RU2784373C1 - Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля - Google Patents

Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля Download PDF

Info

Publication number
RU2784373C1
RU2784373C1 RU2022122036A RU2022122036A RU2784373C1 RU 2784373 C1 RU2784373 C1 RU 2784373C1 RU 2022122036 A RU2022122036 A RU 2022122036A RU 2022122036 A RU2022122036 A RU 2022122036A RU 2784373 C1 RU2784373 C1 RU 2784373C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
power supply
transistor
channel
supply bus
Prior art date
Application number
RU2022122036A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Евгеньевич Титов
Николай Николаевич Прокопенко
Алексей Андреевич Жук
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Application granted granted Critical
Publication of RU2784373C1 publication Critical patent/RU2784373C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники. Технический результат: создание повторителя сигнала, обеспечивающего малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля. Для этого предложен истоковый повторитель сигнала, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор с p-каналом (3), выходной n-p-n биполярный транзистор (4), первую (5) шину источника питания, источник опорного тока (6), вторую (7) шину источника питания. Сток входного полевого транзистора с p-каналом (3) соединен с первой (5) шиной источника питания, исток соединен с базой выходного n-p-n биполярного транзистора (4) и через прямосмещенный p-n-переход на биполярном n-p-n-транзисторе (8) связан с выходом устройства (2), при этом источник опорного тока (6) содержит первый (9) и второй (10) вспомогательные полевые транзисторы с p-каналом, затворы которых соединены со второй (7) шиной, стоки соединены с выходом (2), а истоки объединены и подключены ко второй (7) шине через два параллельно включенных прямосмещенных p-n-перехода на первом (11) и втором (12) вспомогательных транзисторах. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано для усиления сигнала по мощности с коэффициентом передачи по напряжению, близким к единице, например, в активных RC-фильтрах класса Sallen-Key.
Известно значительное количество схем микроэлектронных повторителей сигнала (ПС), которые реализуются на комплементарных биполярных (BJT) или полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-28]. Следует отметить, что ПС с малым напряжением смещения нуля является базовым функциональным узлом антиалайзинговых фильтров низких частот со структурами Sallen-Key [29,30], включаемых на входе АЦП в устройствах радиотехники, связи и автоматики. В аналоговой схемотехнике находят также применение повторители сигнала, которые содержат в своей структуре токовые зеркала [31-38].
В настоящее время одним из векторов развития электронной компонентной базы нового поколения является применение аналоговых устройств, реализуемых на арсенид-галлиевых, нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых транзисторах. Существуют совмещенные технологические процессы [39-42], позволяющие создавать на одном кристалле полевые и биполярные транзисторы на широкозонных полупроводниках. Однако, данные технологии требуют специальной схемотехники, которая должна учитывать набор разрешенных активных и пассивных компонентов. Заявляемое устройство ориентировано на применение таких техпроцессов.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является усилитель сигнала (фиг. 1), представленный в статье Itakura K. et al. A GaAs Bi-FET technology for large scale integration //International Technical Digest on Electron Devices Meeting. – IEEE, 1989. – С. 389-392. (фиг. 7). Схема прототипа фиг. 1 содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной полевой транзистор с p-каналом 3, затвор которого соединен со входом 1 устройства, выходной n-p-n биполярный транзистор 4, коллектор которого связан с первой 5 шиной источника питания, а эмиттер подключен к выходу 2 устройства, источник опорного тока 6, включенный между выходом устройства 2 и второй 7 шиной источника питания.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании повторителя сигнала, обеспечивающего малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), что актуально для построения антиалайзинговых фильтров низких частот, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей [43].
