RU99113540A - Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур хальконида металла, неорганические фуллереноподобные структуры хальконида металла, стабильная суспензия if-структур хальконида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур хальконида металла и тонкая пленка, полученная этим способом, и насадка для растрового микроскопа - Google Patents
Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур хальконида металла, неорганические фуллереноподобные структуры хальконида металла, стабильная суспензия if-структур хальконида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур хальконида металла и тонкая пленка, полученная этим способом, и насадка для растрового микроскопаInfo
- Publication number
- RU99113540A RU99113540A RU99113540/12A RU99113540A RU99113540A RU 99113540 A RU99113540 A RU 99113540A RU 99113540/12 A RU99113540/12 A RU 99113540/12A RU 99113540 A RU99113540 A RU 99113540A RU 99113540 A RU99113540 A RU 99113540A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- structures
- chalcogenide
- intercalated
- halkonida
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 title claims 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical group 0.000 claims 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 10
- 230000000996 additive Effects 0.000 claims 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 9
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000002585 base Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 4
- 229910015621 MoO Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 claims 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 claims 1
Claims (21)
1. Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов оксида металла I с присадкой металла II, в котором металл I выбирают из In, Ga, Sn и переходного металла, а металл II представляет собой любой металл, в котором:
(i) нагревают материал из металла I с водой в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-3 Па до 133,322x10-5 Па или выпаривают электронным лучом материал из металла I с водой или кислородсодержащим летучим растворителем в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-5 Па до 133,322x10-6 Па в присутствии соли металла II, и
(ii) собирают порошок оксида металла I с присадкой металла II со стенок вакуумного устройства.
(i) нагревают материал из металла I с водой в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-3 Па до 133,322x10-5 Па или выпаривают электронным лучом материал из металла I с водой или кислородсодержащим летучим растворителем в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-5 Па до 133,322x10-6 Па в присутствии соли металла II, и
(ii) собирают порошок оксида металла I с присадкой металла II со стенок вакуумного устройства.
2. Способ по п.1, в котором переходный металл I включает Мо, W, V, Zr, Hf, Pt, Re, Nb, Та, Ti и Ru, а металл II выбирают из щелочного, щелочноземельного или переходного металла.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором соль металла II представляет собой хлорид щелочного металла.
4. Способ по любому из пп.1-3, в котором оксид металла I с присадкой металла II представляет собой смешанный оксид из 2 или более различных атомов металла I с присадкой металла II.
5. Способ по любому из пп.1-4 для приготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов оксидов металлов с присадками, выбираемыми из оксидов МоО3-x, предпочтительно МоO2 и МоО3, с присадкой Na, К, Li или Cs; или оксидов WO3-x, предпочтительно WO3 и W18O49, с присадкой Na, К, Li или Cs; и смешанных оксидов Mo/W, состоящих из MoxW1-xО3, где Х от 0 до 1, с присадкой Na, К, Li или Cs.
6. Способ по любому из пп.1-5, в котором соль металла II добавляют к воде или к кислородсодержащему летучему растворителю.
7. Способ по любому из пп.1-5, в котором соль металла II представляет собой NaCl или КСl и уже присутствует в воде.
8. Способ изготовления неорганических фуллереноподобных (IF) структур халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II, в котором металл I выбирают из In, Ga, Sn и переходного металла, а металл II представляет собой любой металл, в котором:
(i) нагревают материал из металла I с водой в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-3 Па до 133,322x10-5 Па или выпаривают электронным лучом материал из металла I с водой или кислородсодержащим летучим растворителем в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-5 Па до 133,322x10-6 Па в присутствии соли металла II,
(ii) отжигают оксид металла I с присадкой металла II, полученного на операции (i), в востанавливающей атмосфере с газом Н2Х, где Х представляет собой S, SE или Те, и
(iii) собирают неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II.
(i) нагревают материал из металла I с водой в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-3 Па до 133,322x10-5 Па или выпаривают электронным лучом материал из металла I с водой или кислородсодержащим летучим растворителем в вакуумном устройстве при базовом давлении от 133,322x10-5 Па до 133,322x10-6 Па в присутствии соли металла II,
(ii) отжигают оксид металла I с присадкой металла II, полученного на операции (i), в востанавливающей атмосфере с газом Н2Х, где Х представляет собой S, SE или Те, и
(iii) собирают неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II.
