RU2749278C1 - Ключевое устройство - Google Patents

Ключевое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2749278C1
RU2749278C1 RU2019145424A RU2019145424A RU2749278C1 RU 2749278 C1 RU2749278 C1 RU 2749278C1 RU 2019145424 A RU2019145424 A RU 2019145424A RU 2019145424 A RU2019145424 A RU 2019145424A RU 2749278 C1 RU2749278 C1 RU 2749278C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input
transistor
driver
diode
output
Prior art date
Application number
RU2019145424A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Александрович Александров
Андрей Павлович Буянов
Юрий Витальевич Казаков
Original Assignee
Акционерное Общество "Концерн "Океанприбор"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное Общество "Концерн "Океанприбор" filed Critical Акционерное Общество "Концерн "Океанприбор"
Priority to RU2019145424A priority Critical patent/RU2749278C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2749278C1 publication Critical patent/RU2749278C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области преобразовательной и усилительной техники, а именно к ключевым преобразователям напряжения и усилителям мощности для высокоэффективных систем электропитания и передающих трактов радиотехнических и гидроакустических комплексов. Техническим результатом является повышение быстродействия и надежности функционирования при использовании мощных транзисторов типа IGBT и CREE, требующих отрицательного смещения затвора и реализации форсированного выключения. Результат достигается применением тактового генератора трансформаторного драйвера, выпрямителя и емкостного фиксатора вторичного напряжения выходной цепи гальванически развязанного электронного драйвера импульсного сигнала, выходное напряжение которого передается на вход мощного транзистора через диодно-резистивную и транзисторную цепь форсированного разряда. 3 ил.

Description

Изобретение относится к области преобразовательной и усилительной техники и может быть использовано в ключевых преобразователях напряжения и усилителях мощности с импульсным преобразованием параметров потока электроэнергии для высокоэффективных систем электропитания и передающих трактов радиотехнических и гидроакустических комплексов.
Известны различные типы ключевых устройств на основе мощных биполярных и полевых транзисторов [1-3], использующие различные типы драйверов без гальванической развязки, с трансформаторной и электронной гальванической развязкой. С развитием мощной полупроводниковой элементной базы и появлением транзисторов типа MOSFEET и IGBT с напряжением до 1000-1200 В все более актуальным является применение драйверов с гальванической развязкой. Однако, в дополнение к очевидным преимуществам, связанным с возможностью непосредственного управления ключевым элементом в различных схемах импульсного преобразования, в том числе с импульсным изменением потенциала эмиттера либо истока мощного транзистора, известные устройства имеют пониженное быстродействие. Прежде всего, это сказывается в задержке выключения, что имеет принципиальные значение для динамических потерь энергии и искажений длительности результирующего импульсного напряжения и может приводить к сквозным токам транзистор-транзистор, что резко ухудшает надежность и энергетическую эффективность схем ключевых усилителей мощности и двухтактных ключевых преобразователей напряжений.
В модуле ключевого усилителя мощности (КУМ) [2] применен драйвер с «плавающей точкой» без гальванической развязки типа IRS20124S, что позволило обеспечить высокое быстродействие переключений (за время не более 100 нс) мощного низковольтного транзистора IRFS4227PBF. При этом максимальное коммутируемое напряжение не превышает 150 В при частоте переключений до 500 кГц.
Для более высоковольтного модуля ВКУМ, описанного в [3] предложено использование гальванически развязанного электронного драйвера Si8242, что позволило обеспечить коммутацию транзистора С3М00651000 при допустимом напряжении до 800 В. Однако в том случае ограничение быстродействия и максимального выходного тока драйвера существенно ограничило частоту переключений до 100 кГц.
При использовании оптоэлектронных драйверов импортного производства, например типа HCPL3180-300 либо отечественной разработки типа 5П227 (АО «Протон»), динамические характеристики выключения мощного транзистора еще более ухудшаются, что ограничивает частоту переключений до 50 кГц.
