SU1100959A1 - Способ получени дерно легированного германи - Google Patents

Способ получени дерно легированного германи Download PDF

Info

Publication number
SU1100959A1
SU1100959A1 SU823451646A SU3451646A SU1100959A1 SU 1100959 A1 SU1100959 A1 SU 1100959A1 SU 823451646 A SU823451646 A SU 823451646A SU 3451646 A SU3451646 A SU 3451646A SU 1100959 A1 SU1100959 A1 SU 1100959A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
germanium
neutrons
irradiation
neutron
compensation
Prior art date
Application number
SU823451646A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Г. Беда
В.В. Вайнберг
Ф.М. Воробкало
Л.И. Зарубин
Original Assignee
Институт Полупроводников Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Полупроводников Ан Усср filed Critical Институт Полупроводников Ан Усср
Priority to SU823451646A priority Critical patent/SU1100959A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1100959A1 publication Critical patent/SU1100959A1/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германи  естественного изотопного состава нейтронами о т л ичающийс  тем, что, с целью повышени  степени компенсации облу- чение провод т резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами .

Description

Изобретение относитс  к технологии однородного легировани  .полупроводников и может быть использовано при создании полупроводниковых материалов дл  криогенной резистйвной термометрии , оптоэлектроники, детекторов излучений и других полупроводниковых приборов.
Оно позвол ет значительно повысить степень компенсации  дерно легированного германи , полученного облучением нейтронами германи  естественного изотопного состава.
Известен способ получени  однородно легированного германи , включающий выращивание монокристаллов из расплава, изотопный состав которого отличаетс  по содержанию изотопов от естественного германи , и дальнейшее облучейие тепловыми нейтронами. В результате захвата нейтронов изотопами германи  протекают  дерные реакции, привод щие к образованию электрически активных примесей галли  (мелкоg
го акцептора), мышь ка мелкого донора ) и селена (глубокого двухзар дно- ; го донора), концентрации которых определ ютс  формулами
N6 %е-Р 7 т,
Ntfe .,Р,
Ы
AS
,
N.
NC
.
бе
где- N(jg - концентраци  атомов германи , PJ. , , P7ft - содержание изо76
топов Се . , j2Ge
В облучаемом
германии, д 4 захвата тепловых нейтронов этими изотопами , Фу- - флюэнс тепловых нейтронов. . Вследствие равномерного поглощени  тепловых нейтронов в кристаллах германи  с линейньп4й размерами пор дка
нескольких сантиметров и невысоких температур облучени , из-за чего образующиес  в германии примеси непо-. движны, метод  дерного легировани  позвол ет добитьс  максимальной однородности распределени  примесей в полупроводнике. Концентраци  вводимой примеси при этом контролируетс  достаточно точно по времени облучени  при известной величине мощности потока тепловых нейтронов. Этим способом можно получить однородно легированный германий как п-типа, так и р-типа с различной степенью компенсации, задаваемой выбором исходного изотопного состава. Способ обладает существенными недо статками - сложностью технологических операций и в св зи с этим высокой стоимостью получаемого данным способом легированного германи . Это обусловлено тем, что дл  получени  желае .мого изотопного состава исходного rep мани  необходимо иметь в наличии очищенные и обогащенные монойзотопы гер70 Ge , , Ge i смеси . которых выращиваетс  германии же лаемого изотопного состава. Техника же разделени  и очистки изотопов весь ма сложна  и дорога . Наиболее близким к насто щему техническому решению  вл етс  способ получени   дерно легированного германи , включающий облучение германи  е тественного изотопного состава нейтронами . Германий в этом способе облучают медленными (тепловым-) нейтронами, Полученный таким образом  дерно легированный германий всегда будет р-типа проводимости и с фиксированно невысокой степенью компенсации, т.е. отношением концентраций неосновной и основной примесей. Kg 0,23. Беличина KO определ етс  формулой PZ 1 , в которую вход т лишь Р7 , . , Р7 ,  вл ющиес  константами дл  германи  естественного изотопного состава, и б,( , ( , величина которых также неизменна, а следовательно, не измен на  и величина К 0,23. Этот способ также позвол ет получать однородное распределение примеси в полупроводнике и достаточно точ :но контролировать ее концентрацию по времени облучени . При этом,в отличие от предыдущего способа, исключаю с  сложные и дорогосто щие технологические процессы разделени  и очистки изотопов германи . Существенным недостатком этого способа  вл етс  невозможность получени  иных, кроме Ко 0,23, значений степени компенсации. Цель изобретени  - повьщ1ение степени компенсации. