RU2413355C1 - Дифференциальный усилитель с парафазным выходом - Google Patents

Дифференциальный усилитель с парафазным выходом Download PDF

Info

Publication number
RU2413355C1
RU2413355C1 RU2009137691/09A RU2009137691A RU2413355C1 RU 2413355 C1 RU2413355 C1 RU 2413355C1 RU 2009137691/09 A RU2009137691/09 A RU 2009137691/09A RU 2009137691 A RU2009137691 A RU 2009137691A RU 2413355 C1 RU2413355 C1 RU 2413355C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
base
additional
output
emitter
transistor
Prior art date
Application number
RU2009137691/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Александр Игоревич Серебряков (RU)
Александр Игоревич Серебряков
Максим Владимирович Наумов (RU)
Максим Владимирович Наумов
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2009137691/09A priority Critical patent/RU2413355C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2413355C1 publication Critical patent/RU2413355C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи для усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, СВЧ операционных усилителях (ОУ), компараторах). Технический результат: увеличение коэффициента усиления по напряжению при низкоомной нагрузке. Дифференциальный усилитель (ДУ) содержит входной параллельно-балансный каскад (ПБК) (1), первый (2) и второй (3) токовые выходы которого связаны с базами первого (4) и второго (5) выходных транзисторов (Т), первый (6) и второй (7) двухполюсники нагрузки (ДН), выходной Т (8) стабилизатора тока, коллектор которого соединен с общей эмиттерной цепью (9) входного ПБК (1), вспомогательный двухполюсник (Д) (10), включенный параллельно эмиттерно-базовому переходу Т (8) стабилизатора тока, первый (11) и второй (12) резисторы обратной связи, первые выводы которых подключены к эмиттерам соответствующих первого (4) и второго (5) выходных Т, а также первому (13) и второму (14) противофазным выходам ДУ, а вторые выводы связаны с базой выходного Т (8) стабилизатора тока. В схему введены первый (15) и второй (16) дополнительные Т, а также первый (17) и второй (18) дополнительные Д, база Т (4) соединена с первым ДН (6) и базой Т (16) через первый (17) дополнительный Д, база Т (5) соединена со вторым ДН (7) и базой Т (15) через второй (18) дополнительный Д, коллектор Т (4) соединен с эмиттером Т (15), коллектор Т (5) соединен с эмиттером Т (16), причем коллекторы Т (15, 16) связаны с шиной источника питания. 11 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, СВЧ операционных усилителях (ОУ), компараторах).
Известны схемы классических дифференциальных усилителей (ДУ) [1-14] с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу, которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем первого и второго поколения.
В последние годы ДУ данного класса стали снова активно применяться в структуре СВЧ-устройств [1, 2, 3], реализованных на базе новейших SiGe-технологий. Это связано с возможностью построения на их основе активных RC-фильтров гигагерцевого диапазона для современных и перспективных систем связи. В значительной степени этому способствует простота установления статического режима ДУ при низковольтном питании (1,2÷2,1) B, которое характерно для SiGe-транзисторов с предельными частотами 100÷200 ГГц.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в статье [2], содержащий входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 токовые выходы которого связаны с базами первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, первый 6 и второй 7 двухполюсники нагрузки, выходной транзистор стабилизатора тока 8, коллектор которого соединен с общей эмиттерной цепью 9 входного параллельно-балансного каскада 1, вспомогательный двухполюсник 10, включенный параллельно эмиттерно-базовому переходу выходного транзистора стабилизатора тока 8, первый 11 и второй 12 резисторы обратной связи, первые выводы которых подключены к эмиттерам соответствующих первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, а также первому 13 и второму 14 противофазным выходам дифференциального усилителя, а вторые выводы связаны с базой выходного транзистора стабилизатора тока 8.
Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он имеет сравнительно небольшой коэффициент усиления по напряжению (Ky) при низкоомной нагрузке (например, Rн=50 Ом).
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в увеличении коэффициента усиления по напряжению ДУ при низкоомной нагрузке без ухудшения энергетических параметров в статическом режиме.
Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном усилителе, фиг.1, содержащем входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 токовые выходы которого связаны с базами первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, первый 6 и второй 7 двухполюсники нагрузки, выходной транзистор стабилизатора тока 8, коллектор которого соединен с общей эмиттерной цепью 9 входного параллельно-балансного каскада 1, вспомогательный двухполюсник 10, включенный параллельно эмиттерно-базовому переходу выходного транзистора стабилизатора тока 8, первый 11 и второй 12 резисторы обратной связи, первые выводы которых подключены к эмиттерам соответствующих первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, а также первому 13 и второму 14 противофазным выходам дифференциального усилителя, а вторые выводы связаны с базой выходного транзистора стабилизатора тока 8, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 15 и второй 16 дополнительные транзисторы, а также первый 17 и второй 18 дополнительные двухполюсники, база первого 4 выходного транзистора соединена с первым 6 двухполюсником нагрузки и базой второго 16 дополнительного транзистора через первый дополнительный двухполюсник 17, база второго 5 выходного транзистора соединена со вторым 7 двухполюсником нагрузки и базой первого 15 дополнительного транзистора через второй 18 дополнительный двухполюсник, коллектор первого 4 выходного транзистора соединен с эмиттером первого 15 дополнительного транзистора, коллектор второго 5 выходного транзистора соединен с эмиттером второго 16 дополнительного транзистора, причем коллекторы первого 15 и второго 16 дополнительных транзисторов связаны с шиной источника питания.
Схема заявляемого устройства, соответствующего формуле изобретения, показана на фиг.2.
На фиг.3 и 4 показаны схемы ДУ-прототипа (фиг.3) и заявляемого ДУ (фиг.4) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на фиг.5 - зависимость Ky сравниваемых схем (фиг.3, 4) от частоты.
На фиг.6 и 7 показаны схемы ДУ-прототипа (фиг.6) и заявляемого ДУ (фиг.7) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» для случая, когда в ДУ используется несимметричное включение низкоомной нагрузки (50 Ом) между общей шиной источников питания и выходами устройств, а на фиг.8 - зависимость Ky сравниваемых схем (фиг.6, 7) от частоты.
На фиг.9 и 10 показаны схемы ДУ-прототипа (фиг.9) и заявляемого ДУ (фиг.10) в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных СВЧ-транзисторов IHP для случая, когда в ДУ используется симметричное включение низкоомной нагрузки (50 Ом), а на фиг.11 - зависимость Ky сравниваемых схем (фиг.9, 10) от частоты. Графики фиг.11 показывают, что предлагаемое устройство имеет в 9-10 раз больший коэффициент усиления по напряжению (≈20 дБ) при практически одинаковых значениях верхней граничной частоты (182 МГц). Это важное достоинство предлагаемого ДУ при его реализации в рамках технологического процесса SGB25VD.
Дифференциальный усилитель, фиг.2, содержит входной параллельно-балансный каскад 1, первый 2 и второй 3 токовые выходы которого связаны с базами первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, первый 6 и второй 7 двухполюсники нагрузки, выходной транзистор стабилизатора тока 8, коллектор которого соединен с общей эмиттерной цепью 9 входного параллельно-балансного каскада 1, вспомогательный двухполюсник 10, включенный параллельно эмиттерно-базовому переходу выходного транзистора стабилизатора тока 8, первый 11 и второй 12 резисторы обратной связи, первые выводы которых подключены к эмиттерам соответствующих первого 4 и второго 5 выходных транзисторов, а также первому 13 и второму 14 противофазным выходам дифференциального усилителя, а вторые выводы связаны с базой выходного транзистора стабилизатора тока 8. В схему введены первый 15 и второй 16 дополнительные транзисторы, а также первый 17 и второй 18 дополнительные двухполюсники, база