Эффективное решение повышения быстродействия ключевого устройства предложено в [4], где использован трансформаторный драйвер с форсированным выключением мощного транзистора посредством применения специальных диодно-резистивных и транзисторных цепей, включенных на входе мощного транзистора. Ключевое устройство [4] является наиболее близким к предлагаемому устройству и может быть принято в качестве прототипа заявляемого технического решения.
Устройство-прототип (фиг. 1) содержит трансформаторный драйвер I, выпрямитель 2, диодно-резистивную цепь 3, транзисторную цепь 4 и мощный полевой транзистор 5.
Достоинством устройства-прототипа является обеспечение форсированного выключения мощного полевого транзистора 5 за счет замыкания цепи затвора «3» и истока «И» открытой транзисторной цепью 4 при формировании спада импульсов на выходе выпрямителя, что достигается быстрым разрядом емкости «3-И» через выходной транзистор транзисторной цепи 4, управление которым обеспечивается через диодно-резистивную цепь 3 при спаде импульсного напряжения на выходе выпрямителя 2.
К особенностям реализации функциональных узлов устройства прототипа относится включение в состав выпрямителя 2 нагрузочного сопротивления, формирующего спад импульсного напряжения при закрытых выпрямительных диодах.
Формирование импульсного напряжения на выходе выпрямителя осуществляется за счет поочередной передачи импульсов входной импульсной последовательности через распределитель импульсов 1.3 в составе трансформаторного драйвера 1 и далее через мостовую схему ключевого усиления 1.1 в виде разнополярных импульсов на первичную обмотку трансформатора 1.2.
Применение цепей 3, 4 для форсированного выключения мощного транзистора 5 в устройстве-прототипе позволяет в 1,5-2 раза уменьшить время выключения по сравнению с техническими аналогами и тем самым почти вдвое повысить частоту переключений при сохранении показателей энергетической эффективности ключевого устройства.
Вместе с тем, устройство-прототип имеет выраженный недостаток, связанный с передачей энергии управления мощным транзистором через трансформаторный драйвер 1, что влияет на задержку формирования фронта и спада импульсов управления на входе «3-И» полевого транзистора. Такая задержка обусловлена индуктивностью рассеяния трансформатора 1.2, влияние которой может быть уменьшено при увеличении тока выпрямителя 2 на собственную нагрузку, что приводит к увеличению потерь мощности в ключевом устройстве.
Другим недостатком устройства-прототипа является форсированный разряд емкости «3-И» на «0» и поддержание закрытого состояния мощного транзистора нулевым уровнем напряжения Uзи на затворе. Такой режим был применен для управления транзисторами MOSFEET с высоким порогом отпирания напряжением Uзи=(4-6) В. С развитием мощной полупроводниковой элементной базы и появлением полевых транзисторов с низким порогом отпирания Uзи=(2-3) В рекомендуется их выключение обеспечивать отрицательным напряжением -Uзи=-(4-6) В. Отсутствие возможности формирования отрицательного уровня напряжения управления полевым транзистором существенно ограничивает применимость устройства прототипа и понижает надежность его работы.
Задачей настоящего изобретения является повышение быстродействия и надежности функционирования ключевого устройства.
