nm. 43 Method according to claim 42, in which the depth of the mark is approximately 20 to approximately 50 nm 4.
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 30 นาโนเมตร 44. Method according to claim 42, in which the depth of the mark is approximately 20 to approximately 30 nm 4.
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายเป็นเครื่องหมายที่แสดงข้อมูล 45. Means according to one of the preceding claims where the mark is the information mark 4
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้โดยใช้แว่นขยายกำลังขยาย 10 เท่า 46.A method according to one of the previous claims in which the mark was not visible using a 10x magnifying glass 4.
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่า 47. Methods according to claims 9 to 45, any one of which the mark is not visible to the naked eye 4.
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปบนผิวเจียระไนขัดเงาของอัญมณีหรือเพชร8. Procedures in accordance with Claims 9 to 45, any one in which the mark is formed on the polished surface of a gem or diamond.