RU2723475C1 - Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию - Google Patents
Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию Download PDFInfo
- Publication number
- RU2723475C1 RU2723475C1 RU2019135135A RU2019135135A RU2723475C1 RU 2723475 C1 RU2723475 C1 RU 2723475C1 RU 2019135135 A RU2019135135 A RU 2019135135A RU 2019135135 A RU2019135135 A RU 2019135135A RU 2723475 C1 RU2723475 C1 RU 2723475C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- acid
- laser cutting
- water
- aluminum nitride
- cleaning
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title abstract description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями, сформированными лазерной резкой. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию, включающем стадию очистки в кислотных травителях, смывку кислоты водой и сушку, стадию очистки в кислотных травителях проводят при температуре тающего льда до полного удаления алюминия с поверхности отверстий. В качестве травителя предпочтительно использовать раствор соляной кислоты в воде с соотношением 0,7-1,3 объёмных частей кислоты на 1 объёмную часть воды. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Description
Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники.
Использование подложек из керамики на основе нитрида алюминия в полупроводниковых приборах требует решения ряда вопросов, связанных с её металлизацией вакуумным осаждением металлов.
Основными требованиями к металлизации керамики являются:
- высокая адгезия к подложке из алюмонитридной керамики;
- возможность пайки высокотемпературными припоями, как в вакууме, так и в среде водорода.
При вакуумном осаждении металлов на керамические подложки, высокую адгезию металлизации к керамике можно получить при условии химического взаимодействия материала керамического материала с осаждаемым металлом. Чтобы химическая реакция между напыляемым металлом и материалом диэлектрика имела место, необходимо, чтобы она была возможной с точки зрения термодинамики [1]. Реакция между напыляемым металлом и материалом диэлектрика термодинамически возможна в том случае, если величина изменения теплосодержания ΔH образования, например, окисла материала диэлектрика, менее отрицательна, чем величина ΔН образования окисла напыляемого металла. Только в этом случае напыляемый металл будет отнимать кислород от окисла материала диэлектрика и могут образовываться промежуточные фазовые слои.
Применяя вышеизложенные рассуждения при металлизации керамики из нитрида алюминия предпочтение отдают, как правило, титану в качестве первого слоя при вакуумном осаждении металлизационной системы на подложку, поскольку значение ΔН (ккал/моль) образования TiN = –73,0 и более отрицательно значения ΔН образования AlN= –57,7 [2].
Не менее важно, для обеспечения высокой адгезии металлизации к алюмонитридной керамике, следует учитывать, что загрязнение на подложке с толщиной всего в несколько атомных слоев, может воспрепятствовать хорошему сцеплению, т.е. образованию хорошего переходного слоя и сильно ослабить адгезию [3]. Таким образом, важное значение имеет качество предварительной подготовки поверхности подложек, предназначенных для нанесения на них тонкоплёночной металлизации.
Кроме вышеизложенного, в ряде случаев в подложках из алюмонитридной керамики необходимо формировать переходные металлизированные отверстия, например, в подложках силовых модулей, в подложках для мощных СВЧ транзисторов для снижения индуктивности в базовых цепях и т.п. Отверстия до металлизации обычно формируют лазером. При этом в местах формирования отверстий температура может превышать 2000°С, что является причиной разложения A1N с образованием загрязняющего поверхность отверстия алюминия, который необходимо удалить в подложках из алюмонитридной керамики, подлежащих тонкоплёночной металлизации. На Фиг. 1 показано сечение по отверстию в алюмонитридной керамике, сформированному лазерной резкой. Поверхность отверстий покрыта алюминием.
Известен способ очистки поверхностей от масложировых загрязнений в радиоэлектронике, точном машиностроении, оптике и других областях техники [Патент РФ № 2293800, МПК: C23G5/028, опубл. 20.02.2007], содержащий фторуглерод, фторхлоруглеводород или предельный углеводород изо- и/или нормального строения с длиной цепи C5-C 8 при следующем соотношении компонентов, мас. %: фторуглерод - 10-90, фторхлоруглеводород или предельный углеводород - остальное, при этом в качестве фторуглерода используется смесь транс- и цис-изомеров перфтор-(4-метил-пентена-2) или смесь транс- и цис-изомеров перфторнонена-4 или их смесь.
