SU1100959A1 - Способ получени дерно легированного германи - Google Patents
Способ получени дерно легированного германи Download PDFInfo
- Publication number
- SU1100959A1 SU1100959A1 SU823451646A SU3451646A SU1100959A1 SU 1100959 A1 SU1100959 A1 SU 1100959A1 SU 823451646 A SU823451646 A SU 823451646A SU 3451646 A SU3451646 A SU 3451646A SU 1100959 A1 SU1100959 A1 SU 1100959A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- germanium
- neutrons
- irradiation
- neutron
- compensation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германи естественного изотопного состава нейтронами о т л ичающийс тем, что, с целью повышени степени компенсации облу- чение провод т резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами .
Description
Изобретение относитс к технологии однородного легировани .полупроводников и может быть использовано при создании полупроводниковых материалов дл криогенной резистйвной термометрии , оптоэлектроники, детекторов излучений и других полупроводниковых приборов.
Оно позвол ет значительно повысить степень компенсации дерно легированного германи , полученного облучением нейтронами германи естественного изотопного состава.
Известен способ получени однородно легированного германи , включающий выращивание монокристаллов из расплава, изотопный состав которого отличаетс по содержанию изотопов от естественного германи , и дальнейшее облучейие тепловыми нейтронами. В результате захвата нейтронов изотопами германи протекают дерные реакции, привод щие к образованию электрически активных примесей галли (мелкоg
го акцептора), мышь ка мелкого донора ) и селена (глубокого двухзар дно- ; го донора), концентрации которых определ ютс формулами
N6 %е-Р 7 т,
Ntfe .,Р,
(О
Ы
AS
,
N.
NC
.
бе
где- N(jg - концентраци атомов германи , PJ. , , P7ft - содержание изо76
топов Се . , j2Ge
В облучаемом
германии, д 4 захвата тепловых нейтронов этими изотопами , Фу- - флюэнс тепловых нейтронов. . Вследствие равномерного поглощени тепловых нейтронов в кристаллах германи с линейньп4й размерами пор дка
нескольких сантиметров и невысоких температур облучени , из-за чего образующиес в германии примеси непо-. движны, метод дерного легировани позвол ет добитьс максимальной однородности распределени примесей в полупроводнике. Концентраци вводимой примеси при этом контролируетс достаточно точно по времени облучени при известной величине мощности потока тепловых нейтронов. Этим способом можно получить однородно легированный германий как п-типа, так и р-типа с различной степенью компенсации, задаваемой выбором исходного изотопного состава. Способ обладает существенными недо статками - сложностью технологических операций и в св зи с этим высокой стоимостью получаемого данным способом легированного германи . Это обусловлено тем, что дл получени желае .мого изотопного состава исходного rep мани необходимо иметь в наличии очищенные и обогащенные монойзотопы гер70 Ge , , Ge i смеси . которых выращиваетс германии же лаемого изотопного состава. Техника же разделени и очистки изотопов весь ма сложна и дорога . Наиболее близким к насто щему техническому решению вл етс способ получени дерно легированного германи , включающий облучение германи е тественного изотопного состава нейтронами . Германий в этом способе облучают медленными (тепловым-) нейтронами, Полученный таким образом дерно легированный германий всегда будет р-типа проводимости и с фиксированно невысокой степенью компенсации, т.