RU98119061A - Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики - Google Patents

Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики

Info

Publication number
RU98119061A
RU98119061A RU98119061/03A RU98119061A RU98119061A RU 98119061 A RU98119061 A RU 98119061A RU 98119061/03 A RU98119061/03 A RU 98119061/03A RU 98119061 A RU98119061 A RU 98119061A RU 98119061 A RU98119061 A RU 98119061A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ceramic
temperature
ceramics
oxygen
oxidizing gas
Prior art date
Application number
RU98119061/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2208003C2 (ru
Inventor
Франсуа Шаролле
Мирей Боэр
Мишель Костер
Паскаль ПИЛЮЗО
Клод Фор
Original Assignee
Компани Женераль де Матьер Нюклеэр
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9713168A external-priority patent/FR2769983B1/fr
Application filed by Компани Женераль де Матьер Нюклеэр filed Critical Компани Женераль де Матьер Нюклеэр
Publication of RU98119061A publication Critical patent/RU98119061A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2208003C2 publication Critical patent/RU2208003C2/ru

Links

Claims (20)

1. Способ термического травления керамики, которое осуществляют в печи с контролируемой атмосферой, образованной окислительным газом, обеспечивающим химический потенциал кислорода от -75 до -125 кДж/моль, отличающийся тем, что он включает следующие этапы: быстрый подъем температуры печи со скоростью 900 - 1500°С/ч от начальной температуры до плато температуры поддержание температуры вышеупомянутого плато на величине 1250 - 1450°С в течение времени от 30 мин до 15 мин, и снижение температуры до конечной температуры.
2. Способ по п. 1 отличающийся тем, что керамика образована одним тугоплавким оксидом или несколькими тугоплавкими оксидами, выбранными среди оксидов алюминия, оксидов церия, оксидов металлов семейства актиноидов, таких, как U, Рu и Тh, и смешанных оксидов этих металлов.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что керамика является однофазной керамикой.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что керамика является многофазной керамикой.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что керамика представляет собой ядерное топливо, полученное на основе порошкообразного UO2.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что керамика представляет собой ядерное топливо типа (U, Рu)O2.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что окислительный газ образуют из газа-носителя и кислорода.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что газ-носитель выбирают среди CO2, аргона, других инертных газов и их смесей.
9. Способ по п.7 или 8, отличающийся тем, что окислительный газ содержит от 10-3 до 3·10-1 об.% кислорода.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что окислительный газ составляют из CO2 и 10-3об.% кислорода.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что окислительный газ образуют из аргона и 10-1 об.% кислорода.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что температура плато составляет 1300 - 1400°С.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что температура плато равна 1350°С.
14. Способ по 1, отличающийся тем, что потенциал кислорода, поставляемого окислительным газом, составляет приблизительно -100 кДж/моль.
15. Способ по п. 1, отличающийся тем, что снижение температуры печи осуществляют со скоростью 900 - 1500°С/ч .
16. Способ по п. 1, отличающийся тем, что керамику предварительно подвергают шлифованию.
17. Способ изучения микроструктуры керамики, отличающийся тем, что зернистую структуру керамики проявляют методом термического травления согласно любому из пп. 1-16; и структуру, проявленную таким образом, подвергают одной операции или операциям анализа и/или измерения и/или наблюдения.
18. Способ по п. 17, отличающийся тем, что операция анализа и/или измерения и/или наблюдения содержит наблюдение поверхности керамики при помощи оптических или электронных средств и измерение размера зерен.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что измерение размера зерен осуществляют с использованием программного обеспечения для анализа полученных изображений, сочетающегося с вышеупомянутыми оптическими средствами.
20. Шлифованная керамика, отличающаяся тем, что ее повергают термическому травлению, и получают поверхность керамики протравленную равномерно, при этом геометрия желобков проявленных границ зерен является симметричной, однородной и правильной.
RU98119061/03A 1997-10-21 1998-10-20 Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики RU2208003C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9713168 1997-10-21
FR9713168A FR2769983B1 (fr) 1997-10-21 1997-10-21 Procede d'attaque thermique en conditions oxydantes d'une ceramique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98119061A true RU98119061A (ru) 2000-09-10
RU2208003C2 RU2208003C2 (ru) 2003-07-10

