RU2817341C1 - Способ изготовления керамики - Google Patents
Способ изготовления керамики Download PDFInfo
- Publication number
- RU2817341C1 RU2817341C1 RU2023114531A RU2023114531A RU2817341C1 RU 2817341 C1 RU2817341 C1 RU 2817341C1 RU 2023114531 A RU2023114531 A RU 2023114531A RU 2023114531 A RU2023114531 A RU 2023114531A RU 2817341 C1 RU2817341 C1 RU 2817341C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ceramics
- temperature
- minutes
- sic
- silicon
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 23
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 229910003682 SiB6 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 229910003687 SiB3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 5
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N [B].[Si] Chemical compound [B].[Si] CFOAUMXQOCBWNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003685 SiB4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005903 acid hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005255 carburizing Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при изготовлении деталей из керамики SiC в промышленном производстве. Способ изготовления керамики включает приготовление шихты, содержащей карбид кремния, кремний и бор, формование заготовок, науглероживание и реакционное спекание в интервале температур 1100-1500°С. Реакционное спекание компонентов осуществляют при температуре 1100°С с последующей выдержкой не менее 60 минут для перекристаллизации частиц SiC и образования вторичного SiC, далее ступенчато нагревают сначала до температуры 1250°С с последующей выдержкой не менее 40 минут, а затем в диапазоне температур от 1450°С до 1500°С делают выдержку не менее 30 мин для образования жидкого расплава боридов кремния SiB3 и SiB6, участвующих наряду с частицами SiC в заполнении пустот и пор в керамике, и далее керамику охлаждают до комнатной температуры. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, заключается в снижении пористости в керамике. 1 з.п. ф-лы, 1 пр.
Description
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при изготовлении деталей из керамики SiC в промышленном производстве. Для получения керамики особое значение сегодня приобрела проблема синтеза нанодисперсного карбида кремния. Преимущество в применении керамики состоит в достижении комплексного сочетания механических, тепловых, электрических, оптических и других свойств в отличие от материалов в моно- или поликристаллическом состоянии.
Разработанные новые композиционные материалы с карбидокремниевой матрицей находят применение в различных областях.
В настоящее время керамика на основе карбида кремния применяется для изготовления конструкций, работающих в теплонапряженных условиях, а так же применяется для изготовления подшипников, регулирующей арматуры для коррозионных и абразивных сред, металлопроводов и т.д.
Технология получения SiC-керамики методом рекристаллизационного спекания сегодня является наиболее перспективной. На стадии изготовления заготовка, прессованная из смеси порошков первичного карбида кремния и углеродистого материала, пропитывается расплавом или парами кремния. Известно, что при использовании указанного метода спекания можно достичь плотности близкой к 90% в отформованных деталях из SiC без приложения давления.
Композиция углеродной заготовки для получения SiC/C/Si керамики и способ получения SiC/C/Si изделий представлена в патенте RU 2573146 С1, ТУШК С04В 35/573 (2006.01), С04В 35/532 (2006.01).
Способ позволяет получить керамику. Однако существующие поры в заготовках не могут обеспечить работоспособность изделия.
Известен способ получения керамики сложного состава ZrC-SiC в результате двухступенчатого процесса (L. kljajevic, S. Nenadovic, М. Nenadoyic, D. Gautam, Т. Voikov-Husovic, A. Devecerski, B. Matovic, Spark plasma sintering of ZrC-SiC ceramics with LiY02 additive // Ceramic International (2013), 39(5), 54675476). Предварительное карботермическое восстановление природного минерала циркон ZrSi04 осуществляют активированным углем, который добавляют в природное сырье, при температуре 1600°С в вакууме в течение 1 часа.
Искровое плазменное спекание, полученного на первой стадии продукта со спекающей добавкой LiY02 осуществляют при температуре 1600°С в течение 3 мин в вакууме при давлении 35 МГПа. Сложность метода породило ряд недостатков. Он включает в себя то, что кроме карбида кремния в совокупности используется и карбид циркония и другие добавки для снижения температуры изготовления материала и дополнительные стадии смешения исходных компонентов (ZrSi04 и углерода, продукта первой стадии и LiY02). Наряду с этим существует проведение двух отдельных технологических операций: карботермического синтеза смеси карбидов циркония и кремния и ее искровое плазменное спекание с образованием керамики.
