RU97116741A - Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя - Google Patents
Способ формирования рельефа на поверхности функционального слояInfo
- Publication number
- RU97116741A RU97116741A RU97116741/28A RU97116741A RU97116741A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A RU 97116741/28 A RU97116741/28 A RU 97116741/28A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A RU 97116741 A RU97116741 A RU 97116741A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- relief
- resistive layer
- ray
- functional layer
- Prior art date
Links
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 title claims 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (2)
1. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя, включающий создание на подложке резистивного слоя заданной толщины, экспонирование резистивного слоя через шаблон посредством электромагнитного излучения, проявление полученного в резистивном слое скрытого изображения жидкостным способом посредством растворения и удаления проэкспонированного материала резистивного слоя из зоны экспонирования, а также сушку образованного профильного резистивного слоя и последующее формирование рельефа на поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что резистивный слой создают из рентгенорезиста с толщиной не менее максимальной высоты структур формируемого на поверхности функционального слоя рельефа, в качестве электромагнитного излучения используют рентгеновское излучение, экспонирование резистивного слоя осуществляют через рентгеношаблон, проявление скрытого изображения начинают осуществлять одновременно с экспонированием, формирование рельефа на поверхности функционального слоя осуществляют одновременно с созданием этого слоя, который формируют непосредственно на образованной профильной поверхности рентгенорезистивного слоя, после чего осуществляют разрушение рентгенорезистивного слоя и удаление остатков рентгенорезиста со сформированной профильной поверхности функционального слоя.
2. Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя по п. 1 отличающийся тем, что проявление полученного в рентгенорезистивном слое скрытого изображения осуществляют в ламинарном потоке проявителя.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU97116741A true RU97116741A (ru) | 1999-07-20 |
RU2145111C1 RU2145111C1 (ru) | 2000-01-27 |
Family
ID=20197868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97116741/28A RU2145111C1 (ru) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2145111C1 (ru) |
-
1997
- 1997-10-10 RU RU97116741/28A patent/RU2145111C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5652084A (en) | Method for reduced pitch lithography | |
JPH04115515A (ja) | パターン形成方法 | |
EP2835687B1 (en) | Method of producing a resist structure with undercut sidewall | |
WO2001014930A1 (en) | Methods for enhancing images on relief image printing plates | |
RU97116741A (ru) | Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя | |
JPH04278956A (ja) | 潜在凸版画像を製作する方法及び該方法に使用される露光装置 | |
KR970018110A (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
JPS5918637A (ja) | 像パタ−ンの形成方法 | |
JPH1055068A (ja) | 高分解能リソグラフィを用いる半導体装置の製造方法及び装置 | |
JPS57204033A (en) | Formation of fine pattern | |
RU97120933A (ru) | Способ формирования рельефа на поверхности функционального слоя | |
JP2603935B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
RU2096935C1 (ru) | Способ фотолитографии | |
JPH06105678B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5654440A (en) | Photosensitive lithographic material and plate making method | |
EP0559934A1 (en) | Method and apparatus for deep UV image reversal patterning | |
JPH03237458A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JPS58132926A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JPS55163841A (en) | Method for electron beam exposure | |
JPH06275514A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPS6370425A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
KR970076077A (ko) | 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법 | |
KR960019481A (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
KR980011707A (ko) | 반도체 소자의 마스크 패턴 |