RU2681660C1 - Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя - Google Patents
Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2681660C1 RU2681660C1 RU2018117127A RU2018117127A RU2681660C1 RU 2681660 C1 RU2681660 C1 RU 2681660C1 RU 2018117127 A RU2018117127 A RU 2018117127A RU 2018117127 A RU2018117127 A RU 2018117127A RU 2681660 C1 RU2681660 C1 RU 2681660C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- etching
- gainp
- built
- mask
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
- H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
- H01L31/1848—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P comprising nitride compounds, e.g. InGaN, InGaAlN
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя включает создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с pи nслоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до nслоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5-45% концентрации. Технический результат, достигаемый в предлагаемом способе вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, заключается в повышении адгезии лицевой металлизации диода и снижении величины прямого напряжения на встроенном диоде. 1 табл., 2 ил.
Description
Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом.
Известен каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления (см. Патент РФ №2382439, опубл. 20.02.2010 г.), принятый за аналог, в котором трехкаскадная полупроводниковая структура GaInP/Ga(In)As/Ge используется для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей космического и наземного применения. Верхний каскад полупроводниковой структуры состоит из n+-Ga(In)As - контактного слоя, n-AlInP слоя широкозонного оптического окна, n+-GaInP - эмиттерного слоя, p-GaInP - базового слоя, p-AlInP - слоя тыльного потенциального барьера. Далее расположены p++-AlGaAs, n++-GaInP или n++-GaAs - слои верхнего туннельного перехода к среднему каскаду.
Недостаток данного аналога применительно к изготовлению фотопреобразователя со встроенным диодом следующий: при изготовлении диода без удаления полупроводниковых слоев верхнего каскада величина прямого напряжения на диоде составляет более 3В, что приводит к значительному тепловыделению с возможными деградацией параметров и электрическим пробоем.
Общий признак вышеуказанного аналога с предлагаемым способом капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя следующий: использование трехкаскадной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке.
Известен способ изготовления солнечного фотоэлемента с интегральным защитным диодом (см. Patent DE №102004023856 В4, опубл. 12.05.2004 г.), принятый на аналог, в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на p-Ge подложке дополнительно наращивают эпитаксиальные слои Ga1-xInxAs (0,01≤х≤0,03) n и p-типа проводимости для создания р/n перехода интегрального диода, затем р++- AlGaAs и n++-Ga(In)As (или n++-GaInP) слои туннельного перехода к n+- Ga(In)As контактному слою. Вытравливают меза-изолирующую канавку до Ge- подложки. Удаляют дополнительно выращенные эпитаксиальные слои до n-Ga(In)As - слоя в рабочей области фотопреобразователя. Создают лицевые контакты к фотопреобразователю и диоду, а также шунтирующее соединение базового n-Ga(In)As слоя диода с р-Ge подложкой.
Недостаток данного аналога заключается в необходимости формирования дополнительных эпитаксиальных слоев и создания пристеночной металлизации для шунтирования n-Ga(In)As базы интегрального диода и p-Ge подложки.
Признаки аналога, общие с предлагаемым способом, следующие: использование трехкаскадной эпитаксиальной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке.
Известен способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом (см. Патент РФ №2515420, опубл. 16.08.2012 г. ), принятый за аналог, в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, вытравливают капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковые слои верхнего GaInP - каскада, в том числе n+-Ga(In)As - контактный слой и n-AlInP - слой широкозонного оптического окна в водном растворе ортофосфорной кислоты с перекисью водорода, a n+-GaInP-эмиттерный и p-GaInP базовый слои в концентрированной соляной кислоте до стопорного эпитаксиального слоя.