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе получени   дерно легированного германи , включающем облучение германи  естественного изотопного состава нейтронами, облучение провод т резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами. В результате облучени  германи  резонансными нейтронами происход т те же  дерные реакции, что и при облучении тепловыми нейтронами, и в германий ввод тс  примеси галлий, мышь к и селен. Их концентрации определ ютс  формулами, аналогичными (I) NG. . V Р. %s N«€ РГ.. /- Рр f% где 1 , 1 , i.y - интегралы захвата резонансных нейтронов изотопами 74 76 .,,Ge ,Ge соответственно, Р - флюэнс резонансных нейтронов. Соотношение величины I -ГО-Т/ таково (1 2,4 б, , 0,43 б, 7Й 1 2,2 б), что при облучении германи  естественного изотопного состава резонансными нейтронами получаетс  полупроводник р-типа с фиксированной высокой степенью компенсации Ki:0,93, намно.го большей, чем К,, 0,23, достигаема  при облучении естественного исходного германи  тепловыми нейтронами . Комбиниру  облучение тепловыми и резонансными нейтронами, можно получить любую степень компенсации в интервале значений 0,23-0,93, использу  в качестве исходного германий естественного изотопного, состава и не прибега  к сложной и дорогой процедуре выращивани  слитков германи  с различным изотопным составом. Облучение германи  резонансными нейтронами реализуетс  путем облучени  германиевого слитка в кадмиевом чехле достаточной толщины, который надежно экранирует слиток от тепловых нейтронов. Пучки нейтронов в каналах  дерных реакторов, в которых провод т облучение , содержат определенную долю ка тепловых, так и резонансных нейтронов . Отношение флюэнсов ,. (f (жесткость спектра энергий нейтронов может измен тьс  дл  разных типов ре акторов в широком диапазоне. Так, на пример, в каналах т желоводного реак тора t 0,02-0,05, дл  реактора СМf 0,8, а в каналах реактора БОР-60 (f 10 . Измен ть величину / в широких , пределах можно также при облучении в одном и том же реакторе путем облучени  германи  в чехле из материала , эффективно поглощающего тепловые нейтроны, например кадми , варьиру  толщину стенок чехла. Толщина стенки чехла определ ет долю тепловых нейтронов пучка, поглощенную материалом экрана, по формуле f 1 - exp(), (3) где Л - коэффициент поглощени  тепловых нейтронов материалом чехла, d толщина стенки. Жесткость спектра ней тронов /41 , прошедших через стенку чехла, равна
-Л Г f4
Фг(Л) exp7-/ d)
;
exp(Ad), где fa - .жесткость спектра при облуч НИИ без чехла,fp Rp (1-f). При облучении германи  естественно го изотопного состава в пучке нейтронов с жесткостью спектра, равной /,. .получаетс  полупроводник р-типа со степенью компенсации, равной Pzi.i.2til)i2PziLMi5xiia5i Р7 (7Л+ lf%) (5) Рр и учиПодставл   в тыва , что Z2i. KO 0,23, , SaLiLi.25. .1 0,93, получим 2iZ К о,.23 + 1 + 1, На фиг. 1 показана зависимость сте пени компенсации К от жесткости спект ра нейтронов f (крива  1); на фиг.2 зависимость степени компенсации от соотношени  времен , дл  (/ 0,8 (крива  2) и if 0,02 (крива  3); на
2zZ0 ,23 +
(7)
1 + .(. 4i) фиг. 3 - зависимость времени t, и t от степени компенсации К: 4- t, облучение в ТВР крива  5- t, облучение в ТВР крива  6- t, облучение в СМ-2 крива  7- t, облучение в СМ-2 крива  На фиг. 1 показано изменение степени компенсации К при увеличении жесткости спектра нейтрогюв в пределах от 0,02 до 10 . При изменении / в таких пределах К измен етс  от 0,23 до 0,93. Управл ть степенью компенсации  дерно легированного германи  в пределах от 0,23 до 0,93 при использовании в качестве исходного германи  естественного изотопного состава можно также таким о бразом. Слиток.германи  облучают нейтронами с жесткостью спектра J в течение времени 2f/, а затем только резоиансньп4и нейтронами (поместив слиток в кадмиевыйчехол достаточно большой толщины) в течение времени t. Степень компенсации в таком полупроводнике будет определ тьс  формулой (5). Учитыва , что в данном случае р . Г С t«/t/ ) 2 показано, как измен етНа фиг. с  К при изменении -- от 0,01 до Ч дл  двух значений / (0,8 - крива  2 и 0,02 - крива  3). Практически все значени  К в интервале 0,23-0,93 реализую-Гс  дл  этих двух f- в интервале значений - от 0,01 до 100. Концентраци  основной примеси галли  Ng в предлагаемом способе определ етс  величинами флюэнсов тепловых и резонансных нейтронов а. N.ePr. (гД , ) (8) и при известной мощности потоков тепловых и резонансных нейтронов достаточно точно контролируетс  по времени облучени . При управлении степенью компенсации путем облучени  нейтронами с разной жесткостью спектра f )iV . врем  облучени  определ етс  формулой 9 Yr(T+0,7) где T- - мощность потока тепловых не тронов. В случае, если степенью компенсации управл ют путем облучени  слитка германи  без кадмиевого чехла в течение времени t и в кадмиевом чехле в течение времени If, (1+|)Н.