RU97118143A - Матрица тонкопленочных управляемых зеркал с диэлектрическими слоями - Google Patents

Claims (7)

1. Матрица из MxN управляемых тонкопленочных зеркал, где М и N - целые числа, для использования в оптической проекционной системе, отличающаяся тем, что содержит активную матрицу, включающую в себя подложку, решетку из MxN выводов и решетку из MxN транзисторов, причем каждый из выводов электрически соединен с соответствующим транзистором в решетке из MxN транзисторов, MxN перемычек, причем каждая из перемычек выполнена из электропроводного материала, матрицу из MxN приводных структур, причем каждая из приводных структур снабжена соединительной и светоотражающей частями, каждая из приводных структур включает в себя упругий элемент, второй тонкопленочный электрод, тонкопленочный электроперемещаемый элемент и первый тонкопленочный электрод, при этом каждая из перемычек размещена у соединительной части из приводных структур, проходя от низа второго тонкопленочного электрода до верха вывода, электрически соединенного с соответствующим транзистором, для обеспечения возможности выполнения вторым тонкопленочным электродом функции сигнального электрода в каждом из управляемых тонкопленочных зеркал, а первый тонкопленочный электрод, выполненный из светоотражающего и электропроводного материала, заземлен для выполнения функции зеркала и отклоняющего электрода в каждом из управляемых тонкопленочных зеркал, MxN многослойных наборов тонкопленочных диэлектрических элементов, причем каждый из тонкопленочных диэлектрических элементов располагается наверху светоотражающей части в каждой из приводных структур, при этом каждый из тонкопленочных диэлектрических элементов имеет предварительно заданную толщину и особый показатель преломления.

2. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что каждое из управляемых тонкопленочных зеркал имеет биморфную структуру, причем биморфная структура включает в себя пару электроперемещаемых элементов, разделенных электродом.

3. Матрица по п. 2, отличающаяся тем, что каждое из управляемых тонкопленочных зеркал снабжено также дополнительным электроперемещаемым слоем и дополнительным электродным слоем.

4. Способ изготовления матрицы из MxN управляемых тонкопленочных зеркал, отличающийся тем, что обеспечивают активную матрицу, включающую в себя подложку, решетку из MxN выводов и решетку из MxN транзисторов, причем каждый из выводов электрически соединен с соответствующим транзистором, осаждают тонкопленочный удаляемый слой наверху активной матрицы, формируют матрицу из MxN пустых гнезд в тонкопленочном удаляемом слое, причем каждое из пустых гнезд располагают вокруг вершин выводов, осаждают упругий слой из изолирующего материала наверху тонкопленочного удаляемого слоя с одновременным заполнением пустых гнезд, формируют матрицу из MxN перемычек в упругом слое, причем каждая из перемычек проходит от верха упругого слоя до верха соответствующего вывода, последовательно осаждают второй тонкопленочный слой, электроперемещаемый тонкопленочный слой и первый тонкопленочный слой наверху упругого слоя, при этом второй тонкопленочный слой выполняют из электропроводного материала, а первый тонкопленочный слой выполняют из электропроводного и светоотражающего материала, формируют рельеф первого тонкопленочного слоя, электроперемещаемого тонкопленочного слоя, второго тонкопленочного слоя и упругого слоя до вскрытия удаляемого тонкопленочного слоя, формируя тем самым матрицу из MxN полуполированных приводных структур, при этом каждая из полуполированных приводных структур снабжена первым тонкопленочным электродом, тонкопленочным электроперемещаемым элементом, вторым тонкопленочным электродом и упругим элементом, осаждают множество диэлектрических тонкопленочных слоев наверху полуполированных приводных структур, включая вскрытый удаляемый тонкопленочный слой, причем каждый из диэлектрических тонкопленочных слоев имеет предварительно определенную толщину, формируют рельеф множества диэлектрических тонкопленочных слоев, соответственно, с образованием MxN многослойных наборов тонкопленочных диэлектрических элементов до вскрытия удаляемого тонкопленочного слоя, формируя тем самым матрицу из MxN управляемых полуполированных зеркал, при этом рельеф множества управляемых полуполированных зеркал формируют так, что каждое из управляемых полуполированных зеркал произвольно делится на приводную и светоотражающие части, каждая из перемычек и каждый из тонкопленочных диэлектрических элементов располагается у приводной части каждого из управляемых полуполированных зеркал, соответственно, покрывают каждое из управляемых полуполированных зеркал защитным тонкопленочным слоем, чтобы таким образом сформировать матрицу из MxN управляемых защищенных зеркал, удаляют тонкопленочный удаляемый слой и удаляют тонкопленочный защитный слой, чтобы сформировать таким образом матрицу из MxN управляемых тонкопленочных зеркал.

5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что множество диэлектрических тонкопленочных слоев осаждают с использованием напыления или способа испарения.

6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что каждое из управляемых тонкопленочных зеркал имеет биморфную структуру, причем биморфная структура включает в себя пару электроперемещаемых элементов, разделенных электродом.

7. Способ по п. 4, отличающийся тем, что дополнительно формируют дополнительный электроперемещаемый слой и дополнительный электродный слой.