RU99112120A - SIC SILICON SILICON CARBIDE AND METHOD OF ITS PRODUCTION (OPTIONS) - Google Patents

SIC SILICON SILICON CARBIDE AND METHOD OF ITS PRODUCTION (OPTIONS)

Info

Publication number
RU99112120A
RU99112120A RU99112120/15A RU99112120A RU99112120A RU 99112120 A RU99112120 A RU 99112120A RU 99112120/15 A RU99112120/15 A RU 99112120/15A RU 99112120 A RU99112120 A RU 99112120A RU 99112120 A RU99112120 A RU 99112120A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sic
crystal
plate
polycrystalline
orientation
Prior art date
Application number
RU99112120/15A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2162902C1 (en
Inventor
Кития Танино
Original Assignee
Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP9245432A external-priority patent/JP3043675B2/en
Application filed by Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд. filed Critical Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2162902C1 publication Critical patent/RU2162902C1/en
Publication of RU99112120A publication Critical patent/RU99112120A/en

Links

Claims (18)

1. Монокристаллический SiC, отличающийся тем, что он выполнен в виде комплекса, в котором пластинообразные заготовки из монокристаллического SiC уложены в стопу, причем поверхности ориентации кристалла расположены преимущественно в одной и той же плоскости, а ориентация кристаллов объединена в одном направлении, и поликристаллическая пластина, состоящая из атомов Si и С, расположена на этой поверхности ориентации кристаллов, уложенных в стопу заготовок из монокристаллического SiC, подвергнутого термообработке, за счет чего монокристалл выращен от поверхностей ориентации кристалла пластинообразных заготовок из монокристаллического SiC в направлении к поликристаллической пластине.1. Single-crystal SiC, characterized in that it is made in the form of a complex in which plate-shaped blanks of single-crystal SiC are stacked, and the crystal orientation surfaces are predominantly in the same plane, and the crystal orientation is combined in one direction, and the polycrystalline plate consisting of Si and C atoms is located on this surface of the orientation of the crystals, stacked in a stack of billets of single-crystal SiC, subjected to heat treatment, due to which the single crystal is grown is protected from the orientation surfaces of the crystal of plate-shaped preforms of single-crystal SiC in the direction of the polycrystalline plate. 2. Монокристаллический SiC по п.1, в котором пластинообразные заготовки из монокристаллического SiC для формирования указанного комплекса являются монокристаллическим α-SiC.2. Monocrystalline SiC according to claim 1, in which the plate-shaped preforms of monocrystalline SiC for the formation of the specified complex are monocrystalline α-SiC. 3. Монокристаллический SiC по п.1, в котором поликристаллическая пластина для формирования указанного комплекса является пластиной из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC, причем поверхности ориентации кристалла расположены преимущественно в одной и той же плоскости.3. Monocrystalline SiC according to claim 1, wherein the polycrystalline plate for forming said complex is a polycrystalline β-SiC plate grown by the method of thermochemical vapor deposition on the orientation surfaces of a crystal of single-crystal SiC preforms, wherein the orientation surfaces of the crystal are predominantly in one and the same plane. 4. Монокристаллический Sic по п.1, в котором поверхности ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC для формирования указанного комплекса обработаны шлифованием или полированием до шероховатости поверхности, среднеквадратическое значение которой меньше 1000
Figure 00000001
.4. The single-crystal Sic according to claim 1, in which the orientation surfaces of the crystal blanks of single-crystal SiC to form the specified complex are processed by grinding or polishing to a surface roughness, the rms value of which is less than 1000
Figure 00000001
. 5. Монокристаллический SiC по п.4, в котором поверхности ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC для формирования указанного комплекса обработаны шлифованием или полированием до шероховатости поверхности, среднеквадратическое значение которой находится в диапазоне 100-500
Figure 00000002
.5. Monocrystalline SiC according to claim 4, in which the orientation surfaces of the crystal blanks from monocrystalline SiC for forming the specified complex are processed by grinding or polishing to a surface roughness, the rms value of which is in the range of 100-500