е. отношением концентраций неосновной и основной примесей. Kg 0,23. Беличина KO определ етс формулой PZ 1 , в которую вход т лишь Р7 , . , Р7 , вл ющиес константами дл германи естественного изотопного состава, и б,( , ( , величина которых также неизменна, а следовательно, не измен на и величина К 0,23. Этот способ также позвол ет получать однородное распределение примеси в полупроводнике и достаточно точ :но контролировать ее концентрацию по времени облучени . При этом,в отличие от предыдущего способа, исключаю с сложные и дорогосто щие технологические процессы разделени и очистки изотопов германи . Существенным недостатком этого способа вл етс невозможность получени иных, кроме Ко 0,23, значений степени компенсации. Цель изобретени - повьщ1ение степени компенсации. Поставленна цель достигаетс тем, что в способе получени дерно легированного германи , включающем облучение германи естественного изотопного состава нейтронами, облучение провод т резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами. В результате облучени германи резонансными нейтронами происход т те же дерные реакции, что и при облучении тепловыми нейтронами, и в германий ввод тс примеси галлий, мышь к и селен. Их концентрации определ ютс формулами, аналогичными (I) NG. . V Р. %s N«€ РГ.. /- Рр f% где 1 , 1 , i.y - интегралы захвата резонансных нейтронов изотопами 74 76 .,,Ge ,Ge соответственно, Р - флюэнс резонансных нейтронов. Соотношение величины I -ГО-Т/ таково (1 2,4 б, , 0,43 б, 7Й 1 2,2 б), что при облучении германи естественного изотопного состава резонансными нейтронами получаетс полупроводник р-типа с фиксированной высокой степенью компенсации Ki:0,93, намно.го большей, чем К,, 0,23, достигаема при облучении естественного исходного германи тепловыми нейтронами . Комбиниру облучение тепловыми и резонансными нейтронами, можно получить любую степень компенсации в интервале значений 0,23-0,93, использу в качестве исходного германий естественного изотопного, состава и не прибега к сложной и дорогой процедуре выращивани слитков германи с различным изотопным составом. Облучение германи резонансными нейтронами реализуетс путем облучени германиевого слитка в кадмиевом чехле достаточной толщины, который надежно экранирует слиток от тепловых нейтронов. Пучки нейтронов в каналах дерных реакторов, в которых провод т облучение , содержат определенную долю ка тепловых, так и резонансных нейтронов . Отношение флюэнсов ,. (f (жесткость спектра энергий нейтронов может измен тьс дл разных типов ре акторов в широком диапазоне. Так, на пример, в каналах т желоводного реак тора t 0,02-0,05, дл реактора СМf 0,8, а в каналах реактора БОР-60 (f 10 . Измен ть величину / в широких , пределах можно также при облучении в одном и том же реакторе путем облучени германи в чехле из материала , эффективно поглощающего тепловые нейтроны, например кадми , варьиру толщину стенок чехла. Толщина стенки чехла определ ет долю тепловых нейтронов пучка, поглощенную материалом экрана, по формуле f 1 - exp(), (3) где Л - коэффициент поглощени тепловых нейтронов материалом чехла, d толщина стенки. Жесткость спектра ней тронов /41 , прошедших через стенку чехла, равна
-Л Г f4
Фг(Л) exp7-/ d)
;
exp(Ad), где fa - .жесткость спектра при облуч НИИ без чехла,fp Rp (1-f). При облучении германи естественно го изотопного состава в пучке нейтронов с жесткостью спектра, равной /,. .получаетс полупроводник р-типа со степенью компенсации, равной Pzi.i.2til)i2PziLMi5xiia5i Р7 (7Л+ lf%) (5) Рр и учиПодставл в тыва , что Z2i. KO 0,23, , SaLiLi.25. .1 0,93, получим 2iZ К о,.23 + 1 + 1, На фиг. 1 показана зависимость сте пени компенсации К от жесткости спект ра нейтронов f (крива 1); на фиг.2 зависимость степени компенсации от соотношени времен , дл (/ 0,8 (крива 2) и if 0,02 (крива 3); на
2zZ0 ,23 +
(7)
1 + .(. 4i) фиг. 3 - зависимость времени t, и t от степени компенсации К: 4- t, облучение в ТВР крива 5- t, облучение в ТВР крива 6- t, облучение в СМ-2 крива 7- t, облучение в СМ-2 крива На фиг. 1 показано изменение степени компенсации К при увеличении жесткости спектра нейтрогюв в пределах от 0,02 до 10 . При изменении / в таких пределах К измен етс от 0,23 до 0,93. Управл ть степенью компенсации дерно легированного германи в пределах от 0,23 до 0,93 при использовании в качестве исходного германи естественного изотопного состава можно также таким о бразом. Слиток.