9. Способ по п.8, в котором неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II представляют собой структуры, имеющие один слой или вложенные слои, образующие закрытый каркас, которые могут заключать внутри сердцевину или образовывать наполненную структуру из вложенных слоев, в частности, структуры, выбираемые из одно- и двухслойных неорганических фуллереноподобных структур, неорганических фуллереноподобных структур с вложенными слоями, наполненных неорганических фуллереноподобных структур, структур с отрицательной кривизной (Шварциты), однослойных нанотрубок, вложенных нанотрубок и наполненных нанотрубок.
10. Способ по п.8 или 9, в котором наночастицы оксида металла, полученные на операции (i), создают однослойную IF и IF с вложенными слоями, а нитевидные нанокристаллы оксида металла, полученные на операции (i), создают однослойные нанотрубки и нанотрубки с вложенными слоями.
11. Способ по любому из пп.8-10, в котором переходный металл I включает Мо, W, V, Zr, Hf, Pt, Re, Nb, Та, Ti и Ru, а металл II выбирают из щелочного, щелочноземельного или переходного металла.
12. Неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II, в которых металл I выбирай из In, Ga, Sn и переходного металла, а металл II представляет собой любой металл.
13. Неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с заключенным внутри металлом II по п.12, которые включают 1-2 слоя халькогенида металла I с заключенной внутри сердцевиной из оксида металла I с присадкой металла II.
14. Неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным металлом II по п.12, которые включают более 2 слоев халькогенида металла I, интеркалированных металлом II и заключающих внутри сердцевину из оксида металла I с присадкой металла II.
15. Неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с заключенным внутри металлом II по п.12, которые включают более 2 слоев халькогенида металла I, интеркалированных металлом II и лишенных сердцевины.
16. Неорганические фуллереноподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II по любому из пп. 12-15, в котором переходной металл I включает Мо, W, V, Zr, Hf, Pt, Re, Nb, Та, Ti и Ru, а металл II выбран из щелочного, щелочноземельного и переходного металла.
17. Стабильная суспензия IF-структур халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II по любому из пп.12-16 и/или произведенная способом по любому из пп.8-11, в полярном растворителе.
18. Способ изготовления тонких пленок из IF-структур халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II, в котором стабильную суспензию по п.17 подвергают выпариванию растворителя или электрофоретическому нанесению на проводящую основу.
19. Тонкая пленка из IF-структур халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II, полученная способом по п.18, которая может использоваться в качестве светочувствительных элементов в солнечных батареях, для производства аккумуляторных батарей и в устройствах для электрохимизма.
20. Насадка для растрового зондового микроскопа, покрытая одним слоем IF-материала халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II по п.13.
21. Неорганические фуллероподобные (IF) структуры халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II по любому из пп. 12-16, используемые в качестве смазок, в частности твердых.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IL11971996A IL119719A0 (en) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Inorganic fullerene-like structures of metal chalcogenides |
IL119719 | 1996-11-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU99113540A true RU99113540A (ru) | 2001-08-20 |
RU2194807C2 RU2194807C2 (ru) | 2002-12-20 |
Family
ID=11069529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU99113540/12A RU2194807C2 (ru) | 1996-11-29 | 1997-11-27 | Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6217843B1 (ru) |
EP (1) | EP0948671B1 (ru) |
JP (1) | JP4097707B2 (ru) |
KR (1) | KR100495612B1 (ru) |
CN (1) | CN1245540A (ru) |
AT (1) | ATE213511T1 (ru) |
BR (1) | BR9713308A (ru) |
CA (1) | CA2272100C (ru) |
DE (1) | DE69710614T2 (ru) |
IL (1) | IL119719A0 (ru) |
RU (1) | RU2194807C2 (ru) |
WO (1) | WO1998023796A1 (ru) |
