RU2786943C1 - Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя - Google Patents

Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя Download PDF

Info

Publication number
RU2786943C1
RU2786943C1 RU2022108987A RU2022108987A RU2786943C1 RU 2786943 C1 RU2786943 C1 RU 2786943C1 RU 2022108987 A RU2022108987 A RU 2022108987A RU 2022108987 A RU2022108987 A RU 2022108987A RU 2786943 C1 RU2786943 C1 RU 2786943C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
current
transistor
bipolar
junction
output
Prior art date
Application number
RU2022108987A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Владислав Евгеньевич Чумаков
Дмитрий Владимирович Клейменкин
Алексей Вадимович Кунц
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"(ДГТУ)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"(ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"(ДГТУ)
Application granted granted Critical
Publication of RU2786943C1 publication Critical patent/RU2786943C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве входного каскада быстродействующих арсенид-галлиевых операционных усилителей. Технический результат: создание входного дифференциального каскада ОУ, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и биполярных GaAs p-n-p-транзисторах, который обеспечивает по токовым выходам режим класса АВ, когда максимальные выходные токи ДК Iвых.max существенно превышают их статические значения Iвых.0. Это ускоряет процесс перезарядки емкости корректирующего конденсатора ОУ и повышает быстродействие ОУ в режиме большого сигнала. Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя содержит входной дифференциальный каскад (1) с первым (2) и вторым (3) входами, а также с первым (4) и вторым (5) токовыми выходами, первую (6) шину источника питания, первый (7) и второй (8) выходные биполярные p-n-p-транзисторы, коллекторы которых связаны с соответствующими первым (9) и вторым (10) токовыми выходами устройства, согласованными с первой (6) шиной источника питания, первый (11) и второй (12) токостабилизирующие биполярные p-n-p-транзисторы с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со второй (13) шиной источника питания, коллектор первого (11) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора соединен с первым (4) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), коллектор второго (12) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора связан со вторым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (1). В схему введены первый (14) и второй (15) дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и n-каналом, стоки которых согласованы со второй (13) шиной источника питания, между их истоками включены два последовательно соединенных дополнительных резистора (16) и (17), общий узел которых подключен к объединенным базам первого (11) и второго (12) токостабилизирующих биполярных p-n-p-транзисторов, затвор первого (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен с коллектором первого (11) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора и базой второго (8) выходного биполярного p-n-p-транзистора, затвор второго (15) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен с коллектором второго (12) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора и базой первого (7) выходного биполярного p-n-p-транзистора, эмиттер первого (7) выходного биполярного p-n-p-транзистора соединен с истоком первого (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом, а эмиттер второго (8) выходного биполярного p-n-p-транзистора соединен с истоком второго (15) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве входного каскада быстродействующих арсенид-галлиевых операционных усилителей.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) с входным дифференциальным каскадом на полевых и биполярных транзисторах, выполненные на основе архитектуры так называемого «перегнутого каскода» [1-45]. Их основные достоинства - расширенный частотный диапазон, а также эффективное использование напряжения питания.
В настоящее время в российской и зарубежной микроэлектронике уделяется повышенное внимание арсенид-галлиевым микросхемам [46]. Данное направление создания электронной компонентной базы относится к числу наиболее перспективных в задачах космического приборостроения. Однако, особенности арсенид-галлиевых технологических процессов накладывают существенные ограничения на типы реализуемых транзисторов и их характеристики [47,48]. Так, например, арсенид-галлиевый технологический процесс, освоенный Минским научно-исследовательским институтом радиоматериалов (https://mniirm.by/), ориентирован на изготовление аналоговых схем, содержащих только полевые GaAs транзисторы с управляющим p-n переходом (n-канал) и биполярные GaAs p-n-p транзисторы. Применение других полупроводниковых приборов не допускается. Это накладывает существенные ограничения на схемотехнику аналоговых устройств, ориентированных на данный технологический процесс.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный каскад по патенту US 6.529.076, 2003 г. Он содержит (фиг. 1) входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, а также с первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, первую 6 шину источника питания, первый 7 и второй 8 выходные биполярные p-n-p транзисторы, коллекторы которых связаны с соответствующими первым 9 и вторым 10 токовыми выходами устройства, согласованными с первой 6 шиной источника питания, первый 11 и второй 12 токостабилизирующие биполярные p-n-p транзисторы с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со второй 13 шиной источника питания, коллектор первого 11 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора соединен с первым 4 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор второго 12 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора связан со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1.
