RU99105270A - SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR - Google Patents

SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR

Info

Publication number
RU99105270A
RU99105270A RU99105270/28A RU99105270A RU99105270A RU 99105270 A RU99105270 A RU 99105270A RU 99105270/28 A RU99105270/28 A RU 99105270/28A RU 99105270 A RU99105270 A RU 99105270A RU 99105270 A RU99105270 A RU 99105270A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
arm
amplifier
input
operational amplifier
Prior art date
Application number
RU99105270/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2165602C2 (en
Inventor
Владимир Тимофеевич Рябов
Original Assignee
Владимир Тимофеевич Рябов
Filing date
Publication date
Application filed by Владимир Тимофеевич Рябов filed Critical Владимир Тимофеевич Рябов
Priority to RU99105270/28A priority Critical patent/RU2165602C2/en
Priority claimed from RU99105270/28A external-priority patent/RU2165602C2/en
Publication of RU99105270A publication Critical patent/RU99105270A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2165602C2 publication Critical patent/RU2165602C2/en

Links

Claims (2)

1. Полупроводниковый датчик давления, содержащий пьезомост, сформированный на упругой мембране кремниевого чувствительного элемента, к которой приложен измеряемый перепад давлений, каждое плечо пьезомоста включает хотя бы один тензорезистор, плечи объединены в общей точке, подключенной к нулю или напряжению питания датчика, причем в ней сходятся тензорезисторы с разными знаками приращения сопротивления при изменении давления, каждое плечо имеет измерительный выход от другого вывода объединенных в общей точке тензорезисторов и вход питания, а также термокорректор, имеющий два вывода опорных напряжений с различными температурными градиентами и дифференциальный усилитель сигнала давления на операционном усилителе с резисторами, отличающийся тем, что для каждого плеча пьезомоста введен управляемый источник питания плеча, выполненный на операционном усилителе, инверсный вход которого подключен к измерительному выходу плеча пьезомоста, прямой вход подключен к одному из выводов опорного напряжения термокорректора, а выход - к входу питания этого плеча и к одному из входов дифференциального усилителя сигнала давления.1. A semiconductor pressure sensor containing a piezoelectric bridge formed on an elastic membrane of a silicon sensor, to which a measured pressure difference is applied, each arm of the piezoelectric bridge includes at least one strain gauge, the shoulders are combined at a common point connected to zero or a voltage of the sensor, and in it Strain gages with different signs of increment of resistance converge when the pressure changes, each arm has a measuring output from the other output of the strain gages united at a common point and the input a thermocorrector, which has two outputs of the reference voltages with different temperature gradients and a differential amplifier of the pressure signal on the operational amplifier with resistors, characterized in that for each arm of the piezoelectric bridge a controlled power supply of the arm is made, made on the operational amplifier, the inverse input of which is connected to measuring output of the piezoelectric bridge arm, the direct input is connected to one of the terminals of the reference voltage of the thermal corrector, and the output is connected to the power input of this arm and to one of the inputs differential pressure signal amplifier. 2. Полупроводниковый датчик давления по п.1, термокорректор которого содержит операционный усилитель с резисторами и термомост, один измерительный вывод которого через резистивный делитель соединен с прямым входом операционного усилителя, а второй - через резистор с инверсным входом, отличающийся тем, что между инверсным входом и выходом усилителя включен резистивный делитель, отвод которого является первым выводом термокорректора, а выход усилителя является вторым выводом термокорректора. 2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, the thermal corrector of which comprises an operational amplifier with resistors and a thermal bridge, one measuring output of which is connected through a resistive divider to the direct input of the operational amplifier, and the second through a resistor with an inverse input, characterized in that between the inverse input and the amplifier output includes a resistive divider, the tap of which is the first output of the thermal corrector, and the output of the amplifier is the second output of the thermal corrector.
RU99105270/28A 1999-03-18 1999-03-18 Semiconductor pressure transducer RU2165602C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99105270/28A RU2165602C2 (en) 1999-03-18 1999-03-18 Semiconductor pressure transducer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99105270/28A RU2165602C2 (en) 1999-03-18 1999-03-18 Semiconductor pressure transducer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99105270A true RU99105270A (en) 2001-01-27
RU2165602C2 RU2165602C2 (en) 2001-04-20

Family

ID=20217201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99105270/28A RU2165602C2 (en) 1999-03-18 1999-03-18 Semiconductor pressure transducer

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2165602C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180010974A1 (en) * 2016-07-08 2018-01-11 Millar Inc. Pressure sensor system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2978248B2 (en) Strain gauge measuring device, its use and modulation amplifier for the measuring device
US3568044A (en) Linearizing circuit for high output transducers
JPH0797010B2 (en) Semiconductor strain gage bridge circuit
EP0034807B1 (en) Semiconductor strain gauge
JP2002500348A (en) Sensor with temperature-dependent measuring resistor and use of the sensor for measuring temperature
JP2002527767A (en) Circuit arrangement for temperature non-linearity compensation of the characteristic curve of a piezoresistive measuring resistor connected in a bridge circuit
RU99105270A (en) SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR
JP4809837B2 (en) How to operate a heat loss pressure sensor with resistance
GB2144857A (en) Piezo resistive transducer
RU2036445C1 (en) Pressure converter
JPH0455542B2 (en)
US3759093A (en) Linear load cell bridge including a non-linear strain sensitive element
JPS6222272B2 (en)
JPS6255629B2 (en)
JPH0618540A (en) Wind velocity sensor
JPH07176769A (en) Piezoelectric resistance sensor device
RU2082129C1 (en) Converter of pressure to electric signal
RU2165602C2 (en) Semiconductor pressure transducer
SU1157346A1 (en) Resistance strain gauge transducer
JPH04307331A (en) Complex sensor
JP3041829B2 (en) Pressure sensor
JPH06742Y2 (en) Semiconductor pressure transducer
JPS61209331A (en) Input apparatus of temperature measuring resistor
KR830001352B1 (en) Semiconductor pressure detector with zero temperature compensation
JP2536822B2 (en) Temperature compensation circuit for weighing device