RU92001299ARU92001299/25ARU92001299ARU92001299ARU 92001299 ARU92001299 ARU 92001299ARU 92001299/25 ARU92001299/25 ARU 92001299/25ARU 92001299 ARU92001299 ARU 92001299ARU 92001299 ARU92001299 ARU 92001299A
Интегральная схема может быть использована для создания интегральных схем высокой степени интеграции. Особенность предлагаемого изобретения заключается в том, что эмиттер биполярного транзистора интегральной схемы выполнен двухслойным, причем первый слой образован поликристаллическим кремнием с уровнем легирования донорной примесью (3oC8) 1018 см-3, а второй слой изготовлен из аморфного гидрогенизированного кремния. При этом соотношение толщин первого и второго слоев задано из ряда 2:1,15; 2:1,38; 2:1,43.An integrated circuit can be used to create highly integrated integrated circuits. A feature of the invention is that the emitter of a bipolar transistor integrated circuit is double-layered, with the first layer formed by polycrystalline silicon with a doping level of donor impurity (3 o C8) 10 18 cm -3 , and the second layer is made of amorphous hydrogenated silicon. The ratio of the thicknesses of the first and second layers is set from the series 2: 1.15; 2: 1.38; 2: 1.43.