RU203663U1 - Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита - Google Patents
Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита Download PDFInfo
- Publication number
- RU203663U1 RU203663U1 RU2020134171U RU2020134171U RU203663U1 RU 203663 U1 RU203663 U1 RU 203663U1 RU 2020134171 U RU2020134171 U RU 2020134171U RU 2020134171 U RU2020134171 U RU 2020134171U RU 203663 U1 RU203663 U1 RU 203663U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- perovskite
- passivated
- layer
- semiconductor device
- device based
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 4
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNZVFASWDSMJER-UHFFFAOYSA-N acetic acid;lead Chemical compound [Pb].CC(O)=O PNZVFASWDSMJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWANGZFTSGZRPZ-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;bromide Chemical compound Br.NC=N QWANGZFTSGZRPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N iodine(1+) Chemical compound [I+] OCVXZQOKBHXGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, а именно к полупроводниковому устройству на основе органо-неорганического перовскита, способному работать как солнечный элемент или светодиод, и может использоваться в энергетике, промышленности и в других областях. Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита состоит из анода, дырочного транспортного слоя, запассивированного слоя перовскита, электронного транспортного слоя, дырочно-блокирующего слоя и катода, при этом в запассивированном слое перовскита галогенид первого или второго катиона находится в избытке в количестве от 2% до 25% по массе. Техническим результатом данной полезной модели является полупроводниковое устройство на основе запассивированного перовскита с улучшенными параметрами. Данное устройство показывает лучшие значения квантового выхода фотолюминесценции, времени жизни фотолюминесценции и коэффициент полезного действия, а также демонстрирует смещение пика электролюминесценции в видимую область.
Description
Полезная модель относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, а именно к полупроводниковому устройству на основе органо-неорганического перовскита, способному работать как солнечный элемент или светодиод, и может использоваться в энергетике, промышленности и в других областях.
Известно устройство «Запассивированный перовскитный светодиод и метод его изготовления» (Заявка KR №101899428 В1, МПК H01L 33/02; H01L 33/44; H01L 2924/12041, дата приоритета 10.04.2017, дата публикации 17.09.2018), «Passivated perovsikite light-emitting diodes and preparation method thereof». Конструкция данного устройства представляет собой анод, дырочный транспортный слой, перовскитный фотоактивный слой, слой пассивирующих агентов, электронный транспортный слой и катод. Все эти слои последовательно наносят на стеклянную подложку. Добавление таких пассиваторов, как этилендиамин и полиэтеленимин усложняют технологический процесс изготовления устройств из-за необходимости нанесения дополнительного слоя, а также не способны повлиять на сегрегацию в перовскитах со смешанным анионом.
Известно устройство «Металло-галогенидный перовскит и фотовольтаическое устройство, содержащие пассирующие агенты» (Заявка JP №2019096891 А, МПК H01L 31/02167; H01L 31/077; H01L 31/1868, дата приоритета 05.08.2014, дата публикации 20.06.2019), «Metal halide perovskite and photovoltaic device containing passivation agent». Конструкция данного устройства представляет собой анод, дырочный транспортный слой, перовскитный фотоактивный слой с добавлением пассивирующих агентов, электронный транспортный слой и катод. В данном устройстве используются органические пассиваторы большие по размеру, чем первый катион. Такие пассиваторы способны замещать катионные и анионные дефекты в перовските. Однако использование таких пассивирующих агентов не влияет на положения пика фото- и электролюминесценции в полученных устройствах.
Известно устройство с применением «Пассивации поверхностных дефектов перовскита цвиттерионными аминокислотами» (Заявка US №20190164699 А1, МПК H01L 51/448; H01L 51/0003; H01L 51/4253, дата приоритета 15.01.2019, дата публикации 30.05.2019), «Perovskite surface defect passivation using zwitterionic amino acids», принятое авторами за прототип. Конструкция данного устройства представляет собой катод, дырочно-блокирующий слой, электронный транспортный слой, слой перовскита, запассивированный дополнительным слоем цвиттерионной аминокислоты, дырочный транспортный слой и анод. Цвиттерионные аминокислоты пассивируют катионные и анионные дефекты перовскита, однако, такая пассивация повышает параметры солнечного элемента, но не улучшают оптические параметры светодиода и не влияют на положение пика люминесценции.
