RU97113820A - Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах - Google Patents
Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурахInfo
- Publication number
- RU97113820A RU97113820A RU97113820/25A RU97113820A RU97113820A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A RU 97113820/25 A RU97113820/25 A RU 97113820/25A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- pulse
- voltage
- semiconductor zones
- determining voltage
- depletion
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
Claims (1)
- Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в МДП-структурах, включающий подачу и регулирование постоянного напряжения смещения, подачу обедняющего импульса напряжения на структуру и измерение интегральной емкости области пространственного заряда полупроводника, отличающийся тем, что на МДП-структуру подают дополнительно второй обедняющий импульс напряжения с амплитудой, равной или большей удвоенной амплитуды первого обедняющего импульса, совмещают во времени первый и второй импульсы и из разности их амплитуд получают третий импульс, измеряют интегральные емкости на втором и третьем импульсах соответственно, а напряжение плоских зон МДП-структуры определяют по напряжению смещения при выполнении условия:
1/С1+1/С2=1/С3,
где C1 - интегральная емкость на первом импульсе,
С2 - интегральная емкость на втором импульсе,
С3 - интегральная емкость на третьем импульсе.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97113820A RU2133999C1 (ru) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU97113820A RU2133999C1 (ru) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU97113820A true RU97113820A (ru) | 1999-06-20 |
RU2133999C1 RU2133999C1 (ru) | 1999-07-27 |
Family
ID=20196254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU97113820A RU2133999C1 (ru) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2133999C1 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2480861C1 (ru) * | 2011-08-31 | 2013-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ определения коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения |
-
1997
- 1997-08-07 RU RU97113820A patent/RU2133999C1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ATE254758T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der phasen- und/oder amplitudeninformation einer elektromagnetischen welle | |
DE69132243T2 (de) | Kalibrierung von kapazitiven Sonden | |
DE68914698D1 (de) | Modifikation der Pharmakokinetika von Proteinen durch Ladungsänderung. | |
IT1215024B (it) | Processo per la formazione di un dispositivo monolitico a semiconduttore di alta tensione | |
EA200100596A1 (ru) | Фотодетекторная система и способ управления ее возбуждением | |
NO883023L (no) | Fremgangsmaate for evaluering av parametre i forbindelse med de elastiske egenskapene til undergrunnsjordformasjoner. | |
ES2023424B3 (es) | Captador de nivel de liquido de ondas elasticas guiadas. | |
IT8819563A0 (it) | Dispositivo semiconduttore ad alta tensione di rottura. | |
DK0405578T3 (da) | Enzymimmunoassay for antigen samt fast fase anvendt detil | |
DE3751731D1 (de) | Verfahren zur Adressierung mindestens eines photoempfindlichen Pixels or eines Flüsigkristallpixels in einer Matrixanordnung | |
RU97113820A (ru) | Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах | |
IT1003655B (it) | Disposizione per l uguale applica zione di almeno due tensioni ad alta frequenza | |
RU2000105522A (ru) | Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в металл-диэлектрик-полупроводник-структурах | |
DE69224255T2 (de) | MOS-Transistor und Ladungsdetektor unter Verwendung desselben | |
JPS6459010A (en) | Position detecting device | |
RU97110948A (ru) | СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗГИБА ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА ψs В МДП-СТРУКТУРЕ | |
SU1679210A1 (ru) | Преобразователь освещенность-частота | |
ATA113987A (de) | Verankerung fuer einen lawinenverbau | |
IT9019058A0 (it) | Fotodiodo a valanga al silicio con basso rumore di moltiplicazione | |
SU1829787A1 (ru) | Способ измерения напряжения микропробоя мдп-структур | |
SU1485157A1 (ru) | Способ измерения поверхностной плотности заряда электрета | |
JPH031548A (ja) | 電荷転送装置 | |
JP2542253B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
JPH04345036A (ja) | 電荷結合素子及びその駆動方法 | |
JPS5681963A (en) | Semiconductor device |