RU97116741A - Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя - Google Patents

Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя

Info

Publication number
RU97116741A
RU97116741A RU97116741/28A RU97116741A RU97116741A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A RU 97116741/28 A RU97116741/28 A RU 97116741/28A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
relief
resistive layer
ray
functional layer
Prior art date
Application number
RU97116741/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2145111C1 (ru
Inventor
С.Ф. Цодиков
В.И. Раховский
Original Assignee
В.И. Раховский
С.Ф. Цодиков
Filing date
Publication date
Application filed by В.И. Раховский, С.Ф. Цодиков filed Critical В.И. Раховский
Priority to RU97116741/28A priority Critical patent/RU2145111C1/ru
Priority claimed from RU97116741/28A external-priority patent/RU2145111C1/ru
Publication of RU97116741A publication Critical patent/RU97116741A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2145111C1 publication Critical patent/RU2145111C1/ru

Links

Claims (2)

1. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя, включающий создание на подложке резистивного слоя заданной толщины, экспонирование резистивного слоя через шаблон посредством электромагнитного излучения, проявление полученного в резистивном слое скрытого изображения жидкостным способом посредством растворения и удаления проэкспонированного материала резистивного слоя из зоны экспонирования, а также сушку образованного профильного резистивного слоя и последующее формирование рельефа на поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что резистивный слой создают из рентгенорезиста с толщиной не менее максимальной высоты структур формируемого на поверхности функционального слоя рельефа, в качестве электромагнитного излучения используют рентгеновское излучение, экспонирование резистивного слоя осуществляют через рентгеношаблон, проявление скрытого изображения начинают осуществлять одновременно с экспонированием, формирование рельефа на поверхности функционального слоя осуществляют одновременно с созданием этого слоя, который формируют непосредственно на образованной профильной поверхности рентгенорезистивного слоя, после чего осуществляют разрушение рентгенорезистивного слоя и удаление остатков рентгенорезиста со сформированной профильной поверхности функционального слоя.
2. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя по п. 1 отличающийся тем, что проявление полученного в рентгенорезистивном слое скрытого изображения осуществляют в ламинарном потоке проявителя.
RU97116741/28A 1997-10-10 1997-10-10 Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя RU2145111C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) 1997-10-10 1997-10-10 Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) 1997-10-10 1997-10-10 Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97116741A true RU97116741A (ru) 1999-07-20
RU2145111C1 RU2145111C1 (ru) 2000-01-27

Family

ID=20197868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) 1997-10-10 1997-10-10 Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2145111C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5652084A (en) Method for reduced pitch lithography
JPH04115515A (ja) パターン形成方法
EP2835687B1 (en) Method of producing a resist structure with undercut sidewall
WO2001014930A1 (en) Methods for enhancing images on relief image printing plates
RU97116741A (ru) Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя
JPH04278956A (ja) 潜在凸版画像を製作する方法及び該方法に使用される露光装置
KR970018110A (ko) 반도체장치의 패턴 형성방법
JPS5918637A (ja) 像パタ−ンの形成方法
JPH1055068A (ja) 高分解能リソグラフィを用いる半導体装置の製造方法及び装置
JPS57204033A (en) Formation of fine pattern
RU97120933A (ru) Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя
JP2603935B2 (ja) レジストパターン形成方法
JPS62245251A (ja) レジストパタ−ン形成方法
RU2096935C1 (ru) Способ фотолитографии
JPH06105678B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5654440A (en) Photosensitive lithographic material and plate making method
EP0559934A1 (en) Method and apparatus for deep UV image reversal patterning
JPH03237458A (ja) 微細パターン形成方法
JPS58132926A (ja) パタ−ン形成方法
JPS55163841A (en) Method for electron beam exposure
JPH06275514A (ja) レジストパターン形成方法
JPS6370425A (ja) 微細パタ−ン形成方法
KR970076077A (ko) 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법
KR960019481A (ko) 반도체 패턴 형성 방법
KR980011707A (ko) 반도체 소자의 마스크 패턴