RU99118904A - Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовления - Google Patents
Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU99118904A RU99118904A RU99118904/28A RU99118904A RU99118904A RU 99118904 A RU99118904 A RU 99118904A RU 99118904/28 A RU99118904/28 A RU 99118904/28A RU 99118904 A RU99118904 A RU 99118904A RU 99118904 A RU99118904 A RU 99118904A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pyrite
- semiconductor
- substrate
- semiconductor component
- boron
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical compound [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 21
- 229910052683 pyrite Inorganic materials 0.000 claims 19
- 239000011028 pyrite Substances 0.000 claims 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 claims 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 7
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N iron-sulfur Chemical group [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 claims 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 2
- 238000004642 transportation engineering Methods 0.000 claims 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 claims 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims 1
Claims (20)
1. Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, содержащий по меньшей мере один полупроводниковый материал (20, 40) для подложки моно или поликристаллической структуры, состоящей, по меньшей мере частично, из пирита с химическим составом FeS2 и который очищают с целью достижения определенной степени чистоты, отличающийся тем, что полупроводниковый материал (20, 40) для подложки, по меньшей мере частично, из пирита с химическим составом FeS2 комбинируют или легируют бором (52) и/или фосфором (53).
2. Полупроводниковый компонент по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковый материал FeS2 для подложки комбинируют или легируют бором (В) и фосфором (Р).
3. Полупроводниковый компонент по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковый материал (40) для подложки состоит по меньшей мере из одного слоя пирита (51), по меньшей мере из одного слоя бора (52) и по меньшей мере из одного слоя фосфора (53).
4. Полупроводниковый компонент по п.1, отличающийся тем, что в случае выполнения его многослойным, полупроводниковый материал для подложки имеет по меньшей мере один р- или n-слой пирита (31) и, по меньшей мере, один n- или р-слой другого полупроводника (32).
5. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что концентрация каждого из элементов, интегрированных в материал (20, 40) для подложки, имеет процентный состав по массе в пределах 10-6 и 20.
6. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что полупроводниковый элемент выполнен в виде одно- или многослойного солнечного элемента, тонкопленочного солнечного элемента, солнечного элемента с МДП-структурой фотохимического элемента или подобного элемента.
7. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что пирит имеет коэффициент теплового расширения, равный 4,5•10-6 к-1 при температуре 90-300 К и 8,4•10-6 к-1 при температуре 300-500 К.
8. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что пирит с химическим составом FeS2 имеет элементарную ячейку из 12 атомов, и единичный элемент имеет длину приблизительно 5,4185 Ангстрем, причем основными формами видов кристаллов пирита являются: шестиугольник, куб, додекаэдр с пятиугольными гранями или октаэдр.
9. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что полупроводниковый материал для подложки, изготовленный из пирита, обрабатывают с помощью процесса многозонной очистки, и он, предпочтительно, имеет чистоту 99,9999%.
10. Полупроводниковый компонент по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что в случае многослойной структуры полупроводниковый элемент может иметь вплоть до ста слоев.
11. Способ изготовления полупроводникового компонента, в частности солнечного элемента по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала для подложки используют пирит природного происхождения или пирит, синтезированный из железа и серы, с химическим составом FeS2, который комбинируют или легируют бором (52) и/или фосфором (53), соответственно.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что пирит и/или материалы для подложки из железа или серы обрабатывают с помощью процесса многозонной очистки с целью достижения высокой степени чистоты 99,999%, причем в данном случае пирит изготавливают синтетическим путем.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что пирит изготавливают с помощью гидротермического процесса и с помощью мокрого химического процесса на основе транспортировки из газообразной фазы.
14. Способ по п.11, отличающийся тем, что пирит изготавливают с помощью процесса плавления теллурида, NaS2 или FeCl2.
15. Способ по п.11, отличающийся тем, что пирит изготавливают и/или легируют с помощью способа транспортировки из газообразной фазы.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что среду для транспортировки Вr2 используют для транспортировки из газообразной фазы.
17. Способ по п.11, отличающийся тем, что пирит изготавливают с помощью сульфирования в плазме, термического сульфирования, процесса химического осаждения из газовой фазы металлоорганического соединения, реактивного напыления, напыления при пиролизе или с помощью другого процесса.
18. Способ по п.11, отличающийся тем, что бор и фосфор комбинируют или легируют, соответственно, с материалом для подложки из пирита посредством способа эпитаксиального выращивания.
19. Способ по п.11, отличающийся тем, что бор и/или фосфор комбинируют или легируют, соответственно, с материалом для подложки из пирита посредством способа ионного легирования.