Figure 00000002
. 6. Монокристаллический SiC по п.3, в котором поверхность пластины из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы, отполирована до толщины 300-700 мкм.6. Monocrystalline SiC according to claim 3, in which the surface of the plate of polycrystalline β-SiC grown by thermochemical vapor deposition is polished to a thickness of 300-700 μm. 7. Монокристаллический SiC по п.6, в котором поверхность пластины из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы, отполирована до толщины около 500 мкм.7. Monocrystalline SiC according to claim 6, in which the surface of the polycrystalline β-SiC wafer grown by thermochemical vapor deposition is polished to a thickness of about 500 μm. 8. Способ получения монокристаллического SiC, отличающийся тем, что пластинообразные заготовки из монокристаллического SiC укладывают в стопу, располагая при этом поверхности ориентации кристалла, преимущественно, в одной и той же плоскости и объединяя ориентацию кристалла в одном направлении, а потом закрепляют с помощью приспособления из спеченного графита, и укладывают поликристаллическую пластину, состоящую из атомов Si и С, на эти поверхности ориентации кристалла пластинообразных заготовок из монокристаллического SiC, закрепленных в уложенном состоянии, и полученный комплекс затем подвергают термообработке, за счет чего выращивают монокристалл от поверхностей ориентации кристалла пластинообразных заготовок из монокристаллического SiC в направлении к поликристаллической пластине.8. A method of producing monocrystalline SiC, characterized in that the plate-shaped blanks of monocrystalline SiC are stacked, having the crystal orientation surfaces predominantly in the same plane and combining the crystal orientation in one direction, and then secured using a device from sintered graphite, and lay a polycrystalline plate, consisting of Si and C atoms, on these surfaces of the orientation of the crystal plate-shaped blanks of single-crystal SiC, fixed in state, and the resulting complex is then subjected to heat treatment, whereby a single crystal is grown from the crystal orientation surfaces of plate-shaped blanks of single-crystal SiC in the direction toward the polycrystalline plate. 9. Способ получения монокристаллического SiC по п.8, в котором используют монокристаллический α-SiC в качестве пластинообразных заготовок из монокристаллического SiC для формирования указанного комплекса.9. The method of producing single-crystal SiC according to claim 8, in which single-crystal α-SiC is used as plate-like blanks from single-crystal SiC to form the specified complex. 10. Способ получения монокристаллического SiC по п.8, в котором пластину из поликристаллического β-SiC, выращенную способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC, используют в качестве поликристаллической пластины для формирования указанного комплекса, располагая при этом поверхности ориентации кристалла, преимущественно в одной и той же плоскости.10. The method of producing single-crystal SiC according to claim 8, in which a polycrystalline β-SiC plate grown by thermochemical vapor deposition on the orientation surfaces of a crystal of single-crystal SiC preforms is used as a polycrystalline plate to form said complex, while having the surface orientation of the crystal, mainly in the same plane. 11. Способ получения монокристаллического SiC по п.8, в котором поверхности ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC для формирования комплекса обрабатывают шлифованием или полированием до шероховатости поверхности, среднеквадратическое значение которой меньше 1000
Figure 00000003
.11. The method of producing single-crystal SiC according to claim 8, in which the surface orientation of the crystal blanks of single-crystal SiC for forming a complex is processed by grinding or polishing to a surface roughness, the rms value of which is less than 1000
Figure 00000003
. 12. Способ получения монокристаллического SiC по п.11, в котором поверхности ориентации кристалла заготовок из монокристаллического SiC для формирования комплекса обрабатывают шлифованием или полированием до шероховатости поверхности, среднеквадратическое значение которой находится в диапазоне 100-500
Figure 00000004