(П уда с учетом Nc. 3,14-10 см откуда с учетом wf tjV;. получаем . . Ч Tn+0,7r(l+t,/t,) Величина t.j/tj определ етс  из графика на фиг. 2 дл  необходимого значени  К и подставл етс  в (12). Зна  t можно определить t. и м е р I. Дл  получени  гер мани  р-типа с концентрацией основной примеси галли  5-10 и степенью компенсации К 0,93 выби рают слиток германи  естественного изотопного состава, например серийно выпускаемого промышленностью германи  марки ГЭС-45, содержание примесе в котором на три пор дка меньше концентраций примесей, вводимых  дерным легированием. Требуема  величина флю энса резонансных нейтронов определ етс  формулой ,, 45.45 N 45,45-5-10 10 нейтрон/см . 2,27 Зна  мощность потока резонансных нейтронов в канале реактора, можн определить врем  оо учени . Например , в канале А9 т желоводного реактора ИТЭФ нейтрон/см с. Отсюд 4 1,2.10 облучени  получаем врем  РО 1,89-10 сек - 21 сут - ; 22 час 6 мин Дл  экранировани  от тепловых нейтро нов слиток германи  помещаетс  в кад миевый чехол. Пример 2. Дл  получени  гер мани  р-типа с концентрацией N и степен ми компенсации 0,23; 0,25; 0,48 и 0,93 выбирают гер маний естественного изотопного соста ва, например выпускаемый промьшшенностью германий марки ГЭС-45. Облуче ние провод т в каналах А2 и А9 реактора ТВР (rf 0,022 и 0,05 соответственно ) , а также в каналах реакторов СМ-2, где Г 0,8, и ВОР-60, где / 10, без кадмиевого чехла. При этом получают (см. фиг, 1) значени  К 0,23; 0,25; 0,48 и 0,93 соответственно . Требуема  величина флюэнсов нейтронов составит: ср 5ii§S o. 59-10 нем i-i-rif /: 0,23; Г 0,22; « 1,57 J О 10 нейтрон/см V 3,4-10 нейтрон/см 2)К 0,25; 0,05; . 1,54-10 нейтрон/см ; fp 7,7-10 нейтрон/см 3)К - 0,48; 0,8; жЮ нейтрон/см ; Фр 8,15-10 нейтрон/см 4)К 0,93; ,2н х10 нейтрон/см п2 10 нейтрон/см . Зна  мощность потока тепловых (V) либо резонансных (р) нейтронов в самом реакторе, можно определить врем  облучени . Например, в канале А9 реактора ТВР 2,38-10 нейтрон/см с. Отсюда получим врем  облучени . 6,74 17 ч 58 мин 26 с. Пример 3. Дл  получени  германи  р-типа с концентрацией 540 см и степенью компенсации, измен ющейс  в пределах 0,23-0,93, в качестве исходного выбирают германий естественного изотопного состава марки ГЭС-45. Облучение провод т в канале А2 реактора ТВР (,02) и в реакторе СМ-2 ( 0,8), варьиру  величины t (врем  облучени  без кадмиевого чехла) и t (врем  облучени  в кадмиевом чехле). Кз фиг. 2 видно, что при облучении в ТВР за счет изменени  отношени  от 0,01 до 40 перекрываетс  интервал значений К от 0,23 до 0, при облучении в СМ-2 изменение .| от 0,01 до 100 дает значени  К в интервале о 0,48 до 0,93. Величина флюзнсов нейтронов, необходима  дл  получени  заданной концентрации K(;.Q , измен етс  в таких пределах . При облучении в реакторе ТВР йа первой стадии (облучение без чехла) 7- измен етс  от 1,57 Ю до 1 ,01 х «10 нейтрон/см при изменении К от 0,23 до 0,48.
На второй стадии (облучение в чехле ) р измен етс  от 3,14-10 до 8,08 /Ю нейтрон/см .
При облучении в реакторе СМ-2: .
на первой стадии (облучение
Ю нейчехла ) ;- измен етс  от 1.01
л . М.
трон/см до 2,7610 нейтрон/см при изменении К от 0,48 до 0,93;
на второй стадии (облучение в чехле )iV измен етс  от 8,08-10 нейтрон/см до 2.21.10 нейтрон/см.
Зна  мощность потоков тепловых и резонансных нейтронов в каналах, где ведетс  облучение, можно определить длительность времен облучени  t| и t из уравнений (7) и (12).
На фиг. 3 показано изменение вреизмен ющемс  -от 0,23 до 0,48 (облучение в ТВР) и от 0,48 до 0,93 (облучение в СМ-2). Кривые 4 и 5 соответствуют t и t2 при облучении в ТВР и кривые 6 и 7 соответствуют t и t при облучении в СМ-2.
Таким образом, предложенный состав обеспечивает следунщие технико-экономические преимущества:
возможность получени  сильно компенсированного  дерно-легированного германи  за счет облучени  германи  резонансными нейтронами,
возможность управлени  степенью компенсации за счет облучени  германи  пучками нейтронов с различной жесткостью спектра;