германи облучают нейтронами с жесткостью спектра J в течение времени 2f/, а затем только резоиансньп4и нейтронами (поместив слиток в кадмиевыйчехол достаточно большой толщины) в течение времени t. Степень компенсации в таком полупроводнике будет определ тьс формулой (5). Учитыва , что в данном случае р . Г С t«/t/ ) 2 показано, как измен етНа фиг. с К при изменении -- от 0,01 до Ч дл двух значений / (0,8 - крива 2 и 0,02 - крива 3). Практически все значени К в интервале 0,23-0,93 реализую-Гс дл этих двух f- в интервале значений - от 0,01 до 100. Концентраци основной примеси галли Ng в предлагаемом способе определ етс величинами флюэнсов тепловых и резонансных нейтронов а. N.ePr. (гД , ) (8) и при известной мощности потоков тепловых и резонансных нейтронов достаточно точно контролируетс по времени облучени . При управлении степенью компенсации путем облучени нейтронами с разной жесткостью спектра f )iV . врем облучени определ етс формулой 9 Yr(T+0,7) где T- - мощность потока тепловых не тронов. В случае, если степенью компенсации управл ют путем облучени слитка германи без кадмиевого чехла в течение времени t и в кадмиевом чехле в течение времени If, (1+|)Н.(П уда с учетом Nc. 3,14-10 см откуда с учетом wf tjV;. получаем . . Ч Tn+0,7r(l+t,/t,) Величина t.j/tj определ етс из графика на фиг. 2 дл необходимого значени К и подставл етс в (12). Зна t можно определить t. и м е р I. Дл получени гер мани р-типа с концентрацией основной примеси галли 5-10 и степенью компенсации К 0,93 выби рают слиток германи естественного изотопного состава, например серийно выпускаемого промышленностью германи марки ГЭС-45, содержание примесе в котором на три пор дка меньше концентраций примесей, вводимых дерным легированием. Требуема величина флю энса резонансных нейтронов определ етс формулой ,, 45.45 N 45,45-5-10 10 нейтрон/см . 2,27 Зна мощность потока резонансных нейтронов в канале реактора, можн определить врем оо учени . Например , в канале А9 т желоводного реактора ИТЭФ нейтрон/см с. Отсюд 4 1,2.10 облучени получаем врем РО 1,89-10 сек - 21 сут - ; 22 час 6 мин Дл экранировани от тепловых нейтро нов слиток германи помещаетс в кад миевый чехол. Пример 2. Дл получени гер мани р-типа с концентрацией N и степен ми компенсации 0,23; 0,25; 0,48 и 0,93 выбирают гер маний естественного изотопного соста ва, например выпускаемый промьшшенностью германий марки ГЭС-45. Облуче ние провод т в каналах А2 и А9 реактора ТВР (rf 0,022 и 0,05 соответственно ) , а также в каналах реакторов СМ-2, где Г 0,8, и ВОР-60, где / 10, без кадмиевого чехла. При этом получают (см. фиг, 1) значени К 0,23; 0,25; 0,48 и 0,93 соответственно . Требуема величина флюэнсов нейтронов составит: ср 5ii§S o. 59-10 нем i-i-rif /: 0,23; Г 0,22; « 1,57 J О 10 нейтрон/см V 3,4-10 нейтрон/см 2)К 0,25; 0,05; . 1,54-10 нейтрон/см ; fp 7,7-10 нейтрон/см 3)К - 0,48; 0,8; жЮ нейтрон/см ; Фр 8,15-10 нейтрон/см 4)К 0,93; ,2н х10 нейтрон/см п2 10 нейтрон/см . Зна мощность потока тепловых (V) либо резонансных (р) нейтронов в самом реакторе, можно определить врем облучени . Например, в канале А9 реактора ТВР 2,38-10 нейтрон/см с. Отсюда получим врем облучени . 6,74 17 ч 58 мин 26 с. Пример 3. Дл получени германи р-типа с концентрацией 540 см и степенью компенсации, измен ющейс в пределах 0,23-0,93, в качестве исходного выбирают германий естественного изотопного состава марки ГЭС-45. Облучение провод т в канале А2 реактора ТВР (,02) и в реакторе СМ-2 ( 0,8), варьиру величины t (врем облучени без кадмиевого чехла) и t (врем облучени в кадмиевом чехле). Кз фиг. 2 видно, что при облучении в ТВР за счет изменени отношени от 0,01 до 40 перекрываетс интервал значений К от 0,23 до 0, при облучении в СМ-2 изменение .| от 0,01 до 100 дает значени К в интервале о 0,48 до 0,93. Величина флюзнсов нейтронов, необходима дл получени заданной концентрации K(;.Q , измен етс в таких пределах . При облучении в реакторе ТВР йа первой стадии (облучение без чехла) 7- измен етс от 1,57 Ю до 1 ,01 х «10 нейтрон/см при изменении К от 0,23 до 0,48.