Family

ID=9512462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98119061/03A RU2208003C2 (ru) 1997-10-21 1998-10-20 Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6171511B1 (ru)
EP (1) EP0911624B1 (ru)
JP (1) JP4443655B2 (ru)
KR (1) KR100553700B1 (ru)
DE (1) DE69816397T2 (ru)
FR (1) FR2769983B1 (ru)
RU (1) RU2208003C2 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000077792A1 (en) * 1999-06-15 2000-12-21 Yong Soo Kim An effective dry etching process of actinide oxides and their mixed oxides in cf4/o2/n2 plasma
KR100712715B1 (ko) 2001-01-31 2007-05-04 도시바세라믹스가부시키가이샤 표면에 미세한 돌기를 형성시킨 세라믹스부재 및 그제조방법
CN101230877A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 富准精密工业(深圳)有限公司 转动体及其制造方法
CN106092708B (zh) * 2016-06-06 2020-02-04 四川建筑职业技术学院 一种300m钢晶粒度的腐蚀显现方法
RU2679117C1 (ru) * 2018-02-01 2019-02-06 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) Способ получения керамического ядерного топлива
CN113176181A (zh) * 2021-04-28 2021-07-27 钢铁研究总院 一种晶粒尺寸测试方法
CN113960085A (zh) * 2021-09-22 2022-01-21 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种有色金属多晶材料晶粒尺寸的高效测量方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3859403A (en) * 1970-04-13 1975-01-07 Sprague Electric Co Process for semiconductive ceramic body
JPS5742237B2 (ru) * 1975-01-11 1982-09-07
DE3443817A1 (de) * 1983-12-02 1985-06-27 Director General of Agency of Industrial Science and Technology Itaru Todoriki, Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung von keramik
US4548903A (en) * 1984-03-30 1985-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method to reveal microstructures in single phase alloys
JPS63303867A (ja) * 1987-01-12 1988-12-12 Ngk Insulators Ltd 窒化珪素セラミックス部品の製造法
JPH0688895A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Mitsubishi Nuclear Fuel Co Ltd 核燃料ペレットの結晶粒径推定方法
JPH0715432B2 (ja) * 1992-09-18 1995-02-22 科学技術庁無機材質研究所長 燃焼炎を用いたセラミックスの簡易エッチング法
JP2616372B2 (ja) * 1993-01-06 1997-06-04 住友金属工業株式会社 半導体磁器素子の製造方法
JPH0784274A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 A G Technol Kk 優先配向を有するito薄膜作成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Vaughn et al. Active‐to‐passive transition in the oxidation of silicon carbide and silicon nitride in air
Sundaram et al. Molten Glass Corrosion Resistance of Immersed Combustion‐Heating Tube Materials in Soda‐Lime‐Silicate Glass
RU98119061A (ru) Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики
Ferber et al. Characterization of corrosion mechanisms occurring in a sintered SiC exposed to basic coal slags
Lambertson et al. Uranium oxide phase equilibrium systems: I, UO2–Al2O3
Coblenz The physics and chemistry of the sintering of silicon
Jakobsson et al. Interfacial phenomena in some slag-metal reactions
Yoshimi et al. A New Approach to Estimating Wetting in a Reaction System
Kapilashrami et al. Investigation of the wetting characteristics of liquid iron on mullite by sessile drop technique
Becher Strength Retention in SiC Ceramics after Long‐Term Oxidation
RU2208003C2 (ru) Способ термического травления керамики в окислительных условиях, шлифованная керамика и способ изучения микроструктуры керамики
Costello et al. Oxygen penetration into silicon carbide ceramics during oxidation
Bernhart et al. Preliminary tests of silicon carbide based concretes for hybrid rocket nozzles in a solar furnace
Zhang et al. Energetics of cubic Si 3 N 4
US20140154402A1 (en) Production of polycrystalline silicon by natural sintering for photovoltaic applications
Luthra et al. Chemical Considerations in Carbon‐Fiber/Oxide‐Matrix Composites
Sangiorgi et al. Wettability of hot-pressed silicon nitride materials by liquid copper
WADA et al. Sintering of Si3N4 ceramics in air atmosphere furnace
Rizzo et al. Refractory Compositions Based on Silicon‐Boron Oxygen Reactions
Kossowsky Wetting of silicon nitride by alkaline-doped MgSiO 3
US4400354A (en) Apparatus useful for analyzing refractory substances
Smith et al. Determination of Oxygen in Pyrolytic Graphite-Coated Uranium Carbide by Use of a Current-Concentrator Furnace.
Dobson The tungsten carbide–carbon monoxide–tungsten buffer and its use for synthesizing iron-bearing silicates in muffle furnaces
Hofbauer et al. Effects of oxygen on the Liquid Silicon Infiltration (LSI) process
Yurkov Silicon Carbide-Silicon Nitride Materials: Part 2. Corrosion Resistance and Oxidation in Al Reduction Cells and at Lab Testing