первого 4 выходного транзистора соединена с первым 6 двухполюсником нагрузки и базой второго 16 дополнительного транзистора через первый дополнительный двухполюсник 17, база второго 5 выходного транзистора соединена со вторым 7 двухполюсником нагрузки и базой первого 15 дополнительного транзистора через второй 18 дополнительный двухполюсник, коллектор первого 4 выходного транзистора соединен с эмиттером первого 15 дополнительного транзистора, коллектор второго 5 выходного транзистора соединен с эмиттером второго 16 дополнительного транзистора, причем коллекторы первого 15 и второго 16 дополнительных транзисторов связаны с шиной источника питания.
В частном случае входной параллельно-балансный каскад 1 в схеме фиг.2 реализован на транзисторах 19 и 20, а нагрузка 21 (Rн), имеет симметричное включение.
Коэффициент усиления по напряжению ДУ-прототипа, фиг.1, зависит от сопротивления нагрузки r23 между выходами 2 и 3:
Figure 00000001
где β453 - коэффициент усиления по току базы транзисторов 4 и 5;
Figure 00000002
- сопротивление эмиттерных p-n переходов транзисторов входного параллельно-балансного каскада 1;
I0=Iк8/2=I6=I7 - статический ток двухполюсников нагрузки 6 и 7;
φт=26 мВ - температурный потенциал.
После преобразований (1) можно получить, что в схеме фиг.1
Figure 00000003
При Rн=50 Ом, β=60 численные значения Ky<60, что недостаточно во многих практических случаях.
Рассмотрим работу предлагаемого устройства, фиг.2.
Статический режим по току транзисторов ДУ, фиг.2, устанавливается двухполюсниками нагрузки 6 и 7:
Figure 00000004
где Iкi - коллекторный ток i-го транзистора;
I0 - статический ток двухполюсников 6 и 7.
Сравнительно низкоомные резисторы 11 и 12 определяют статический режим по напряжению коллектор-база транзисторов входного параллельно-балансного каскада 1.
Если на вход ДУ, фиг.2, подается напряжение uвх, то это приводит к изменениям напряжений u2 и u3 на выходах 2 и 3, появлению тока iн в нагрузке 21 и токов базы транзисторов 4 и 5, 15 и 16:
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
где βi - коэффициент усиления по току базы i-го транзистора;
iэj - ток эмиттера j-го транзистора.
Поэтому суммарные приращения приведенных токов нагрузки в цепях выходов 2 и 3:
Figure 00000008
Figure 00000009
При β416, β515 получаем, что в коллекторной цепи входного каскада 1 обеспечивается компенсация близких по величине переменных токов, обусловленных низкоомной нагрузкой, что существенно повышает эквивалентное сопротивление между выходами 2 и 3 и, как следствие, коэффициент усиления по напряжению ДУ, фиг.2.
В практических схемах фиг.4, 7 и 10 выигрыш по Ky достигает одного порядка (фиг.5, 8 и 11). Следует заметить, что данный положительный эффект достигается без увеличения статического тока, потребляемого схемой от источников питания. Предлагаемая схема может быть реализована в рамках техпроцесса SGB25VD, внедряемого российскими предприятиями.
Таким образом, заявляемый дифференциальный усилитель при малом токопотреблении обеспечивает при низкоомной нагрузке Rн=50 Ом повышенный Ky, а также реализуется на основе техпроцесса SGB25VD, в котором нет p-n-p транзисторов. Это весьма существенные преимущества.
Источники информации
1. Budyakov, A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Текст] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Проблемы современной аналоговой микросхемотехники: сб. материалов VI Международного научно-практического семинара. В 3-х ч. Ч.1. Функциональные узлы аналоговых интегральных схем и сложных функциональных блоков / Под ред. Н.Н.Прокопенко. - Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2007. - С.106-110.
2. S.P.Voinigescu, et al., "Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth," IEEE CSICS, Techn. Digest, pp.283-286, Nov. 2005, фиг.2.
3. S.P. Voinigescu, et al, "SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz," IEEE BCTM, pp.1-8, Oct. 2006.
4. Патент США №4.274.394, фиг.2.
5. Патент США №3.619.797.
6. Патент США №3.622.902.
7. Патент США №3.440.554.
8. А.св. СССР №299013.
9. Патент Англии №1.175.329, Н3Т.
10. Патент США №3.304.512.
11. Патент США №4.371.93.
12. А.св. СССР №421105.
13. А.св. СССР №764100.
14. А.св. СССР №669471.