Данное техническое решение направлено на расширение арсенала средств для очистки поверхностей, способных заменить озоноразрушающий хладон-113, но не может быть использована для очистки подложек из алюмонитридной керамики, особенно подложек с отверстиями, сформированными лазерной резкой, т.к. в составе предложенной смеси отсутствуют компоненты, способные удалить алюминий, образующийся на поверхности отверстий при резке лазером.
Известна технология химической очистки поверхности изделий [Патент РФ № 2118013, МПК: H01L21/306, опубл. 20.08.1998], включающая электрохимическую активацию раствора серной кислоты, воздействие активированного раствора на поверхность пластин, промывку и сушку пластин.
Данная технология не может быть использована для очистки подложек из алюмонитридной керамики, особенно подложек с отверстиями, сформированными лазерной резкой, т.к. в результате взаимодействия серной кислоты с подложкой из алюмонитридной керамики нарушается морфологическое состояние поверхности подложки.
Известен способ объемной химической очистки поверхности полупроводниковых пластин [4], заключающийся в том, что подложки последовательно подвергают очистке в щелочном растворе, обработке в кислотном растворе, смывке и промывке в деионизованной воде.
Недостатком такого способа очистки является активное взаимодействие щелочных растворов с нитридом алюминия, вызывающее недопустимое нарушение морфологической поверхности подложек, подлежащих тонкоплёночной металлизации.
Ближайшим аналогом предлагаемого технического решения является способ очистки поверхности подложек [Патент РФ № 2395135, МПК:H01L21/46, опубл. 20.07.2010], включающий стадию очистки в кислотных травителях, например, в концентрированной особо чистой ортофосфорной кислоте при температуре 148÷152°С в течение не менее 7 минут, смывку кислоты деионизованной водой и сушку. Данный способ не может быть использован для очистки подложек из алюмонитридной керамики, особенно подложек с отверстиями, сформированными лазерной резкой, т.к. в результате взаимодействия горячей ортофосфорной кислоты с подложкой из алюмонитридной керамики нарушается морфологическое состояние поверхности подложки, обуславливающее снижение адгезии тонкоплёночной металлизации к подложке.
Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями, сформированными лазерной резкой.
Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию, включающем стадию очистки в кислотных травителях, смывку кислоты водой и сушку, стадию очистки в кислотных травителях проводят при температуре тающего льда до полного удаления алюминия с поверхности отверстий. В качестве травителя предпочтительно использовать раствор соляной кислоты в воде с соотношением 0,7-1,3 объёмных частей кислоты на 1 объёмную часть воды.
Удаление алюминия с поверхности отверстий в подложке из алюмонитридной керамики возможно в растворах, содержащих щёлочи и кислоты. Использование щелочных растворов приводит к нарушению морфологического состояния поверхности подложек, представляющего собой помутнение поверхности, связанное с подтравливанием нитрида алюминия, даже при температуре тающего льда, приводящего к образованию на поверхности нежелательных соединений, с которыми титан не вступает в химическую реакцию, что приводит к существенному снижению адгезии осаждённой в вакууме металлизации к подложке.
Как показали проведенные эксперименты, кислотные растворы при температуре тающего льда весьма слабо взаимодействуют с нитридом алюминия или вообще не взаимодействуют. Кроме того, в производстве легко поддерживать температуру тающего льда, проводя процессы в сосуде с водой, в которой плавает лёд.
Проводили процессы по удалению алюминия с поверхности отверстий в подложках из керамики на основе нитрида алюминия в различных кислотных растворах при температуре тающего льда. Результаты проведенных процессов представлены в таблице.
Из данных, представленных в таблице видно, что предпочтительно использовать раствор соляной кислоты в воде с соотношением 0,7-1,3 объёмных частей кислоты на 1 объёмную часть воды. Составы с большим содержанием кислоты не целесообразно использовать из экономических соображений. Составы с другими кислотами либо не до конца удаляют алюминий, либо нарушают морфологическое состояние поверхности подложек, представляющее собой помутнение, связанное с подтравливанием нитрида алюминия и с образованием на поверхности соединений, с которыми титан не вступает в химическую реакцию. В результате имеет место существенное снижение адгезии осаждённой в вакууме металлизации к подложке из керамики на основе нитрида алюминия.
