RU97113820A - Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах - Google Patents

Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах

Info

Publication number
RU97113820A
RU97113820A RU97113820/25A RU97113820A RU97113820A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A RU 97113820/25 A RU97113820/25 A RU 97113820/25A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A RU 97113820 A RU97113820 A RU 97113820A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pulse
voltage
semiconductor zones
determining voltage
depletion
Prior art date
Application number
RU97113820/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2133999C1 (ru
Inventor
В.Ф. Бородзюля
Original Assignee
Санкт-Петербургский государственный технический университет
Filing date
Publication date
Application filed by Санкт-Петербургский государственный технический университет filed Critical Санкт-Петербургский государственный технический университет
Priority to RU97113820A priority Critical patent/RU2133999C1/ru
Priority claimed from RU97113820A external-priority patent/RU2133999C1/ru
Publication of RU97113820A publication Critical patent/RU97113820A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2133999C1 publication Critical patent/RU2133999C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в МДП-структурах, включающий подачу и регулирование постоянного напряжения смещения, подачу обедняющего импульса напряжения на структуру и измерение интегральной емкости области пространственного заряда полупроводника, отличающийся тем, что на МДП-структуру подают дополнительно второй обедняющий импульс напряжения с амплитудой, равной или большей удвоенной амплитуды первого обедняющего импульса, совмещают во времени первый и второй импульсы и из разности их амплитуд получают третий импульс, измеряют интегральные емкости на втором и третьем импульсах соответственно, а напряжение плоских зон МДП-структуры определяют по напряжению смещения при выполнении условия:
    1/С1+1/С2=1/С3,
    где C1 - интегральная емкость на первом импульсе,
    С2 - интегральная емкость на втором импульсе,
    С3 - интегральная емкость на третьем импульсе.
RU97113820A 1997-08-07 1997-08-07 Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах RU2133999C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97113820A RU2133999C1 (ru) 1997-08-07 1997-08-07 Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97113820A RU2133999C1 (ru) 1997-08-07 1997-08-07 Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97113820A true RU97113820A (ru) 1999-06-20
RU2133999C1 RU2133999C1 (ru) 1999-07-27

Family

ID=20196254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97113820A RU2133999C1 (ru) 1997-08-07 1997-08-07 Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2133999C1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2480861C1 (ru) * 2011-08-31 2013-04-27 Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" Способ определения коэффициента относительной эффективности и эквивалентной дозы источника рентгеновского излучения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE254758T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der phasen- und/oder amplitudeninformation einer elektromagnetischen welle
DE69132243T2 (de) Kalibrierung von kapazitiven Sonden
DE68914698D1 (de) Modifikation der Pharmakokinetika von Proteinen durch Ladungsänderung.
IT1215024B (it) Processo per la formazione di un dispositivo monolitico a semiconduttore di alta tensione
EA200100596A1 (ru) Фотодетекторная система и способ управления ее возбуждением
NO883023L (no) Fremgangsmaate for evaluering av parametre i forbindelse med de elastiske egenskapene til undergrunnsjordformasjoner.
ES2023424B3 (es) Captador de nivel de liquido de ondas elasticas guiadas.
IT8819563A0 (it) Dispositivo semiconduttore ad alta tensione di rottura.
DK0405578T3 (da) Enzymimmunoassay for antigen samt fast fase anvendt detil
DE3751731D1 (de) Verfahren zur Adressierung mindestens eines photoempfindlichen Pixels or eines Flüsigkristallpixels in einer Matrixanordnung
RU97113820A (ru) Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в мдп-структурах
IT1003655B (it) Disposizione per l uguale applica zione di almeno due tensioni ad alta frequenza
RU2000105522A (ru) Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в металл-диэлектрик-полупроводник-структурах
DE69224255T2 (de) MOS-Transistor und Ladungsdetektor unter Verwendung desselben
JPS6459010A (en) Position detecting device
RU97110948A (ru) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗГИБА ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА ψs В МДП-СТРУКТУРЕ
SU1679210A1 (ru) Преобразователь освещенность-частота
ATA113987A (de) Verankerung fuer einen lawinenverbau
IT9019058A0 (it) Fotodiodo a valanga al silicio con basso rumore di moltiplicazione
SU1829787A1 (ru) Способ измерения напряжения микропробоя мдп-структур
SU1485157A1 (ru) Способ измерения поверхностной плотности заряда электрета
JPH031548A (ja) 電荷転送装置
JP2542253B2 (ja) 電荷転送装置
JPH04345036A (ja) 電荷結合素子及びその駆動方法
JPS5681963A (en) Semiconductor device