RU2812168C1 - Фотовольтаическое устройство на основе полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, стабилизированных производными пиридина - Google Patents
Фотовольтаическое устройство на основе полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, стабилизированных производными пиридина Download PDFInfo
- Publication number
- RU2812168C1 RU2812168C1 RU2022131717A RU2022131717A RU2812168C1 RU 2812168 C1 RU2812168 C1 RU 2812168C1 RU 2022131717 A RU2022131717 A RU 2022131717A RU 2022131717 A RU2022131717 A RU 2022131717A RU 2812168 C1 RU2812168 C1 RU 2812168C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- layers
- picolylamine
- photovoltaic device
- weight
- Prior art date
Links
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 36
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 50
- -1 formamidinium cation Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229960001774 octenidine Drugs 0.000 claims abstract description 12
- SMGTYJPMKXNQFY-UHFFFAOYSA-N octenidine dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.C1=CC(=NCCCCCCCC)C=CN1CCCCCCCCCCN1C=CC(=NCCCCCCCC)C=C1 SMGTYJPMKXNQFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- WOXFMYVTSLAQMO-UHFFFAOYSA-N 2-Pyridinemethanamine Chemical compound NCC1=CC=CC=N1 WOXFMYVTSLAQMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- OQZBAQXTXNIPRA-UHFFFAOYSA-N 1-pyridin-4-ylpiperazine Chemical compound C1CNCCN1C1=CC=NC=C1 OQZBAQXTXNIPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- TXQWFIVRZNOPCK-UHFFFAOYSA-N pyridin-4-ylmethanamine Chemical compound NCC1=CC=NC=C1 TXQWFIVRZNOPCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- HDOUGSFASVGDCS-UHFFFAOYSA-N pyridin-3-ylmethanamine Chemical compound NCC1=CC=CN=C1 HDOUGSFASVGDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- RHDWCSIBVZKRRU-UHFFFAOYSA-N n-octylpyridin-4-amine Chemical compound CCCCCCCCNC1=CC=NC=C1 RHDWCSIBVZKRRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 5
- YOBTXORLVXZWSR-UHFFFAOYSA-M 1,4-dimethylpyridin-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CC1=CC=[N+](C)C=C1 YOBTXORLVXZWSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 4
- BVSAMCGTEVHSSK-UHFFFAOYSA-M 1-ethyl-4-methylpyridin-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CC[N+]1=CC=C(C)C=C1 BVSAMCGTEVHSSK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WMHWQEPQRZIOCT-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-4-methylpyridin-1-ium Chemical compound CC[N+]1=CC=C(C)C=C1 WMHWQEPQRZIOCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JKYXIEVFZIGMDH-UHFFFAOYSA-N [I-].NCC1=[NH+]C=CC=C1 Chemical compound [I-].NCC1=[NH+]C=CC=C1 JKYXIEVFZIGMDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XRVAEQXJGFTXAJ-UHFFFAOYSA-N pyridin-3-ylmethylazanium iodide Chemical compound NCC1=CC=CN=C1.I XRVAEQXJGFTXAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 3
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVCKCEDKBVEEHL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentachlorobenzyl alcohol Chemical compound OCC1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl RVCKCEDKBVEEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVPRPSXBZNOHS-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-Trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(C)=C(N)C(C)=C1 KWVPRPSXBZNOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010415 colloidal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 2
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- UHAUNWBFEUXSNO-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-trimethylphenyl)azanium;iodide Chemical compound [I-].CC1=CC=C([NH3+])C(C)=C1C UHAUNWBFEUXSNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZPNVUYQWBZYEA-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpyridin-1-ium Chemical compound CC1=CC=[N+](C)C=C1 IZPNVUYQWBZYEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WENISBCJPGSITQ-UHFFFAOYSA-N 1-azatricyclo[3.3.1.13,7]decane Chemical class C1C(C2)CC3CC1CN2C3 WENISBCJPGSITQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 22291-04-9 Chemical compound C1=CC(C(N(CCN(C)C)C2=O)=O)=C3C2=CC=C2C(=O)N(CCN(C)C)C(=O)C1=C32 HPJFXFRNEJHDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016553 CuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- KFQARYBEAKAXIC-UHFFFAOYSA-N aniline;hydroiodide Chemical compound [I-].[NH3+]C1=CC=CC=C1 KFQARYBEAKAXIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- XLVPCRSPMUNYAD-UHFFFAOYSA-N hydrazine;hydroiodide Chemical compound I.NN XLVPCRSPMUNYAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N iodoethane Chemical class CCI HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006101 laboratory sample Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к области солнечной энергетики и может быть использовано при изготовлении фотоэлектрических преобразователей, таких как солнечные батареи и фотодетекторы, а также маломощных сенсоров, датчиков и осветительных панелей. Фотовольтаическое устройство содержит слои 1-6. Внешние слои 0 и 6 являются технологическими и обозначают подложку, на которой формируются функциональные компоненты солнечной батареи, или барьерный слой, защищающий устройство от механических воздействий, а также от влияния кислорода и влаги воздуха. По крайней мере один из слоев 0 или 6 должен быть прозрачен по отношению к излучению спектрального диапазона 400-900 нм с пропусканием не ниже 80%. В отдельных конструкциях солнечных батарей может присутствовать лишь один из слоев 0 или 6. Слои 1 и 5, соседствующие, соответственно, со слоями 0 и 6, обозначают электроды, собирающие носители зарядов: положительные – дырки и отрицательные - электроны, которые генерируются в фотовольтаическом устройстве под действием света. Хотя бы один из слоев 1 или 5 должен быть прозрачным для излучения спектрального диапазона 400-900 нм с пропусканием не ниже 80%. Слои 2 и 4, соседствующие, соответственно, со слоями 1 и 5, являются зарядово-транспортными и предназначены для селективного извлечения лишь одного типа носителей заряда и его переноса к соответствующему электроду. Слой 3, соседствующий со слоями 2 и 4, является фотоактивным, обеспечивает поглощение света, генерацию носителей зарядов и содержит не менее 95 масс. % комплексного галогенида свинца CsxFAyPbI3, где 0,9<(х+у)<1,1, FA - катион формамидиния, и от 0,005-5 мас. % стабилизирующей добавки на основе производных пиридина, представленной одним соединением или смесью любого числа соединений, выбранных из 2-пиколиламина, 3-пиколиламина, 4-пиколиламина, 4-(н-октиламино)пиридина, октенидина, N-(4-пиридил)пиперазина в форме свободных оснований (аминов) или гидройодидов, а также йодида 1,4-диметилпиридиния и йодида 1-этил-4-метилпиридиния. Для отдельных составов комплексных галогенидов х может быть равен 0, т.е. в них полностью отсутствует цезий, для других у может быть равен 0, т.е. в них полностью отсутствуют катионы формамидиния. Предпочтительными являются составы, содержащие одновременно катионы цезия и формамидиния. В составе фотоактивного слоя могут присутствовать и другие компоненты, например остаточные молекулы растворителя, наночастицы металлов, углеродные нанотрубки, полимерные связующие и другие функциональные добавки. Повышается эффективность (КПД>18%) и обеспечивается долговременная эксплуатационная стабильность перовскитных солнечных батарей. 10 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл., 3 пр.
Description
Изобретение относится к области солнечной энергетики, а именно к фотоэлектрическим преобразователям на основе полупроводниковых материалов перовскитного типа. В общем случае, изобретение относится к фотовольтаическим устройствам - солнечным батареям и фото детекторам.