Поставленная задача достигается тем, что в повторителе сигнала фиг. 1, содержащем вход 1 и выход 2 устройства, входной полевой транзистор с p-каналом 3, затвор которого соединен со входом 1 устройства, выходной n-p-n биполярный транзистор 4, коллектор которого связан с первой 5 шиной источника питания, а эмиттер подключен к выходу 2 устройства, источник опорного тока 6, включенный между выходом устройства 2 и второй 7 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - сток входного полевого транзистора с p-каналом 3 соединен с первой 5 шиной источника питания, исток соединен с базой выходного n-p-n биполярного транзистора 4 и через прямосмещенный p-n переход на биполярном n-p-n транзисторе 8 связан с выходом устройства 2, при этом источник опорного тока 6 содержит первый 9 и второй 10 вспомогательные полевые транзисторы с p-каналом, затворы которых соединены со второй 7 шиной источника питания, стоки соединены с выходом устройства 2, а истоки объединены и подключены ко второй 7 шине источника питания через два параллельно включенных прямосмещенных p-n перехода на первом 11 и втором 12 вспомогательных n-p-n биполярных транзисторах, коллекторы которых соединены с базами.
На чертеже фиг. 1 показан усилитель сигнала – прототип, представленный в статье Itakura K. et al. A GaAs Bi-FET technology for large scale integration //International Technical Digest on Electron Devices Meeting. – IEEE, 1989. – С. 389-392. (фиг. 7).
На чертеже фиг. 2 приведена схема заявляемого повторителя сигнала в соответствии с п. 1 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 представлен CJFET и CBiJT повторитель сигнала в соответствии с п. 2 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 показана схема для моделирования повторителя сигнала фиг. 2 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=5 В, Rload=1 МОм на моделях кремниевых транзисторов аналоговых базовых матричных кристаллов АО «Интеграл» (г. Минск) [44,45,46].
На чертеже фиг. 5 приведена схема для моделирования повторителя сигнала фиг. 2 в среде LTspice при t=-197oC, +Vcc=-Vee=5 В, Rload=1 МОм.
На чертеже фиг. 6 представлена зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля повторителя сигнала фиг. 2 от температуры при +Vcc=-Vee=5 В, Rload=1 Мом.
На чертеже фиг. 7 показана амплитудная характеристика повторителя сигнала фиг. 4 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=5 В, Rload= 5кОм/ 10кОм/1 МОм.
Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля фиг. 2 содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной полевой транзистор с p-каналом 3, затвор которого соединен со входом 1 устройства, выходной n-p-n биполярный транзистор 4, коллектор которого связан с первой 5 шиной источника питания, а эмиттер подключен к выходу 2 устройства, источник опорного тока 6, включенный между выходом устройства 2 и второй 7 шиной источника питания. Сток входного полевого транзистора с p-каналом 3 соединен с первой 5 шиной источника питания, исток соединен с базой выходного n-p-n биполярного транзистора 4 и через прямосмещенный p-n переход на биполярном n-p-n транзисторе 8 связан с выходом устройства 2, при этом источник опорного тока 6 содержит первый 9 и второй 10 вспомогательные полевые транзисторы с p-каналом, затворы которых соединены со второй 7 шиной источника питания, стоки соединены с выходом устройства 2, а истоки объединены и подключены ко второй 7 шине источника питания через два параллельно включенных прямосмещенных p-n перехода на первом 11 и втором 12 вспомогательных n-p-n биполярных транзисторах, коллекторы которых соединены с базами.
На чертеже фиг. 2 в качестве элемента нагрузки Rн используется двухполюсник 13.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, в схему введен первый 14 дополнительный полевой транзистор с n-каналом, затвор которого подключен ко входу 1 устройства, сток соединен со второй 7 шиной источника питания, а исток соединен с базой первого 15 дополнительного p-n-p биполярного транзистора и через первый 16 дополнительный прямосмещенный p-n переход соединен с выходом устройства 2 и эмиттером первого 15 дополнительного p-n-p биполярного транзистора, коллектор которого связан со второй 7 шиной источника питания, причем эмиттер первого 15 дополнительного p-n-p биполярного транзистора соединен со стоками второго 17 и третьего 18 дополнительных полевых транзисторов с n-каналом, затворы которых подключены к первой 5 шине источника питания, а истоки объединены и связаны с первой 5 шиной источника питания через два параллельно включенных p-n перехода 19 и 20, выполненных на p-n-p биполярных транзисторах, коллекторы которых соединены с базами.
Рассмотрим работу предлагаемого повторителя сигнала фиг. 2.
Особенность повторителя сигнала на чертеже фиг. 2 состоит в том, что здесь статический режим транзисторов схемы по току определяется первым 9 и вторым 10 вспомогательными полевыми транзисторами с p-каналом и p-n переходами на первом 11 и втором 12 вспомогательных n-p-n биполярных транзисторах. Это позволяет за счет изменения ширины канала JFET выбирать заданные значения токов входного полевого транзистора с p-каналом 3 и выходного n-p-n биполярного транзистора 4:
Figure 00000001