Недостаток вышеуказанного способа заключается в том, что применительно к трехкаскадной полупроводниковой структуре с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, р++-AlGaAs и n++-GaInP - слоями туннельного перехода верхнего каскада концентрированная соляная кислота стравливает полупроводниковые слои за короткий промежуток времени, что затрудняет воспроизводимую остановку травления на n++-GaInP слое туннельного перехода, используемом в качестве контактной площадки. В случае перетравливания полупроводниковой структуры недопустимо возрастают обратные токи диода Iобр.>2,5mA/4В. При недотравливании полупроводниковой структуры неприемлемо увеличивается прямое напряжение Uпр.>1,8B/620mA.
Признаки указанного аналога, общие с признаками предлагаемого способа, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке; вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада.
Известен способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя (см. Патент РФ №2577826, опубл. 20.03.2016 г.), принятый за прототип в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке с р-AlGaInP-слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, удаляют в диодном окне маски полупроводниковые слои, причем вытравливают p-AlGaInP слой полностью или частично в смеси концентрированных соляной и фтористоводородной кислот в количественном соотношении объемных частей 5÷7 и 3÷5 соответственно, р++-AlGaAs-слой туннельного перехода удаляют в смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот в количественном соотношении объемных частей 6÷10 и 8÷12 соответственно. Напыляют лицевые контакты на основе серебра Cr/Ag/Au-Ge/Ag/Au. Вытравливают меза-изолирующую канавку. Напыляют тыльную металлизацию на основе серебра Cr/Au/Ag/Au. Вжигают контакты. Стравливают n+-Ga(In)As - контактный слой по маске лицевой металлизации. Наносят просветляющее покрытие TiO2/Al2O3.
Недостаток способа-прототипа заключается в том, что не обеспечивается полное удаление GaInP слоев верхнего каскада по периметру диодного окна из-за газовыделения и прикрепления пузырьков к стенкам фоторезистивной маски при травлении в соляной кислоте. В результате снижается адгезия лицевого контакта и увеличивается величина прямого
Признаки прототипа, общие с признаками предлагаемого способа, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке с р++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада вытравливание капельным смачиванием полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ - слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты.
4
Технический результата, достигаемый в предлагаемом способе, заключается в повышении адгезии лицевого контакта, снижении величины и разброса прямого напряжения на встроенном диоде.
Достигается это тем, что в способе капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, включающем создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с р++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ - слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе составахоляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.
Отличительные признаки предлагаемого способа капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна», следующие: удаление газовых пузырьков, возникающих в процессе вытравливания по периметру диодного окна в маске гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания выполнение обработки контактной площадки диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.
Для обоснования соответствия предлагаемого способа капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных технических решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого способа, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению автора, предлагаемый способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень».
Предложенный способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя обеспечивает полное удаление продуктов травления GaInP - слоев верхнего каскада по периметру диодного окна в травителях на основе соляной кислоты за счет гидродинамического удаления блокирующих травление газовых пузырьков и последующей доочистки поверхности n++- слоя в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.
В результате значительно повысилась адгезия лицевой металлизации диода и величина прямого напряжения снизилась на ~ 0,1 В.
Способ иллюстрирован фиг. 1, 2 и таблицей 1. На фиг. 1 представлен вид капли травителя с газовыми пузырьками по периметру диодного окна в маске. На фиг. 2 представлен профиль поверхности контактной площадки диода: а) - с областями недотравов по периметру; б) - с доочисткой по периметру согласно предложенному способу. В таблице 1 представлены параметры изготовленных диодов.