Солнечная энергетика приобретает все большее значение в связи с необходимостью перехода к экологичным и возобновляемым источникам энергии. Широкое распространение получили солнечные батареи на основе кристаллического кремния в качестве фотоактивного материала. Кремниевые солнечные батареи обладают рядом преимуществ: высоким КПД (26.7%) и длительным сроком службы (от 25 лет), однако их производство чрезвычайно энергозатратно. Поэтому стоимость каждого киловатт-часа генерируемой электроэнергии все еще выше или сравнима со стоимостью энергии, полученной из традиционных источников, например, путем сжигания угля или газа.
В этой связи, в мире ведется интенсивный поиск новых технологий, способных значительно снизить стоимость получаемой за счет преобразования солнечного света электроэнергии. Перспективной альтернативой кремниевым солнечных батареям являются фотоэлектрические преобразователи третьего поколения на основе комплексных галогенидов металлов с перовскитной или перовскитоподобной структурой, известные в литературе как перовскитные солнечные батареи (ПСБ). Лабораторные образцы ПСБ показали достаточно высокую эффективность преобразования энергии солнечного света (КПД около 25.7%), сравнимую с характеристиками лучших солнечных элементов на основе кристаллического кремния (26.7%) (https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html).
Перовскитные солнечные батареи отличаются простотой изготовления и низкой стоимостью используемых материалов. Чаще всего в качестве материала фотоактивного слоя перовскитных солнечных батарей используются комплексные галогениды свинца с перовскитной структурой. Исследователи называют галогениды свинца с перовскитной структурой "идеальными полупроводниками" ввиду их чрезвычайно низкой чувствительности к дефектам и примесям, высокой подвижности носителей зарядов, хорошим оптическим свойствам и легкости получения.
Преимуществами перовскитных солнечных батарей так же являются:
- механическая гибкость и легкость (при использовании пластиковых подложек), что обеспечивает возможность их интеграции в конструкции произвольной формы;
- благодаря высокому коэффициенту поглощения света, при малой толщине пленок перовскитные солнечные батареи обеспечивают рекордную удельную энергопроизводительность (более 20 Вт г-1), что открывает широкие возможности для их использования в космосе;
- КПД перовскитных солнечных батарей не падает даже при низких интенсивностях света, что делает эффективным их использование в условиях затенения или искусственного освещения, что крайне важно для энергоснабжения автономных элементов Интернета вещей (Internet of Things, IoT).
В литературе описано две основные конфигурации перовскитных солнечных элементов. Принято считать, что если нижний полупрозрачный электрод (обычно на основе проводящих оксидов металлов) собирает отрицательные носители заряда, т.е. электроны, а верхний электрод собирает положительные заряды (дырки), то такие солнечные элементы имеют n-i-p конфигурацию. Напротив, в солнечных элементах с p-i-n конфигурацией нижний электрод собирает дырки, а верхний электрод собирает электроны.
Перовскитные солнечные элементы n-i-p конфигурации исследованы наиболее широко. В них в качестве материалов электрон-селективных слоев используются оксиды TiO2, ZnO, SnO2, In2O3; сульфиды ZnS, In2S3, SnS2, CdS; органические соединения - различные производные фуллеренов, перилендиимида и др., которые наносятся поверх нижнего полупрозрачного электрода [Advanced Functional Materials 2019, 29, 1900455; Advanced Functional Materials 2018, 28 (35), 1802757; Small 2020, 16 (15), 1902579; Nano Energy 2020, 68, 104289, патент RU 2764711]. Использование оксидных материалов TiO2, ZnO, SnO2 обеспечило КПД преобразования света более 26% в перовскитных солнечных батареях. К сожалению, эти оксиды являются агрессивными по отношению к перовскитному фотоактивному слою на основе комплексных галогенидов олова и свинца, т.е. вступают с ним в химические реакции под действием тепла или света [Н.J. Jung et al. Adv. Mater., 2018, 30, 1802769, W. Li et al., Energy Environ. Sci. 2016, 9, 490; Y. Cheng et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2015, 7, 19986]. Перспективным материалом для электрон-селективного слоя перовскитных солнечных элементов n-i-p конфигурации является оксид вольфрама (WO3), который, тем не менее, не обеспечивает стабильной работы устройств в течение длительного времени [Synthetic Metals, 2020, 269, 116547; Polymers, 2020, 12, 737; Sol. RRL, 2020, 4, 1900499; Adv. Mater. Interfaces, 2020, 7, 1901406; ACS Appl. Energy Mater., 2019, 2, 5456; Nano Energy, 2019, 63, 103825; Nano Energy, 2017, 31, 424; J. Phys. Chem. Lett., 2015, 6, 755; Adv. Energy Mater., 2015, 5, 1501056].
В большинстве случаев в качестве материалов дырочно-селективного слоя перовскитных солнечных элементов n-i-p конфигурации используют 2,2',7,7'-тетракис[N,N-di(4-метоксифенил)амино]-9,9'-спиробифлуорен, известный в литературе как spiro-OMeTAD, [Y. Qi et al., Adv. Mater. Interfaces, 2018, 5, 1700623]. Однако spiro-OMeTAD обладает плохими зарядово-транспортными свойствами и потому требует легирования (допирования) с помощью, например, кислорода и дополнительных реагентов, таких как LiTFSI (бис(трифторсульфон)имид лития) и tBuPy (4-трет-бутилпиридина) [A. Sellinger et al., Chem. Sci., 2019, 10, 1904]. Как сам процесс легирования, так и использование LiTFSI и tBuPy, отрицательным образом влияют на стабильность перовскитных солнечных батарей; в частности, катион-радикалы spiro-OMeTAD способны окислять анионы Г в активном слое, приводя к его разложению [Т. Miyasaka et al, J. Mater. Chem. A, 2018, 6, 2219; C. Adachi et al., Sol. RRL, 2020, 4, 2000305; G. Chen et al., J. Renew. Sust. Energy, 2018, 10, 043702]. Кроме того, spiro-OMeTAD является низкомолекулярным соединением, способным к кристаллизации при повышенных температурах, что приводит к потере целостности его пленок и выходу солнечных элементов из строя. В ходе поиска альтернативных дырочно-транспортных материалов активно изучались электронодонорные сопряженные полимеры с высокими подвижностями носителей зарядов, не требующие допирования. Эти исследования позволили выявить большое число полимерных HTL, позволяющих достигать высоких к.п.д. преобразования света в перовскитных солнечных элементах, однако увеличение стабильности работы устройств при облучении светом наблюдалось лишь для небольшого числа полимеров {Science 2017, 356 (6345), 1376; Energy & Environmental Science 2017, 10 (2), 621; Journal of Materials Chemistry A 2018, 6 (5), 2157; ACS Applied Materials & Interfaces 2017, 9 (50), 43846; Nano Research 2018, 11 (A), 185; Advanced Energy Materials 2016, 6 (16), 1600502; Energy & Environmental Science 2016, 9 (7), 2326). Весьма эффективным подходом является использование гибридных дырочно-селективных слоев, включающих органический (например, полимер) и неорганический (например, оксид металла, в частности WO3, V2O5, MoO3 и др.) компоненты, что обеспечивает долговременную эксплуатационную стабильность перовскитных солнечных батарей (Nature Energy 2018, 3 (1), 68; Adv. Fund Mater. 2020, 30 (28), 1908462; Science 2017, 358 (6367), 1192; J. Phys. Chem. Lett. 2020, 11 (14), 5563).