Claims (1)

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германия естественного изотопного состава нейтронами, от л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения степени компенсации, облучение проводят резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами.
SU823451646A 1982-04-15 1982-04-15 Способ получени дерно легированного германи SU1100959A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823451646A SU1100959A1 (ru) 1982-04-15 1982-04-15 Способ получени дерно легированного германи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823451646A SU1100959A1 (ru) 1982-04-15 1982-04-15 Способ получени дерно легированного германи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1100959A1 true SU1100959A1 (ru) 1989-10-23

Family

ID=21016228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823451646A SU1100959A1 (ru) 1982-04-15 1982-04-15 Способ получени дерно легированного германи

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1100959A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 799523, кл. С 30 В 31/20, С 30 В 29/08, 1980. Полупроводниковые материалы./Пер. с англ, под ред. В.М. Тучкевича, М., Ш1( 1954, с. 62. , /,.S f Р-- ;,- Ь ,.:-.tJ,.4 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4910156A (en) Neutron transmutation doping of a silicon wafer
JPS57210635A (en) Manufacture of semiconductor device
US3967982A (en) Method of doping a semiconductor layer
Markevich et al. Radiation‐induced shallow donors in Czochralski‐grown silicon crystals saturated with hydrogen
CA1068583A (en) Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity
SU1100959A1 (ru) Способ получени дерно легированного германи
CA1045523A (en) N-conductivity silicon mono-crystals produced by neutron irradiation
US5904767A (en) Neutron transmutation doping of silicon single crystals
US4126509A (en) Process for producing phosophorous-doped silicon monocrystals having a select peripheral dopant concentration along a radial cross-section of such monocrystal
CA1061686A (en) Apparatus for doping a semiconductor crystalline rod
Misdaq et al. Use of channeling in association with charged particle activation to study the position of light elements at trace level in crystals: The case of carbon in GaAlAs prepared by MO-VPE
DE3525397C2 (de) Verfahren zur epitaxialen Herstellung von GaAs-Einkristallen
RU2145128C1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ)
US4277307A (en) Method of restoring Si crystal lattice order after neutron irradiation
JPS5669825A (en) Impurity-adding method for compound semiconductor
Vance et al. Fission fragment irradiation of single crystal monoclinic ZrO2
Karimov et al. Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons
Fukuoka et al. Defects in neutron-transmutation-doped germanium
Jones Control of semiconductor conductivity by doping
Yakubovskaya et al. arch PbWO4 WITH IMPROVED OPTICAL PARAMETERS FROM ARCHAEOLOGICAL LEAD
CN112466987B (zh) 一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法
CA1072423A (en) Method of producing homogeneously doped semiconductor material of p-conductivity
DE2422251A1 (de) Verfahren und vorrichtumg zum herstellen von dotierten cadmiumtellurideinkristallen
CN1546748A (zh) 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法
Dannefaer et al. Heat‐treatment‐induced defects in low‐resistivity silicon