20. Способ по п.11, отличающийся тем, что бор и/или фосфор имеет степень чистоты 99,999% перед комбинированием с пиритом.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP98810382.6 | 1998-04-29 | ||
| EP98810382A EP0954033A1 (de) | 1998-04-29 | 1998-04-29 | Halbleiterbauelement, insbesondere eine Solarzelle, mit einer Schicht aus Pyrit, sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99118904A true RU99118904A (ru) | 2001-07-27 |
| RU2219620C2 RU2219620C2 (ru) | 2003-12-20 |
Family
ID=8236060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99118904/28A RU2219620C2 (ru) | 1998-04-29 | 1998-10-23 | Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовления |
Country Status (26)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6635942B2 (ru) |
| EP (2) | EP0954033A1 (ru) |
| JP (1) | JP3874429B2 (ru) |
| KR (1) | KR100613524B1 (ru) |
| CN (1) | CN1218405C (ru) |
| AR (1) | AR019111A1 (ru) |
| AT (1) | ATE287576T1 (ru) |
| AU (1) | AU756671B2 (ru) |
| BG (1) | BG64069B1 (ru) |
| BR (1) | BR9808074B1 (ru) |
| CA (1) | CA2275298C (ru) |
| CZ (1) | CZ298589B6 (ru) |
| DE (1) | DE59812504D1 (ru) |
| DK (1) | DK1032949T3 (ru) |
| ES (1) | ES2239406T3 (ru) |
| HU (1) | HU227655B1 (ru) |
| IL (1) | IL131534A (ru) |
| MY (1) | MY124379A (ru) |
| NO (1) | NO993552L (ru) |
| NZ (1) | NZ336848A (ru) |
| PL (1) | PL192742B1 (ru) |
| PT (1) | PT1032949E (ru) |
| RU (1) | RU2219620C2 (ru) |
| TR (1) | TR199903266T1 (ru) |
| TW (1) | TW434915B (ru) |
| WO (1) | WO1999056325A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300375C (zh) * | 2004-12-07 | 2007-02-14 | 浙江大学 | 电沉积氧化及热硫化合成二硫化铁薄膜的方法 |
| US8093684B2 (en) * | 2006-01-16 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Iron sulfide semiconductor doped with Mg or Zn, junction devices and photoelectric converter comprising same |
| JP4938314B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | 光電変換装置および半導体接合素子の製造方法 |
| US20110240108A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Matt Law | Method To Synthesize Colloidal Iron Pyrite (FeS2) Nanocrystals And Fabricate Iron Pyrite Thin Film Solar Cells |
| US10680125B2 (en) * | 2011-11-15 | 2020-06-09 | Nutech Ventures | Iron pyrite nanocrystals |
| JP5377732B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2013-12-25 | シャープ株式会社 | 半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置 |
| US10790144B2 (en) | 2013-06-24 | 2020-09-29 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method to produce pyrite |
| US9705012B2 (en) * | 2014-03-18 | 2017-07-11 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of passivating an iron disulfide surface via encapsulation in zinc sulfide |
| US10181598B2 (en) | 2015-01-05 | 2019-01-15 | University Of Florida Resarch Foundation, Inc. | Lithium ion battery cathodes, methods of making, and methods of use thereof |
| CN105140338B (zh) * | 2015-07-29 | 2017-07-04 | 云南师范大学 | 一种低成本FeS2薄膜太阳电池的制备方法 |
| EP3418719A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-26 | Cellix Limited | System and method for improved identification of particles or cells |
| EP3418721A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-26 | Cellix Limited | A microfluidic chip |
| EP3418717A1 (en) | 2017-06-23 | 2018-12-26 | Cellix Limited | A microfluidic apparatus for separation of particulates in a fluid |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3852563A (en) * | 1974-02-01 | 1974-12-03 | Hewlett Packard Co | Thermal printing head |
| US4131486A (en) * | 1977-01-19 | 1978-12-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Back wall solar cell |
| US4710786A (en) * | 1978-03-16 | 1987-12-01 | Ovshinsky Stanford R | Wide band gap semiconductor alloy material |
| JPS59115574A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
| US4589918A (en) * | 1984-03-28 | 1986-05-20 | National Research Institute For Metals | Thermal shock resistant thermoelectric material |
| CA1265922A (en) * | 1984-07-27 | 1990-02-20 | Helmut Tributsch | Photoactive pyrite layer and process for making and using same |
| DE3526910A1 (de) * | 1984-07-27 | 1986-02-13 | Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin | Photoaktive pyritschicht, verfahren zu deren herstellung und verwendung derartiger pyritschichten |
| US4766471A (en) * | 1986-01-23 | 1988-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film electro-optical devices |
| FR2694451B1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-09-30 | Asulab Sa | Cellule photovoltaïque. |
| CA2110097C (en) * | 1992-11-30 | 2002-07-09 | Soichiro Kawakami | Secondary battery |
-
1998
- 1998-04-29 EP EP98810382A patent/EP0954033A1/de not_active Withdrawn
- 1998-10-23 AT AT98948658T patent/ATE287576T1/de active
- 1998-10-23 WO PCT/CH1998/000455 patent/WO1999056325A1/de active IP Right Grant