Существенный недостаток дифференциального каскада - прототипа (фиг. 1) состоит в том, что при его реализации на JFET GaAs полевых транзисторах с n-каналом и p-n-p GaAs биполярных транзисторах, он не работает в режиме класса АВ. Это не позволяет выполнять на его основе схемы быстродействующих операционных усилителей, в которых эффект повышения SR достигается за счет применения ДК класса АВ.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании входного дифференциального каскада ОУ, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах, который обеспечивает по токовым выходам режим класса АВ, когда максимальные выходные токи ДК Iвых.max существенно превышают их статические значения Iвых.0. Это ускоряет процесс перезарядки емкости корректирующего конденсатора ОУ и повышает быстродействие ОУ в режиме большого сигнала.
Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном каскаде фиг. 1, содержащем входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, а также с первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, первую 6 шину источника питания, первый 7 и второй 8 выходные биполярные p-n-p транзисторы, коллекторы которых связаны с соответствующими первым 9 и вторым 10 токовыми выходами устройства, согласованными с первой 6 шиной источника питания, первый 11 и второй 12 токостабилизирующие биполярные p-n-p транзисторы с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со второй 13 шиной источника питания, коллектор первого 11 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора соединен с первым 4 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор второго 12 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора связан со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 14 и второй 15 дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и n-каналом, стоки которых согласованы со второй 13 шиной источника питания, между их истоками включены два последовательно соединенных дополнительных резистора 16 и 17, общий узел которых подключен к объединенным базам первого 11 и второго 12 токостабилизирующих биполярных p-n-p транзисторов, затвор первого 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен с коллектором первого 11 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора и базой второго 8 выходного биполярного p-n-p транзистора, затвор второго 15 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен с коллектором второго 12 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора и базой первого 7 выходного биполярного p-n-p транзистора, эмиттер первого 7 выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с истоком первого 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, а эмиттер второго 8 выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с истоком второго 15 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом.
На чертеже фиг. 1 приведена схема входного дифференциального каскада - прототипа по патенту US 6.529.076, 2003 г.
На чертеже фиг. 2 показана схема заявляемого дифференциального каскада класса АВ в соответствии с п. 1, п. 2 и п. 3 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведен пример включения заявляемого ДК в структуре быстродействующего ОУ.
На чертеже фиг. 4 представлен статический режим ДК фиг. 2 на GaAs JFET и BJT транзисторах Минского НИИ радиоматериалов в среде LTSpice при 27°С, источнике опорного тока I1=200мкА, резисторах R1=R2=20кОм, Rn1=Rn2=1Ом, напряжениях питания V1=V2=±5В.
На чертеже фиг. 5 показана зависимость выходных токов ДК фиг. 4 от входного дифференциального напряжения в диапазоне от -600мВ до 600мВ.
На чертеже фиг. 6 приведен статический режим предлагаемого входного дифференциального каскада класса АВ в структуре бвыстродействующего операционного усилителя на GaAs транзисторах при R1÷R2 = 20 кОм, R3÷R4 = 2 кОм, C1=5 нФ, C2 = 8 пФ, vcc= +10 В, vee = -10 В.
На чертеже фиг. 7 представлены результаты моделирования амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления ОУ фиг. 6 в среде LTspice на моделях GaAs транзисторов Минского НИИ радиоматериалов.
Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя фиг. 2 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, а также с первым 4 и вторым 5 токовыми выходами, первую 6 шину источника питания, первый 7 и второй 8 выходные биполярные p-n-p транзисторы, коллекторы которых связаны с соответствующими первым 9 и вторым 10 токовыми выходами устройства, согласованными с первой 6 шиной источника питания, первый 11 и второй 12 токостабилизирующие биполярные p-n-p транзисторы с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со второй 13 шиной источника питания, коллектор первого 11 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора соединен с первым 4 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, коллектор второго 12 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора связан со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1. В схему введены первый 14 и второй 15 дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и n-каналом, стоки которых согласованы со второй 13 шиной источника питания, между их истоками включены два последовательно соединенных дополнительных резистора 16 и 17, общий узел которых подключен к объединенным базам первого 11 и второго 12 токостабилизирующих биполярных p-n-p транзисторов, затвор первого 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен с коллектором первого 11 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора и базой второго 8 выходного биполярного p-n-p транзистора, затвор второго 15 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен с коллектором второго 12 токостабилизирующего биполярного p-n-p транзистора и базой первого 7 выходного биполярного p-n-p транзистора, эмиттер первого 7 выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с истоком первого 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом, а эмиттер второго 8 выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с истоком второго 15 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, входной дифференциальный каскад 1 выполнен на основе первого 18 и второго 19 входных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и n-каналом, объединенные истоки которых связаны с первой 6 шиной источника питания через источник опорного тока 20.
Кроме этого, на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, сток первого 14 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен с первым 21 дополнительным токовым выходом устройства, а сток второго 15 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом соединен со вторым 22 дополнительным токовым выходом устройства.
Проходная характеристика предлагаемого ДК фиг. 4, представленная на графиках фиг. 5, показывает, что рассматриваемая схема работает в режиме класса АВ - ее максимальным выходной ток Iвых.max значительно превышает статические выходные токи Iвых.0, причем отношение
Figure 00000001
где Iвых.max = 2,8 мА, Iвых.0 = 30 мкА.
Таким образом, предлагаемый входной GaAs ДК, схемотехника которого адаптирована на применение в широком диапазоне температур и воздействия проникающей радиации [46], имеет существенные достоинства в сравнении с известным вариантом построения ДК фиг. 1 при его реализации в рамках рассматриваемого арсенид-галлиевого технологического процесса, обеспечивающего создание только полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и биполярных p-n-p транзисторов.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент RU 2321159, 2008 г., fig. 3, fig. 5
2. Патент US 5.153.529, 1992 г., fig. 1
3. Патент US 5.327.100, 1994 г., fig. 1
4. Патент US 6.529.076, 2003 г., fig. 1
5. Патент US 5.805.021, 1998 г., fig. 1
6. Патент US 5.140.280, 1992 г., fig. 1
7. Патент US 3.644.838, 1972 г.
8. Патент US 6.018.268, 2000 г., fig. 1
9. Патент US 7.714.656, 2010 г., fig. 3
10. Патент US 6.717.474, 2004 г.
11. Патент США № 5.422.600, фиг. 2
12. Патент США № 4.406.990, фиг. 4
13. Патент США № 5.952.882, 1999 г.
14. Патент США № 4.723.111, 1988 г.
15. Патент США № 4.293.824, 1981 г.
16. Патент США № 5.323.121, 1994 г.
17. Патент США № 5.420.540, fig. 1, 1995 г.
18. Патент RU № 2354041 C1, 2009 г.
19. Патентная заявка США № 2003/0201828, fig. 1, fig. 2, 2003 г.
20. Патент США № 6.825.721, fig. 1, fig. 2, 2004 г.
21. Патент США № 6.542.030, fig. 1, 2003 г.
22. Патент US 6.456.162, fig. 2, 2002 г.
23. Патент US 6.501.333, 2002 г.
24. Патент US 6.717.466, 2004 г.
25. Патентная заявка US № 2002/0196079, fig. 1, 2002 г.
26. Патент US № 4.600.893, fig. 7, 1986 г.
27. Патент US № 4.004.245, 1977 г.
28. Патент US № 7.411.451, fig. 5, 2008 г.
29. Патент US № 6.788.143, 2004 г.
30. Патент US 4.387.309, 1983 г.
31. Патент US 4.390.850, 1983 г.
32. Патент US 5.963.085, 1999 г.
33. Патент US 4.783.637, 1988 г.
34. Патент GB 2.035.003, fig. 2, 1980 г.
35. Патент US 7.215.200, fig. 6, 2007 г.
36. Патент US 6.393.495, 2002 г.
37. Патент US 6.628.168, fig. 2, 2003 г. (в ОУ)
38. Патент US 8.604.878, fig. 2, 2013 г. (в ОУ)
39. Патент US 7.453.319, fig. 1, 2008 г.
40. Патент EP 0632581, fig. 1, fig. 3, 1995 г.
41. Заявка на патент US 2009/0079503, fig. 1а, 2009 г.
42. Патент US 5.376.899, fig. 1, 1994 г.
43. Заявка на патент US 2008/0129383, fig. 1, 2008 г.
44. Патент US 5.424.681, fig. 1, 1995 г.
45. Патент US 5.475.339, 1995 г.
46. Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 47-54. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-47-54
47. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992, doi: 10.1109/75.153604.
48. K. W. Kobayashi, D. K. Umemoto, J. R. Velebir, D. C. Streit and A. K. Oki, "Integrated complementary HBT microwave push-pull and Darlington amplifiers with PNP active loads," GaAs IC Symposium Technical Digest 1992, 1992, pp. 313-316, doi: 10.1109/GAAS.1992.247281.