В перовскитных солнечных элементах p-i-n конфигурации в качестве нижнего дырочно-селективного слоя используют различные неорганические материалы, такие как оксиды металлов (NiOx, CuOx, MoO3, V2O5 и т.д.), галогениды или псевдогалогениды (CuI, CuSCN), а также халькогениды (CuInS2, Cu2ZnSnS4) [Solar RRL 2019, 3 (5), 1900001; Journal of Materials Chemistry С 2019, 7 (44), 13680; Advanced Sustainable Systems 2018, 2 (8-9), 1800032; Advanced Materials Interfaces 2018, 5 (22), 1800882; Applied Materials Today 2019, 14, 175]. Из органических материалов часто используют проводящие полимеры (PEDOT:PSS) и квазисопряженные полимеры, например, полиариламины (РТАА, РТА) [Chemical Society Reviews 2018, 47 (23), 8541; Materials Today Energy 2018, 7, 208-220.]. Кроме того, часто в качестве дырочно-транспортного слоя или его компонента используют оксид вольфрама WO3 [Sol. RRL 2020, 2000393; Phys. Chem. Chem. Phys., 2018, 20, 11396; Chem. Lett. 2015, 44, 1140]. Поэтому задачу формирования стабильного дырочного-селективного слоя в перовскитных солнечных элементах p-i-n конфигурации можно считать решенной.
Чаще всего в качестве материалов для электрон-селективного слоя в перовскитных солнечных элементах p-i-n конфигурации используются производные фуллерена, например метиловый эфир фенил-C61-бутановой кислоты (известен в литературе как [60]РСВМ). Производные фуллеренов растворимы в неполярных органических растворителях, что делает удобным их нанесение поверх перовскитных пленок. Кроме того, фуллерены и их производные имеют оптимальные оптоэлектронные характеристики, т.е. энергии низшей свободной молекулярной орбитали (LUMO), хорошо соответствующие положению зоны проводимости перовскитного полупроводника, и характеризуются относительно высокими подвижностями электронов [Advanced Electronic Materials 2018, 4 (10), 1700435; Journal of Materials Chemistry С 2018, 6 (11), 2635; Materials Chemistry Frontiers 2020. https://doi.org/10.1039/D0QM00295J].
В качестве альтернативного подхода, производные фуллерена могут быть заменены нефуллереновыми органическими электрон-селективными слоями. В настоящее время круг таких органических материалов для перовскитных солнечных батарей очень ограничен и представлен в основном низкомолекулярными или полимерными производными ароматических диимидов и отдельными производными азаценов [Advanced Energy Materials 2018, 8 (16), 1702872; Advanced Energy Materials 2019, 9 (25), 1900860; Small 2019, 15 (27), 1900854].
В перовскитных солнечных элементах p-i-n конфигурации в качестве материалов для верхнего электрон-селективного слоя непосредственно поверх фотоактивного слоя крайне редко используются оксиды металлов с полупроводниковыми свойствами n-типа. Несмотря на то, что эти оксиды (TiO2, ZnO, SnO2, и др.) являются типичными материалами нижнего электрон-селективного слоя в солнечных элементах n-i-p конфигурации, их нанесение поверх перовскитных пленок технологически достаточно сложно и приводит к частичной деградации фотоактивного слоя. Поэтому эффективности таких солнечных элементов обычно невысоки, а эксплуатационная (фото)стабильность является крайне низкой или остается пока неизученной [Adv. Sci., 2018, 5, 1800159; Solar Energy, 2020, 208, 652]. Чаще всего, оксидные пленки формируются поверх органических электрон-селективных материалов, которые наносятся в мягких условиях на перовскитные пленки [Adv. Energy Mater. 2017, 7, 1602599].
Основным недостатком перовскитных солнечных батарей является их низкий срок службы. Комплексные галогениды металлов (свинца, олова) с органическими катионами претерпевают быстрое разложение при длительном воздействии солнечного света (J. Mater. Chem. A 2018, 6 (20), 9604; J. Phys. Chem. Lett. 2017, 8 (6), 1211), повышенных температур (Sci Rep 2016, 6 (1), 31896; Energy Environ. Sci. 2016, 9 (11), 3406; Solar Energy Materials and Solar Cells 2020, 213, 110559), электрического поля, кислорода и влаги, присутствующих в окружающей среде (Chem. Mater. 2015, 27 (9), 3397; Energy Environ. Sci. 2016, 9 (5), 1655).
Несколько подходов, основанных на молекулярной и супрамолекулярной химии, были специально разработаны для решения проблемы низкой стабильности комплексных галогенидов свинца (Sol. RRL 2020, 4 (2), 1900248; J. Mater. Chem. A 2020, 8 (1), 27; Adv. Energy Mater. 2020, 10 (13), 1902650; Adv. Mater. 2019, 31 (25), 1900428). Недавние исследования показывают, что существенного повышения стабильности перовскитных солнечных элементов можно добиться за счет введения в состав фотоактивного слоя пассивирующих добавок или формирования на его поверхности пассивирующих покрытий. В частности, устойчивость перовскитных пленок на воздухе может быть повышена путем их пассивации с использованием гидрофобных реагентов, содержащих длинные алкильные цепи и/или ароматические фрагменты, часто с фторсодержащими заместителями, которые, как известно, обладают влагоотталкивающими свойствами (Nat Energy 2016, 1 (2), 15016; Adv. Energy Mater. 2019, 9 (47), 1902740; J. Mater. Chem. A 2019, 7 (6), 2497; Energy Environ. Sci. 2018, 11 (8), 2188). Кроме того, поверх перовскитного слоя часто формируют покрытия из низкоразмерных, обычно двумерных (2D) перовскитоподобных материалов с объемными органическими катионами [Solar Energy 2019, 189, 325; Sci. Adv. 2019, 5 (6), eaaw2543; Sustainable Energy Fuels 2020, 4 (1), 324].
Несмотря на то, что использование пассивирующих добавок и перовскитоподобных 2D покрытий обеспечило существенное увеличение стабильности комплексных галогенидов свинца, срок службы перовскитных солнечных элементов в реальных условиях эксплуатации все еще остается низким (редко превышает 1000 часов). Основной причиной является недостаточно эффективная стабилизация перовскитных пленок с использованием приемов, известных из текущего состояния науки и техники. В частности, не обеспечивается долговременная фотохимическая и термическая стабильность пленок комплексных галогенидов свинца в условиях работы солнечных элементов. Поэтому остро стоит проблема разработки новых путей стабилизации активного слоя перовскитных солнечных батарей, в первую очередь на основе галогенидов свинца, для повышения эксплуатационной стабильности этих устройств.
Описаны перовскитные солнечные элементы, использующие пленки йодоплюмбата метиаламмония, стабилизированные производным азаадамантана [Energies 2021, 14, 669], или производными пиридина [Mendeleev Commun., 2021, 31, 319], или йодидом гидразиния [J. Mater. Res. 2021, 36, 1846]. Во всех этих случаях стабилизирующий эффект модификатора хотя и наблюдается, но нужного технического результата не достигается: полученные пленки или фотовольтаические устройства стабильны в течение менее чем 500-1000 ч.
Задачей данного изобретения является обеспечение высокой эффективности и долговременной эксплуатационной стабильности перовскитных солнечных батарей. Поставленная задача решается заявляемым фотовольтаическим устройством на основе стабилизированных полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца.