Families Citing this family (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19837854A1 (de) | 1998-08-20 | 2000-02-24 | Basf Ag | Thermoplastische Formmassen |
DE19948548B4 (de) * | 1999-04-19 | 2006-04-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Pastöse Massen mit nanokristallinen Materialien für elektrochemische Bauelemente und daraus hergestellte Schichten und elektrochemische Bauelemente |
IL129718A0 (en) * | 1999-05-02 | 2000-02-29 | Yeda Res & Dev | Synthesis of nanotubes of transition metal chalcogenides |
US6881604B2 (en) * | 1999-05-25 | 2005-04-19 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes |
KR100314094B1 (ko) * | 1999-08-12 | 2001-11-15 | 김순택 | 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 |
US6649824B1 (en) * | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
IL134891A0 (en) * | 2000-03-06 | 2001-05-20 | Yeda Res & Dev | Reactors for production of tungsten disulfide hollow onion-like nanoparticles |
IL134892A0 (en) * | 2000-03-06 | 2001-05-20 | Yeda Res & Dev | Inorganic nanoparticles and metal matrices utilizing the same |
EP1314189B1 (en) | 2000-08-22 | 2013-02-27 | President and Fellows of Harvard College | Electrical device comprising doped semiconductor nanowires and method for its production |
SI20688A (sl) * | 2000-10-10 | 2002-04-30 | Institut "Jo�Ef Stefan" | Postopek za sintezo nanocevčic dihalkogenidov prehodnih kovin |
IL139266A0 (en) * | 2000-10-25 | 2001-11-25 | Yeda Res & Dev | A method and apparatus for producing inorganic fullerene-like nanoparticles |
US6787122B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-09-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Method of making nanotube-based material with enhanced electron field emission properties |
US7169348B2 (en) * | 2001-07-06 | 2007-01-30 | University Of Queensland | Method of making metal oxide nanoparticles in an exfoliated silicate framework |
SI21155A (sl) * | 2002-02-27 | 2003-08-31 | Institut Jožef Stefan | Material na osnovi svežnjev enoplastnih nanocevk dihalkogenidov prehodnih kovin in elektronskega prevodnika za uporabo v litijevih baterijah in akumulatorjih |
US6916579B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-07-12 | Enerl Battery Company | Cathode material for lithium battery |
US6960556B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Osram Sylvania Inc. | Spherical tungsten disulfide powder |
TWI224079B (en) * | 2002-10-25 | 2004-11-21 | Ind Tech Res Inst | Material with nanometric functional structure on its surface and method for producing such a material |
US6958475B1 (en) | 2003-01-09 | 2005-10-25 | Colby Steven M | Electron source |
WO2004088755A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-14 | Startskottet 22286 Ab | Nanowhiskers with pn junctions and methods of fabricating thereof |
CN100480166C (zh) * | 2003-09-28 | 2009-04-22 | 中国科学院化学研究所 | 一种无机半导体复合纳米级空心球及制备方法 |
FR2863265B1 (fr) * | 2003-12-04 | 2006-12-08 | Centre Nat Rech Scient | Procede de synthese de nanoparticules de chalcogenures ayant une structure lamellaire |
EP1541528A1 (en) | 2003-12-08 | 2005-06-15 | Institut Jozef Stefan | Quasi-one-dimensional polymers based on the metal-chalcogen-halogen system |
KR100624433B1 (ko) * | 2004-08-13 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | P형 반도체 탄소 나노튜브 및 그 제조 방법 |
JP2006285183A (ja) | 2004-08-25 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学素子、および撮影装置 |
US20060110618A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | General Electric Company | Electrodes for photovoltaic cells and methods for manufacture thereof |
WO2006075317A2 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Nanostructures of cesium oxide and device used in handling such structures |
KR101354910B1 (ko) | 2005-04-07 | 2014-01-22 | 에이.와이.와이.티. 테크놀로지컬 어플리케이션즈 앤드 데이타 업데이트 리미티드 | 무기 풀러렌-유사 나노입자의 제조 공정 및 제조장치 |
EP1885249B1 (en) * | 2005-05-17 | 2016-12-28 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Low friction coatings for use in dental and medical devices |
US7867616B2 (en) * | 2005-06-17 | 2011-01-11 | Honda Motor Co., Ltd. | Carbon single-walled nanotubes as electrodes for electrochromic glasses |
ATE541811T1 (de) * | 2005-12-06 | 2012-02-15 | Lg Chemical Ltd | Herstellungsverfahren für kernschalen- nanopartikel |