.12. The method of producing single-crystal SiC according to claim 11, in which the surface orientation of the crystal blanks of single-crystal SiC for forming a complex is processed by grinding or polishing to a surface roughness, the rms value of which is in the range of 100-500
Figure 00000004
. 13. Способ получения монокристаллического SiC по п.10, в котором поверхность пластины из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы, полируют до толщины 300-700 мкм.13. The method of producing single crystalline SiC of claim 10, in which the surface of the plate of polycrystalline β-SiC grown by thermochemical vapor deposition is polished to a thickness of 300-700 μm. 14. Способ получения монокристаллического SiC по п.13, в котором поверхность пластины из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы, полируют до толщины около 500 мкм.14. The method for producing single-crystal SiC according to claim 13, wherein the surface of the polycrystalline β-SiC wafer grown by the method of thermochemical vapor deposition is polished to a thickness of about 500 μm. 15. Способ получения монокристаллического SiC по п.9, в котором заготовки монокристаллического α-SiC пластинообразной формы, вырезанные из слитка монокристаллического α-SiC вдоль поверхности ориентации кристалла и обработанные до достижения одинакового размера, используют в качестве заготовок из монокристаллического SiC для формирования указанного комплекса.15. The method for producing single-crystal SiC according to claim 9, in which preforms of single-crystal α-SiC are plate-shaped, cut from an ingot of single-crystal α-SiC along the crystal orientation surface and processed to achieve the same size, are used as preforms of single-crystal SiC to form said complex . 16. Способ получения монокристаллического SiC по п.8, в котором термическую обработку указанного комплекса осуществляют при температуре в диапазоне 1850-2400°С при его размещении в графитовом контейнере, наружную сторону которого окружают и покрывают порошком SiC.16. The method of producing single crystalline SiC of claim 8, in which the heat treatment of the specified complex is carried out at a temperature in the range of 1850-2400 ° C when it is placed in a graphite container, the outer side of which is surrounded and covered with SiC powder. 17. Способ получения монокристаллического SiC по п.10, в котором термическую обработку указанного комплекса проводят при температуре в диапазоне 1850-2400°С после полирования поверхности пластины из поликристаллического β-SiC, выращенной способом термохимического осаждения из паровой фазы, на отполированную поверхность пластины из поликристаллического β-SiC помещают графит, и указанный комплекс затем размещают в графитовом контейнере, наружную сторону которого окружают и покрывают порошком SiC.17. The method of producing single-crystal SiC of claim 10, in which the heat treatment of the specified complex is carried out at a temperature in the range of 1850-2400 ° C after polishing the surface of the plate from polycrystalline β-SiC, grown by the method of thermochemical vapor deposition, on the polished surface of the plate from polycrystalline β-SiC is placed graphite, and the specified complex is then placed in a graphite container, the outer side of which is surrounded and covered with SiC powder. 18. Способ получения монокристаллического SiC, в котором поверхность монокристаллического SiC, полученного способом по п.8, снова шлифуют или полируют, укладывают поликристаллическую пластину на шлифованную или полированную поверхность монокристаллического SiC, и указанный комплекс подвергают термообработке, за счет чего выращивают монокристалл от поверхности ориентации кристалла монокристаллического SiC в направлении к поликристаллической пластине.18. A method for producing single-crystal SiC, in which the surface of single-crystal SiC obtained by the method of claim 8, is again ground or polished, a polycrystalline plate is laid on the ground or polished surface of single-crystal SiC, and this complex is subjected to heat treatment, whereby a single crystal is grown from the orientation surface single-crystal SiC crystal towards a polycrystalline wafer.
RU99112120/12A 1997-09-10 1998-08-05 MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS) RU2162902C1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9/245432 1997-09-10
JP9245432A JP3043675B2 (en) 1997-09-10 1997-09-10 Single crystal SiC and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2162902C1 RU2162902C1 (en) 2001-02-10
RU99112120A true RU99112120A (en) 2004-11-20