Для конкретного примера реализации способа используют трехкаскадные полупроводниковые структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке диаметром ∅ 100 мм с n+ Ga(In)As-контактным слоем, n+-AlInP - слоем широкозонного оптического окна, n+-GaInP - эмиттерным слоем, p-GaInP - базовым слоем, p-AlIGaP - слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP - слоями туннельного перехода верхнего каскада. Создают фоторезистивную маску негативного фоторезиста Aznlof2070 с рисунком лицевых контактов фотопреобразователя и встроенного диода. Вытравливают капельным смачиванием контактные площадки диодов до n++-GaInP слоя туннельного перехода верхнего каскада, при этом после нанесения капли травителя на основе соляной кислоты, инициирующей травление, HCl÷HF=2÷1 или HCl концентрированной для структур 3G30, выдерживают паузу 5÷6 сек до возникновения газовых пузырьков, прикрепляющихся к фоторезистивной маске и блокирующих травление по периметру диодного окна. Процесс травления сопровождается быстрой сменой интерференционных цветов поверхности GalnP - слоев. Удаляют газовые пузырьки согласно предложенному способу, гидродинамически посредством нанесения в течение 7÷10 сек (2÷3 сек для структур 3G30) нескольких (3÷4) капель травителя в диодное окно с высоты 3÷5 см от поверхности полупроводниковой структуры, при этом освободившиеся от пузырьков участки поверхности вновь подвергаются травлению.
По достижении р++-AlGaAs - слоя туннельного перехода травление замедляется и диодная площадка приобретает однородный светло-голубой цвет. Затем селективно удаляют p++-AlGaAs - слой туннельного перехода нанесением в диодное окно капли смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот при количественном соотношении объемных частей 1-4. В диодном окне маски при этом наблюдается (за 5÷7 сек) переход без газовыделения от светло-голубого до устойчивого синего цвета поверхности, что соответствует вскрытию n++- GaInP туннельного слоя. Для структур 3G30 стравливание слоев n+, p-GaInP, p-AlGaInP и p++-AlGaAs в концентрированной HCl выполняется за один процесс.
На контактный n+-Ga(In)As слой рабочей поверхности фотопреобразователя указанные травители не воздействуют. Далее полупроводниковую структуру промывают деионизованной водой и высушивают.
Выполняют, согласно предложенному способу, обработку контактной площадки диода капельным смачиванием в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении 50% от общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 7% концентрации. Продолжительность обработки 7÷10 сек. При этом происходит доочистка поверхности контактной площадки от продуктов травления GaInP-слоев. (см. фиг. 1, 2). Данный травитель наносится локально в диодное окно, так как оказывает воздействие на контактный Ga(In)As слой фотопреобразователя в связи с наличием сильного окисляющего компонента (K2Сr2O7). Контактная площадка диода после обработки в растворе HCl÷(7%) K2Cr2O7 приобретает насыщенный синий цветовой оттенок, что соответствует полному вскрытию и частичному травлению n++-GaInP слоя туннельного перехода. Полупроводниковую структуру промывают деионизованной водой и сушат.
Для составления травителя применяется соляная кислота концентрированная 35÷38%, марки «ОСЧ» по ГОСТ 14261-77.
Использование для травителя водного раствора бихромата калия K2Cr2O7 менее 5% концентрации при содержании HCL более 70% от общего объема нежелательно, так как происходит интенсивное неконтролируемое стравливание n++- GaInP слоя.
Увеличение концентрации K2Cr2O7 в водном растворе более 15% концентрации избыточно. При количественном соотношении HCL концентрированной менее 30% от общего объема ухудшается доочистка поверхности диодной площадки.
Гидродинамический удар капли травителя с высоты 3÷5 см вызывает стряхивание и удаление газовых пузырьков со стенок фоторезистивной маски. При этом освобожденные от газовых пузырьков пристеночные (шириной до ~ 200 мкм) участки поверхности вновь подвергаются травлению. При меньшем расстоянии эффективность гидродинамического воздействия недостаточна. Прокапывание с высоты более ~ 5 см нецелесообразно в силу малоразмерности диодного окна (1×7 мм) в маске.
Далее напылением и последующим взрывом создают лицевые контакты Cr/Au-Ge/Ag/Au фотопреобразователя и диода. Вытравливают меза-изолирующую канавку. Напыляют тыльную металлизацию Cr/Au/Ag/Au. Отжигают контакты. Затем вскрывают слой оптического окна травлением n+-Ga(In)As контактного слоя по маске лицевой металлизации и напыляют просветляющее покрытие TiO2/Al2O3. Изготовленные диоды имеют улучшенную адгезию лицевых контактов, не отделяемых посредством механического воздействия, низкие обратные токи Iобр.<0,1mА/4 В и величину разброса прямого напряжения ΔUпр.=0,01B (1,58≤Uпр.≤1,59 В), см. таб. 1.