- 1998-10-23 DK DK98948658T patent/DK1032949T3/da active
- 1998-10-23 ES ES98948658T patent/ES2239406T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 NZ NZ336848A patent/NZ336848A/en not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 EP EP98948658A patent/EP1032949B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 DE DE59812504T patent/DE59812504D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 US US09/319,772 patent/US6635942B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 CZ CZ0150499A patent/CZ298589B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 IL IL13153498A patent/IL131534A/en not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 AU AU95275/98A patent/AU756671B2/en not_active Ceased
- 1998-10-23 KR KR1019997006817A patent/KR100613524B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 RU RU99118904/28A patent/RU2219620C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 CN CN988024780A patent/CN1218405C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-23 PT PT98948658T patent/PT1032949E/pt unknown
- 1998-10-23 JP JP54086599A patent/JP3874429B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-23 TR TR1999/03266T patent/TR199903266T1/xx unknown
- 1998-10-23 CA CA002275298A patent/CA2275298C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-23 HU HU0004391A patent/HU227655B1/hu not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 BR BRPI9808074-1A patent/BR9808074B1/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-10-23 PL PL337092A patent/PL192742B1/pl unknown
-
1999
- 1999-04-26 MY MYPI99001623A patent/MY124379A/en unknown
- 1999-04-27 AR ARP990101934A patent/AR019111A1/es active IP Right Grant
- 1999-04-28 TW TW088106833A patent/TW434915B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-20 NO NO993552A patent/NO993552L/no not_active Application Discontinuation
- 1999-09-01 BG BG103706A patent/BG64069B1/bg unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9306184B2 (en) | Ordered organic-organic multilayer growth | |
| Ichikawa | Structural study of ultrathin Sn layers deposited onto Ge (111) and Si (111) surfaces by RHEED | |
| RU99118904A (ru) | Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовления | |
| Asana et al. | An epitaxial Si/insulator/Si structure prepared by vacuum deposition of CaF2 and silicon | |
| Morimoto et al. | Annealing and crystallization processes in tetrahedrally bonded binary amorphous semiconductors | |
| US20060208257A1 (en) | Method for low-temperature, hetero-epitaxial growth of thin film cSi on amorphous and multi-crystalline substrates and c-Si devices on amorphous, multi-crystalline, and crystalline substrates | |
| RU2219620C2 (ru) | Полупроводниковый компонент, в частности, солнечный элемент, и способ его изготовления | |
| Hohnke et al. | Epitaxial PbSe and Pb1− x Sn x Se: Growth and electrical properties | |
| Metzner et al. | Structural and electronic properties of epitaxially grown CuInS2 films | |
| US9997661B2 (en) | Method of making a copper oxide/silicon thin-film tandem solar cell using copper-inorganic film from a eutectic alloy | |
| Oishi et al. | Growth and characterization of CuGaS2 thin films on (100) Si by vacuum deposition with three sources | |
| Ishiwara et al. | Heteroepitaxy of Si, Ge, and GaAs films on CaF2/Si structures | |
| Peters et al. | Properties of CdS/ZnCdTe heterojunctions | |
| Maqsood et al. | Properties of Cu-doped Zn Te thin films prepared by closed space sublimation (CSS) techniques | |
| Rodionova | Evolution of Special Grain Boundaries and Relative Grain-Boundary Energy in Phosphorus-Doped Polysilicon Films under Annealing | |
| Freundlich et al. | Lunar regolith thin films: Vacuum evaporation and properties | |
| Sato et al. | A dependence of crystallinity of In2O3 thin films by a two-step heat treatment of indium films on the heating atmosphere | |
| Boikov et al. | Layer by layer growth of Bi/sub 2/Te/sub 3/epitaxial thermoelectric heterostructures | |
| Gao | High mobility single-crystalline-like Si and Ge thin films on flexible substrates by roll-to-roll vapor deposition processes | |
| Shindo et al. | Low-energy large-mass ion bombardment process for low-temperature high-quality silicon epitaxy | |
| Contreras et al. | Thin-film polycrystalline Ga 1− x In x Sb materials | |
| Heera et al. | Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization of Single Crystalline 6H-SiC | |
| Auboiroux et al. | Non-symmetrical (12̄10) planes of tellurium correlated to the non-symmetrical epitaxy of selenium deposited on these faces | |
| JP2007266106A (ja) | 鉄シリサイド結晶を含有する薄膜及びその薄膜の製造方法 | |
| Kushiya et al. | Development of high-efficiency CuIn/sub x/Ga/sub 1-x/Se/sub 2/thin-film solar cells by selenization with elemental Se vapor in vacuum |