Техническим результатом данной полезной модели является полупроводниковое устройство на основе запассивированного перовскита с улучшенными параметрами. Данное устройство показывает лучшие значения квантового выхода фотолюминесценции, времени жизни фотолюминесценции и коэффициент полезного действия, а также демонстрирует смещение пика электролюминесценции в видимую область.
Сущность полезной модели заключается в том, что полупроводниковое устройство состоит из катода, дырочного транспортного слоя, запассивированного слоя органо-неорганического перовскита, электронного транспортного слоя, дырочно-блокирующего слоя и анода, при этом в запассивированном слое перовскита галогенид первого или второго катиона находится в избытке в количестве от 2% до 25% по массе.
В данной полезной модели в качестве фотоактивного слоя выступает слой органо-неорганического перовскита, запассивированный добавлением избытка галогенида одного из катионов. Перовскит имеет формулу АВХ3, где А это органический катион метиламмония (МА) или формамидиния (FA) или их комбинация, в качестве катиона В используется свинец (Pb), а X - это анион, состоящий из комбинации йода (I) и брома (Br), также возможно добавление хлора (Cl).
Ионы в перовските способны двигаться по кристаллической решетке и тем самым образуют дефекты, например вакансии, концентрация которых максимальна на поверхности. Дефекты служат центрами безызлучательной рекомбинации, что уменьшает эффективность солнечных элементов и светодиодов на основе перовскитов. Вакансии галогенов также выступают в качестве каналов для сегрегации перовскитов со смешанным анионом, которая приводит к образованию областей из-за образования областей, обогащенных одним анионом, через которые происходит вся люминесценция и приводит к смещению пика люминесценции в более длинноволновую область. Образование таких сегрегированных областей происходит на поверхности из-за высокой концентрации галогенных вакансий.
Пассивирующие агенты способны взаимодействовать с вакансиями на поверхности перовскита и сокращать общее количество поверхностных дефектов, что ведет к сокращению числа актов безизлучательной рекомбинации и улучшает оптические параметры светодиодов и солнечных элементов. Помимо улучшения эффективности, пассивация поверхностных дефектов позволяет подавить сегрегацию в перовскитах со смешанным анионом. Пассивация этих дефектов позволяет предотвратить образование сегрегированных областей и подавить сегрегацию.
Сущность заявляемой полезной модели поясняется фигурами 1-3, где на Фиг. 1 представлена структура полупроводникового устройства на основе запассивированного органо-неорганического перовскита.
Устройство состоит из полупрозрачного анода - оксида индия-олова (1ТО) 1, на котором расположен дырочный транспортный слой PEDOT:PSS 2, запассивированный слой перовскита со смешанным анионом и органическим катионом с избытком первого или второго катиона 3, электронный транспортный слой фуллеренов С60 4, дырочно-блокирующий слой фторида лития (LiF) 5, серебряный катод 6 и электроды 7 и 8.
На Фиг. 2 показано зерна перовскита 9 без пассивации галогенидами первого или второго катиона. На рисунке показано зерно с поверхностными вакансиями первого или второго катиона 10 и вакансиями галогенидов 11.
На Фиг. 3 показано зерно перовскита 9 после пассивации галогенидами первого или второго катиона. Вакансии на поверхности зерна перовскита 9 занимаются пассивирующим агентом, состоящим из галогена 12 и первого или второго катиона перовскита 13.
Данная полезная модель может быть реализована в полупроводниковых устройствах на основе органо-неорганического перовскита с избытком первого или второго катиона, которые способны работать как солнечный элемент или светодиод. Добавления избытка галогенида первого или второго катиона способно оказать положительное влияние на параметры устройства, избыток первого катиона позволяет улучшить параметры солнечного элемента, избыток второго катиона улучшает параметры светодиода.