где U зи.i – напряжение затвор-исток i-го полевого транзистора при токе истока, равном I R.
Введение новых элементов и связей между ними в соответствии с формулой изобретения позволяет получить малые значения напряжения смещения нуля ПС (фиг. 4, фиг. 5) в широком диапазоне температур (фиг. 6).
Заявляемый повторитель сигнала допускает параметрическую оптимизацию параметров, например, по критерию минимизации систематической составляющей напряжения смещения нуля за счет рационального выбора ширины и длины канала входного полевого транзистора с p-каналом 3.
Учитывая, что выходное статическое напряжение предлагаемого ПС измеряется десятками-сотнями микровольт, в соответствии с п. 2 формулы изобретения возможно параллельное (по входу и выходу) включение двух идентичных по схемотехнике, но отличающихся типами каналов входных полевых транзисторов в соответствии с фиг. 3. Это позволяет получить двухтактные повторители напряжения, обеспечивающие токи положительного и отрицательного направлений в более низкоомных нагрузках.
Таким образом, компьютерное моделирование в среде LTspice и оптимизация заявляемой схемы повторителя сигнала показывает, что предлагаемый ПС, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [44,45], имеет существенные достоинства в сравнении с прототипом.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 6.215.357, fig. 3, 2001 г.
2. Патент US 5.351.012, 1994 г.
3. Патент US 5.973.534, 1999 г.
4. Патент US 5.197.124, fig. 25, 1993 г.
5. Патент US 7.764.123, fig. 3, 2010 г.
6. Патент US № 6.268.769 fig.3, 2001 г.
7. Патент US № 6.420.933, 2002 г.
8. Патент US № 5.223.122, 1993 г.
9. Патентная заявка US № 2004/0196101, 2004 г.
10. Патентная заявка US № 2005/0264358 fig.1, 2005 г.
11. Патентная заявка US № 2002/0175759, 2002 г.
12. Патент US № 5.049.653 fig.8, 1991 г.
13. Патент US № 4.837.523, 1989 г.
14. Патент US № 5.179.355, 1993 г.
15. Патент Японии JP 10.163.763, 1991 г.
16. Патент Японии JP 10.270.954, 1992 г.
17. Патент US № 5.170.134 fig.6, 1992 г.
18. Патент US № 4.540.950, 1985 г.
19. Патент US № 4.424.493, 1984 г.
20. Патент Японии JP 6310950, 2018 г.
21. Патент US № 5.378.938, 1995 г.
22. Патент US № 4.827.223, 1989 г.
23. Патент US № 6.160.451, 2000 г.
24. Патент US № 4.639.685, 1987 г.
25. А.св. СССР 1506512, 1986 г.
26. Патент US № 5.399.991, 1995 г.
27. Патент US № 6.542.032, 2003 г.
28. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.1226347
29. Butyrlagin, Nikolay; Denisenko, Darya; Prokopenko, Nikolay; Inanov, Yuri (2022): Bank of new schemes of active RC-filters of the Sallen-Key subclass with independent tuning of the main parameters. TechRxiv. Preprint. https://doi.org/10.36227/techrxiv.19614813.v1
30. Prokopenko, N.; Budyakov, P.; Bugakova, A. Research and Comparative Modeling of the Si, GaAs and GaN JFET/CMOS Buffer Amplifiers for Sallen-Key LPF Design Problems with A Low Offset Voltage's Systematic Component . Preprints 2022, 2022050026 (doi: 10.20944/preprints202205.0026.v1).https://www.preprints.org/manuscript/202205.0026/v1
31. Itakura K. et al. A GaAs Bi-FET technology for large scale integration //International Technical Digest on Electron Devices Meeting. – IEEE, 1989. – С. 389-392. (фиг. 7)
32. Патент RU 2479109, 2013 г. (токовое зеркало на транзисторе 15 в эмиттерной цепи транзистора 2)
33. Патент RU 2536672, фиг.3 (токовое зеркало 8 в эмиттерной цепи транзистора 2), 2014 г.
34. Патент GB 2029662, fig. 1, 1979 г. (токовое зеркало (элементы 14, 12) в эмиттерной цепи транзистора 10)
35. Патент US 4236119 (токовое зеркало на элементах 14 и 12 в эмиттерной цепи транзистора 10)
36. Патентная заявка US 2001/0017571, fig.2, fig. 3 (токовое зеркало на транзисторах 214, 208)
37. Патент US 3673508, 1972 г., fig. 1 (токовое зеркало на транзисторе 22 в эмиттерной цепи транзистора 12)
38. Патент ФРГ 2055939, 1971 г., fig. 5 (токовое зеркало на транзисторе Q3 в эмиттерной цепи транзистора Q1)
39. M. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi: 10.1109/BCTM.2011.6082769
40. P. J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi: 10.1109/CSICS.2012.6340116
41. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.153604
42. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.
43. Динамические погрешности процесса ввода аналоговых сигналов датчиков в системах управления и контроля: моногр. / Л. К. Самойлов, Д. Ю. Денисенко, Н. Н. Прокопенко. – М.: СОЛОН-Пресс, 2021. – 240 с.
44. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
45. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski. The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, Kazakhstan, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507
46. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. – М.: СОЛОН-Пресс, 2021. – 200 с.