Известен метод получения наноструктурированного карбида кремния с применением золь-гель метода (Е.Р. Simonenko, N.P. Simonenko, A.V. Derbenev, V.A. Nikolaev, D.V. Grashchenkov, V.G. Sevastyanov, E.N. kablov,; N.T. kuznetsov, Synthesis of Nanocrystalline Silicon Carbide using the S01-Gel Technique // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2013. 58(10). 1143-1151).
Нанокристаллический порошок карбида кремния получали в результате кислотного гидролиза тетраэтоксисилана при одновременном присутствии полимерного источника углерода фенолформальдегидной смолы с образованием прозрачных гелей, далее проводилась сушка, карбонизация органических фрагментов при температуре 850°С в инертной атмосфере и карботермический синтез в условиях динамического вакуума при температурах 1100-1500°С. Сложность метода породила исключительные трудности и экономические затраты при достижении цели.
Наиболее близким по технической сущности является способ изготовления керамики состава B4C-SiC (F.C. Sahin, В. Арак, 1. Akin, H.E. kanbur, D.H. Genckan, A. Turan, G. Goller, O. Yucel, Spark plasma sintering of B4C-SiC composites H Solid State Sciences. 2012. 14(11-12). 1660-1663) с применением искрового плазменного спекания на порошках B4C-Si02-C (от 5 до 20% образующегося SiC). Синтез карбида кремния в процессе искрового плазменного спекания происходит при температуре 1700-1750°С и давлении 40 МПа в течение 5 мин, пористость полученной керамики составляет более 15%. Основным недостатком является необходимость использования высоких температур - 1700-1750°С и давления.
Технической задачей, решаемой созданием изобретения, является повышение работоспособности и надежности конструкций, изготовленных из SiC/C/Si при многократном их использовании.
Технический результат, обеспечиваемый изобретением, заключается в снижении пористости в керамике.
Для решения указанной технической задачи предложен способ изготовления легированной керамики, применяя реакционное спекание заготовки из шихты, включающей керамику (SiC), углерод, кремний и бор. Реакционное спекание компонентов осуществляют ступенчато, начиная: при температуре около 1100°С с последующей выдержкой для перекристаллизации SiC, затем осуществляют нагрев до температуры 1250°С с последующей выдержкой, для образования однородной структуры, после осуществляют нагрев в диапазоне температур 1450-1500°С и последующую выдержку с образованием жидкого расплава боридов кремния, заполняющих пустоты, далее керамику охлаждают до комнатной температуры.
Выдержка после реакционного спекания компонентов на первой стадии составляет не менее 60 мин при температуре около 1100°С.
Выдержка на второй стадии может быть осуществлена в течение не менее 40 мин при нагреве до температуры около 1250°С.
Выдержка на третьей стадии может быть осуществлена в течение не менее 30 мин при нагреве в диапазоне температур 1450°С - 1500°С. Скорость охлаждения керамики до температуры 500°С может быть не менее 30°С в минуту.
Реакционное спекание является экономичным процессом благодаря применения недорогого термического оборудования и невысокой температуры спекания керамики. О значимости применения бора в ликвидации пор свидетельствуют следующие данные. Бор - элемент, используемый для легирования кремния имеет три валентных электрона. Поэтому, когда атом бора заменяет атом кремния возникает между ними оборванная связь. Ее мы называем «дырой» с положительным зарядом, ведь отсутствует один электрон. К тому же эта «дыра» может перемещаться примерно так же, как перемещается свободный электрон. А вместе с тем, проникая в пору, и имея положительный электрический заряд, эта «дыра» притягивает к себе свободные ионы и электроны, способствуя залечиванию пустот и пор. По законам квантовой механики неспаренный электрон всегда стремится найти себе пару - электрон с противоположно направленным спином, а найти его он может только в другом атоме. В результате образуются ковалентные связи, при которых электроны двух или нескольких атомов образуют общее электронное облако, свойственное ковалентной связи.