Для решения поставленной задачи в известное ключевое устройство, содержащее трансформаторный драйвер, включающий ключевой усилитель, выходы которого соединены с первичной обмоткой трансформатора, вторичная обмотка которого является выходом трансформаторного драйвера, выходы которого соединены с выходами выпрямителя, а также резистивно-диодную цепь и транзисторную цепь, первые выводы которых подключены к р-затвору мощного полевого транзистора, сток и исток которого соединены с соответствующими выходами ключевого устройства, вход которого связан с шиной входного импульсного сигнала, введены новые признаки, а именно: введен гальванически развязанный электронный драйвер, емкостной фиксатор напряжения, выполненный на стабилитроне и емкостном делителе, включенном между входами положительного и отрицательного напряжения электропитания, средняя точка которого соединена с выходом емкостного фиксатора напряжения и с катодом стабилитрона, анод которого подключен к входу отрицательного напряжения, а также генератор симметричных тактовых импульсов высокой частоты, выход которого соединен с входом трансформаторного драйвера, соединенного с входом ключевого усилителя, причем входы положительного и отрицательного напряжения гальванически развязанного электронного драйвера подключены к соответствующим выходам выпрямителя, а выход емкостного фиксатора напряжения подключен к истоку мощного полевого транзистора, в свою очередь вход гальванически развязанного электронного драйвера соединен с входом ключевого устройства, а выход со вторым выводом резистивно-диодной цепи, содержащей соединенные последовательно первый резистор и диод, включенные параллельно второму резистору, соответственно между вторым и первым выводами, а общей точкой, связанной с анодом диода, подключенной к третьему выводу резистивно-диодной цепи, который соединен с входом управления транзисторной цепи, второй вывод которой подключен к входу отрицательного электропитания гальванически развязанного драйвера, причем транзисторная цепь выполнена на p-n-р транзисторе, эмиттер и коллектор которого является соответственно первым и вторым выводом транзисторной цепи, вход которой связан с базой p-n-р транзистора.
Техническим результатом от введения совокупности дополнительных блоков и связей является повышение быстродействия и надежности функционирования, в том числе при использовании мощных транзисторов (например типа IGBT и CREE), требующих формирования отрицательных напряжений запирания посредством формирования вторичных напряжений положительного и отрицательного электропитания, общая шина которых связана с истоком мощного транзистора, и передачей импульсного сигнала управления через гальванически развязанный электронный драйвер и повышением быстродействия форсированного разряда емкости «3-И» мощного транзистора.
Использование в предлагаемом техническом решении гальванически развязанного электронного драйвера для передачи импульсного сигнала в условиях применения трансформаторного драйвера и выпрямителя, совместно с емкостным фиксатором уровня для формирования вторичных гальванически развязанных напряжений положительного и отрицательного электропитания выходного каскада гальванически развязанного электронного драйвера позволяет более эффективно формировать процесс форсированного выключения различных типов мощных транзисторов при широком диапазоне изменении длительности импульсов управления.
Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и фиг. 2, на которых приведены структурные схемы устройства-прототипа и предлагаемого ключевого устройства, а также фиг. 3 с иллюстрацией временных диаграмм сигналов в заявляемом техническом решении.
Предлагаемое ключевое устройство (фиг. 2) содержит трансформаторный драйвер I (ТД 1), выпрямитель 2 (В 2), резистивно-диодную цепь 3 (РДЦ 3), транзисторную цепь 4 (ТЦ 4), мощный транзистор 5 (Т 5), генератор 6 тактовых импульсов (Г 6), емкостной фиксатор 7 напряжения (ФН 7), гальванически развязанный электронный драйвер 8 (ЭД 8).
Генератор 6 напряжения предназначен для формирования импульсного сигнала Vт типа «меандр» тактовой частоты fт*** (фиг. 3), как правило, значительно выше верхней частоты входного широтно-модулированного сигнала VШИМ. Реализация Г 6, например, может быть выполнена на релаксационном генераторе и симметрирующем триггере с использованием простейших логических элементов.
При симметричном сигнале Vт схема трансформаторного драйвера 1 может быть упрощена по сравнению с устройством прототипом в части исключения распределителя 1.3 импульсов, выполнения усилителя 1.1 по полумостовой схеме (вместо мостовой схемы, необходимой для устройства-прототипа) и выбора трансформатора 1.2 исходя из передачи заданной высокой тактовой частоты.
Емкостной фиксатор 7 напряжения в простейшем случае выполняется на емкостном делителе C1, С2 и стабилитроне, напряжение отсечки которого определяет требуемый уровень отрицательного смещения -U сигнала управления Vзи мощного транзистора. Через стабилитрон VD1 протекает ток выпрямителя в цепь управления мощным транзистором, что приводит к требуемой фиксации отрицательного напряжения электропитания -U.