Family

ID=17133580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99112120/12A RU2162902C1 (en) 1997-09-10 1998-08-05 MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6143267A (en)
EP (1) EP0964084A1 (en)
JP (1) JP3043675B2 (en)
KR (1) KR100288473B1 (en)
CN (1) CN1239519A (en)
CA (1) CA2269709A1 (en)
RU (1) RU2162902C1 (en)
TW (1) TW514685B (en)
WO (1) WO1999013139A1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2884085B1 (en) * 1998-04-13 1999-04-19 日本ピラー工業株式会社 Single crystal SiC and method for producing the same
EP1130137B1 (en) * 1999-07-30 2006-03-08 Nissin Electric Co., Ltd. Material for raising single crystal sic and method of preparing single crystal sic
JP3087070B1 (en) * 1999-08-24 2000-09-11 日本ピラー工業株式会社 Single crystal SiC composite material for semiconductor device production and method for producing the same
US6706114B2 (en) * 2001-05-21 2004-03-16 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide crystals
US7314520B2 (en) * 2004-10-04 2008-01-01 Cree, Inc. Low 1c screw dislocation 3 inch silicon carbide wafer
CN100400723C (en) * 2006-05-29 2008-07-09 中国科学院物理研究所 Heat treatment method after silicon carbide monocrystal growth
KR101597537B1 (en) * 2013-09-27 2016-02-25 정진 Handrail hook for luggage
CN103940837A (en) * 2014-04-01 2014-07-23 中国科学院物理研究所 SiC crystal monochromator
JP6544166B2 (en) * 2015-09-14 2019-07-17 信越化学工業株式会社 Method of manufacturing SiC composite substrate
JP6515757B2 (en) * 2015-09-15 2019-05-22 信越化学工業株式会社 Method of manufacturing SiC composite substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5915194A (en) * 1997-07-03 1999-06-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Method for growth of crystal surfaces and growth of heteroepitaxial single crystal films thereon
JP3043689B2 (en) * 1997-11-17 2000-05-22 日本ピラー工業株式会社 Single crystal SiC and method for producing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210047188A1 (en) Vapor Deposition Apparatus and Techniques Using High Purity Polymer Derived Silicon Carbide
US7316747B2 (en) Seeded single crystal silicon carbide growth and resulting crystals
TWI719164B (en) Vapor deposition apparatus and techniques using high purity polymer derived silicon carbide
JP2003527298A (en) Fabrication of large single crystal seed crystals by mutual growth of tiled seed crystals
KR101595693B1 (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
TW201724177A (en) Method for producing silicon carbide composite substrate, and method for producing semiconductor substrate
RU99106418A (en) SIC MONOCRYSTAL AND METHOD FOR ITS PRODUCTION
RU99112120A (en) SIC SILICON SILICON CARBIDE AND METHOD OF ITS PRODUCTION (OPTIONS)
RU99105847A (en) SIC MONOCRYSTAL AND METHODS OF ITS OBTAINING
KR20140139138A (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
RU99103350A (en) MONOCRYSTAL SILICON CARBIDE AND METHOD FOR ITS PREPARATION
JP2884085B1 (en) Single crystal SiC and method for producing the same
WO2021149235A1 (en) Method for producing rare-earth-containing sic substrate and sic epitaxial layer
EP0921214A4 (en) Single crystal silicon carbide and process for preparing the same
US20210301422A1 (en) SiC COMPOSITE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
RU2162902C1 (en) MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE SiC AND METHOD OF ITS PRODUCTION (VERSIONS)
WO2020195196A1 (en) Sic composite substrate and composite substrate for semiconductor device
KR101807166B1 (en) METHOD FOR PRODUCING SiC SUBSTRATE
WO2021100564A1 (en) Sic substrate and method for manufacturing same
WO2020195197A1 (en) Sic composite substrate and composite substrate for semiconductor device
WO2023068309A1 (en) Sic substrate sic composite substrate
WO2024042591A1 (en) Sic substrate and sic composite substrate
JPH11315000A (en) Single crystal sic and its production
WO2023062850A1 (en) Rare earth-containing sic substrate and sic composite substrate
WO2022168372A1 (en) Rare earth-containing sic substrate, and sic composite substrate using same