Мощный СВЧ-транзистор (варианты) относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Оба варианта изобретения способствуют повышению выходной мощности и КПД транзистора. Этого достигается тем, что мощный СВЧ-транзистор, содержащий ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом электродов подложки полупроводниковых кристаллов, первый и второй выводы соответственно первого и второго электродов транзистора, расположенные по обе стороны от фланца корпуса, и соединительные проводники, дополнительно содержит второй ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, параллельный первому, и ряд пассивных элементов, расположенный между первым и вторым рядами полупроводниковых кристаллов, параллельно им, а также полосковую линию, расположенную между вторым выводом второго электрода транзистора и вторым рядом полупроводниковых кристаллов, параллельно последнему, разделенную на равные отрезки зазорами, при этом отрезки полосковой линии соединены между собой резисторами, а каждый пассивный элемент выполнен в виде изолирующего слоя, содержащего контактные площадки, размещенные между одноименными электродами транзисторных структур и связанные с ними с помощью соединительных проводников, причем контактные площадки, соединенные с электродами транзисторных структур, одноименными первому электроду транзистора, связаны соединительными проводниками с первым выводом первого электрода транзистора, контактные площадки, соединенные с электродами транзисторных структур, одноименными второму электроду транзистора, связаны соединительными проводниками с противолежащими отрезками полосковой линии, связанными соединительными проводниками с вторым выводом второго электрода транзистора, при этом каждый отрезок полосковой линии выполнен с длиной, меньшей половины длины волны колебаний в линии на верхней частоте рабочего диапазона, а каждый резистор выполнен с величиной сопротивления, равной (0,2-5,0) XL, где XL - индуктивное сопротивление проводников, соединяющих отрезок линии с вторым выводом второго электрода транзистора на средней частоте рабочего диапазона. Особенность второго варианта изобретения заключается в том, что мощный СВЧ-транзистор, содержащий ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом электродов подложки полупроводниковых кристаллов, а также два вывода других электродов, расположенные по обе стороны от фланца корпуса, и соединительные проводники, дополнительно содержит второй ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, параллельный первому, и ряд пассивных элементов, расположенный между первым и вторым рядами полупроводниковых кристаллов параллельно им, а также две полосковых линии, расположенные каждая между выводами электрода транзистора и ближайшим к нему рядом транзисторных кристаллов параллельно последнему, разделенные на равные отрезки зазорами, при этом отрезки полосковой линии соединены между собой резисторами, а каждый пассивный элемент выполнен в виде изолирующего слоя, содержащего контактные площадки, размещенные между одноименными электродами транзисторных структур, и соединенными с ними с помощью соединительных проводников, а также с противолежащим отрезком полосковой линии, ближайшей к выводу одноименного электрода транзистора, связанного с помощью соединительных проводников с отрезком полосковой линии, при этом каждый отрезок полосковой линии выполнен длиной, меньшей половины длины волны колебаний в линии на верхней частоте рабочего диапазона, а каждый резистор выполнен с величиной сопротивления, равной (0,2-5) XL, где XL-индуктивное сопротивление проводников, соединяющих отрезок линии с выводом электрода транзистора на средней частоте рабочего диапазона.