Гальванически развязанный электронный драйвер 8 может выполняться на оптопарах (оптоэлектронная развязка), например типа HCPL3180-300 либо на электронных драйверах Si8243 (гальваническая развязка по радиоканалу). Такие драйверы обеспечивают прямую передачу входного импульсного сигнала на выход через канал гальванической развязки и полумостовой оконечный каскад, формирующий выходное напряжение Vзи (фиг. 3) в условиях +U и -U с размахом равным напряжению вторичного электропитания с входным током до (1-2) А. Время задержки фронта и спада импульсного сигнала таких драйверов при согласованной резистивной нагрузке не превышает 50 нс. Однако, при работе на емкостную нагрузку Сзи (Сзи до (10-20) нФ) через собственное сопротивление драйвера Rд (Rд=(2-4) Ом) время выключения может достигать 200-300 нс.
Последнее обстоятельство позволяет использовать схему форсированного выключения мощного транзистора Т 5 на диодно-резистивной и транзисторной цепях (РДЦ 3, ТЦ 4), причем в предлагаемом устройстве эффективность применения транзисторной цепи значительно возрастает вследствие разряда на отрицательное напряжение -U. Дополнительным преимуществом предлагаемого устройства является значительный выходной ток ЭД-8, усиление которого до максимального уровня (5-7) А, достаточного для форсированного разряда емкости Сзи, может быть обеспечено без дополнительных задержек одним транзистором в составе ТЦ 4 с коэффициентом передачи по току не менее 10. Входной ток такого транзистора определяется резистором R2 в составе РДЦ 3, где резистор R1 обеспечивает фиксацию отрицательного напряжения Uзи при завершении процесса форсированного выключения.
Таким образом, предложенное выполнение основных узлов заявляемого устройства обеспечивает реализуемость заявляемого ключевого устройства и достижение заданного технического эффекта.
Работа заявляемого устройства осуществляется следующим образом. Импульсное напряжение Vт типа «меандр» высокой тактовой частоты fт, формируемое звеном Г 6, усиливается по мощности трансформаторным драйвером ТД1 и после трансформаторной развязки в виде импульсного напряжения амплитудой U0+Uд (где U0 - размах импульсного напряжения Uзи, Uд - остаточное напряжение диодов В 2) передается через В 2 на выводы электропитания ФН 7 и ЭД 8. В результате смещения напряжения ФН 7 формируются положительное +U и отрицательное -U напряжения вторичного электропитания, гальванически связанные с выходом «И» мощного транзистора Т 5:
Figure 00000001
Уровни вторичных напряжений определяются типом мощного транзистора и могут устанавливаться в диапазоне:
Figure 00000002
Figure 00000003
При поступлении импульса сигнала VШИМ, высокий уровень с задержкой (30-50) нс в виде импульса напряжения амплитудой
Figure 00000004
через резистивно-диодную цепь R2, VD2 (ЭД 8) передается на вход «3-И» мощного транзистора. В результате с задержкой включения tl=(150 - 300) нс напряжения Uзи обеспечивает открывание Т 5 для замыкания номинального выходного тока Iн до (20-50) А.
Спад входного импульсного сигнала с некоторой задержкой (не более 50 нс) поступает через R1 в виде импульса напряжения
Figure 00000005
в цепь «3-И» Т 5.
Одновременно напряжение U2 передается через R2 РДЦ 3 на вход отпирания транзистора ТЦ 4. В результате открытый транзистор ТЦ 4 замыкает напряжение Uзи на напряжение -U практически через собственное сопротивление затворной цепи Т 5 и сопротивление ТЦ 4, чем достигается ток форсированного выключения до 7 А. В результате задержки выключения мощного транзистора обеспечивается не более 50-100 нс, что более чем в три раза меньше чем в известный устройствах. После завершения процесса формирования спада Uзи отрицательное напряжение на затворе поддерживается передачей напряжения низкого уровня с выхода ЭД 8 через резистор R1 РДЦ 3 на затвор мощного транзистора.