US8492319B2 (en) | 2006-01-12 | 2013-07-23 | Ajay P. Malshe | Nanoparticle compositions and methods for making and using the same |
US10100266B2 (en) | 2006-01-12 | 2018-10-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Dielectric nanolubricant compositions |
CA2666864C (en) | 2006-10-19 | 2016-08-30 | Nanomech, Llc | Methods and apparatus for making coatings using ultrasonic spray deposition |
EP2084000B1 (en) | 2006-10-19 | 2019-02-13 | The Board of Trustees of The University of Arkansas | Methods and apparatus for making coatings using electrostatic spray |
US8007756B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-08-30 | Institut “Jo{hacek over (z)}ef Stefan” | Process for the synthesis of nanotubes and fullerene-like nanostructures of transition metal dichalcogenides, quasi one-dimensional structures of transition metals and oxides of transition metals |
FR2917080B1 (fr) * | 2007-06-06 | 2009-09-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de nanoparticules d'oxyde de metal de transition enrobees de carbone |
FR2920424B1 (fr) * | 2007-09-04 | 2010-03-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de conversion de chlorures de metaux alcalino-terreux en tungstates et molybdates et ses applications. |
US8329138B2 (en) * | 2007-09-10 | 2012-12-11 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production |
JP5607529B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2014-10-15 | イエダ・リサーチ・アンド・デベロツプメント・カンパニー・リミテツド | フラーレン状ナノ構造体、その使用及びその製造プロセス |
CN101294928B (zh) * | 2008-06-13 | 2011-09-07 | 北京化工大学 | MoO3-SnO2基掺杂的纳米复合金属氧化物及其制备方法 |
JP5029542B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2012-09-19 | ソニー株式会社 | 一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置 |
US8110522B2 (en) * | 2008-09-25 | 2012-02-07 | Range Fuels, Inc. | Methods for promoting syngas-to-alcohol catalysts |
WO2010052721A2 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Inorganic multilayered nanostrcutres |
US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
US8432603B2 (en) | 2009-03-31 | 2013-04-30 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US11187954B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-11-30 | View, Inc. | Electrochromic cathode materials |
US9261751B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-02-16 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US8582193B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-11-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US9284639B2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-03-15 | Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited | Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials |
US9759975B2 (en) | 2010-04-30 | 2017-09-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
RU2451577C2 (ru) * | 2010-08-03 | 2012-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Способ получения нанотрубок оксида вольфрама |
RU2475445C2 (ru) * | 2010-12-20 | 2013-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный университет имени Г.Р. Державина" | Способ получения объемного наноструктурированного материала |
RU2463253C1 (ru) * | 2011-02-24 | 2012-10-10 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Образования И Науки Российской Федерации | Способ получения материала для автоэмиссионного катода |
KR20140002014U (ko) * | 2011-06-17 | 2014-04-04 | 아이피지 포토닉스 코포레이션 | 반도체 장치를 위한 서브 마운트를 구비한 반도체 유닛 |
US9242231B2 (en) * | 2012-04-02 | 2016-01-26 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Metal nanoparticle deposited inorganic nanostructure hybrids, uses thereof and processes for their preparation |
US8486870B1 (en) | 2012-07-02 | 2013-07-16 | Ajay P. Malshe | Textured surfaces to enhance nano-lubrication |
US8476206B1 (en) | 2012-07-02 | 2013-07-02 | Ajay P. Malshe | Nanoparticle macro-compositions |
WO2014033718A1 (en) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Processes for obtaining inorganic nanostructures made of oxides or chalcogenides of two metals |
RU2531516C2 (ru) * | 2012-10-12 | 2014-10-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" | Система для получения нанопленок сплавов гейслера |
MD4276C1 (ru) * | 2012-11-13 | 2014-09-30 | Государственный Университет Молд0 | Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников |
US9446965B2 (en) * | 2013-02-19 | 2016-09-20 | Nanotech Industrial Solutions, Inc. | Applications for inorganic fullerene-like particles |
EP2958979A4 (en) | 2013-02-19 | 2016-10-26 | Nanotech Ind Solutions Inc | INORGANIC FULL-SOUND AND TUBULAR PARTICLES IN LIQUIDS AND LUBRICANTS AND UNDERGROUND HOLES APPLICATIONS |
WO2014203251A1 (en) | 2013-06-18 | 2014-12-24 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Fullerene-like nanoparticles and inorganic nanotubes as host electrode materials for sodium/magnesium ion batteries |
TWI518037B (zh) * | 2013-09-17 | 2016-01-21 | 國立清華大學 | Wo型氧化鎢奈米材料及其於光感測器、金氧半場效電晶體及太陽能電池之應用 |
RU2552597C1 (ru) * | 2014-03-24 | 2015-06-10 | Мсд Текнолоджис Частная Компания С Ограниченной Ответственностью | Гибкий солнечный элемент |
US10069138B2 (en) * | 2014-04-24 | 2018-09-04 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Vanadium oxysulfide based cathode materials for rechargeable battery |
CN106462021B (zh) * | 2014-05-02 | 2021-06-25 | 唯景公司 | 低缺陷率电致变色装置的制作 |
US11891327B2 (en) | 2014-05-02 | 2024-02-06 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
WO2016025800A1 (en) * | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Nanotech Industrial Solutions, Inc. | Applications for inorganic fullerene-like particles |
CN104128612B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-01-11 | 武汉科技大学 | 一种w@ws2核/壳纳米粉体及其制备方法 |
CN112327556A (zh) | 2014-09-05 | 2021-02-05 | 唯景公司 | 用于电致变色装置的反电极 |
EP4220291A3 (en) | 2014-11-26 | 2023-10-04 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US9685600B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-06-20 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Enhanced superconductivity of fullerenes |
US20180183054A1 (en) * | 2015-06-30 | 2018-06-28 | Nantong Volta Materials Ltd. | Doped conductive oxides, and improved electrodes for electrochemical energy storage devices based on this material |
RU2610494C1 (ru) * | 2015-11-16 | 2017-02-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ очистки триоксида молибдена |
WO2017120207A1 (en) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | Nanotech Industrial Solutions, Inc. | Water based nanoparticle dispersion |
US20170362119A1 (en) | 2016-06-17 | 2017-12-21 | Corning Incorporated | Transparent, near infrared-shielding glass ceramic |
CN109891601B (zh) * | 2016-09-02 | 2023-05-02 | 南洋理工大学 | 硫系化物薄膜、包括其的装置和形成该薄膜的方法 |
SG11201911571PA (en) * | 2017-06-05 | 2020-01-30 | Agency Science Tech & Res | A core-shell composite |
US10450220B2 (en) | 2017-12-13 | 2019-10-22 | Corning Incorporated | Glass-ceramics and glasses |
US10246371B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-04-02 | Corning Incorporated | Articles including glass and/or glass-ceramics and methods of making the same |
WO2019145287A1 (en) | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Evonik Oil Additives Gmbh | Polymeric-inorganic nanoparticle compositions, manufacturing process thereof and their use as lubricant additives |
CN111655827B (zh) | 2018-01-23 | 2022-07-26 | 赢创运营有限公司 | 聚合物-无机纳米粒子组合物、其制造方法和其作为润滑剂添加剂的用途 |
WO2019145307A1 (en) | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Evonik Oil Additives Gmbh | Polymeric-inorganic nanoparticle compositions, manufacturing process thereof and their use as lubricant additives |
CN110118725B (zh) * | 2018-02-07 | 2021-08-31 | 清华大学 | 光电流扫描系统 |
CN109115764B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-06-15 | 深圳瑞达生物股份有限公司 | 环保型尿液羟苯衍生物检测试剂及其制备方法 |
CN112892224B (zh) * | 2021-01-15 | 2022-05-13 | 东华大学 | 一种MoS2/CNT复合膜的制备方法和应用 |
WO2024089664A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Universita' Degli Studi Di Ferrara | Nanostructured semiconductor material for carbon dioxide detection |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69325055T2 (de) | 1992-07-08 | 2000-03-09 | Yeda Res & Dev | Orientierte polykristalline dünne Filme aus Übergangsmetallchalcogeniden |
JP3434928B2 (ja) | 1995-04-03 | 2003-08-11 | 科学技術振興事業団 | グラファイト層間化合物およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-29 IL IL11971996A patent/IL119719A0/xx unknown
-
1997
- 1997-11-27 BR BR9713308A patent/BR9713308A/pt not_active Application Discontinuation