На второй стадии (облучение в чехле ) р измен етс от 3,14-10 до 8,08 /Ю нейтрон/см .
При облучении в реакторе СМ-2: .
на первой стадии (облучение
Ю нейчехла ) ;- измен етс от 1.01
л . М.
трон/см до 2,7610 нейтрон/см при изменении К от 0,48 до 0,93;
на второй стадии (облучение в чехле )iV измен етс от 8,08-10 нейтрон/см до 2.21.10 нейтрон/см.
Зна мощность потоков тепловых и резонансных нейтронов в каналах, где ведетс облучение, можно определить длительность времен облучени t| и t из уравнений (7) и (12).
На фиг. 3 показано изменение вреизмен ющемс -от 0,23 до 0,48 (облучение в ТВР) и от 0,48 до 0,93 (облучение в СМ-2). Кривые 4 и 5 соответствуют t и t2 при облучении в ТВР и кривые 6 и 7 соответствуют t и t при облучении в СМ-2.
Таким образом, предложенный состав обеспечивает следунщие технико-экономические преимущества:
возможность получени сильно компенсированного дерно-легированного германи за счет облучени германи резонансными нейтронами,
возможность управлени степенью компенсации за счет облучени германи пучками нейтронов с различной жесткостью спектра;
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германия естественного изотопного состава нейтронами, от л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения степени компенсации, облучение проводят резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823451646A SU1100959A1 (ru) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | Способ получени дерно легированного германи |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823451646A SU1100959A1 (ru) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | Способ получени дерно легированного германи |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1100959A1 true SU1100959A1 (ru) | 1989-10-23 |
Family
ID=21016228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823451646A SU1100959A1 (ru) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | Способ получени дерно легированного германи |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1100959A1 (ru) |
-
1982
- 1982-04-15 SU SU823451646A patent/SU1100959A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 799523, кл. С 30 В 31/20, С 30 В 29/08, 1980. Полупроводниковые материалы./Пер. с англ, под ред. В.М. Тучкевича, М., Ш1( 1954, с. 62. , /,.S f Р-- ;,- Ь ,.:-.tJ,.4 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4910156A (en) | Neutron transmutation doping of a silicon wafer | |
JPS57210635A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
US3967982A (en) | Method of doping a semiconductor layer | |
Markevich et al. | Radiation‐induced shallow donors in Czochralski‐grown silicon crystals saturated with hydrogen | |
CA1068583A (en) | Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity | |
SU1100959A1 (ru) | Способ получени дерно легированного германи | |
CA1045523A (en) | N-conductivity silicon mono-crystals produced by neutron irradiation | |
US5904767A (en) | Neutron transmutation doping of silicon single crystals | |
US4126509A (en) | Process for producing phosophorous-doped silicon monocrystals having a select peripheral dopant concentration along a radial cross-section of such monocrystal | |
CA1061686A (en) | Apparatus for doping a semiconductor crystalline rod | |
Misdaq et al. | Use of channeling in association with charged particle activation to study the position of light elements at trace level in crystals: The case of carbon in GaAlAs prepared by MO-VPE | |
DE3525397C2 (de) | Verfahren zur epitaxialen Herstellung von GaAs-Einkristallen | |
RU2145128C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) | |
US4277307A (en) | Method of restoring Si crystal lattice order after neutron irradiation | |
JPS5669825A (en) | Impurity-adding method for compound semiconductor | |
Vance et al. | Fission fragment irradiation of single crystal monoclinic ZrO2 | |
Karimov et al. | Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons | |
Fukuoka et al. | Defects in neutron-transmutation-doped germanium | |
Jones | Control of semiconductor conductivity by doping | |
Yakubovskaya et al. | arch PbWO4 WITH IMPROVED OPTICAL PARAMETERS FROM ARCHAEOLOGICAL LEAD | |
CN112466987B (zh) | 一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法 | |
CA1072423A (en) | Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity | |
DE2422251A1 (de) | Verfahren und vorrichtumg zum herstellen von dotierten cadmiumtellurideinkristallen | |
CN1546748A (zh) | 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法 | |
Dannefaer et al. | Heat‐treatment‐induced defects in low‐resistivity silicon |