Таким образом, реализация вновь введенных признаков в состав устройства-прототипа позволяет в предлагаемом ключевом устройстве более чем в два раза повысить быстродействие и, соответственно, повысить частоту переключений.
При этом реализация отрицательного смещения в условиях форсированного выключения обеспечивает понижение на 20-40% динамических потерь энергии и повышение надежности функционирования предлагаемого устройства по сравнению с техническими аналогами и устройством-прототипом. Причем применение предлагаемого технического решения может быть использовано для мощных транзисторов нового типа, являющихся основой для построения современных ключевых усилителей мощности и преобразователей напряжения.
На предприятии разработан опытный образец мощного генераторного устройства (ГУ) для возбуждения гидроакустических излучающих антенн широкополосными сигналами мощностью до 30 кВА на транзисторах типа C2M0040120D, изготовленных на карбидкремниевых полупроводниковых структурах. В ключевом усилителе мощности с широтно-импульсной модуляцией в составе прибора ГУ применяли заявляемое ключевое устройство, что обеспечило частоту коммутации до 200 кГц при напряжении силового электропитания 500 В при потерях энергии не более 5-7%.
Аналогичный прибор ГУ, использующий технические решения устройства-прототипа на основе мощных полевых транзисторов позволил обеспечить выходную мощность не более 10 кВА при относительных потерях до 10-15% в условиях силового электропитания от максимально допустимого напряжения до 450 В. По результатам испытаний принято решение по расширенному внедрению предлагаемого ключевого устройства в приоритетных заказах предприятия.
Источники информации
1. Александров В.А., Майоров В.А., Маркова Л.В. Модули силовой электроники передающих трактов гидроакустических комплексов / Морская радиоэлектроника, №2 (64) июнь 2018 г. С. 18-23.
2. Патент РФ №2573229. Модуль ключевого усилителя мощности (приор. 15.09.2014).
3. Патент РФ №2716043 Модуль высоковольтного ключевого усилителя (приор. 30.10.18).
4. Патент РФ №2110884. Ключевое устройство (приор. 20.03.1996).

Claims (1)

  1. Ключевое устройство, содержащее трансформаторный драйвер, включающий ключевой усилитель, выходы которого соединены с первичной обмоткой трансформатора, вторичная обмотка которого является выходом трансформаторного драйвера, выходы которого соединены с выходами выпрямителя, а также резистивно-диодную цепь и транзисторную цепь, первые выводы которых подключены к р-затвору мощного полевого транзистора, сток и исток которого соединены с соответствующими выходами ключевого устройства, вход которого связан с шиной входного импульсного сигнала, отличающееся тем, что в его состав дополнительно введены гальванически развязанный электронный драйвер, емкостный фиксатор напряжения, выполненный на стабилитроне и емкостном делителе, включенном между входами положительного и отрицательного напряжения электропитания, средняя точка которого соединена с выходом емкостного фиксатора напряжения и с катодом стабилитрона, анод которого подключен к входу отрицательного напряжения, а также генератор симметричных тактовых импульсов высокой частоты, выход которого соединен с входом трансформаторного драйвера, соединенного с входом ключевого усилителя, причем входы положительного и отрицательного напряжения гальванически развязанного электронного драйвера подключены к соответствующим выходам выпрямителя, а выход емкостного фиксатора напряжения подключен к истоку мощного полевого транзистора, в свою очередь вход гальванически развязанного электронного драйвера соединен с входом ключевого устройства, а выход - со вторым выводом резистивно-диодной цепи, содержащей соединенные последовательно первый резистор и диод, включенные параллельно второму резистору, соответственно между вторым и первым выводами, а общей точкой, связанной с анодом диода, подключенной к третьему выводу резистивно-диодной цепи, который соединен с входом управления транзисторной цепи, второй вывод которой подключен к входу отрицательного электропитания гальванически развязанного драйвера, причем транзисторная цепь выполнена на p-n-р транзисторе, эмиттер и коллектор которого является соответственно первым и вторым выводом транзисторной цепи, вход которой связан с базой р-n-р транзистора.