Ковалентная связь самая прочная из всех видов химической связи. В полимерных молекулах все атомы связаны в виде «скелета», и поэтому разрушить связи в полимере трудно. А поскольку в кристалле бора атомы оказываются связаны именно такой связью, то любой кристаллик элемента можно рассматривать как молекулу полимера с высокой прочностью.
Нужно сказать, что заготовка в процессе спекания известным способом имеет неравновесную систему. Ее появление связано с концентрационной неоднородностью, дефектами кристаллической решетки, наличием структурно обособленных частиц, совокупностью трех- и двухмерных макродефектов, несовершенством контактов между частицами, появлением дислокаций, вакансий и их скоплений т.д.
В то же время, после спекания, в предложенном способе структура освобождается от указанных дефектов. Эти изменения способствуют переходу системы к равновесному (с меньшей энергией) состоянию и равномерному распределению бора. Переходу в равновесное состояние в значительной мере способствует бор. Введение его в шихту и выдержки при высокой температуре (а их три) вызывают перекристаллизацию первичного карбида кремния очищение структуры), образование вторичного карбида кремния, а выдержка на третьей стадии кроме того, способствует появлению расплава кремний - бор и образованию боридов SiB4 и SiB6 (см. диаграмму).
Выдержки на стадиях нагрева - это по сути дела три новых термообработки с обоснованием их необходимости. В конечном плане наличие их вызывает уплотнение и упрочнение пористых порошковых изделий. Отсюда усадка в структуре, благодаря термообработке, приводит к изменению механических и физико-химических характеристик керамики. Поводом к изменению характеристик, происходящих при нагреве заготовок, служит проявление разнообразных процессов, включая: выгорание органических веществ; термическое разложение кристаллических соединений (карбонатов, сульфатов) с выделением газов и паров, изменение структурообразования, плавление отдельных составляющих, взаимные растворения компонентов с образованием новых фаз, твердофазные химические реакции, снижение концентрации внутренних напряжений в локальных местах и другие процессы.
Известно, что в процессе спекания движущейся силой является избыточная поверхностная энергия системы, а при наличии пустот и пор она многократно увеличивается. Энтропия возрастает. Однако любая система стремится к уменьшению свободной энергии и устойчивому состоянию, которому соответствует состояние с наименьшим значением свободной энергии.
В керамике каждая пустота и пора имеют поверхностные углубления, что вызывает увеличение энтропии. Наличие жидкого расплава - боридов кремния, способствует заполнению пустот и пор и сокращают свободную поверхность. Таким образом, в этом случае особая роль принадлежит бору. Ведь его содержание составляет до 0,1%. В соответствии с диаграммой состояния бор - кремний при температуре, начиная с 1385°С, образуют жидкий расплав (см. диаграмму состояния данных элементов) Нужно сказать, что механизм ликвидации пор при наличии бора будет складываться из разных форм их заполнения.
Здесь возможно вязкое течение жидкой фазы, объемная и поверхностная ее диффузия, пластическая деформация по границам зерен, испарение и конденсация фазы и т.д.
Из-за наличия дефектов структуры и примесей керамическая технология базируется на дисперсных материалах с небольшими размерами частиц. Однако получить их с малым размером представляет большие трудности, а поэтому наличие крупного зерна отрицательно сказывается на обеспечении процесса их спекания, что способствует сохранению значительной пористости.
Применяемый нами бор, из опыта на металлах, способствует сохранению в керамике мелкого зерна. Ведь бор, как известно, располагаясь в металлах по границам зерен, препятствует их росту. В керамике тоже. Изотермическая выдержка создает условия для прохождения физико-химических процессов в материалах и устранения неравномерностей распределения температуры по сечению.