Claims (3)

1. Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя, содержащий входной дифференциальный каскад (1) с первым (2) и вторым (3) входами, а также с первым (4) и вторым (5) токовыми выходами, первую (6) шину источника питания, первый (7) и второй (8) выходные биполярные p-n-p-транзисторы, коллекторы которых связаны с соответствующими первым (9) и вторым (10) токовыми выходами устройства, согласованными с первой (6) шиной источника питания, первый (11) и второй (12) токостабилизирующие биполярные p-n-p-транзисторы с объединенными базами, эмиттеры которых соединены со второй (13) шиной источника питания, коллектор первого (11) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора соединен с первым (4) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), коллектор второго (12) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора связан со вторым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), отличающийся тем, что в схему введены первый (14) и второй (15) дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и n-каналом, стоки которых согласованы со второй (13) шиной источника питания, между их истоками включены два последовательно соединенных дополнительных резистора (16) и (17), общий узел которых подключен к объединенным базам первого (11) и второго (12) токостабилизирующих биполярных p-n-p-транзисторов, затвор первого (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен с коллектором первого (11) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора и базой второго (8) выходного биполярного p-n-p-транзистора, затвор второго (15) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен с коллектором второго (12) токостабилизирующего биполярного p-n-p-транзистора и базой первого (7) выходного биполярного p-n-p-транзистора, эмиттер первого (7) выходного биполярного p-n-p-транзистора соединен с истоком первого (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом, а эмиттер второго (8) выходного биполярного p-n-p-транзистора соединен с истоком второго (15) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом.
2. Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя по п.1, отличающийся тем, что входной дифференциальный каскад (1) выполнен на основе первого (18) и второго (19) входных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и n-каналом, объединенные истоки которых связаны с первой (6) шиной источника питания через источник опорного тока (20).
3. Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса АВ быстродействующего операционного усилителя по п.1, отличающийся тем, что сток первого (14) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен с первым (21) дополнительным токовым выходом, а сток второго (15) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и n-каналом соединен со вторым (22) дополнительным токовым выходом.
RU2022108987A 2022-04-05 Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя RU2786943C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2786943C1 true RU2786943C1 (ru) 2022-12-26

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (ru) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1166271A1 (ru) * 1983-05-19 1985-07-07 Опытное конструкторско-технологическое бюро "Феррит" при Воронежском политехническом институте Дифференциальный усилитель
US5153529A (en) * 1991-08-30 1992-10-06 Motorola, Inc. Rail-to-rail input stage of an operational amplifier
US5327100A (en) * 1993-03-01 1994-07-05 Motorola, Inc. Negative slew rate enhancement circuit for an operational amplifier
US5805021A (en) * 1996-02-13 1998-09-08 Advanced Micro Devices High swing low power general purpose operational amplifier
US6529076B2 (en) * 2000-09-25 2003-03-04 Texas Instruments Incorporated Fast saturation recovery operational amplifier input stage

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1166271A1 (ru) * 1983-05-19 1985-07-07 Опытное конструкторско-технологическое бюро "Феррит" при Воронежском политехническом институте Дифференциальный усилитель
US5153529A (en) * 1991-08-30 1992-10-06 Motorola, Inc. Rail-to-rail input stage of an operational amplifier
US5327100A (en) * 1993-03-01 1994-07-05 Motorola, Inc. Negative slew rate enhancement circuit for an operational amplifier
US5805021A (en) * 1996-02-13 1998-09-08 Advanced Micro Devices High swing low power general purpose operational amplifier
US6529076B2 (en) * 2000-09-25 2003-03-04 Texas Instruments Incorporated Fast saturation recovery operational amplifier input stage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2820562C1 (ru) * 2023-12-25 2024-06-05 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Van De Plassche A wide-band monolithic instrumentation amplifier [application of voltage-current convertor]
Shukla et al. NPN Sziklai pair small-signal amplifier for high gain low noise submicron voltage recorder
RU2677401C1 (ru) Биполярно-полевой буферный усилитель
RU2786943C1 (ru) Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя
RU2413355C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2595927C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
Prokopenko et al. The radiation-hardened differential difference operational amplifiers for operation in the low-temperature analog interfaces of sensors
RU2773912C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад быстродействующего операционного усилителя
RU2766868C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2767976C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности
RU2784046C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
EP3709510B1 (en) Power detector with all transistors being bipolar junction transistors
RU2784376C1 (ru) АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ n-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ И p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
RU2788498C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель на полевых и биполярных p-n-p транзисторах
RU2789482C1 (ru) Двухтактный арсенид-галлиевый буферный усилитель с малой зоной нечувствительности амплитудной характеристики
RU2796638C1 (ru) Биполярно-полевой арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
Chumakov et al. Gallium arsenide buffer amplifier
RU2788499C1 (ru) Арсенид-галлиевый дифференциальный преобразователь "напряжение-ток"
RU2784666C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2475941C1 (ru) Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом
RU2813140C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель
Zhuk et al. Method for Increasing the Speed of Operational Amplifier Based on “Folded” Cascode
RU2683851C1 (ru) Многоканальный быстродействующий операционный усилитель