- 1997-11-27 US US09/308,663 patent/US6217843B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-27 JP JP52448598A patent/JP4097707B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-27 AT AT97946024T patent/ATE213511T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-11-27 CA CA002272100A patent/CA2272100C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-27 RU RU99113540/12A patent/RU2194807C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-11-27 WO PCT/IL1997/000390 patent/WO1998023796A1/en active IP Right Grant
- 1997-11-27 CN CN97181571A patent/CN1245540A/zh active Pending
- 1997-11-27 DE DE69710614T patent/DE69710614T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-27 KR KR10-1999-7004631A patent/KR100495612B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-11-27 EP EP97946024A patent/EP0948671B1/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU99113540A (ru) | Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур хальконида металла, неорганические фуллереноподобные структуры хальконида металла, стабильная суспензия if-структур хальконида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур хальконида металла и тонкая пленка, полученная этим способом, и насадка для растрового микроскопа | |
Hu et al. | Vanadium oxide: phase diagrams, structures, synthesis, and applications | |
JP4097707B2 (ja) | 金属挿入フラーレン様金属カルコゲニドの製法 | |
Hoseinzadeh et al. | n-type WO 3 semiconductor as a cathode electrochromic material for ECD devices | |
Kim et al. | Synthesis and electrochemical characterization of vanadium oxide on carbon nanotube film substrate for pseudocapacitor applications | |
Ali et al. | 2D‐TMDs based electrode material for supercapacitor applications | |
Nam et al. | Synthesis and electrochemical investigations of Ni1− x O thin films and Ni1− x O on three-dimensional carbon substrates for electrochemical capacitors | |
Liu et al. | Rational design of WO 3 nanostructures as the anode materials for lithium-ion batteries with enhanced electrochemical performance | |
Bora et al. | Zinc oxide–zinc stannate core–shell nanorod arrays for CdS quantum dot sensitized solar cells | |
Kyeremateng | Self‐Organised TiO2 Nanotubes for 2D or 3D Li‐Ion Microbatteries | |
Sun et al. | Improved rate and cycling performances of electrodes based on BiFeO3 nanoflakes by compositing with organic pectin for advanced rechargeable Na-ion batteries | |
Tiwari et al. | Facile hydrothermal synthesis of ZnFe2O4 nanostructures for high-performance supercapacitor application | |
Sanchez et al. | Electrochemical deposition of ZnO thin films and nanowires for photovoltaic applications | |
Naduvath et al. | A novel cost effective fabrication technique for highly preferential oriented TiO 2 nanotubes | |
Majumder et al. | PbS nanoparticles anchored 1D-CdSe nanowires: core-shell design towards energy storage supercapacitor application | |
Bouhjar et al. | Influence of a compact α-Fe2O3 layer on the photovoltaic performance of perovskite-based solar cells | |
Iwueke et al. | A novel chemical preparation of Ni (OH) 2/CuO nanocomposite thin films for supercapacitive applications | |
Kozlovskiy et al. | Study of the effect of irradiation with Ca5+ ions on the increase in Ni nanotubes lifetime, applicable as the basis for lithium-ion batteries | |
Hao et al. | Layer structured bismuth selenides Bi2Se3 and Bi3Se4 for high energy and flexible all-solid-state micro-supercapacitors | |
Alrayzan et al. | Fabrication of asymmetric supercapacitor device based on nickel hydroxide electrode-graphene assembly | |
Usui et al. | Material design based on impurity element doping for photoelectrochemical capacitor composite electrodes using metal oxides | |
Abarro et al. | A Tale of Nickel-Iron Batteries: Its Resurgence in the Age of Modern Batteries | |
You et al. | Controllable volatile-to-nonvolatile memristive switching in single-crystal lead-free double perovskite with ultralow switching electric field | |
Islam et al. | Sn-doping in a Sb2Se3 conversion-cum-alloying material renders efficient sodium-ion electrochemical performance: Facile kinetics achieved by active metal doping | |
Lv et al. | Facile synthesis of V 2 O 5/TiO 2 core–shell nanobelts |