TH29564B - วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร - Google Patents

วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร

Info

Publication number
TH29564B
TH29564B TH9801001918A TH9801001918A TH29564B TH 29564 B TH29564 B TH 29564B TH 9801001918 A TH9801001918 A TH 9801001918A TH 9801001918 A TH9801001918 A TH 9801001918A TH 29564 B TH29564 B TH 29564B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mark
diamond
ion beam
approximately
gem
Prior art date
Application number
TH9801001918A
Other languages
English (en)
Other versions
TH36717A (th
Inventor
กอร์ดอน ชาร์เตอร์ เจมส์
เดวิด แกรี่ แอนดริว
สจ๊วต
สมิธ
Original Assignee
นายชวลิต อัตถศาสตร์
Filing date
Publication date
Application filed by นายชวลิต อัตถศาสตร์ filed Critical นายชวลิต อัตถศาสตร์
Publication of TH36717A publication Critical patent/TH36717A/th
Publication of TH29564B publication Critical patent/TH29564B/th

Links

Abstract

DC60 (11/06/53) เครื่องหมายที่เป็นข้อมูลซึ่งไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่าถูกตราบนผิวเจียระไน ขัดเงาของอัญมณีที่เป็นเพชรโดยทำการเคลือบผิวของอัญมณีที่เป็นเพชรด้วยชั้นนำไฟฟ้าเพื่อ ป้องกันเพชรไม่ให้ถูกอัดประจุ การตราเครื่องหมายด้วยลำไอออนที่โฟกัส และการทำความสะอาด ผิวของเพชรด้วยสารออกซิไดซ์อย่างแรงเพื่อแสดงเครื่งหมายที่มีความลึกพอเหมาะซึ่งไม่ ก่อให้เกิดผลกระทบต่อความใสหรือเกรดสีของเพชร (ไม่มีรูป) เครื่องหมายที่เป็นข้อมูลซึ่งไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่าถูกตราบนผิวเจียระในขัดเงาของอัญมณีที่เป็นเพชรโดยทำ การเคลือบผิวของอัญมณีที่เป็นเพชรด้วยชั้นนำไฟฟ้าเพื่อแสดง เครื่งหมายที่มีความลึกพอเหมาะซึ่งไม่ก่อให้เกิดผลกระทบต่อ ความใสหรือเกรดสีของเพชร

Claims (8)

1. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวอัญมณีที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไอออน 2. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของอัญมณีที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายตามดฟกัสของลำไอออน โดยหลีกเลี่ยงการประทุ 3. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของเพชรที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไอออน 4. วิธีการขึ้นรูปเครื่องหมายบนผิวของของเพชรที่ไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่ามีคุณสมบัติในการขึ้นรูปเครื่องหมายด้วยโฟกัสของลำไออน โดยหลีกเลี่ยงการประทุ 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งอัญมณีคืออัญมณีที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์ 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่งโฟกัสของลำไอออนถูกเคลื่อนอย่างสัมพันธ์กับเพชรหรืออัญมณี 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบถูกใช้เพื่อเคลือ่นโฟกัสของลำไอออน 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 7 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบประกอบด้วยการตรวจสอบแบบราสเตอร์ 9. วิธีการตราเครื่องหมายบนผิวของอัญมณีที่ประกอบด้วยคุณสมบัติของขั้นตอนการฉายรังสีบนอย่างน้อยส่นหนึ่งของอัญมณีเพื่อการทำให้เกิดขั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 0. วิธีการตราเครือ่งหมรยบนผิวของเพลาที่ประกอบด้วยคุณสมบัติของขั้นตอนการฉายรังสีบนอย่างน้อยส่วนหนึ่งของเพชรเพื่อทำให้เกิดขั้นที่ยุ่งเหยิงชั้นบนนั้นจ และการกำจัดชั้นที่ยุ่งเฟยิงดังกล่าวโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ที่ซึ่งอัญมณีคืออัญมณีที่ทำจากซิลิกอนคาร์ไบด์ 1 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งอัญมณีหรือเพชรถูกฉายรังสีด้วยลำไอออน 1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 12 ที่ซึ่งเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรัสสีโดยใช้โฟกัสของลำไอออน 1 4.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 12 ที่ซึ่งเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรังสีโดยใช้ลำไอออนที่หลีกเลียงการประทุ 1 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งผิวของเพชรหรืออัญมณีถูกฉายรังสีโดยวิถีทางของโฟกัสของลำไอออนดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดชึ้นที่ยุ่งเหยิงขึ้นบนนั้น และชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดโดยใช้สารออกซิไดซ์ 1 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ที่ซึ่งสารออกซิไดซ์คืออย่างน้อยสารประกอบหนึ่งที่อยู่ในรูป XnYm ซึ่งกลุ่ม X คือ Li+,Na+,K+,Rb+,Cs+ หรือเคทไออนอื่น ๆ และกลุ่ม Y คือ OH-,NO3,-O2 2-,O2-,CO3 2- หรือแอนไอออนอื่น ตัวเลขจำนวนเต็ม n และ m ถูกใช้ในการสมดุลประจุ 1 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ที่ซึ่งสารออกซิไดซืคือโปแทสเซียมไนเตรท 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการฉายรังสีอย่างน้อยส่วนหนึ่งของเพรหรืออัญมณีด้วยลำไอออนเพื่อทำให้เกิดชั้นที่ยุ่งเหยิงบนนั้นและการกำจัดชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าว โดยปกคลุมชั้นที่ยุ่งเหยิงมิดด้วยโปแตสเซียม ไนเตรทหลอมเหลว 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 18 ที่ซึ่งอุณหภูมิของอัญมณีหรือเพชรและโปแทสเซียมไนเตรทหลอมเหลวถูกคงไวเป็นเวลาประมาณหนึ่งชั่วโมง 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งชั้นผิวของเพชรถูกฉายรังสีโดยวิถีทางโฟกัสของลำไอออนดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดชั้นที่ยุ่งเหยิงขึ้นบนนั้นและชั้นที่ถูกทำให้ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดด้วยกรด 2 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งชั้นที่หนึ่งยึ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดออกโดยใช้สารออกซิไดซืซึ่ละลายอยู่ในกรด 2 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 21 ที่ซึ่งชั้นที่ยุ่งเหยิงดังกล่าวถูกกำจัดออกโดยใช้โพแทสเซียมไนเตรทซึ่งละลายอยู่ในกรด 2 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 13 ถึง 22 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งโฟกัสของลำไอออนถูกเคลื่อนอย่างสัมพันธ์กับเพชรหรือัญมณี 2 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 23 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบถูกใช้เพื่อเคลื่อนโฟกัสของลำไอออน 2 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 24 ที่ซึ่งวิถีทางการตรวจสอบประกอบด้วยการตรวจสอบแบบราสเตอร์ 2 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ประกอบด้วยการเคลือบผิวดังกล่าวด้วยชั้นนำไฟฟ้าก่อนขึ้นรูปเครื่องหมาย 2 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 26 ที่ซึ่งชั้นดังกล่าวคือทอง 2 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, หรือ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งบริเวณที่จะถูกตราเครื่องหมายถูกฉายรังสีด้วยลำไอออนพลังงานต่ำก่อนขึ้นรูปเครื่องหมายเพื่อปรับสภาพผิวขอเพชรให้มีสภาพที่นำไฟฟ้า 2 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 28 ซึ่งพลังงานของลำไอออนพลังงานต่ำดังกล่าวมีค่าประมาณ 3 ถึง 10 keV 3 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8 , และ 12 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งบริเวณที่จะถูกตราเครื่องหมายจะถูกฉายรังสีไปพร้อม ๆ กันโดยใช้อุปกรณ์ที่ทำให้ประจุเป็นกลาง 3
1. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 17/ตร.ซม. 3
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 16/ตร.ซม 3
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 15/ตร.ซม 3 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 14/ตร.ซม 3 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปที่ปริมาณที่ได้รับการปล่อยรังสีไม่เกิน 10 13/ตร.ซม 3 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 0.5 นาโนแอมแปร์ 3 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 35 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งกระแสลำมีค่าประมาณ 01 นาโนแอมแปร์ 3 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 38 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งมีพลังงานของลำมีค่าประมาณ 10 ถึงประมาณ 100 keV 4 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 39 ที่ซึ่งพลังงานของลำมีค่าประมาณ 30 keV ถึง ประมาณ 50 keV 4 1.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 8, และ 12 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งลำไอออนเป็นลำไอออนของแกลเลียม 4 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 10 ถึงประมาณ 70 นาโนเมตร 43 วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 50 นาโนเมตร 4
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 42 ซึ่งความลึกของเครื่องหมายประมาณ 20 ถึงประมาณ 30 นาโนเมตร 4
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายเป็นเครื่องหมายที่แสดงข้อมูล 4
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้าข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้โดยใช้แว่นขยายกำลังขยาย 10 เท่า 4
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายไม่สามารถมองเห็นได้ด้วยตาเปล่า 4
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 9 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งเครื่องหมายถูกขึ้นรูปบนผิวเจียระไนขัดเงาของอัญมณีหรือเพชร
TH9801001918A 1998-05-25 วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร TH29564B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH36717A TH36717A (th) 2000-01-04
TH29564B true TH29564B (th) 2011-02-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1323667C (en) Method for producing a marking on a spectacle lens
TWI753393B (zh) 用於標記寶石的光學可滲透標記
Portnyagin et al. TephraKam: geochemical database of glass compositions in tephra and welded tuffs from the Kamchatka volcanic arc (northwestern Pacific)
US5760367A (en) Apparatus and method of engraving indicia on gemstones, and gemstones, produced thereby
TW495422B (en) A method of marking a surface of a gemstone or diamond and the product manufactured thereby
JP2001526996A (ja) 複数の溝によるダイアモンド若しくは宝石用原石のマーキング
Keigwin Jr Late Cenozoic planktonic foraminiferal biostratigraphy and paleoceanography of the Panama Basin
IL280789B2 (en) Method for creating and detecting an optically permeable image inside a diamond
WO1998052774B1 (en) Diamond marking
O'Donoghue Gemstones
TH29564B (th) วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร
Thompson et al. The distribution of ash in Icelandic lake sediments and the relative importance of mixing and erosion processes
TH36717A (th) วิธีการทำเครื่องหมายบนเพชร
Christensen et al. Insight into the usewear mechanism of archaeological flints by implantation of a marker ion and PIXE analysis of experimental tools
Hamoudi et al. The combination of laser and nanoparticles for enamel protection: An in vitro study
KR20070003691A (ko) 광산으로부터 시장까지 다이아몬드들 및 기타 원석들을인증, 라벨링 및 등급화하기 위한 프로세스
Featherstone et al. Recent uses of electron microscopy in the study of physico-chemical processes affecting the reactivity of synthetic and biological apatites
Furst Boron in siliceous materials as a paleosalinity indicator
Hansen Gemstones: a concise reference guide
Spreitzer In situ dating of multiple events in granulite-facies rocks of the Larsemann Hills, Prydz Bay, East Antarctica using electron microprobe analysis of monazite
JPH083768A (ja) 平面tem試料作成方法
GB2047215A (en) Identification markings for gemstones
Yu et al. Nuclear microscopic studies of inclusions in natural and synthetic emeralds
Sadana et al. Electron microscope studies of ion implanted silicon and gallium arsenide after laser and furnace annealing
Farrington Gems and Gem minerals