MD4276C1 - Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников - Google Patents

Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников

Info

Publication number
MD4276C1
MD4276C1 MDA20120104A MD20120104A MD4276C1 MD 4276 C1 MD4276 C1 MD 4276C1 MD A20120104 A MDA20120104 A MD A20120104A MD 20120104 A MD20120104 A MD 20120104A MD 4276 C1 MD4276 C1 MD 4276C1
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
chalcogenide glass
production
semiconductors
thin layers
sleeves
Prior art date
Application number
MDA20120104A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4276B1 (en
Inventor
Владимир ПРИЛЕПОВ
Алексей ЧЁРНЫЙ
Аркадий КИРИЦА
Олег КОРШАК
Татьяна БУЛЬМАГА
Надежда НАСЕДКИНА
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20120104A priority Critical patent/MD4276C1/ru
Publication of MD4276B1 publication Critical patent/MD4276B1/mo
Publication of MD4276C1 publication Critical patent/MD4276C1/ru

Links

Landscapes

  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к установкам для получения однородных тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников и может быть использовано при создании фоточувствительных слоев для электрофотографии и фототермопластического носителя для регистрации оптической информации.Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников включает дозирующее устройство (1), под которым расположен желоб (2), в нижней части которого расположен испаритель (3), над которым расположен лентопротяжный механизм (4) ленты из лавсана с зоной конденсации. Дозирующее устройство (1) содержит бункер для порошка халькогенидного стеклообразного полупроводника, прикрепленный к корпусу дозатора при помощи направляющей, в которой выполнены девять сквозных отверстий. Корпус состоит из двух полувтулок, в каждой из которых выполнено по девять сквозных отверстий. Полувтулки соединены между собой и закреплены на опоре посредством подпружиненных болтов. Между полувтулками размещен вал, в котором выполнены девять сквозных отверстий с равным объемом, смещенных друг относительно друга на 20° вдоль вала.
MDA20120104A 2012-11-13 2012-11-13 Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников MD4276C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20120104A MD4276C1 (ru) 2012-11-13 2012-11-13 Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20120104A MD4276C1 (ru) 2012-11-13 2012-11-13 Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4276B1 MD4276B1 (en) 2014-02-28
MD4276C1 true MD4276C1 (ru) 2014-09-30

Family

ID=50231647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20120104A MD4276C1 (ru) 2012-11-13 2012-11-13 Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4276C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU370278A1 (ru) * 1970-10-23 1973-02-15 Способ получения фоточувствительпых слоев
US6027621A (en) * 1997-04-25 2000-02-22 Shimadzu Corporation Thin film forming apparatus
RU2194807C2 (ru) * 1996-11-29 2002-12-20 Йеда Рисерч Энд Дивелопмент Ко., Лтд. Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа
WO2013149572A1 (zh) * 2012-04-02 2013-10-10 Xu Mingsheng 规模化连续制备二维纳米薄膜的装备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU370278A1 (ru) * 1970-10-23 1973-02-15 Способ получения фоточувствительпых слоев
RU2194807C2 (ru) * 1996-11-29 2002-12-20 Йеда Рисерч Энд Дивелопмент Ко., Лтд. Способ изготовления наночастиц или нитевидных нанокристаллов, способ изготовления неорганических фуллереноподобных структур халькогенида металла, неорганические фуллереноподобные структуры халькогенида металла, стабильная суспензия if-структур халькогенида металла, способ изготовления тонких пленок из if-структур халькогенида металла и тонкая пленка, полученная таким способом, и насадка для растрового микроскопа
US6027621A (en) * 1997-04-25 2000-02-22 Shimadzu Corporation Thin film forming apparatus
WO2013149572A1 (zh) * 2012-04-02 2013-10-10 Xu Mingsheng 规模化连续制备二维纳米薄膜的装备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Майсел Л., Глэнг Р. Технология тонких пленок, Справочник, Москва, 1977, т. 1, с. 125-133 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD4276B1 (en) 2014-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PH12017501907A1 (en) Photosensitive polyimide compositions
CL2015001312A1 (es) Sistema y método para la distribución de información producida por eventos
NZ723357A (en) Computing long-term schedules for data transfers over a wide area network
IN2014CN02129A (ru)
MY162971A (en) Powder coating
PL397839A1 (pl) Sposób i zespól do przekazywania kapsulek
Westermeier et al. Mapping of trap densities and hotspots in pentacene thin-film transistors by frequency-resolved scanning photoresponse microscopy.
FR2999725B1 (fr) Procede de reglage d'un secteur de cision/masquage d'un dispositif de scrutation d'environnement, dispositif de reglage et terminal d'operateur correspondants
FR3007831B1 (fr) Procede de mesure de l'epaisseur d'une couche d'un materiau, procede de galvanisation et dispositif de mesure associes
MD4276C1 (ru) Установка для получения тонких слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников
GB201105682D0 (en) Dynamic VoIP location system
Pincemail et al. Oxidative stress, antioxydants and the ageing process
Santos et al. Sodium-rich carbonated natural mineral water ingestion and blood pressure.
Lin et al. Metformin induces apoptosis in hepatocellular carcinoma Huh-7 cells in vitro and its mechanism
MY169401A (en) Device for positioning a member for transmitting solar energy relative to an optical concentrator
FR2985368B1 (fr) Procede de production a basse temperature de nanostructures semi-conductrices a jonction radiale, dispositif a jonction radiale et cellule solaire comprenant des nanostructures a jonction radiale
MX2014000092A (es) Método y sistema para proporcionar un ensamblado de una cantidad de material de plástico usado y un portador de información que porta datos de calidad de la cantidad.
Park et al. Consideration factors for UHDTV technology and service development
UA42615U (ru) Регулятор частоты вращения
Han et al. Development Plan of Operating system for Web-based Electrical Installation Master Spec.
FR2997020B1 (fr) Dispositif pour chauffer une triplette de boules de petanque sur sa ceinture adaptee
BR112014007985A2 (pt) anticorpo monoclonal, hibridoma, regente para medir asparagina sintetase presente em uma célula, e, método para avaliar a sensibilidade de leucemia ou câncer de ovário para a l-asparaginase
Kim et al. Development of Meter Reading Network Management System based on AMI
FR2989857B1 (fr) Procede d'acces a un service local d'un dispositif communicant via une borne.
Yu et al. Organic Phototransistors: High‐Performance Phototransistors Based on Single‐Crystalline n‐Channel Organic Nanowires and Photogenerated Charge‐Carrier Behaviors (Adv. Funct. Mater. 5/2013)

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees