RU2705962C1 - Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза - Google Patents

Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза Download PDF

Info

Publication number
RU2705962C1
RU2705962C1 RU2019110559A RU2019110559A RU2705962C1 RU 2705962 C1 RU2705962 C1 RU 2705962C1 RU 2019110559 A RU2019110559 A RU 2019110559A RU 2019110559 A RU2019110559 A RU 2019110559A RU 2705962 C1 RU2705962 C1 RU 2705962C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
substrate
plate
cell
reaction cell
Prior art date
Application number
RU2019110559A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Анатольевич Чепуров
Егор Игоревич Жимулев
Илья Андреевич Ишутин
Захар Алексеевич Карпович
Владимир Валерьевич Лин
Валерий Михайлович Сонин
Анатолий Ильич Чепуров
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
Priority to RU2019110559A priority Critical patent/RU2705962C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2705962C1 publication Critical patent/RU2705962C1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25Diamond
    • C01B32/28After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области обработки алмаза на многопуансонных аппаратах высокого давления и температуры. Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент 1 с торцевыми двойными токовводными крышками 2 и токовводными стержнями 4, запирающие ячейку таблетки 5, и расположенную в полости ячейки подложку 6 с запрессованным алмазом, материал которой содержит, мас. %: NaCl = 40-60, CsCl = 40-60, алмаз выполнен в виде пластины с соотношением толщины к длине сторон квадратной пластины от 0,1 до 0,5, при этом диаметр подложки в 1,5 раза превышает длину стороны пластины алмаза. Технический результат: предотвращение растрескивания пластин алмаза при отжиге при температурах свыше 2500°С и давлении порядка 7 ГПа, повышение прозрачности среды для пучка синхротронного излучения при его пропускании через подложку, обеспечивая потерю энергии синхротронного излучения менее 50% при 30 кэВ. 1 ил., 1 табл., 1 пр.

Description

Изобретение относится к области обработки алмаза на многопуансонных аппаратах высокого давления и температуры для отжига алмаза под высоким давлением при температуре 2500°С и выше, что обеспечивает изменение физических свойств алмаза.
Известна реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления, содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, расположенную в полости ячейки подложку, выполненную из оксидов магния и циркония и хлорида цезия, с запрессованными кристаллами алмаза [RU A 2162734, МПК: B01J 3/06; C30B 29/04, опубл. 02.10.2001]. Данная реакционная ячейка предназначена для выращивания алмазов при температурах порядка 1550°C, и ее подложка выполнена из 5-10 мас. % MgO, 70-80 мас. % ZrO2, и 15-20 мас. % CsCl.
Известна также реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для обработки алмаза при давлении порядка 70 кбар и температуры порядка 2000°С [RU A 2201797, МПК: B01J 3/06; C30B 29/04, опубл. 04.10.2003], содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, расположенную в полости ячейки подложку, выполненную в виде шайбы из оксидов магния и циркония и хлорида цезия, с запрессованным алмазом, при этом состав шайбы определен следующим соотношением компонентов, мас. %: MgO = 80-85, ZrO2 = 12-15, CsCl = 3-5.
Однако конструкции данных ячеек и используемый материал подложки не позволяют производить отжиг алмазных пластин при давлениях порядка 7 ГПа и температурах порядка 2500°С вследствие их растрескивания. Растрескивание пластин происходит в результате деформации ячейки при высоком давлении в непластичной среде (подложке), в которой находится пластина.
Наиболее близким из известных аналогов является реакционная ячейка [RU 54045 U1, МПК: C30B 29/04,B01J 3/06, опубл.10.06.2006] для обработки алмаза на многопуансонных аппаратах высокого давления и температуры, предназначенная для отжига изометричных алмаза под высоким давлением при температуре выше 2500°С, необходимой для улучшения физических характеристик алмаза, в частности изменения цвета коричневых алмазов типа IIa и трансформации их в бесцветные, улучшения механических характеристик искусственных алмазов вследствие упорядочения структуры кристаллической решетки, что важно для применения алмазов в прецизионном инструменте. Реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с торцевыми двойными токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, расположенную в полости ячейки подложку, выполненную из материала при следующем соотношении компонентов, мас. %: MgO = 75-80, ZrO2 = 18-23, C = 2-5, а между токовводными крышками установлены нагревательные диски, материал которых содержит, мас. %: ZrO2 = 85-90, C = 7-13, CsCl = 2-3.
Общим недостатком известных ячеек является то, что известные составы подложки не обеспечивают сохранность алмазных пластин при отжиге. В ячейке по патенту RU 54045 нет растрескивания образцов по причине их изометричности, при этом пластины алмаза в известных ячейках растрескиваются. Кроме того, подложки недостаточно прозрачны для пучка синхротронного излучения при просвечивании реакционной ячейки СИ-излучением, что необходимо при изучении физических свойств алмаза. Техническая проблема, решаемая изобретением, заключается в том, чтобы: а) избежать растрескивания пластин при РТ отжиге и б) повысить прозрачность среды для пучка синхротронного излучения при его пропускании через подложку. В аналогах и прототипе потеря составляет более 50% при энергии фотонов 30 кэВ на ВЭПП-4М. Изобретение обеспечивает сохранность алмазных пластин без растрескивания, и потеря энергии синхротронного излучения составляет менее 50% при 30 кэВ.
Технический результат достигается тем, что в реакционной ячейке многопуансонного аппарата высокого давления, содержащей соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с торцевыми двойными токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающими ячейку таблетками и расположенной в полости ячейки подложки с запрессованным алмазом, материал подложки содержит, мас. %: NaCl=40-60, CsCl=40-60, причем используют алмаз в виде пластины с соотношением толщины к длине сторон квадратной пластины от 0,1 до 0,5, а диаметр подложки в 1,5 раза превышает длину стороны пластины алмаза.
Выбор оптимального состава материала подложки, в которую запрессована пластина алмаза, позволяет проводить отжиг ее при высоких давлениях и температурах и выдерживать температуру в течение необходимого времени. Предложенный состав подложки в реакционной ячейке многопуансонного аппарата позволяет обеспечить отжиг пластин алмаза без их растрескивания (обеспечивает сохранность пластин в процессе отжига) за счет более пластичной матрицы (подложки), поскольку прилагаемое внешнее давление более равномерно передается на пластину. Выбранные вещества являются инертными для алмаза при параметрах высокотемпературного отжига и поверхность алмазных пластин не корродируется. Немаловажным является и то, что по завершению опыта методически проще извлечь алмазную пластину без ее разрушения из смеси солей - для этого достаточно растворить солевую матрицу с алмазом в воде.
При введении в состав подложки NaCl или CsCl менее 40 мас. % не достигается необходимая пластичность подложки, а более 60 мас. % NaCl не достигается достаточная плотность рабочей ячейки, более 60 мас. % CsCl приводит к коррозии поверхности алмаза. При использовании для отжига пластин алмаза с соотношением толщины к длине стороны квадратной пластины менее 0,1 пластина является слишком тонкой и трудно избежать ее растрескивания, а при соотношении более 0,5 это уже не пластина, а изометричный образец, который может быть обработан по способу прототипа. Необходимость использования диаметра подложки более чем в 1,5 раза длиннее стороны пластины алмаза обусловлено желанием использования максимально возможного размера пластины, но избежать риска раскалывания пластины. Важным является так же и то обстоятельство, что выбранный состав подложки обеспечивает потери энергии СИ менее 50% при 30 кэВ (т.е. он более прозрачен для пучка синхротронного излучения, чем в известных ячейках).
На фиг. для пояснения способа приведен чертеж, на котором схематически в разрезе представлена реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для отжига.
Реакционная ячейка установлена в рабочее тело кубической формы (на чертеже не показано) и состоит из графитового нагревательного элемента 1 с двойными торцевыми токовводными молибденовыми крышками 2, между которыми установлены торцевые нагревательные диски 3, при этом одна крышка контактирует с нагревательным элементом 1, а другая - с молибденовыми токовводными стержнями 4, расположенными в центре запирающих таблеток 5. В полости графитового нагревателя 1 установлена подложка 6, в которую запрессована пластина алмаза (фиг.).
Ниже приводятся варианты работы реакционной ячейки.
Пример 1. В подложку 6 (фиг.) диаметром (D) 14 мм и высотой (H) 16 мм, состав которой определен следующим соотношением компонентов, мас. %: NaCl - 40, CsCl - 60, запрессовывают квадратную пластину алмаза (L) с размером сторон 9 х 9 мм и толщиной 0,9 мм и устанавливают в графитовый нагреватель 1, закрывают торцевыми токовводными молибденовыми крышками 2, устанавливают торцевые нагревательные диски 3, и далее вновь торцевые токовводные молибденовые крышки 2, контактирующие с молибденовыми токовводными стержнями 4, установленные в запирающих таблетках 5. Собранную реакционную ячейку помещают в рабочее тело кубической формы, которое устанавливают в рабочую полость многопуансонного аппарата высокого давления. Создают давление 7 ГПа и температуру 2500°С и выдерживают 20 минут. За этот период происходит отжиг пластины алмаза. После отжига температуру сбрасывают, затем сбрасывают давление до атмосферного и извлекают реакционную ячейку. Подложку растворяют в воде и извлекают пластину алмаза. Исследования показали: на поверхности алмаза отсутствует графит, что означает сохранение РТ параметров в поле устойчивости алмаза. Пластина сохранилась, образования сколов на краях пластины, а также трещин в объеме кристалла алмаза не наблюдалось. Поверхность алмазной пластины не корродирована. Потери энергии синхротронного излучения составили менее 50% при 30 кэВ.
В таблице приведены дополнительные примеры, иллюстрирующие возможность осуществления способа.
Таблица
№ п/п Диаметр подложки (D), мм Высота подложки (H), мм Содержание, мас. % Размеры пластины, мм
NaCl CsCl
2. 12 14 60 40 8×8×4
3. 18 20 50 50 12×12×3
При этом состав нагревательных дисков определен следующим соотношением компонентов, мас. %: ZrO2 = 85-90, C = 7-13, CsCl = 2-3. Далее, как в примере 1. После опыта подложку растворяют в воде и извлекают пластину алмаза.

Claims (1)

  1. Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для обработки алмаза, содержащая соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с торцевыми токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки, подложку с запрессованным алмазом, выполненную в виде шайбы из теплопроводного материала, и установленную в реакционной ячейке многопуансонного аппарата, отличающаяся тем, что используют алмаз в виде пластины с соотношением толщины и длины сторон пластины от 0,1 до 0, 5, материал подложки содержит, мас.%: NaCl - 40-60, CsCl - 40-60, причем диаметр подложки в 1,5 раза превышает длину пластины алмаза.
RU2019110559A 2019-04-09 2019-04-09 Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза RU2705962C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019110559A RU2705962C1 (ru) 2019-04-09 2019-04-09 Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019110559A RU2705962C1 (ru) 2019-04-09 2019-04-09 Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2705962C1 true RU2705962C1 (ru) 2019-11-12

Family

ID=68579886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019110559A RU2705962C1 (ru) 2019-04-09 2019-04-09 Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2705962C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021108871A1 (pt) * 2019-12-06 2021-06-10 Centro Nacional De Pesquisa Em Energia E Materiais - Cnpem Dispositivo de compressão, processo de compressão, método de produção de materiais sintéticos e método de caracterização de amostra

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2201797C1 (ru) * 2001-12-07 2003-04-10 Турецкий Михаил Анатольевич Способ обработки алмаза и реакционная ячейка многопуансонного аппарата для его осуществления
RU2254910C2 (ru) * 2003-01-27 2005-06-27 ООО "Новогема" Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания малоазотных монокристаллов алмаза
RU54045U1 (ru) * 2005-03-15 2006-06-10 ООО "Новогема" Реакционная ячейка многопуансонного аппарата для отжига алмазов

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2201797C1 (ru) * 2001-12-07 2003-04-10 Турецкий Михаил Анатольевич Способ обработки алмаза и реакционная ячейка многопуансонного аппарата для его осуществления
RU2254910C2 (ru) * 2003-01-27 2005-06-27 ООО "Новогема" Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления для выращивания малоазотных монокристаллов алмаза
RU54045U1 (ru) * 2005-03-15 2006-06-10 ООО "Новогема" Реакционная ячейка многопуансонного аппарата для отжига алмазов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021108871A1 (pt) * 2019-12-06 2021-06-10 Centro Nacional De Pesquisa Em Energia E Materiais - Cnpem Dispositivo de compressão, processo de compressão, método de produção de materiais sintéticos e método de caracterização de amostra

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2705962C1 (ru) Реакционная ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для обработки алмаза
EP1739213B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
US2992900A (en) Method for producing improved diamond crystals
AT395144B (de) Hochtemperatur-hochdruck-verfahren zur herstellung eines gesinterten kompaktkoerpers aus kubischem bornitrid
EP3055448B1 (de) Kombiniertes herstellungsverfahren zum abtrennen mehrerer dünner festkörperschichten von einem dicken festkörper
DE69803783T2 (de) Aufblasbare elastomere dichtung für eine vorrichtung für schnelle thermische behandlungen (rtp)
Pearson Delayed fracture of sintered alumina
JP2013047179A (ja) ダイアモンドの高温/高圧での変色
EP0924487A2 (de) Vakuumtechnisches Trocknen von Halbleiterbruch
DE19622322C2 (de) Vorrichtung zum Züchten aus der Dampfphase
JP2019038720A (ja) セシウムタングステン酸化物焼結体の製造方法、セシウムタングステン酸化物焼結体及び酸化物ターゲット
Jata et al. Ion implantation effect on fatigue crack initiation in Ti-24V
RU2293603C2 (ru) Способ изменения цвета алмаза при высокой температуре и высоком давлении
CN103090661A (zh) 一种压电陶瓷坯片烧结装置及其工艺方法
RU54045U1 (ru) Реакционная ячейка многопуансонного аппарата для отжига алмазов
DE2359004C3 (de) Vorrichtung zur Erwärmung von aus einkristallinem Material bestehenden Substraten
Simpson et al. The effect of water on the compressive strength of diabase
DE1521481B1 (de) Anordnung zur Waermebehandlung von scheibenfoermigen Halbleiterkoerpern
RU2201797C1 (ru) Способ обработки алмаза и реакционная ячейка многопуансонного аппарата для его осуществления
RU2569523C1 (ru) Способ получения полупроводникового материала на основе моносульфида самария
RU178805U1 (ru) Ячейка многопуансонного аппарата высокого давления и температуры для исследования веществ с использованием синхротронного излучения
US632482A (en) Artificial stone.
DE2062664A1 (de) Verfahren zum Anbringen dunner Schich ten aus binaren Verbindungen von Titan und Sauerstoff auf eine Unterlage und Vorrich tung zur Durchfuhrung dieses Verfahrens
Ila et al. Change in yhe Optical Properties of Sapphire Induced by Ion Implantation
Roessler Characteristics of abrupt size reduction in Synedra ulna (Bacillariophyceae)