TH29564B - วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร - Google Patents
วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชรInfo
- Publication number
- TH29564B TH29564B TH9801001918A TH9801001918A TH29564B TH 29564 B TH29564 B TH 29564B TH 9801001918 A TH9801001918 A TH 9801001918A TH 9801001918 A TH9801001918 A TH 9801001918A TH 29564 B TH29564 B TH 29564B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mark
- diamond
- ion beam
- approximately
- gem
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (11/06/53) เครื่องหมายที่เป็นข้อมูลซึ่งไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่าถูกตราบนผิวเจียระไน ขัดเงาของอัญมณีที่เป็นเพชรโดยทำการเคลือบผิวของอัญมณีที่เป็นเพชรด้วยชั้นนำไฟฟ้าเพื่อ ป้องกันเพชรไม่ให้ถูกอัดประจุ การตราเครื่องหมายด้วยลำไอออนที่โฟกัส และการทำความสะอาด ผิวของเพชรด้วยสารออกซิไดซ์อย่างแรงเพื่อแสดงเครื่งหมายที่มีความลึกพอเหมาะซึ่งไม่ ก่อให้เกิดผลกระทบต่อความใสหรือเกรดสีของเพชร (ไม่มีรูป) เครื่องหมายที่เป็นข้อมูลซึ่งไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่าถูกตราบนผิวเจียระในขัดเงาของอัญมณีที่เป็นเพชรโดยทำ การเคลือบผิวของอัญมณีที่เป็นเพชรด้วยชั้นนำไฟฟ้าเพื่อแสดง เครื่งหมายที่มีความลึกพอเหมาะซึ่งไม่ก่อให้เกิดผลกระทบต่อ ความใสหรือเกรดสีของเพชร
Claims (8)
1. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 17/ตร.ซม. 3
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 16/ตร.ซม 3
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 15/ตร.ซม 3 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 14/ตร.ซม 3 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 13/ตร.ซม 3 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 0.5 นาโนแอมแปร์ 3 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 38 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งมีพลังงานของลำมีค่าประมาณ 10 ถึงประมาณ 100 keV 4 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 39 ที่ซึ่งพลังงานของลำมีค่าประมาณ 30 keV ถึง ประมาณ 50 keV 4 1.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งลำไอออนเป็นลำไอออนของแกลเลียม 4 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 10 ถึงประมาณ 70 นาโนเมตร 43 วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 50 นาโนเมตร 4
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 30 นาโนเมตร 4
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายเป็นเครื่องหมายที่แสดงข้อมูล 4
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้โดยใช้แว่นขยายกำลังขยาย 10 เท่า 4
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่า 4
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปบนผิวเจียระไนขัดเงาของอัญมณีหรือเพชร
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH36717A TH36717A (th) | 2000-01-04 |
TH29564B true TH29564B (th) | 2011-02-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1323667C (en) | Method for producing a marking on a spectacle lens | |
CA2093216C (en) | Methods for producing indicia on diamonds | |
TWI753393B (zh) | 用於標記寶石的光學可滲透標記 | |
US4200506A (en) | Process for providing identification markings for gemstones | |
US5760367A (en) | Apparatus and method of engraving indicia on gemstones, and gemstones, produced thereby | |
TW495422B (en) | A method of marking a surface of a gemstone or diamond and the product manufactured thereby | |
RU99128055A (ru) | Маркирование алмаза | |
US20140312017A1 (en) | Method For Applying a Data Marking to the Surface of a Diamond or Brilliant and For Determining the Authenticity Thereof | |
WO2020197432A1 (ru) | Способ создания и детектирования оптически проницаемого изображения внутри алмаза | |
Akhoundi et al. | Comparison of enamel morphologic characteristics after conditioning with various combinations of acid etchant and Er: YAG laser in bonding and rebonding procedures: A SEM analysis | |
Shirani et al. | Adhesion to Er: YAG laser and bur prepared root and crown dentine | |
Thompson et al. | The distribution of ash in Icelandic lake sediments and the relative importance of mixing and erosion processes | |
TH29564B (th) | วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร | |
KR20070003691A (ko) | 광산으로부터 시장까지 다이아몬드들 및 기타 원석들을인증, 라벨링 및 등급화하기 위한 프로세스 | |
TH36717A (th) | วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร | |
Christensen et al. | Insight into the usewear mechanism of archaeological flints by implantation of a marker ion and PIXE analysis of experimental tools | |
RU2373307C1 (ru) | Идентификационная метка для маркировки ценных изделий и способ ее формирования | |
Furst | Boron in siliceous materials as a paleosalinity indicator | |
Featherstone et al. | Recent uses of electron microscopy in the study of physico-chemical processes affecting the reactivity of synthetic and biological apatites | |
IZane et al. | The identification of blue diffusion-treated sapphires | |
JPH083768A (ja) | 平面tem試料作成方法 | |
Dragovich | Microchemistry of small desert varnish samples, western New South Wales, Australia | |
Bleed | Early flakes from sozudai, Japan: are they man-made? | |
Yu et al. | Nuclear microscopic studies of inclusions in natural and synthetic emeralds | |
Bogomolova et al. | EPR study of structural defects in ion-implanted multicomponent silicate glasses |