RU98105733A - Способ получения ядерно-легированного кремния n-типа (варианты) - Google Patents
Способ получения ядерно-легированного кремния n-типа (варианты)Info
- Publication number
- RU98105733A RU98105733A RU98105733/06A RU98105733A RU98105733A RU 98105733 A RU98105733 A RU 98105733A RU 98105733/06 A RU98105733/06 A RU 98105733/06A RU 98105733 A RU98105733 A RU 98105733A RU 98105733 A RU98105733 A RU 98105733A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- neutrons
- producing
- options
- radiation defects
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
Claims (3)
1. Способ получения ядерно-легированного кремния n-типа, при котором слиток исходного кремния облучают нейтронами и по основной ядерной реакции (n,γ) на стабильном изотопе 30Si получают нужную концентрацию донорной примеси 31Р, проводят дезактивацию слитка, его дозиметрический контроль, а также, для удаления значительной части радиационных дефектов и стабилизации свойств материала, - его термический отжиг, отличающийся тем, что исходный кремний, до его облучения, обогащают в N раз стабильным изотопом 30Si и соответственно снижают в N раз флюенс нейтронов и, тем самым, концентрацию комплексных радиационных дефектов, не поддающихся термическому отжигу.
2. Способ по п. 1, отличается тем, что при сохранении флюенса нейтронов, с помощью модератора спектра нейтронов, уменьшают долю нейтронов высокой энергии, ответственных за образование комплексных радиационных дефектов.
3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что он является комбинацией способов, определяемой в соответствии с заданием потребителя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98105733A RU2145128C1 (ru) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98105733A RU2145128C1 (ru) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2145128C1 RU2145128C1 (ru) | 2000-01-27 |
| RU98105733A true RU98105733A (ru) | 2000-03-20 |
Family
ID=20203993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98105733A RU2145128C1 (ru) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2145128C1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2514943C1 (ru) * | 2012-12-25 | 2014-05-10 | Георгий Николаевич ПЕТРОВ | Способ и устройство для нейтронного легирования вещества |
-
1998
- 1998-03-19 RU RU98105733A patent/RU2145128C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4684413A (en) | Method for increasing the switching speed of a semiconductor device by neutron irradiation | |
| Patterson | Homometric structures | |
| GB1449751A (en) | Annealing to control gate sensitivity of thyristors | |
| US3967982A (en) | Method of doping a semiconductor layer | |
| RU98105733A (ru) | Способ получения ядерно-легированного кремния n-типа (варианты) | |
| Whan | Oxygen‐Defect Complexes in Neutron‐Irradiated Germanium | |
| US4119441A (en) | Method for the production of n-doped silicon with a dish-shaped profile of specific resistance in a radial direction | |
| JPS5669825A (en) | Impurity-adding method for compound semiconductor | |
| RU2001100541A (ru) | Способ получения радиоизотопа молибден-99 | |
| JPS5263588A (en) | Neutraon source for nuclear reactor | |
| RU2145128C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) | |
| US20200402802A1 (en) | Photonuclear transmutation doping in gallium-based semiconductor materials | |
| JPS5533020A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| RU97115338A (ru) | Способ регулирования радиационной повреждаемости реакторного графита | |
| Von Halban et al. | Energy of neutrons liberated in the nuclear fission of uranium induced by thermal neutrons | |
| JPS61225822A (ja) | シリコン結晶板内に可調整均等ドープ区域を作る方法 | |
| EP0238206A1 (en) | Photonuclear transmutation doping of semiconductors | |
| JPS5669824A (en) | Impurity-adding method for compound semiconductor | |
| RU2125306C1 (ru) | Способ регулирования радиационной повреждаемости реакторного графита | |
| STAMOULI | Thermal Effects on 51Cr (III)-Doped Oxy-salts Pre-irradiated with Gamma Radiation | |
| Afonin et al. | Effect of Electron Irradiation on the Migration of Gold in Silicon | |
| JPS5669823A (en) | Impurity-adding method for semiconductor | |
| JPS5443672A (en) | Production of p-conductive ge singlecrystal | |
| Horak | Pre-precipitation rate in Al-10% Zn alloy neutron irradiated at 78° K | |
| SU1100959A1 (ru) | Способ получени дерно легированного германи |