Литература
1. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков. – М.: Химия, 1978. – 359 с.
2. Справочник химика. Т.1. – М.-Л.: ГНТИХЛ, 1962. – 1071 с.
3. Шмаков М. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек / М. Шмаков, В. Паршин, А. Смирнов // Технологии в электронной промышленности – 2008. – № 5. – С. 77-78.
4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. и Горбунов Ю.Н. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986. – 184-189 с.
Claims (2)
1. Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию, включающий стадию очистки в кислотных травителях, смывку кислоты водой и сушку, отличающийся тем, что стадию очистки в кислотных травителях проводят при температуре тающего льда до полного удаления алюминия с поверхности отверстий.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кислотного травителя используют раствор соляной кислоты в воде с соотношением 0,7-1,3 объёмных частей кислоты на 1 объёмную часть воды.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135135A RU2723475C1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135135A RU2723475C1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2723475C1 true RU2723475C1 (ru) | 2020-06-11 |
Family
ID=71096118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019135135A RU2723475C1 (ru) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2723475C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2809508C1 (ru) * | 2023-05-24 | 2023-12-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") | Способ очистки микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов на основе титаната бария, нитрида алюминия или оксида алюминия |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3639642A1 (de) * | 1985-07-04 | 1988-05-26 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
| SU1763434A1 (ru) * | 1990-04-04 | 1992-09-23 | Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе | Способ обработки поверхности диэлектриков перед химическим меднением |
| RU2395135C1 (ru) * | 2009-02-16 | 2010-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Нанометр" | Способ очистки поверхности сапфировых подложек |
| RU2704149C1 (ru) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями |
-
2019
- 2019-11-01 RU RU2019135135A patent/RU2723475C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3639642A1 (de) * | 1985-07-04 | 1988-05-26 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
| SU1763434A1 (ru) * | 1990-04-04 | 1992-09-23 | Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе | Способ обработки поверхности диэлектриков перед химическим меднением |
| RU2395135C1 (ru) * | 2009-02-16 | 2010-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Нанометр" | Способ очистки поверхности сапфировых подложек |
| RU2704149C1 (ru) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2809508C1 (ru) * | 2023-05-24 | 2023-12-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс" (АО "НИИМА "Прогресс") | Способ очистки микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов на основе титаната бария, нитрида алюминия или оксида алюминия |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1635224A3 (en) | Composition for removing a photoresist residue and polymer residue, and residue removal process using the same | |
| KR20100100841A (ko) | 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 및 세정액 | |
| CN104946429A (zh) | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 | |
| RU2723475C1 (ru) | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию | |
| WO1990012071A1 (en) | Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces | |
| JPH10154866A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP2006316350A (ja) | 無電解ニッケルめっき用前処理液および無電解ニッケルめっきの前処理方法 | |
| KR101135565B1 (ko) | 텅스텐 금속제거액 및 이를 이용한 텅스텐 금속의 제거방법 | |
| US6217667B1 (en) | Method for cleaning copper surfaces | |
| JP4632038B2 (ja) | 銅配線基板製造方法 | |
| US6171405B1 (en) | Methods of removing contaminants from integrated circuit substrates using cleaning solutions | |
| JP2011166028A (ja) | Ｃｏｆ基板の製造方法 | |
| KR20010043824A (ko) | 반도체 처리장치 부품용 세정액 및 세정방법 | |
| CN103809392B (zh) | 一种去除光刻胶残留物的清洗液 | |
| CN112055759B (zh) | 铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法 | |
| JP5643959B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
| RU2724291C1 (ru) | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию | |
| US20050224461A1 (en) | Method for metallizing titanate-based ceramics | |
| EP2149148A1 (en) | Method for removing etching residues from semiconductor components | |
| KR20050017142A (ko) | 린스 용액 및 이를 이용한 반도체 소자 세정 방법 | |
| TWI569894B (zh) | Pollutant Treatment Method for Sprinkler with Silicon Carbide Coated | |
| JPH10251878A (ja) | 塩化銀除去剤 | |
| JPH07235750A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| KR20080018369A (ko) | 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법 | |
| WO2008138881A1 (en) | Method for removing etching residues from semiconductor components |