Предложенный способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя применим для четырехкаскадных полупроводниковых структур с p++-AlGaAs и n++- GaInP слоями туннельных переходов двух верхних каскадов.
Claims (1)
- Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, включающий создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с p++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, отличающийся тем, что в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018117127A RU2681660C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018117127A RU2681660C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2681660C1 true RU2681660C1 (ru) | 2019-03-12 |
Family
ID=65805616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018117127A RU2681660C1 (ru) | 2018-05-07 | 2018-05-07 | Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2681660C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060042684A1 (en) * | 2001-10-24 | 2006-03-02 | Sharps Paul R | Method of fabricating a multijunction solar cell with a bypass diode having an intrisis layer |
| RU2382439C1 (ru) * | 2008-06-05 | 2010-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты" (ООО "Национальная инновационная компания "НЭП") | Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления |
| RU2391745C1 (ru) * | 2009-01-23 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) |
| RU2559166C1 (ru) * | 2014-05-08 | 2015-08-10 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2577826C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
| CN105514207A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-20 | 天津三安光电有限公司 | 一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法 |
-
2018
- 2018-05-07 RU RU2018117127A patent/RU2681660C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060042684A1 (en) * | 2001-10-24 | 2006-03-02 | Sharps Paul R | Method of fabricating a multijunction solar cell with a bypass diode having an intrisis layer |
| RU2382439C1 (ru) * | 2008-06-05 | 2010-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты" (ООО "Национальная инновационная компания "НЭП") | Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления |
| RU2391745C1 (ru) * | 2009-01-23 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) |
| RU2559166C1 (ru) * | 2014-05-08 | 2015-08-10 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| RU2577826C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-20 | Публичное акционерное общество "Сатурн" | Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя |
| CN105514207A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-04-20 | 天津三安光电有限公司 | 一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2577826C1 (ru) | Способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя | |
| US9018081B2 (en) | Light emitting diode (LED) using three-dimensional gallium nitride (GaN) pillar structures | |
| JP2953468B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 | |
| KR101168589B1 (ko) | 계면 활성제를 이용한 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법 | |
| US5458735A (en) | Process for the production of electroluminescent silicon structures | |
| RU2528277C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ Galnp/Galnas/Ge | |
| US20130234149A1 (en) | Sidewall texturing of light emitting diode structures | |
| JPS55102282A (en) | Light emitting diode and method of fabricating the same | |
| RU2391745C1 (ru) | Способ изготовления каскадных солнечных элементов (варианты) | |
| RU2681660C1 (ru) | Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя | |
| CN205723599U (zh) | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED | |
| CN103966605B (zh) | 一种LED芯片GaP层用刻蚀液及刻蚀方法以及表面粗化方法 | |
| RU2559166C1 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя | |
| JPS61110476A (ja) | 赤外発光ダイオ−ド | |
| US5919715A (en) | Method for cleaning a semiconductor surface | |
| CN102280536A (zh) | 一种光辅助红光led的磷化镓窗口层湿法粗化的方法 | |
| RU2685015C2 (ru) | Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на утоняемой подложке | |
| CN109192769A (zh) | 具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法 | |
| IE35848L (en) | Semiconductor devices | |
| US3041258A (en) | Method of etching and etching solution for use therewith | |
| RU2575974C1 (ru) | Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента | |
| KR100396675B1 (ko) | 플라즈마 처리를 이용한 청색 반도체 레이저의 제조 방법 | |
| RU2391744C1 (ru) | Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей | |
| RU2492555C1 (ru) | Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов | |
| CN109962130A (zh) | 一种六面粗化的红外led芯片及制作方法 |