RU698450C - Способ получени омического контакта - Google Patents
Способ получени омического контактаInfo
- Publication number
- RU698450C RU698450C SU762335331A SU2335331A RU698450C RU 698450 C RU698450 C RU 698450C SU 762335331 A SU762335331 A SU 762335331A SU 2335331 A SU2335331 A SU 2335331A RU 698450 C RU698450 C RU 698450C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat treatment
- layer
- contact
- ohmic contact
- making ohmic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесени сло инди с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающий- с тем, что, с целью повышени механической прочности контакта, на слой инди нанос т слой серебра или алюмини и термообработку провод т при температуре 190-220°С в течение 3-4 мин.
Description
Изобретение относитс к области полупроводниковой технологии, а более конкретно к способам получени омических контактов на полупроводниковых подложках .
Известны способы получени омических контактов на монокристаллах путем электролитического нанесени инди .
Известны также способы получени омического контакта на подложке из полупроводниковых соединений А -В п-типа путем нанесени сло инди с последующей термообработкой полученной (Системы в кислородсодержащей среде, привод щей к улучшению качества получаемого контакта.
Однако механическа прочность контакта , полученного таким способом, невысока .
Целью изобретени вл етс обеспечение механической прочности омического контакта.
Поставленна цель достигаетс тем, что на слой инди нанос т слой серебра или алюмини и термообработку провод т при температуре 190-220°С в течение 3-4 мин.
Наличие второго сло металла обеспечивает в процессе термообработки необходимые услови , при которых индий, наход сь в жидкой фазе, активно диффундирует в полупроводник. Температура плавлени металла второго сло существенно выше температуры термообработки, поэтому наличие второго сло преп тствует коагул ции инди и обеспечивает сохранение равномерного металлического покрыти после завершени термообработки.
Участие кислорода в процессе термообработки приводит к образованию р да окисныхсоединений (CdO или ZnO, 1п20з, АдаО), сплав которых образует смешанные тройнУе соединени типа Zn (1п02)2, что обеспечивает высокую механическую прочность контакта.
36984504
Выбор указанных материалов в сочета-Контакты, полученные предложенным
НИИ с подобранным режимом термообра-способом, вл ютс омическими и их мехаботки обеспечивает возможность подпайкиническа прочность дает возможность вывыводов .держивать усилие на разрыв, прилагаемое к
5подпа нным выводам, до 2 кг.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762335331A RU698450C (ru) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Способ получени омического контакта |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU762335331A RU698450C (ru) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Способ получени омического контакта |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU698450C true RU698450C (ru) | 1992-12-15 |
Family
ID=20652552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU762335331A RU698450C (ru) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Способ получени омического контакта |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU698450C (ru) |
-
1976
- 1976-03-16 RU SU762335331A patent/RU698450C/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Файнер М.Ш. и др. Получение омических контактов на монокристаллах сульфида кадми электролитическим осаждением инди . - Физика и техника полупроводников, 1969,т. 3, №11,0. 1735.Патент JP № 35238. кл. 99 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3382568A (en) | Method for providing electrical connections to semiconductor devices | |
| US3031747A (en) | Method of forming ohmic contact to silicon | |
| US3990097A (en) | Silicon solar energy cell having improved back contact and method forming same | |
| BE848500A (fr) | Procede pour revetir par deposition ionique reactive un substrat isolant d'une couche d'oxyde d'au moins un metal, | |
| RU698450C (ru) | Способ получени омического контакта | |
| US3959522A (en) | Method for forming an ohmic contact | |
| US4224115A (en) | Process for forming electrode on semiconductor device | |
| JPS56100451A (en) | Manufacture of electrode of semiconductor device | |
| FR2371777A1 (fr) | Procede de fabrication d'une barriere de diffusion en nitrure de silicium sur un substrat de semiconducteur, en particulier du type iii-v | |
| JPS56114897A (en) | Method for liquid-phase epitaxial growth | |
| JPS6476736A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5546535A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS58113386A (ja) | 銀めつき方法 | |
| US1732317A (en) | Method of soldering of chain and ring-mesh fabrics | |
| US3592706A (en) | Selective etching technique for semiconductors | |
| SU740862A1 (ru) | Способ химико-термической обработки металлов и сплавов | |
| KR19980027909A (ko) | 리드프레임의 열처리 방법 | |
| US2496721A (en) | Rectifier | |
| JPS533066A (en) | Electrode formation method | |
| SU593874A1 (ru) | Способ изготовлени электродов | |
| US3531378A (en) | Process for oxidizing tellurium | |
| JPS5210681A (en) | Method for treating surface of semiconductor substrate | |
| JPS5250166A (en) | Method of forming ohmic contact electrode | |
| JPS5768022A (en) | Manufacture of compound semiconductor device | |
| SU939588A1 (ru) | Способ обработки сплавов "палладий-серебро-медь |