Наиболее близким прототипом заявляемого фотовольтаического устройства является перовскитный солнечный элемент, описанный в патенте RU 2764711, где раскрывается использование электрон-транспортного слоя на основе легированного оксида индия (III). Принципиальным отличием заявляемого изобретения является использование правильно подобранных стабилизаторов полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, обеспечивающих их стабильную работу на протяжении многих тысяч часов в условиях эксплуатации солнечных элементов. Подчеркнем, что выбор стабилизаторов, которые раскрываются в данном изобретении, не является случайным, не вытекает из текущего уровня науки и техники, а является результатом целенаправленной научно-исследовательской деятельности.
Сущность заявляемого технического решения заключается в следующем. В раствор смеси соединений предшественников, таких как йодид свинца (PbI2) йодид формамидиния (FAI), и в отдельных случаях также йодид цезия (CsI), используемых для формирования фотоактивных перовскитных пленок, вводится один или сразу несколько из следующего набора стабилизаторов на основе производных пиридина: свободные основания или гидройодиды 2-пиколиламина, 3-пиколиламина, 4-пиколиламина, 4-(N-октиламино)пиридина, октенидина, N-(4-пиридил)пиперазина, а также йодиды 1,4-диметилпиридиния и 1-этил-4-метилпиридиния. В зависимости от числа основных атомов азота в молекуле производных пиридина используемые соли могут иметь разный состав, т.е. быть продуктами присоединения одной, двух или даже трех молекул HI:
Количество вводимого стабилизатора может меняться от 0.05% до 5% по массе в составе полупроводниковых пленок. Далее, из полученного прекурсорного раствора, содержащего FAI, PbI2, стабилизатор и в отдельных случаях также CsI формируются перовскитные полупроводниковые пленки с использованием известных из науки и техники методов (центрифугирования, метода ракельного ножа, метода щелевой экструзии и т.п.). Образующиеся пленки содержат в своей структуре стабилизатор, который, как правило, покрывает плотной и тонкой оболочкой поверхность перовскитных зерен. Некоторая часть модификаторов может встраиваться непосредственно в кристаллическую решетку комплексного галогенида свинца, приводя к формированию слоистых фаз Раддлесдена- Поппера. За счет такой стабилизации достигается нужный технический результат, а именно долговременная стабильность полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца и солнечных элементов на их основе в условиях повышенных температур и облучения светом.
Необходимо подчеркнуть, что указанный технический результат достигается только при использовании лишь строго определенных стабилизаторов, раскрываемых в данном изобретении. Например, при замене производных пиридина на производные анилина (фенилтриметиламмоний йодид, йодид анилиния, дигидройодид 4-аминометиланилина и т.п.) или алифатические амины (гидройдиды октиламина, бутиламина и т.п.), нужного стабилизирующего эффекта не наблюдается. Кроме того, даже сходные по строению соединения, такие как поливинилпиридин или пиразин, не обладают выраженным стабилизирующим эффектом. Таким образом, установление стабилизирующего эффекта указанных выше производных пиридина в полупроводниковых пленках комплексных галогенидов свинца является важным результатом, не вытекающим из текущего состояния науки и техники.
Отметим, что некоторые из раскрываемых в данном изобретении аминов и их солей ранее были использованы в составе перовскитных солнечных элементов, но в принципиально ином качестве: они выполняли роль строительных блоков при формировании комплексных галогенидов свинца с низкой размерностью структуры (2D, 1D). Например, гидройодиды изомерных пиколиламинов (AMPY) применяли для получения таких соединений, как (AMPY)FAPb2I7 [ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 11690], (AMPY)PbI4, (AMPY)MAPb2I7, (AMPY)MA2Pb3I10, (AMPY)MA3Pb4I13 [J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 12880] и иных сходных структур. Такие материалы также можно применять в составе фотоактивного слоя перовскитных солнечных элементов, хотя они и дают значительно более низкие эффективности преобразования света. Отметим, что содержание гидройодидов соответствующих пиколиламинов в составе таких комплексных галогенидов свинца, формирующих активный слой солнечных элементов, достаточно высоко и превышает 12%.
Принципиальным отличием защищаемого фотовольтаического устройства является тот факт, что основным компонентом его фотоактивного слоя является комплексный галогенид свинца с трехмерной перовскитной или перовскитоподобной структурой, а содержание вводимых стабилизаторов составляет менее 3% по массе, а чаще всего менее 1% по массе. Данный подход позволяет, с одной стороны, сохранить хорошие оптоэлектронные свойства комплексных галогенидов свинца с трехмерной структурой, а с другой - обеспечить их долговременную стабильность за счет модификации поверхности зерен, межзеренных границ и разного рода дефектов за счет вводимого в пленки стабилизатора на основе производных пиридина. Возможное внедрение молекул стабилизатора в структуру комплексных галогенидов свинца может приводить к материалам с брутто-составом от (A)2/n(CsxFAy)39Pb40I121 до (A)2/n(CsxFAy)3999Pb4000I12001, где n - валентность органического катиона, входящего в состав стабилизатора на основе пиридина, а х+у чаще всего равно 1.0, но в отдельных случаях может немного отличаться в большую (до 1.1) или меньшую (до 0.9) сторону для достижения необходимых физико-химических и оптоэлектронных характеристик материала. Заметим, что для отдельных составов х может быть равным 0, т.е. в составе комплексного галогенида свинца полностью отсутствует цезий. Для других составов у может быть равным 0, т.е. в составе комплексного галогенида свинца полностью отсутствуют катионы формамидиния.
Защищаемая конструкция фотовольтаического устройства схематически представлена на Фиг. 1.
Слои 0 или 6 обозначают:
Слои 0 и 6 являются технологическими и обозначают подложку, на которой формируются функциональные компоненты солнечной батареи, или барьерный слой, защищающий устройство от механических воздействий, а также от влияния кислорода и влаги воздуха. По крайней мере один из слоев 0 или 6 должен быть прозрачен по отношению к излучению спектрального диапазона 400-900 нм (пропускание не ниже 80%). Прозрачный слой может быть жестким (стекло, кварц, оргстекло и др.) или гибким (пластиковые пленки на основе полиэтилентерефталата, полиэтилена, полипропилена, полиуретана, полиимида, тонкое стекло, и т.п.). Прозрачный слой может представлять собой гибкое многослойное покрытие, защищающее устройство от проникновения кислорода и влаги воздуха. Непрозрачный слой может быть изготовлен на основе металла, пластика, керамики и предназначен, в частности, для усиления механической прочности готового устройства и его защиты от агрессивных компонентов внешней окружающей среды. В структуру каждого из слоев 0 или 6 может входить клеевой состав (пленочный клей, фотоотверждаемая или термически отверждаемая эпоксидная смола и др.) или адгезив, обеспечивающий инкапсуляцию устройства с целью его защиты от кислорода и влаги воздуха. В отдельных конструкциях солнечных батарей может присутствовать лишь один из слоев 0 или 6. В отдельных конструкциях солнечных батарей могут отсутствовать оба слоя 0 и 6.
Слои 1 и 5 обозначают:
электроды, которые собирают положительные (дырки) и отрицательные (электроны) носители зарядов, которые генерируются в фотовольтаическом устройстве под действием света. Хотя бы один из слоев 1 или 5 должен быть прозрачным (полупрозрачным) для излучения спектрального диапазона 400-900 нм. Как правило, пропускание света в этом спектральном диапазоне для полупрозрачного электрода составляет не менее 80%.