Добавления избытка галогенида первого катиона в количестве от 2% до 25% по массе, например, бромида, иодида или хлорида метиламмония или формамидиния (MABr, MAI, MACl, FABr, FAI, FACl) или второго катиона в количестве от 2% до 25% по массе, например, бромида, иодида или хлорида свинца (PbBr2, PbI2, PbCl2) или же псевдогалогенида свинца, например ацетата свинца (Pb(ас)2), позволяет запассивировать поверхностные вакансии первого и второго катиона 10, а также вакансии галогенов 11, что выражается в улучшении параметров устройств, таких как квантового выхода фотолюминесценции (PLQE) в 2.5 раза с 4% до 10%. Квантовый выход фотолюминесценции показывает отношение количества актов излучательной рекомбинации к общему количеству актов рекомбинаций. Также в увеличении времени жизни фотолюминесценции в 1.5 раза, которое говорит об уменьшении общего числа дефектов, что подтверждает пассивирующие свойства избытка галогенида первого или второго катиона.
Избыток галогенида первого катиона также приводит к увеличению параметров полупроводникового устройства в режиме солнечного элемента, что отражается в увеличении на плотности тока короткого замыкания с 8.4 мА/см2 до 10.1 мА/см2, напряжения открытой цепи на с 1 В до 1.1 В, фактора заполнения с 58.7% до 66.9% и коэффициента полезного действия с 4.96% до 7.44%. Избыток галогенида второго катиона эффективно улучшает параметры устройства в режиме светодиода. Что отражается в более значительном увеличении PLQE, чем при избытке первого катиона, а также в смещении пика фото- и электролюминесценции в коротковолновую область с 750 нм до 700 нм для перовскитов с анионным составом, состоящим из смеси брома и йода, что соответствует видимому диапазону. Наиболее эффективное смещение пика в более коротковолновую область получается в результате добавления избытка псевдогалогенида второго катиона - ацетата свинца. Избыток солей свинца пассивирует поверхностные вакансии и образует пассивирующий слой на границе зерен перовскита, который не позволяет ионам мигрировать и оставляет поверхностные состояния запассивированными и препятствуют образованию сегрегированных областей.
Таким образом, полупроводниковое устройство на основе органо-неорганического перовскита с избытком галогенида первого или второго катиона наиболее эффективно для использования в качестве солнечного элемента или светодиода. Благодаря избытку катионов параметры устройств могут быть улучшены, а также сегрегация частично подавляется без использования дополнительных пассиваторов или дополнительных слоев, что упрощает технологию создания и архитектуру устройства.
Claims (1)
- Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита, состоящее из анода, дырочного транспортного слоя, запассивированного слоя перовскита, электронного транспортного слоя, дырочно-блокирующего слоя и катода, отличающееся тем, что в запассивированном слое перовскита галогенид первого или второго катиона находится в избытке в количестве от 2% до 25% по массе.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020134171U RU203663U1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020134171U RU203663U1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU203663U1 true RU203663U1 (ru) | 2021-04-15 |
Family
ID=75521532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020134171U RU203663U1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU203663U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE2250096A1 (en) * | 2022-02-01 | 2023-08-02 | Chunxiong Bao | Multifunctional perovskite optoelectronic device |
| RU2812168C1 (ru) * | 2022-12-06 | 2024-01-24 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Федеральный Исследовательский Центр Проблем Химической Физики И Медицинской Химии Российской Академии Наук (Фиц Пхф И Мх Ран) | Фотовольтаическое устройство на основе полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, стабилизированных производными пиридина |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160380125A1 (en) * | 2013-12-17 | 2016-12-29 | Isis Innovation Limited | Photovoltaic device comprising a metal halide perovskite and a passivating agent |
| RU2645221C1 (ru) * | 2016-09-30 | 2018-02-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Перовскитная солнечная ячейка и способ ее изготовления |
