RU97105310A - Способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората cslib6o10 - Google Patents

Способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората cslib6o10

Info

Publication number
RU97105310A
RU97105310A RU97105310/25A RU97105310A RU97105310A RU 97105310 A RU97105310 A RU 97105310A RU 97105310/25 A RU97105310/25 A RU 97105310/25A RU 97105310 A RU97105310 A RU 97105310A RU 97105310 A RU97105310 A RU 97105310A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
moo
single crystal
borate
lithium
cslib6o10
Prior art date
Application number
RU97105310/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2119976C1 (ru
Inventor
Н.А. Пыльнева
Н.Г. Кононова
В.И. Данилов
А.М. Юркин
И.А. Лисова
Original Assignee
Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
Filing date
Publication date
Application filed by Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН filed Critical Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН
Priority to RU97105310A priority Critical patent/RU2119976C1/ru
Priority claimed from RU97105310A external-priority patent/RU2119976C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2119976C1 publication Critical patent/RU2119976C1/ru
Publication of RU97105310A publication Critical patent/RU97105310A/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората CsLiB6O10 из раствор - расплава на затравку путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что рост ведут из расплава, состав которого определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3, со следующими координатами точек, мол.доли:
    A: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0
    B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06
    C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14
    D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14
    E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0,
    затравку используют, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810 - 840 до 770 - 800oC со скоростью 1 - 2oC/сутки.
RU97105310A 1997-04-02 1997-04-02 Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 RU2119976C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97105310A RU2119976C1 (ru) 1997-04-02 1997-04-02 Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97105310A RU2119976C1 (ru) 1997-04-02 1997-04-02 Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2119976C1 RU2119976C1 (ru) 1998-10-10
RU97105310A true RU97105310A (ru) 1999-04-20

Family

ID=20191549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97105310A RU2119976C1 (ru) 1997-04-02 1997-04-02 Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2119976C1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101974783B (zh) * 2010-10-22 2012-07-04 中国科学院新疆理化技术研究所 化合物硼酸锂铯非线性光学晶体及其制备方法和用途

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3872471D1 (de) Einrichtung fuer czochralski-einkristallzuechtung.
DZ2291A1 (fr) Cellule immortelle pour l'accroissement des virus.
ITRM920065A1 (it) Procedimento per il caricamento successivo in continuo con silicio liquido nel tiraggio da crogiolo secondo czochralski.
DE3576040D1 (de) Bewaesserungssystem fuer pflanzenwachstumsbereiche.
DK76994A (da) Fremgangsmåde til krystallisation af glucoseisomerase
RU97105310A (ru) Способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората cslib6o10
FR2604860B1 (fr) Serre de culture, notamment pour arbustes, en particulier pour la culture de l'actinidia
RU96114534A (ru) Способ выращивания монокристаллов трибората лития
FR2639508B1 (fr) Element support de godets, notamment pour la culture de plants ou de fleurs
BE777255A (fr) Substrat ameliore pour la culture sans terre des plantes
FR2691321B1 (fr) Dispositif de culture hors sol.
FR2697404B3 (fr) Support fabriqué de matériau de culture pour plantes.
IT1268625B1 (it) Composizione per regolare la crescita di insetti.
FR2671453B1 (fr) Pot pour la culture de plantes.
EP0321576A4 (en) PROCESS FOR THE CULTURE OF SINGLE CRYSTALS FROM A FUSION LIQUID.
Schulze The Linear Polycrystal and its Statistics of Grain-Lengths
FR2695296B1 (fr) Nouveau cache pour pots de culture, application à l'élimination des adventices, procédé d'élimination des adventices.
JPS5228258A (en) Method for growth of crystals from liquid phase
IT1207985B (it) Derivati dell'acido 2-fenossipropionico e pentiti, procedimento per preparare questi composti e mezzi con effetto erbicida che li contengono.
DK602885A (da) Enkeltkrystallag af soelvthiogallat fremstillet ved epitaxial vaekst fra en kaliumchlorid-soelvthiogallatoploesning
WITT ICCG-10: The 10 th International Conference on Crystal Growth(Abstracts Only Final Report)
FR2567358B1 (fr) Dispositif pour la culture des champignons
Sumiyoshi et al. Crystal Growth of beta-Al sub 2 O sub 3 Single Crystal by the Na sub 3 AlF sub 6--NaF Flux Method
程干超 Top Seeded Growth of KTiOPO_4 from Molten Tungstate Solution
JPS5337184A (en) Epitaxially growing method in liquid phase