Полупрозрачный электрод может быть изготовлен с использованием электропроводящих оксидов: оксида индия, легированного оловом (ITO); легированного фтором оксида олова (FTO); оксида цинка, легированного алюминием (AZO) и других проводящих оксидов. В качестве полупрозрачных электродных материалов могут также быть использованы пленки электропроводящих полимеров, таких как PEDOT:PSS (полиэтилендиокситиофен: полистиролсульфонат), полианилин или полипиррол. Кроме того, полупрозрачные электроды могут формироваться на основе металлов, т.е. использоваться металлические микросетки, нанопроволоки и ультратонкие пленки золота, серебра, меди, никеля, алюминия или других металлов, в том числе в комбинации с антиотражающими покрытиями (например, система WOx/Ag/WOx). Полупрозрачный электрод также может быть изготовлен на основе углеродных материалов: графена, углеродных нанотрубок, нановолокон и др. Для изготовления полупрозрачного электрода могут быть использованы как индивидуальные материалы из перечисленных выше, так и любые их комбинации.
Непрозрачный электрод может быть изготовлен из пленок металлов (например, Ag, Cu, Ni, Zn, Cr, Al, Mg, Sn и др.) или их сплавов (нихром, хромель и др.), а также других материалов, обладающих свойствами металлов или полуметаллов (например, нитрид титана, графит, разные варианты сажи). Для изготовления непрозрачного электрода могут быть использованы как индивидуальные материалы из перечисленных выше, так и любые их комбинации, в том числе с теми материалами, которые используются для изготовления полупрозрачного электрода (например, ITO с нанесенным сверху слоем металла).
Слои 2 и 4 обозначают:
Зарядово-транспортные слои, предназначенные для селективного извлечения (экстракции) лишь одного типа носителей заряда (дырки или электрона) и его переноса к соответствующему электроду. Выделяют дырочно-селективные транспортные слои, которые переносят к дырочно-собирающему электроду дырки и блокируют электроны, а также электрон-селективные транспортные слои, которые переносят электроны к электрон-собирающему электроду и блокируют дырки. Материалы, используемые для изготовления указанных слоев, часто отличаются в зависимости от структуры солнечного элемента и могут быть представлены органическими или неорганическими соединениями, а также любыми их комбинациями.
В качестве материала дырочно-селективного транспортного слоя в общем случае могут быть использованы практически любые органические или неорганические полупроводники p-типа, валентная зона которых (высшая занятая молекулярная орбиталь для органических соединений) должна быть близка по энергии к валентной зоне материала фотоактивного слоя (3). При этом нижний край зоны проводимости (низшая свободная молекулярная орбиталь для органических соединений) должен лежать по энергии значительно выше зоны проводимости материала фотоактивного слоя (3), что необходимо для эффективного блокирования электронов. В качестве материала дырочно-селективного транспортного слоя часто используются полимерные материалы из группы полиариламинов, политиофенов, полианилинов, поликарбазолов, поливинилкарбазолов, полифениленов. Применяются также разнообразные низкомолекулярные полупроводники p-типа, такие как фталоцианины и порфирины, конденсированные ароматические и гетероароматические соединения, преимущественно содержащие гетероатомы серы, селена. В качестве материалов дырочно-селективного транспортного слоя используются часто неорганические полупроводники на основе оксидов металлов (CuO, NiO, Cu2O, Fe2O3, MoO3, WO3, V2O5, Nb2O5 и др.), галогенидов и псевдогалогенидов (CuSCN, CuSeCN, CuI и др.), халькогенидов металлов (PbS, PbSe, PbTe). Кроме того, в состав дырочно-селективного слоя могут вводиться дополнительные компоненты, снижающие число дефектов в пленках, например, полистирол, полиметилметакрилат, поливинилидендифторид и другие технологические полимеры и низкомолекулярные соединения, улучшающие качество пленок при формировании их из раствора.
Предпочтительным является использование двухкомпонентных дырочно-селективных транспортных слоев, содержащих органический компонент, нанесенный на границе со слоем (3), и неорганический компонент, нанесенный на границе со слоем (1) в устройствах p-i-n конфигурации (слой 2 является дырочно-селективным, а электрод (1) является дырочно-собирающим). В случае солнечных элементов n-i-p конфигурации, где слой (4) является дырочно-селективным, а электрод (5) - дырочно-собирающим, предпочтительным является использование двухкомпонентных дырочно-селективных транспортных слоев, содержащих органический компонент, нанесенный на границе с фотоактивным слоем (3), и неорганический компонент, нанесенный на границе с электродом (5). Наиболее предпочтительным является использование комбинации оксида металла (VOx~2.5, МОу~3, WOz~3) с ароматическим амином: низкомолекулярным или полимерным (например, поли[бис(4-фенил)(2,4,6-триметилфенил)амином РТАА). В общем случае, однако, число компонентов в составе дырочно-селективного слоя не ограничено. Все компоненты при формировании дырочно-селективного слоя могут наноситься в любой последовательности, в любом соотношении, представлять собой однородную или неоднородную смесь, либо многослойную структуру, выращиваться в виде компактных пленок или осаждаться в виде коллоидных наночастиц. Толщина дырочно-селективного слоя может составлять от 1 до 300 нм.
В качестве материала электрон-селективного транспортного слоя в общем случае могут быть использованы практически любые органические или неорганические полупроводники n-типа, зона проводимости которых (низшая свободная молекулярная орбиталь для органических соединений) должна быть близка по энергии к зоне проводимости материала фотоактивного слоя (3). При этом верхний край валентной зоны (верхняя занятая молекулярная орбиталь для органических соединений) должен лежать по энергии значительно ниже валентной зоны материала фотоактивного слоя (3), что необходимо для эффективного блокирования положительных носителей зарядов.
Электрон-селективный транспортный слой часто изготавливают из оксидов металлов (WO3, Nb2O5, TiO2, SnO2, ZnO, In2O3, CeO2, Zn2SnO4, Zn2Ti3O8, BaSnO3, BaTiO3, SrSnO3 и др.), халькогенидов металлов (CdS, CdSe, PbS, PbSe, PbTe, ZnS, ZnSe, Sb2S3, Bi2S3, In2S3, MnS, SnS, SnS2), органических соединений из числа производных фуллеренов, производных перилендиимида, нафталиндиимида, аценов, оксидиазолов, и других органических полупроводников n-типа.
Предпочтительным является использование двухкомпонентных электрон-селективных слоев на основе неорганического полупроводника (чаще всего оксида) и какого-либо второго компонента, нанесенного на границе с фотоактивным слоем (3) в перовскитных солнечных элементах n-i-p конфигурации, в которой транспортный слой 2 является электрон-селективным, а электрод (1) - электрон-собирающим. В этом случае в качестве предпочтительного варианта второго компонента выступают органические соединения, способные к ковалентному или координационному или электростатическому связыванию с поверхностью неорганического полупроводника за счет, например, карбоксильных (-СООН) или фосфоновых (-РО(ОН)2) групп. В перовскитных солнечных элементах p-i-n конфигурации транспортный слой (4) является электрон-селективным, а электрод (5) - электрон-собирающим. В этом случае предпочтительным является вариант, в котором органический компонент электрон-селективного транспортного слоя (4) наносится поверх фотоактивного слоя (3), а неорганический компонент наносится на границе с электродным слоем (5). В качестве органического компонента в этом случае целесообразно использование сопряженных олигомеров или полимеров с полупроводниковыми свойствами n-типа, производных фуллеренов, перилендиимидов или нафталиндиимидов, электронненасыщенных гетероциклических соединений ряда пиридина, пиразина, триазина, оксазола (например, батофенантролина или батокупроина) и др.
