RU99109675A - Способ ионной имплантации - Google Patents
Способ ионной имплантацииInfo
- Publication number
- RU99109675A RU99109675A RU99109675/02A RU99109675A RU99109675A RU 99109675 A RU99109675 A RU 99109675A RU 99109675/02 A RU99109675/02 A RU 99109675/02A RU 99109675 A RU99109675 A RU 99109675A RU 99109675 A RU99109675 A RU 99109675A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- ion implantation
- ions
- treated
- positive potential
- Prior art date
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ ионной имплантации, в котором имплантацию ионов осуществляют на глубину, превышающую проецированный пробег ионов, при одновременном облучении электронами для нагрева мишени и ее диффузионного отжига, а на обрабатываемую поверхность подают положительный потенциал, отличающийся тем, положительный потенциал на обрабатываемую поверхность (мишень), которая является анодом источника термоэлектронной эмиссии, подают относительно подогреваемого катода, создавая тем самым внешнее электрическое поле для направленного движения эмитируемых с катода электронов к мишени.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99109675A RU2181787C2 (ru) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Способ ионной имплантации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99109675A RU2181787C2 (ru) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Способ ионной имплантации |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99109675A true RU99109675A (ru) | 2001-01-20 |
| RU2181787C2 RU2181787C2 (ru) | 2002-04-27 |
Family
ID=20219581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99109675A RU2181787C2 (ru) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Способ ионной имплантации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2181787C2 (ru) |
-
1999
- 1999-04-30 RU RU99109675A patent/RU2181787C2/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008500729A5 (ru) | ||
| TW200518155A (en) | Devices and methods for producing multiple x-ray beams from multiple locations | |
| SE8801144D0 (sv) | Improved wire ion plasma gun | |
| WO2005052978A3 (en) | Method and apparatus for modifying object with electrons generated from cold cathode electron emitter | |
| ATE102395T1 (de) | Vorrichtung zur oberflaechenbehandlung von werkstuecken. | |
| EP0964425A3 (en) | Apparatus for processing a work piece with a uniformly neutralised ion beam | |
| EP1215706A3 (en) | Electron beam treatment device | |
| RU99109675A (ru) | Способ ионной имплантации | |
| JP2005032638A5 (ru) | ||
| JP2989986B2 (ja) | イオン注入と同時に電子シャワーを照射するイオン注入装置 | |
| ATE451144T1 (de) | Festkörper-applikator zur brachytherapie | |
| WO2007067605A3 (en) | Ion implanter with ionization chamber electrode design | |
| EP1306871A3 (en) | Apparatus and method for focusing high-density electron beam emitted from planar cold cathode electron emitter | |
| RU2181787C2 (ru) | Способ ионной имплантации | |
| JP2020173984A (ja) | イオン源及びイオン注入装置並びにマグネシウムイオン生成方法 | |
| JPS60232650A (ja) | 特性ｘ線発生装置 | |
| JPS61245453A (ja) | 線状電子ビ−ム熱処理装置 | |
| JP2005190757A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| RU2087586C1 (ru) | Способ ионной имплантации | |
| RU95122396A (ru) | Способ получения ионного пучка и устройство для его осуществления | |
| JPH10289797A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| KR200166109Y1 (ko) | 아크발생을위한캐소드구조 | |
| JPS5679438A (en) | Working device for charged particle beam | |
| JP3463896B2 (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| JPH10261382A (ja) | イオン打込み装置、及びその方法 |