Следует отметить, что процессы спекания порошковых систем изучены недостаточно. Удовлетворительно исследованы только механизмы спекания металлов кристаллических соединений (Cu, Ni, Ag и т.д.). Теория формирования микроструктуры спекаемых многокомпонентных керамических систем практически не разработана. А ряд наблюдаемых в таких системах явлений может быть объяснено лишь с позиций соответствующих теорий для металлов и сплавов.
Таким образом, механизм пористости представляет собой систему сообщающихся сосудов, основная площадь которых состоит из микропор, пустот, трещин и остатков жидкой фазы. В нашем случае источником ликвидации пор, как отмечалось выше, является в основном жидкая фаза кремний - бор. В рамках диаграммы состояния кремний бор растворяются при их контакте, образуя область твердых растворов (см. фиг. 1).
Известно, что в матрице SiC имеется содержание Si в свободном состоянии. Вследствие чего, с одной стороны, остаточный кремний позволяет дополнительно поддерживать образование жидкой фазы, а с другой, уменьшать содержание пор в матрице.
Пример.
Перед спеканием, смешивали шихту из SiC, Si, В с расплавленным легкоплавким органическим связующим, формировали заготовку из полученной шликерной массы и затем заготовку помещали в науглероживающую среду. Далее отгоняли легкоплавкое связующее. Спекание производят при нагреве заготовки до Т=1100°С с выдержкой 60 мин после продолжают нагревать заготовку ступенчато до температуры 1250°С с выдержкой 40 минут, после нагрева заготовки до Т=1450°С выдерживали 30 минут, для образования жидкого расплава боридов кремния, а затем охлаждали до Т-500°С, со скоростью 30°С в минуту, затем до комнатной температуры.
В результате реакционного спекания образуются частицы карбида кремния, которые постепенно заполняют исходные пустоты и поры. Повышение температуры до 1500°С и наличие выдержек способствуют дополнительному выпадению боридов кремния SiB3 и SiB6, участвующие наряду с частицами карбида кремния в заполнении исходных пор.
Из анализа фигуры 2 повышение температуры до 1500°С способствует снижению концентрации бора в свободном состоянии из-за образования боридов кремния и карбида бора ВС.
Установленный нами режим повышение температуры термообработки до Т 1500°С вызывает сближение частиц структуры, интенсивное нарастание контактов и способствует усадке керамики за счет ликвидации пустот и пор. Снижение их уровня происходит в результате заполнения пор жидкой фазой, втягиваемой силами поверхностного натяжения, что эквивалентно капиллярному давлению. Возможен здесь и механизм поверхностной диффузии, вязкое пластическое течение в локальных местах и объемная диффузия. Ведь движущие силы создаются в основном избыточной поверхностной энергией в системе. Не исключается также вариант усиления подвижности частиц бора, которые под влиянием капиллярных сил скользят по границам зерен на стадии их формирования. Следует отметить, что из-за недостаточных экспериментальных доказательств начальная стадия спекания мало изучена в литературе и поэтому изложенные механизмы заполнения пор не носят утвердительной формы, однако они весьма вероятны. Поскольку пористость исчезает и составляет менее 10%. С исчезновением пор растет механическая прочность керамики.
Таким образом, конечная стадия характеризуется ликвидацией пустот и пор и ликвидацией дефектов решетки. Получаемая при этом керамика после реакционного спекания обладает высокими технологическими свойствами.
