RU84366U1 - Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии - Google Patents
Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии Download PDFInfo
- Publication number
- RU84366U1 RU84366U1 RU2009107726/22U RU2009107726U RU84366U1 RU 84366 U1 RU84366 U1 RU 84366U1 RU 2009107726/22 U RU2009107726/22 U RU 2009107726/22U RU 2009107726 U RU2009107726 U RU 2009107726U RU 84366 U1 RU84366 U1 RU 84366U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ion
- monitoring
- electron
- sample
- beam etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
1. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии, включающее металлический цилиндрический контейнер с размещенным в нем подложкодержателем с образцом, сеткой и приемником электронов под положительным потенциалом, отличающееся тем, что над подложкодержателем с образцом размещен приемник электронов, находящийся под положительным относительно «земли» потенциалом. ! 2. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии по п.1, отличающееся тем, что приемник электронов выполнен чашеобразной формы, открытая часть которой направлена в сторону образца с подложкодержателем.
Description
Полезная модель относится к технологии приборов электронной техники и может быть использовано для контроля стадий процесса ионно-лучевого травления гетероструктур.
Технология ионно-лучевого травления нашла на сегодняшний день широкое применение в микроэлектронике, что связано с необходимостью реализации потенциальных возможностей, заложенных в ионной, электронной и рентгенолитографии, с возрастанием требований по степени интеграции и точности исполнения топологического рисунка микросхем. Так развитие наноэлектроники привело к необходимости использования ускоренных ионных потоков для обработки поверхности (очистки, травления, нанесения слоев) при создании элементов интегральных схем. При воздействии ускоренных частиц на поверхность твердого тела возникает множество эффектов. Одним из таких эффектов является вторичная электронная эмиссия (Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. // Эмиссионная электроника. М.: Наука. 1966.) Часть первичных электронов отражается телом без потери энергии (упруго отраженные первичные электроны), остальные - с потерями энергии (неупруго отраженные электроны), расходуемой в основном на возбуждение электронов твердого тела, переходящих на более высокие уровни энергии. Если их энергия и импульс оказываются достаточно большими для преодоления потенциального барьера на поверхности тела, то электроны покидают поверхность тела (истинно вторичные электроны). Все три группы электронов присутствуют в регистрируемом потоке вторичных электронов. В тонких пленках В. э.э. наблюдается не только с той поверхности, которая подвергается бомбардировке, но и с противоположной поверхности (эмиссия на прострел).
Известно, что этот эффект использован в Харьковским физико-техническом институте в экспериментальной коллекторной установке (Фогель Я.М., Слабоспицкий Р.П., Растрепин А.В. // Журн. техн. физ. 1960. Т.30. №1. с.63-73). Установка включает мишень, сетку, коллектор, ионный пучок, экран. Установка позволяет измерить коэффициент ионно-электронной эмиссии, коэффициенты вторичной положительной и отрицательной ионной эмиссии, а также коэффициента отражения.
Недостаток данной установки заключается в относительно низкой воспроизводимости параметров изделий, получаемых в серийном производстве. А также связан с недостаточной точностью формирования топологии элементов микросхем, обусловленной колебаниями параметров режима обработки, отсутствием непрерывного контроля всех стадий процесса травления (очистка поверхности, травление, переход травления от одного слоя к другому, окончание процесса травления).
Техническая задача, решаемая при помощи предлагаемой полезной модели, заключается в разработке безинерционного метода контроля параметров процесса и состояния обрабатываемой поверхности, позволяющей осуществлять контроль процесса травления любых материалов и многослойных гетероструктур непосредственно в процессе ионно-лучевой обработки.
Для решения данной задачи использован интегральный сигнал вторичной электронной эмиссии, отличающегося простотой регистрации и высокой чувствительностью к составу обрабатываемой поверхности. Для этого в конструкцию устройства введен приемник электронов.