| KR101899428B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2018-09-17 | 울산과학기술원 | 부동태화된 페로브스카이트형 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
| US20190164699A1 (en) * | 2017-02-17 | 2019-05-30 | Nutech Ventures | Perovskite surface defect passivation using zwitterionic amino acids |
| RU195827U1 (ru) * | 2019-11-01 | 2020-02-06 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования"Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса |
-
2020
- 2020-10-16 RU RU2020134171U patent/RU203663U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160380125A1 (en) * | 2013-12-17 | 2016-12-29 | Isis Innovation Limited | Photovoltaic device comprising a metal halide perovskite and a passivating agent |
| RU2645221C1 (ru) * | 2016-09-30 | 2018-02-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Перовскитная солнечная ячейка и способ ее изготовления |
| US20190164699A1 (en) * | 2017-02-17 | 2019-05-30 | Nutech Ventures | Perovskite surface defect passivation using zwitterionic amino acids |
| KR101899428B1 (ko) * | 2017-04-10 | 2018-09-17 | 울산과학기술원 | 부동태화된 페로브스카이트형 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
| RU195827U1 (ru) * | 2019-11-01 | 2020-02-06 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования"Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE2250096A1 (en) * | 2022-02-01 | 2023-08-02 | Chunxiong Bao | Multifunctional perovskite optoelectronic device |
| RU2812168C1 (ru) * | 2022-12-06 | 2024-01-24 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Федеральный Исследовательский Центр Проблем Химической Физики И Медицинской Химии Российской Академии Наук (Фиц Пхф И Мх Ран) | Фотовольтаическое устройство на основе полупроводниковых пленок комплексных галогенидов свинца, стабилизированных производными пиридина |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ji et al. | Halide perovskite light‐emitting diode technologies | |
| Ren et al. | Advances and challenges in two-dimensional organic–inorganic hybrid perovskites toward high-performance light-emitting diodes | |
| Yang et al. | Mixed‐Halide Inorganic Perovskite Solar Cells: Opportunities and Challenges | |
| Thambidurai et al. | Improved photovoltaic performance of triple-cation mixed-halide perovskite solar cells with binary trivalent metals incorporated into the titanium dioxide electron transport layer | |
| KR102342350B1 (ko) | 발광 소자 효율을 효과적으로 향상시키는 페로브스카이트 필름층, 소자 및 제조방법 | |
| KR101899428B1 (ko) | 부동태화된 페로브스카이트형 발광다이오드 및 이의 제조방법 | |
| Miyasaka | Perovskite photovoltaics and optoelectronics: From fundamentals to Advanced Applications | |
| CN112993177B (zh) | 一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| RU203663U1 (ru) | Полупроводниковое устройство на основе запассивированного органо-неорганического перовскита | |
| WO2023098926A2 (zh) | 双极性分子稳定的钙钛矿材料及光电器件 | |
| Chen et al. | Influence of surface passivation on perovskite CsPbBr1. 2I1. 8 quantum dots and application of high purity red light-emitting diodes | |
| Wang et al. | Recent progress on defect passivation of all‐inorganic halide perovskite solar cells | |
| Ye et al. | Unveiling the key factor affecting the illumination deterioration and response measures for lead halide perovskite solar cells | |
| Tian et al. | Additive and interfacial control for efficient perovskite light-emitting diodes with reduced trap densities | |
| Li et al. | Co-passivation of perovskite film towards stable and efficient perovskite solar cell | |
| CN114335400B (zh) | 一种抑制混合卤素钙钛矿相分离的方法及应用和器件 | |
| Cai et al. | Stable perovskite solar cells with 22% efficiency enabled by inhibiting migration/loss of iodide ions | |
| WO2022011988A1 (zh) | 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 | |
| JP2024023624A (ja) | 光電変換素子 | |
| RU195827U1 (ru) | Перестраиваемый светодиод на основе перовскита с модификацией интерфейса | |
| Xu et al. | Vacuum-deposited perovskite LED by interface defect passivation with better color stability | |
| Vasanthi et al. | Metal oxide charge transport materials for light emitting diodes-An overview | |
| Khan et al. | Interface engineering yields efficient perovskite light-emitting diodes | |
| CN110690354A (zh) | 一种钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| Ji et al. | Perovskite Light‐Emitting Diode Technologies |