Claims (2)
1. Способ изготовления керамики, включающий приготовление шихты, содержащей карбид кремния и кремний, формование заготовок, науглероживание и реакционное спекание в интервале температур 1100-1500°С, отличающийся тем, что шихта дополнительно содержит бор, а реакционное спекание компонентов осуществляют при температуре 1100°С с последующей выдержкой не менее 60 минут для перекристаллизации частиц SiC и образования вторичного SiC, далее ступенчато нагревают сначала до температуры 1250°С с последующей выдержкой не менее 40 минут, а затем в диапазоне температур от 1450°С до 1500°С делают выдержку не менее 30 мин для образования жидкого расплава боридов кремния SiB3 и SiB6, участвующих наряду с частицами SiC в заполнении пустот и пор в керамике, и далее керамику охлаждают до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что керамику охлаждают со скоростью не менее 30°С в минуту до температуры 500°С, затем охлаждают до комнатной температуры.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2817341C1 true RU2817341C1 (ru) | 2024-04-15 |
Family
ID=
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2878520A1 (fr) * | 2004-11-29 | 2006-06-02 | Saint Gobain Ct Recherches | Bloc refractaire fritte a base de carbure de silicium a liaison nitrure de silicium |
RU2375331C2 (ru) * | 2004-05-14 | 2009-12-10 | Сикат | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОРМОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ НА ОСНОВЕ БЕТТА-Sic ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В АГРЕССИВНЫХ СРЕДАХ |
RU2740984C1 (ru) * | 2019-10-23 | 2021-01-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения изделий из карбидокремниевой керамики |
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2375331C2 (ru) * | 2004-05-14 | 2009-12-10 | Сикат | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОРМОВАННЫХ ИЗДЕЛИЙ НА ОСНОВЕ БЕТТА-Sic ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В АГРЕССИВНЫХ СРЕДАХ |
FR2878520A1 (fr) * | 2004-11-29 | 2006-06-02 | Saint Gobain Ct Recherches | Bloc refractaire fritte a base de carbure de silicium a liaison nitrure de silicium |
RU2740984C1 (ru) * | 2019-10-23 | 2021-01-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения изделий из карбидокремниевой керамики |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
F.S.SAHIN et al. "Spark plasma sintering of B4C-SiC composites", Solid State Sciences, 2012, 14(11-12), p.1660-1663. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3700876B1 (fr) | Matériau céramique composite particulaire, pièce le comprenant, et procédé de préparation de cette pièce. | |
US6040008A (en) | Silicon carbide fibers with boron nitride coatings | |
CN111675541B (zh) | 一种含碳max相材料的制备方法 | |
KR102319079B1 (ko) | SiC 복합체 및 이의 제조방법 | |
Zheng et al. | Preparation and thermal conductivities of diamond/SiC composites | |
CN101823884A (zh) | 一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法 | |
JPWO2019049784A1 (ja) | 被覆SiCナノ粒子を用いたSiCセラミックス及びその製造方法 | |
RU2817341C1 (ru) | Способ изготовления керамики | |
KR100491022B1 (ko) | 미세다공질 세라믹스 소재 및 그 제조방법 | |
JP5060048B2 (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
Zhou et al. | Polymer‐Derived High‐Temperature Nonoxide Materials: A Review | |
CN111484330A (zh) | 金刚石增强碳化硅基板及其制备方法和电子产品 | |
US6187705B1 (en) | Creep-resistant, high-strength silicon carbide fibers | |
JP2006273607A (ja) | 被膜付き多孔質構造体および被膜付き多孔質構造体の製造方法 | |
KR102012004B1 (ko) | 내 산화층이 형성된 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법 | |
RU2329997C2 (ru) | Композиционный керамический материал на основе сиалона и способ получения изделий | |
US9455366B2 (en) | Sol-gel process for the manufacture of high power switches | |
JPH0631174B2 (ja) | 網目状シリカウィスカー・セラミックス多孔質体複合体の製造方法 | |
JPS593955B2 (ja) | 高強度耐熱性ケイ素化合物焼成成形体の製造方法 | |
Liu et al. | High strength and high toughness Csf/SiC composites prepared by laser powder bed fusion/reactive melt infiltration with the impregnation of boron-and silicone-containing phenolic resin | |
Kakimoto et al. | Fabrication of polycarbosilane-derived SiC bulk ceramics by carbothermic reduction: Effect of green density on crystallinity of pyrolyzed compacts | |
Hwang et al. | Effects of matrix material particle size on mullite whisker growth | |
JPH02129071A (ja) | 炭化硅素系セラミックスの製造方法 | |
Hwang et al. | Dip-coating of SiO2 onto ZnO-SiC composite membrane | |
Salehi et al. | In Situ Formation of SiC/CNT Ceramic Nanocomposite by Phenolic Pyrolysis |