RU2019145424A 2019-12-26 2019-12-26 Ключевое устройство RU2749278C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019145424A RU2749278C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Ключевое устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019145424A RU2749278C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Ключевое устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2749278C1 true RU2749278C1 (ru) 2021-06-08

Family

ID=76301641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019145424A RU2749278C1 (ru) 2019-12-26 2019-12-26 Ключевое устройство

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2749278C1 (ru)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970420A (en) * 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit
RU2110884C1 (ru) * 1996-03-20 1998-05-10 Центральный научно-исследовательский институт "Морфизприбор" Ключевое устройство
RU31071U1 (ru) * 2002-12-25 2003-07-10 Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "ЭПРО" Драйвер для IGBT-транзистора
RU2372710C2 (ru) * 2008-01-09 2009-11-10 ОАО "Концерн "Океанприбор" Ключевое устройство (варианты)
RU101882U1 (ru) * 2010-09-17 2011-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" Устройство управления силовой сборкой
RU2573229C1 (ru) * 2014-12-15 2016-01-20 Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт "Бриз" Модуль ключевого усилителя мощности
US20170366004A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
RU2018117187A (ru) * 2018-05-08 2019-11-08 Евгений Леонидович Пущин Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970420A (en) * 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit
RU2110884C1 (ru) * 1996-03-20 1998-05-10 Центральный научно-исследовательский институт "Морфизприбор" Ключевое устройство
RU31071U1 (ru) * 2002-12-25 2003-07-10 Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "ЭПРО" Драйвер для IGBT-транзистора
RU2372710C2 (ru) * 2008-01-09 2009-11-10 ОАО "Концерн "Океанприбор" Ключевое устройство (варианты)
RU101882U1 (ru) * 2010-09-17 2011-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина" Устройство управления силовой сборкой
RU2573229C1 (ru) * 2014-12-15 2016-01-20 Акционерное Общество "Научно-исследовательский институт "Бриз" Модуль ключевого усилителя мощности
US20170366004A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device
RU2018117187A (ru) * 2018-05-08 2019-11-08 Евгений Леонидович Пущин Способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором и устройства с его использованием

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110024290B (zh) 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路
US9312847B1 (en) High voltage switch
CN101242133B (zh) 具有top电平调节器的控制电路及相应方法
US20110304389A1 (en) Drive Circuit With a Transmission Circuit for Capacitively Transmitting a Signal and Associated Method
CN108092493B (zh) 一种SiC MOSFET串联电路
CN110768649B (zh) 功率半导体开关的门极电路及门极驱动电路
US7567447B2 (en) Electrical switching device having current balanced transistors
CN109302855A (zh) 脉冲驱动功率fet
Lee et al. Voltage balancing control with active gate driver for series connected SiC MOSFETs
RU2749278C1 (ru) Ключевое устройство
JP2020156304A (ja) 電力変換装置
US20100237911A1 (en) Drive Circuit For A Power Switch Component
Aygün et al. A Monolithic 200V GaN Half Bridge IC with Integrated Gate Drivers and Level-shifters Achieving 98.3% Peak Efficiency
KR102026929B1 (ko) 전력 스위치용 게이트 구동회로
KR20190011494A (ko) SiC MOSFET용 게이트 구동회로
EP4380024A1 (en) Switching circuit and power converter
TW202333454A (zh) 驅動裝置的電位轉換電路
CN212572369U (zh) 一种米勒钳位保护电路、驱动电路、芯片及智能igbt模块
Javid et al. A multilevel pulse-width modulated class-e power amplifier
Mandelli et al. Active dual level gate driver for switching losses reduction in IGBTs
US20190123777A1 (en) Transceiver Circuit
Hurez et al. A Disruptive Technology–Improving Half-Bridge Gate Driver Performances Using Galvanic Isolation
CN114070282B (zh) 一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路
CN219918706U (zh) 用于功率器件的栅极驱动电路
CN220022605U (zh) 驱动电路和变流器