Предпочтительным вариантом реализации изобретения является использование двухкомпонентного электрон-селективного слоя, однако, в общем случае, число компонентов в составе электрон-селективного транспортного слоя не ограничено. Все компоненты при формировании электрон-селективного транспортного слоя могут наноситься в любой последовательности, в любом соотношении, представлять собой однородную или неоднородную смесь, либо многослойную структуру, выращиваться в виде компактных пленок или осаждаться в виде коллоидных наночастиц. Толщина электрон-селективного слоя может составлять от 1 до 300 нм.
Слой 3 обозначает:
Фотоактивный перовскитный слой, обеспечивающий поглощение света и генерацию носителей зарядов. В данном конкретном изобретении фотоактивный перовскитный слой содержит не менее 95% по массе комплексного галогенида свинца CsxFAyPbI3 (0.9<(х+у)<1.1) и не более 5% стабилизирующей добавки на основе производных пиридина, представленной одним соединением или смесью любого числа соединений, выбранных из 2-пиколиламина, 3-пиколиламина, 4-пиколиламина, 4-(н-октиламино)пиридина, октенидина, N-(4-пиридил)пиперазина в форме свободных оснований (аминов) или гидройодидов, а также йодида 1,4-диметилпиридиния и йодида 1-этил-4-метилпиридиния. Брутто-состав фотоактивного слоя может описываться формулами от (A)2/n(CsxFAy)39Pb40I121 (максимальное содержание стабилизатора) до (A)2/n(CsxFAy)3999Pb4000I12001 (минимальное содержание стабилизатора), где 0.9<(х+у)<1.1, а n - валентность органического катиона А, образующегося in-situ или входящего в состав стабилизатора на основе пиридина. Для отдельных составов х может быть равным 0, т.е. в составе комплексного галогенида свинца полностью отсутствует цезий. Для других составов у может быть равным 0, т.е. в составе комплексного галогенида свинца полностью отсутствуют катионы формамидиния.
Данное изобретение иллюстрируется, но никак не ограничивается следующими примерами:
Пример 1 Общая методика получения стабилизированных полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца
Для изготовления образцов были использованы коммерчески доступные предметные стекла (75×25 мм, боросиликатное стекло), которые нарезались на фрагменты размером 25×25 мм. Далее, стекла были очищены последовательно в дистиллированной воде, толуоле и ацетоне, а затем промыты в воде, ацетоне и изопропаноле с помощью ультразвука. Непосредственно перед нанесением перовскитных пленок подложки были дополнительно выдержаны в воздушной радиочастотной плазме (50 Вт/40 кГц) в течение 5 мин.
Раствор прекурсора CsxFAyPbI3 с концентрацией 1,4 М (по PbI2) получали совместным растворением 1.4х ммоль CsI, 1.4у ммоль FAI и 1,4 ммоль PbI2 в 1,0 мл безводной смеси диметилацетамида (DMAc) и диметилсульфоксида (DMSO) в соотношении 9:1 по объему. В качестве компонентов растворителя могут также использовать N,N-диметилформамид, N-метилформамид, формамид, N-метилпирролидон, гамма-бутиролактон и другие полярные растворители, способные в достаточной степени растворять указанные выше соли. Растворение проводили при непрерывном перемешивании компонентов при комнатной температуре в течение 24 ч. Далее, в полученные растворы прибавляли стабилизирующие добавки в форме йодидов AIn, где А - органический катион на основе производного пиридина, a n - валентность этого катиона. Количество прибавляемых добавок AIn составляло от 0.0065/n до 0.065/n ммоль. После прибавления стабилизирующей добавки растворы перемешивали до ее полного растворения, а затем фильтровали через шприцевые фильтры из ПТФЭ с размером пор 0,45 мкм для удаления возможных пылевых частиц. Далее, аликвоту раствора объемом 55 мкл капали на стеклянную подложку, вращающуюся со скоростью 3600 об/мин, и затем кристаллизовали пленку через 20 с путем быстрого прибавления 80-100 мкл безводного толуола. Образец выдерживали при 3600 об/мин еще 15 с, а затем полученные пленки прогревали при 120-180°С в инертной атмосфере перчаточного бокса в течение 5 мин. Оптимальная температура отжига подбирается экспериментально и зависит от соотношения катионов цезия и формамидиния в комплексном галогениде свинца. Контроль осуществляется методом рентгенофазового анализа (РФА): оптимальный режим прогрева пленок приводит к полной конверсии PbI2, при этом не наблюдается примесных сольватных фаз или нефотоактивных δ-фаз комплексных галогенидов свинца. Для примера на Фиг. 2 приведены рентгенограммы пленок отдельных составов FAPbI3 (а) и Cs0.12FA0.88PbI3 (б), полученных без стабилизирующих добавок.
Пример 2 Исследование фотостабильности полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца CsxFAyPbI3 с различными стабилизаторами и без них
Образцы перовскитных пленок, полученные как описано в примере 1, далее облучали светом с контролируемой интенсивностью светового потока и стабилизированной температурой на держателе образцов в инертной атмосфере перчаточного бокса (чистый азот). В качестве источника света светодиодные лампы, генерирующие световой поток 80 мВт/см2. Температура образцов при этом составляла 35°С. С учетом того, что практически весь свет от светодиодных ламп поглощался перовскитными пленками, получаемая образцами доза фотонов соответствовала облучению солнечным светом с эталонным спектром AM1.5G и мощностью светового потока 80*1.65=132 мВт/см2 (коэффициент 1.65 учитывает расхождение между спектральным составом света от светодиодных ламп и AMI.5G).
Процессы, протекающие в образцах на свету без доступа кислорода и влаги воздуха, отражают деградацию перовскитных пленок. Динамику фотолиза перовскитных пленок наблюдали путем периодического измерения их оптических спектров после получения различных доз излучения с использованием спектрометра AvaSpec 2048, интегрированного в перчаточный бокс. Изменение спектра свидетельствует о фоторазложении пленок. Постоянство спектральных характеристик образцов свидетельствует об их высокой стабильности. В частности, вначале происходит фотоиндуцированная кристаллизация пленок CsxFAyPbI3, которая сопровождается образованием больших плохо упорядоченных доменов и потерей однородной структуры пленок. Как следствие, пленки теряют свою прозрачность, начинают рассеивать свет, что приводит к увеличению их оптической плотности. Дальнейшее облучение приводит уже к фотолизу комплексных галогенидов свинца, который выражается в выцветании пленок, т.е. падении их оптической плотности.
Из данных, представленных на Фиг. 3 и Фиг. 4, видно, что немодифицированные пленки CsxFAyPbI3 в существенной степени разлагаются на свету за 1000 ч, что следует из значительно изменения оптической плотности пленок (увеличения или уменьшения). Напротив, пленки, содержащие стабилизирующие добавки на основе производных пиридина, демонстрируют высокую фотостабильность в условиях эксперимента, что следует из постоянства их спектральных характеристики или относительно небольших изменений оптической плотности в течение 9000-10000 часов непрерывного облучения светом.
Фиг. 3: Эволюция спектров поглощения перовскитных пленок разного состава при облучении светом: (а) немодифицированный FAPbI3; (б) состав A2FA399Pb400I1201 где А - катион 4-(н-октиламино)пиридина (протонированная форма); (в) состав AFA399Pb400I1201, где А - дикатион октенидина (дипротонированная форма), (г) состав AFA39Pb40I121, где А - дикатион 3-пиколиламина (дипротонированная форма); (д) состав AFA399Pb400I1201, где А - дикатион 2-пиколиламина(дипротонированная форма), (е) состав AFA39Pb40I121, где А - дикатион 2-пиколиламина (дипротонированная форма); (ж) состав AFA399Pb400I1201, где А - дикатион N-(4-пиридил)пиперазина (дипротонированная форма), (з) состав A2FA399Pb400I1201, где А - катион 4-метил-1-этилпиридиния.
