Claims (1)
1. Монокристаллический SiС, отличающийся тем, что комплекс, содержащий поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и С, сформированный на поверхности основы из монокристаллического SiС, подвергнут термообработке, обеспечивающей превращение поликристаллов поликристаллического слоя в монокристалл и выращивание монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллической основы.1. Single-crystal SiC, characterized in that the complex containing a polycrystalline layer consisting of Si and C atoms, formed on the surface of a single-crystal SiC base, is subjected to heat treatment, ensuring the conversion of polycrystalline polycrystalline layer into a single crystal and growing a single crystal oriented in the same direction, as the crystallographic axis of the single crystal base.
2. Монокристаллический SiС по п.1, отличающийся тем, что упомянутой основой из монокристаллического SiС, входящей в состав упомянутого комплекса, является монокристаллический α - SiC.
3. Монокристаллический SiС по п.1, отличающийся тем, что упомянутый поликристаллический слой, входящий в состав комплекса, является слоем поликристаллического β - SiC, выращенным на поверхности основы из монокристаллического SiС методом термохимического осаждения из паровой фазы.2. Single-crystal SiC according to claim 1, characterized in that said base of single-crystal SiC, which is part of the complex, is single-crystal α-SiC.
3. Single-crystal SiC according to claim 1, characterized in that said polycrystalline layer, which is part of the complex, is a layer of polycrystalline β-SiC grown on the surface of a single-crystal SiC substrate by thermochemical vapor deposition.
4. Монокристаллический SiС по п. 3, отличающийся тем, что температура термохимического осаждения из паровой фазы упомянутого слоя поликристаллического β - SiC составляет 1300 - 1900°С. 4. Single-crystal SiC according to claim 3, characterized in that the temperature of thermochemical vapor deposition of the above-mentioned layer of polycrystalline β-SiC is 1300 - 1900 ° C.
5. Способ получения монокристаллического SiС, отличающийся тем, что наносят поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и С, на поверхность основы из монокристаллического SiС, и подвергают упомянутый комплекс термообработке для превращения поликристаллов упомянутого поликристаллического слоя в монокристалл, обеспечивая тем, самым выращивание как единое целое монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллической основы. 5. A method of producing single crystal SiC, characterized in that a polycrystalline layer consisting of Si and C atoms is deposited on the surface of a monocrystalline SiC substrate, and this complex is subjected to heat treatment to convert the polycrystals of the said polycrystalline layer into a single crystal, thereby providing the growth as a single The whole of the single crystal is oriented in the same direction as the crystallographic axis of the single-crystal base.
6. Способ получения монокристаллического SiС по п.5, отличающийся тем, что монокристаллический α - SiC используется в качестве упомянутой основы из монокристаллического SiС, входящей в состав упомянутого комплекса. 6. A method of producing single crystal SiC according to claim 5, wherein the single crystal α-SiC is used as said base of single-crystal SiC, which is part of the complex.
7. Способ получения монокристаллического SiС по п.5, отличающийся тем, что слой поликристаллического β - SiC, выращенный на поверхности упомянутой основы из монокристаллического SiС методом термохимического осаждения из паровой фазы, используется в качестве упомянутого поликристаллического слоя, входящего в состав упомянутого комплекса. 7. A method of producing single crystal SiC according to claim 5, characterized in that the polycrystalline β-SiC layer grown on the surface of the said single-crystal SiC base by the method of thermochemical vapor deposition is used as the said polycrystalline layer included in the said complex.
8. Способ получения монокристаллического SiС по п.7, отличающийся тем, что температура термохимического осаждения из паровой фазы упомянутого слоя поликристаллического β - SiC составляет 1300 - 1900°С. 8. The method of obtaining single crystal SiC according to claim 7, characterized in that the temperature of thermochemical vapor deposition of the above layer of polycrystalline β - SiC is 1300 - 1900 ° C.
9. Способ получения монокристаллического SiС по п.7, отличающийся тем, что термообработку упомянутого комплекса проводят при температуре, превосходящей температуру термохимического осаждения из паровой фазы при формировании упомянутого поликристаллического слоя, и при давлении насыщенного пара SiС. 9. A method of producing single crystal SiC according to claim 7, characterized in that the heat treatment of said complex is carried out at a temperature exceeding the temperature of thermochemical vapor deposition during the formation of said polycrystalline layer and at a pressure of saturated SiC vapor.
10. Способ получения монокристаллического SiС по п.9, отличающийся тем, что температура термообработки упомянутого комплекса составляет 1900-2400°С. 10. A method of producing single crystal SiC according to claim 9, characterized in that the heat treatment temperature of said complex is 1900-2400 ° C.
11. Способ получения монокристаллического SiС по п.9, отличающийся тем, что температура термообработки упомянутого комплекса составляет 2000-2200°С. 11. A method of producing single crystal SiC according to claim 9, characterized in that the heat treatment temperature of said complex is 2000-2200 ° C.