Claims (2)

1. Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля, содержащий вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор с p-каналом (3), затвор которого соединен со входом (1) устройства, выходной n-p-n биполярный транзистор (4), коллектор которого связан с первой (5) шиной источника питания, а эмиттер подключен к выходу (2) устройства, источник опорного тока (6), включенный между выходом устройства (2) и второй (7) шиной источника питания, отличающийся тем, что сток входного полевого транзистора с p-каналом (3) соединен с первой (5) шиной источника питания, исток соединен с базой выходного n-p-n биполярного транзистора (4) и через прямосмещенный p-n-переход на биполярном n-p-n-транзисторе (8) связан с выходом устройства (2), при этом источник опорного тока (6) содержит первый (9) и второй (10) вспомогательные полевые транзисторы с p-каналом, затворы которых соединены со второй (7) шиной источника питания, стоки соединены с выходом устройства (2), а истоки объединены и подключены ко второй (7) шине источника питания через два параллельно включенных прямосмещенных p-n-перехода на первом (11) и втором (12) вспомогательных n-p-n биполярных транзисторах, коллекторы которых соединены с базами.
2. Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля по п. 1, отличающийся тем, что в схему введен первый (14) дополнительный полевой транзистор с n-каналом, затвор которого подключен ко входу (1) устройства, сток соединен со второй (7) шиной источника питания, а исток соединен с базой первого (15) дополнительного p-n-p биполярного транзистора и через первый (16) дополнительный прямосмещенный p-n-переход соединен с выходом устройства (2) и эмиттером первого (15) дополнительного p-n-p биполярного транзистора, коллектор которого связан со второй (7) шиной источника питания, причем эмиттер первого (15) дополнительного p-n-p биполярного транзистора соединен со стоками второго (17) и третьего (18) дополнительных полевых транзисторов с n-каналом, затворы которых подключены к первой (5) шине источника питания, а истоки объединены и связаны с первой (5) шиной источника питания через два параллельно включенных p-n-перехода (19) и (20), выполненных на p-n-p биполярных транзисторах, коллекторы которых соединены с базами.
RU2022122036A 2022-08-15 Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля RU2784373C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2784373C1 true RU2784373C1 (ru) 2022-11-24

Family

ID=

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2530263C1 (ru) * 2013-05-27 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий истоковый повторитель напряжения
RU2536671C1 (ru) * 2013-06-18 2014-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий истоковый повторитель напряжения
US10141897B2 (en) * 2016-12-07 2018-11-27 Silicon Intergrated Systems Corp. Source follower

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2530263C1 (ru) * 2013-05-27 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий истоковый повторитель напряжения
RU2536671C1 (ru) * 2013-06-18 2014-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Быстродействующий истоковый повторитель напряжения
US10141897B2 (en) * 2016-12-07 2018-11-27 Silicon Intergrated Systems Corp. Source follower

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ITAKURA K. et al., "A GaAs Bi-FET technology for large scale integration", International Technical Digest on Electron Devices Meeting, IEEE, 1989, стр. 389-392. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2784373C1 (ru) Истоковый повторитель сигнала с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
RU2814685C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур
RU2820562C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
RU2789482C1 (ru) Двухтактный арсенид-галлиевый буферный усилитель с малой зоной нечувствительности амплитудной характеристики
RU2820341C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода
RU2615068C1 (ru) Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель
RU2788498C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель на полевых и биполярных p-n-p транзисторах
RU2767976C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2771316C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2766868C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2813281C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель на p-n-p биполярных и полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2784376C1 (ru) АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ n-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ И p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
RU2813370C1 (ru) Прецизионный арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенным коэффициентом усиления
RU2822157C1 (ru) Операционный усилитель на основе широкозонных полупроводников
RU2786943C1 (ru) Арсенид-галлиевый входной дифференциальный каскад класса ав быстродействующего операционного усилителя
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2621289C1 (ru) Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления
RU2815912C1 (ru) Безрезистивный арсенид-галлиевый дифференциальный каскад и операционный усилитель на его основе с малым напряжением смещения нуля
RU2788499C1 (ru) Арсенид-галлиевый дифференциальный преобразователь "напряжение-ток"
RU2849877C1 (ru) Выходной каскад арсенид-галлиевого операционного усилителя
RU2411637C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Chumakov et al. Precision Operational Amplifier on nJFet Arsenide-Gallium Field Effect Transistors and pnp Bipolar Transistors
RU2812914C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Dvornikov et al. Methodology of Circuit Modeling of Charge-Sensitive Amplifiers Based on Wide-Band-Gap (GaAs, GaN) D-FETs