Фиг. 4: Эволюция спектров поглощения перовскитных пленок разного состава при облучении светом: (а) немодифицированный Cs0.12FA0.88PbI3; (б) состав A2(Cs0.12FA0.88)399Pb400I1201 где А - катион 4-(н-октиламино)пиридина (протонированная форма); (в) состав A(Cs0.12FA0.88)399Pb400I1201, где А - дикатион октенидина (дипротонированная форма), (г) состав A(Cs0.12FA0.88)399Pb400I1201, где А - дикатион 3-пиколиламина (дипротонированная форма); (д) состав A(Cs0.12FA0.88)39Pb40I121, где А - дикатион 2-пиколиламина(дипротонированная форма), (е) состав A(Cs0.12FA0.88)399Pb400I1201, где А - дикатион 4-пиколиламина (дипротонированная форма); (ж) состав A(Cs0.12FA0.88)39Pb40I121 где А - дикатион 4-пиколиламина (дипротонированная форма); (з) состав A(Cs0.12FA0.88)39Pb40I121, где А - дикатион N-(4-пиридил)пиперазина (дипротонированная форма); (и) состав A2(Cs0.12FA0.88)39Pb40I121, где А - катион 1,4-диметилпиридиния; (к) состав A2(Cs0.12FA0.88)399Pb400I1201, где А - катион 4-метил-1-этилпиридиния.
Полученные результаты свидетельствуют о возможности значительного (более чем в 10 раз) увеличения фотостабильности перовскитных пленок за счет использования стабилизирующих добавок на основе пиридина, раскрываемых в данном изобретении.
Пример 3. Солнечные элементы на основе стабилизированных полупроводниковых пленок CsxFAyPbI3 с n-i-p конфигурацией
Для изготовления солнечных элементов были использованы стекла (25×25 мм) с нанесенной пленкой проводящего оксида индия, легированного оксидом олова (ITO), с сопротивлением 10-12 Ом/□ и толщиной проводящего слоя до 125 нм. Подложки были промыты последовательно в дистиллированной воде, толуоле (осч) и ацетоне (осч), а затем очищены в воде, ацетоне (осч) и изопропаноле (осч) с помощью ультразвука. Непосредственно перед нанесением зарядово-транспортных слоев, подложки были дополнительно выдержаны в плазме воздуха в течение 5 мин. На очищенные подложки был нанесен раствор прекурсора SnO2 (50 мкл), приготовленный разбавлением 15% водной коллоидной дисперсии SnO2 (Alfa-Aesar) в 1,5 раза дистиллированной водой, при скорости вращения подложки 4000 об/мин в течение 40 секунд. Далее пленки были прогреты при 175°С на воздухе в течение 15 мин и затем еще 10 мин при 120°С в инертной атмосфере азота в перчаточном боксе. Пленки SnO2 пассивировали нанесением раствора фенил-C61-масляной кислоты (РСВА, 0,1 мг/мл) в хлорбензоле (3500 об/мин, 30 с) с последующим отжигом при 100°С в течение 10 мин.
Пленки перовскита Cs0,12FA0,88PbI3 без стабилизирующих добавок и с введенными в разных концентрациях стабилизаторами были нанесены методом центрифугирования из 1,40 М раствора предшественника в смеси N,N-диметилацетамида и N-метилпирролидона в соотношении 4:1 по объему по методике, приведенной в примере 1.
Раствор поли[бис(4-фенил)(2,4,6-триметилфенил)амина (РТАА, 4 мг/мл в толуоле) наносили центрифугированием на перовскитные пленки при 1000 об/мин. Электрон-блокирующий слой (30 нм VOx) и дырочно-собирающий электрод (120 нм Ag) наносили резистивным испарением исходных веществ (V2O5 и Ag) в вакууме (10-6 мм рт.ст).
Измерение вольтамперных характеристик устройств проводили в стандартных условиях. В качестве источника света использовался солнечный симулятор K.Н. Steuernagel Lichttechnik GmbH со спектром, близким к AM1.5G (класс точности С, световой поток 100 мВт см-2). Для записи вольтамперных кривых использовали источник-измеритель Advantest 6240А.
Солнечные элементы ITO/SnO2/PCBA/Cs0.12FA0,88PbI3/PTAA/VOx/Ag показывают КПД 17.6-18.2%. Примерно такие же характеристики (КПД 17.9%) были получены для устройств на основе перовскитных пленок, стабилизированных йодидом 3-пиколиламмония (0.2% по массе). Введение 0.3% дигидройодида октенидина приводит к небольшому падению эффективности до 16.1%. Результаты представлены на Фиг. 5: Вольтамперные характеристики солнечных элементов на основе немодифицированных перовскитных пленок Cs0,12FA0,88PbI3 и пленок, стабилизированных йодидом 3-пиколиламмония и дигидройодидом октенидина, а также в Табл. 1: Характеристики солнечных элементов на основе немодифицированных перовскитных пленок Cs0,12FA0,88PbI3 и пленок, стабилизированных йодидом 3-пиколиламмония и дигидройодидом октенидина.
Проведенные эксперименты показали, что введение стабилизирующих добавок на основе производных пиридина значительно повышает стойкость перовскитных пленок на основе комплексных галогенидов свинца к действию света и повышенных температур, при этом не приводя к значительному снижению параметров их работы в солнечных элементах.
Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет обеспечить долговременную эксплуатационную стабильность перовскитных солнечных батарей, сохраняя высокие КПД преобразования света более 16-17%.
Claims (15)
1. Фотовольтаическое устройство, содержащее следующие слои:
внешние слои 0 и 6 являются технологическими и обозначают подложку, на которой формируются функциональные компоненты солнечной батареи, или барьерный слой, защищающий устройство от механических воздействий, а также от влияния кислорода и влаги воздуха, причем по крайней мере один из слоев 0 или 6 должен быть прозрачен по отношению к излучению спектрального диапазона 400-900 нм с пропусканием не ниже 80%, в отдельных конструкциях солнечных батарей может присутствовать лишь один из слоев 0 или 6;
слои 1, соседствующий со слоем 0, и 5, соседствующий со слоем 6, обозначают электроды, которые собирают положительные (дырки) и отрицательные (электроны) носители зарядов, которые генерируются в фотовольтаическом устройстве под действием света, причем хотя бы один из слоев 1 или 5 должен быть прозрачным для излучения спектрального диапазона 400-900 нм с пропусканием не ниже 80%;
слои 2, соседствующий со слоем 1, и 4, соседствующий со слоем 5, являются зарядово-транспортными и предназначены для селективного извлечения лишь одного типа носителей заряда и его переноса к соответствующему электроду;
слой 3 соседствует со слоями 2 и 4, обозначает фотоактивный слой, обеспечивающий поглощение света и генерацию носителей зарядов, и содержащий не менее 95% по массе комплексного галогенида свинца CsxFAyPbI3 (0,9<(х+у)<1,1) (FA - катион формамидиния) и от 0,005% до 5% по массе стабилизирующей добавки на основе производных пиридина, представленной одним соединением или смесью любого числа соединений, выбранных из 2-пиколиламина, 3-пиколиламина, 4-пиколиламина, 4-(н-октиламино)пиридина, октенидина, N-(4-пиридил)пиперазина в форме свободных оснований (аминов) или гидройодидов, а также йодида 1,4-диметилпиридиния и йодида 1-этил-4-метилпиридиния; для отдельных составов величина х может быть равной 0, т.е. в них полностью отсутствует цезий; для других составов величина у может быть равной 0, т.е. в них полностью отсутствуют катионы формамидиния, но предпочтительными являются составы, содержащие одновременно катионы цезия и формамидиния; в составе фотоактивного слоя могут присутствовать и другие компоненты, например остаточные молекулы растворителя, наночастицы металлов, углеродные нанотрубки, полимерные связующие и другие функциональные добавки.
2. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе 2-пиколиламина или гидройодида 2-пиколиламина или дигидройодида 2-пиколиламина.
3. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе 3-пиколиламина или гидройодида 3-пиколиламина или дигидройодида 3-пиколиламина.
4. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе 4-пиколиламина или гидройодида 4-пиколиламина или дигидройодида 4-пиколиламина.
5. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе 4-(н-октиламино)пиридина или гидройодида 4-(н-октиламино)пиридина или дигидройодида 4-(н-октиламино)пиридина.
6. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе октенидина или гидройодида октенидина или дигидройодида октенидина.
7. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе N-(4-пиридил)пиперазина или гидройодида N-(4-пиридил)пиперазина или дигидройодида N-(4-пиридил)пиперазина или тригидройодида N-(4-пиридил)пиперазина.
8. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе йодида 1,4-диметилпиридиния.
9. Фотовольтаическое устройство по п. 1, в котором слой 3 содержит в качестве стабилизирующей добавки от 0,005% до 5% по массе 1-этил-4-метилпиридиния.
10. Фотовольтаическое устройство по пп. 1-9, в котором слой 3 содержит не менее 95% по массе комплексного галогенида свинца брутто-состава FAyPbI3 (0,9<у<1,1); переменный состав подразумевает возможное присутствие избытка йодида свинца (у меньше 1) или йодида формамидиния (у больше 1).
11. Фотовольтаическое устройство по пп. 1-9, в котором слой 3 содержит не менее 95% по массе комплексного галогенида свинца брутто-состава CsyPbI3 (0,9<у<1,1); переменный состав подразумевает возможное присутствие избытка йодида свинца (у меньше 1) или йодида цезия (у больше 1).
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2812168C1 true RU2812168C1 (ru) | 2024-01-24 |
Family
ID=
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150249170A1 (en) * | 2012-09-18 | 2015-09-03 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
| KR20170017692A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-15 | 성균관대학교산학협력단 | 수분 및 광 안정성이 향상된 페로브스카이트 및 이를 이용한 태양전지 |
| US20180351009A1 (en) * | 2012-05-18 | 2018-12-06 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device comprising perovskites |
| EP3780128A1 (en) * | 2013-11-26 | 2021-02-17 | Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. | Perovskite and other solar cell materials |
| RU203663U1 (ru) * | 2020-10-16 | 2021-04-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
| RU2764711C1 (ru) * | 2021-06-17 | 2022-01-19 | Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий) | Электрон-селективный слой на основе оксида индия, легированного алюминием, способ его изготовления и фотовольтаическое устройство на его основе |
| RU2775160C1 (ru) * | 2021-11-16 | 2022-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения полупроводниковых тонкопленочных фотопреобразователей на основе галогенидных перовскитов |
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180351009A1 (en) * | 2012-05-18 | 2018-12-06 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device comprising perovskites |
| US20150249170A1 (en) * | 2012-09-18 | 2015-09-03 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
| EP3780128A1 (en) * | 2013-11-26 | 2021-02-17 | Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. | Perovskite and other solar cell materials |
| KR20170017692A (ko) * | 2015-08-07 | 2017-02-15 | 성균관대학교산학협력단 | 수분 및 광 안정성이 향상된 페로브스카이트 및 이를 이용한 태양전지 |
| RU203663U1 (ru) * | 2020-10-16 | 2021-04-15 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
| RU2764711C1 (ru) * | 2021-06-17 | 2022-01-19 | Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" (Сколковский институт науки и технологий) | Электрон-селективный слой на основе оксида индия, легированного алюминием, способ его изготовления и фотовольтаическое устройство на его основе |
| RU2775160C1 (ru) * | 2021-11-16 | 2022-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения полупроводниковых тонкопленочных фотопреобразователей на основе галогенидных перовскитов |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| MAYURIBALA MANGRULKAR et al., Influence of pyridine-based ligands on photostability of MAPbI3 thin films, Mendeleev Commun., 2021, 31, p.p. 319-322. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11222924B2 (en) | Photovoltaic device | |
| Kim et al. | High-efficiency perovskite solar cells | |
| Tonui et al. | Perovskites photovoltaic solar cells: An overview of current status | |
| Li et al. | Hydrophobic polystyrene passivation layer for simultaneously improved efficiency and stability in perovskite solar cells | |
| Liu et al. | Organic–inorganic halide perovskite based solar cells–revolutionary progress in photovoltaics | |
| Zhu et al. | Graphene-modified tin dioxide for efficient planar perovskite solar cells with enhanced electron extraction and reduced hysteresis | |
| Yin et al. | Superior photovoltaic properties of lead halide perovskites: insights from first-principles theory | |
| Zhao et al. | Solution chemistry engineering toward high-efficiency perovskite solar cells | |
| Snaith | Perovskites: the emergence of a new era for low-cost, high-efficiency solar cells | |
| KR102607292B1 (ko) | 광전자 디바이스 | |
| JP6386458B2 (ja) | 有機金属ハロゲン化物ペロブスカイトヘテロ接合太陽電池およびその製造方法 | |
| US20190173025A1 (en) | Solar cell, photoabsorber layer, and forming method of photoabsorber layer | |
| Kim et al. | Hysteresis-less CsPbI2Br mesoscopic perovskite solar cells with a high open-circuit voltage exceeding 1.3 V and 14.86% of power conversion efficiency | |
| KR20150011002A (ko) | 혼합 음이온을 갖는 유기금속 페로브스카이트를 갖는 광전자 장치 | |
| Faridi et al. | Synthesis and characterization of high-efficiency halide perovskite nanomaterials for light-absorbing applications | |
| CN110112295B (zh) | 太阳能电池 | |
| Yang et al. | Dual functional doping of KmnO4 in Spiro-OMeTAD for highly effective planar perovskite solar cells | |
| Murugan et al. | Current Development toward Commercialization of Metal‐Halide Perovskite Photovoltaics | |
| Dahal et al. | Configuration of methylammonium lead iodide perovskite solar cell and its effect on the device's performance: a review | |
| Wu et al. | Enhanced photovoltaic performance of perovskite solar cells by tuning alkaline earth metal-doped perovskite-structured absorber and metal-doped TiO2 hole blocking layer | |
| Zhu et al. | Grain boundary passivation using D131 organic dye molecule for efficient and thermally stable perovskite solar cells | |
| CN114556604A (zh) | 太阳能电池 | |
| RU2812168C1 (ru) | Фотовольтаическое устройство на основе полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, стабилизированных производными пиридина | |
| Zhang et al. | Surface Modification of Methylamine Lead Halide Perovskite with Aliphatic Amine Hydroiodide | |
| RU2788942C2 (ru) | Фотовольтаическое устройство с перовскитным фотоактивным слоем и неорганическим пассивирующим покрытием на основе галогенидов металлов и способ изготовления этого устройства |