RU97119755A - Полупроводниковый прибор - Google Patents

Claims (2)

1. Полупроводниковый прибор, включающий монокристаллическую сапфировую подложку с ориентацией рабочей поверхности, содержащей направление

на которой расположена гетероэпитаксиальная слоистая структура, состоящая из по меньшей муре одного буферного подслоя и одной полупроводниковой пленки, выполненной из соединения Ga₁-_xAl_xN, где (0≤x≤1), и электроды, отличающийся тем, что буферный подслой выполнен из материала, кристаллическая структура которого относится к кубической сингонии с параметром элементарной кубической ячейки "а", выбранным из условия:

где n - числа 3, 4, 6, 8, 10,
при этом поверхность подслоя содержит направление <112>, параллельное направлению

поверхности подложки.

2. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что подслой выполнен из материала с кристаллической структурой типа α-Fe, с параметром элементарной ячейки "а" в диапазоне 3,15-3,60

3. Полупроводниковый прибор по п.2, отличающийся тем, что между буферным подслоем и полупроводниковой пленкой расположен второй гетероэпитаксиальный буферный подслой, выполненный из материала с кристаллической структурой типа NaCl, с параметром элементарной ячейки "а" в диапазоне 4,20-4,80

4. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что подслой выполнен из материала с кристаллической структурой типа шпинели, с параметром элементарной ячейки "а" в диапазоне 3,40-9,60

5. Полупроводниковый прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один буферный подслой выполнен из проводящего материала и выполняет функции электрода.