Claims (1)

  1. Дифференциальный усилитель с парафазным выходом, содержащий входной параллельно-балансный каскад, первый и второй токовые выходы которого связаны с базами первого и второго выходных транзисторов, первый и второй двухполюсники нагрузки, выходной транзистор стабилизатора тока, коллектор которого соединен с общей эмиттерной цепью входного параллельно-балансного каскада, вспомогательный двухполюсник, включенный параллельно эмиттерно-базовому переходу выходного транзистора стабилизатора тока, первый и второй резисторы обратной связи, первые выводы которых подключены к эмиттерам соответствующих первого и второго выходных транзисторов, а также первому и второму противофазным выходам дифференциального усилителя, а вторые выводы связаны с базой выходного транзистора стабилизатора тока, отличающийся тем, что в схему введены первый и второй дополнительные транзисторы, а также первый и второй дополнительные двухполюсники, база первого выходного транзистора соединена с первым двухполюсником нагрузки и базой второго дополнительного транзистора через первый дополнительный двухполюсник, база второго выходного транзистора соединена со вторым двухполюсником нагрузки и базой первого дополнительного транзистора через второй дополнительный двухполюсник, коллектор первого выходного транзистора соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора, коллектор второго выходного транзистора соединен с эмиттером второго дополнительного транзистора, причем коллекторы первого и второго дополнительных транзисторов связаны с шиной источника питания.
RU2009137691/09A 2009-10-12 2009-10-12 Дифференциальный усилитель с парафазным выходом RU2413355C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009137691/09A RU2413355C1 (ru) 2009-10-12 2009-10-12 Дифференциальный усилитель с парафазным выходом

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009137691/09A RU2413355C1 (ru) 2009-10-12 2009-10-12 Дифференциальный усилитель с парафазным выходом

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2413355C1 true RU2413355C1 (ru) 2011-02-27

Family

ID=46310750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009137691/09A RU2413355C1 (ru) 2009-10-12 2009-10-12 Дифференциальный усилитель с парафазным выходом

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2413355C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2449464C1 (ru) * 2011-03-11 2012-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2452077C1 (ru) * 2011-06-10 2012-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Операционный усилитель с парафазным выходом
RU2513482C1 (ru) * 2012-12-14 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2697945C1 (ru) * 2019-02-25 2019-08-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Активный rc-фильтр нижних частот третьего порядка на базе операционного усилителя с парафазным выходом

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2449464C1 (ru) * 2011-03-11 2012-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2452077C1 (ru) * 2011-06-10 2012-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Операционный усилитель с парафазным выходом
RU2513482C1 (ru) * 2012-12-14 2014-04-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2697945C1 (ru) * 2019-02-25 2019-08-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Активный rc-фильтр нижних частот третьего порядка на базе операционного усилителя с парафазным выходом

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2419197C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления по напряжению
RU2364020C1 (ru) Дифференциальный усилитель с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу
RU2413355C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2346382C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2421887C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2416146C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления
RU2390916C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель
RU2475941C1 (ru) Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом
RU2419193C1 (ru) Дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2390910C1 (ru) Быстродействующий буферный усилитель
RU2595927C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2280318C1 (ru) Операционный усилитель
RU2390912C2 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2413356C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением
RU2444114C1 (ru) Операционный усилитель с низкоомной нагрузкой
RU2439780C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2411637C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2421893C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2374757C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2383099C2 (ru) Дифференциальный усилитель с низкоомными входами
RU2481698C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2432666C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
RU2416147C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления
RU2435293C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2459348C1 (ru) Операционный усилитель с цепью коррекции коэффициента усиления

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131013