Устройство представлено на чертеже и включает металлический цилиндрический контейнер 1, в котором перпендикулярно его центральной оси расположен подложкодержатель 2 с образцом 3. За подложкодержателем параллельно его поверхности размещен приемник электронов 4 (анод), находящийся под положительным относительно «земли» потенциалом. В нижнем основании контейнера выполнено круглое входное окно 5 для ионного пучка, оснащенное экранирующей металлической сеткой 6, находящейся под отрицательным относительно «земли» потенциалом.
Устройство работает следующим образом:
Ионный пучок через входное окно 5 и сетку 6 достигает образца 3. При этом из поверхности образца выбиваются вторичные электроны, которые под воздействием электрического поля достигают приемника электронов 4. В электрической цепи «приемник электронов-земля» возникает анодный ток, который фиксируется отдельным регистрирующим прибором (на чертеже не показан), связанным обратной связью с источником ионного пучка. Анодный ток дает представление об интенсивности процесса травления поверхности образца Задав оптимальный анодный ток можно автоматически регулировать интенсивность ионного пучка.
Claims (2)
1. Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии, включающее металлический цилиндрический контейнер с размещенным в нем подложкодержателем с образцом, сеткой и приемником электронов под положительным потенциалом, отличающееся тем, что над подложкодержателем с образцом размещен приемник электронов, находящийся под положительным относительно «земли» потенциалом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009107726/22U RU84366U1 (ru) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009107726/22U RU84366U1 (ru) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU84366U1 true RU84366U1 (ru) | 2009-07-10 |
Family
ID=41046189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009107726/22U RU84366U1 (ru) | 2009-03-03 | 2009-03-03 | Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU84366U1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2742557C1 (ru) * | 2020-09-16 | 2021-02-08 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Анодное устройство электролизера для производства алюминия |
-
2009
- 2009-03-03 RU RU2009107726/22U patent/RU84366U1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2742557C1 (ru) * | 2020-09-16 | 2021-02-08 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Анодное устройство электролизера для производства алюминия |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9368319B2 (en) | Method for removing foreign substances in charged particle beam device, and charged particle beam device | |
JP2009099468A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
JP5948249B2 (ja) | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 | |
WO2006115249A1 (ja) | ガス電子増幅器、その製造方法及びガス電子増幅器を使用した放射線検出器 | |
JP3906866B2 (ja) | 荷電粒子ビーム検査装置 | |
JP5855577B2 (ja) | 電子増幅器用基板の製造方法、電子増幅器の製造方法及び放射線検出器の製造方法 | |
Baikie et al. | Dual mode kelvin probe: featuring ambient pressure photoemission spectroscopy and contact potential difference | |
CN104094376A (zh) | 带电粒子束装置 | |
RU84366U1 (ru) | Устройство контроля процесса ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии | |
CN106373848A (zh) | 采用等离子体中和的电子显微镜装置 | |
Cutroneo et al. | Laser ion implantation of Ge in SiO2 using a post-ion acceleration system | |
US7205539B1 (en) | Sample charging control in charged-particle systems | |
Zameroski et al. | Secondary electron yield measurements from materials with application to collectors of high-power microwave devices | |
JP4274247B2 (ja) | 回路パターンの検査方法及び検査装置 | |
US20090309021A1 (en) | Ion detection method and apparatus with scanning electron beam | |
Beaumont et al. | Direct-write electron beam lithography in silicon dioxide at low energy | |
JP4721821B2 (ja) | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡における信号検出方法 | |
US10386314B2 (en) | Apparatus and method for measuring energy of electrons | |
JP5858426B2 (ja) | パーティクル捕集機構付きレーザアニール装置 | |
US20230112447A1 (en) | Systems and methods for signal electron detection | |
JPH01115042A (ja) | 走査型電子顕微鏡の試料台 | |
JP2005354085A5 (ru) | ||
JP4090173B2 (ja) | 回路パターン検査装置 | |
Li et al. | Carrier emission of n-type gallium nitride illuminated by femtosecond laser pulses | |
Kalliokoski et al. | Detection and Removal of Short-circuits on GEM-foils |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20110304 |